專利名稱：主動矩陣式有機電激發光顯示組件及其制造方法
技術領域：
本發明是有關在一種顯示組件及其制造方法，且特別是有關在一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件及其制造方法。
背景技術：
有機電激發光顯示器相比較液晶顯示器，由于在不需要額外配置一個背光源，且仍兼具有液晶顯示器輕薄易攜帶的優點，近年來在市場上逐漸受到重視。一般的有機電激發光顯示器主要可分為主動矩陣式與簡單矩陣式兩大類型，以主動矩陣式有機電激發光顯示組件來說，其具有可連續發光以及低電壓驅動等優點。
在主動矩陣式有機電激發光顯示組件中，以非晶硅(amorphous silicon，a-Si)所制作出來的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)具有價格低廉的優勢，且此種非晶硅的制造由于均勻性佳，更有利在大尺寸面板的制造。不過，非晶硅的薄膜晶體管由在受到材質特性的限制，所以制作出來的薄膜晶體管都是屬于N型，此種型態的薄膜晶體管會有電路配接上的限制，其中一種配接方式是將薄膜晶體管的源極與有機電激發光二極管的陽極串接，但此種配接方式在有機電激發光顯示組件中的跨壓改變時，源極上的電壓將會影響薄膜晶體管上的電流大小而導致電流不穩定。至于另外一種配接方式則是將薄膜晶體管的汲極與有機電激發光二極管的陰極串接，如此薄膜晶體管上的電流將不會受到汲極上電壓的影響。
為了達成上述以薄膜晶體管的汲極與有機電激發光二極管的陰極電性連接的目的，請參照圖1，首先是將由閘極102、閘絕緣層104、信道層106、源極108a、汲極108b所構成的薄膜晶體管110形成在基板100上，接著在基板100上形成保護層112，然后，在保護層112上形成經由開口114與汲極108b電性連接的金屬電極層116(亦即有機電激發光二極管的陰極)，再在金屬電極層116上形成由電子傳輸層118、有機發光層120、電洞傳輸層122、電洞注入層124所依序堆棧形成有機發光材料層126，最后再在有機發光材料層126形成透明導體層128(亦即有機電激發光二極管的陽極)。
然而，如果采用圖1的有機電激發光顯示組件的話，將會具有下述的問題一般來說，有機電激發光二極管是以透明導體層、電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層以及金屬電極層的順序所堆棧形成，且其中電子傳輸層常使用的材料為Tri(8-Quinolinolato-N108)Aluminum(簡寫為Alq3)，而金屬電極層的材質則較常使用氟化鋰以及鋁的復合層。在形成電子傳輸層的Alq3以及金屬電極層的氟化鋰后，通常會以濺鍍的方式進行金屬電極層的鋁的沉積，此時濺鍍所需的能量可以將氟化鋰中的鋰打入電子傳輸層中，并與電子傳輸層中的Alq3形成鍵結，這樣的機制具有增強電子注入的功效。
但是，如果為了使薄膜晶體管的汲極與有機電激發光二極管的陰極電性連接，而形成如圖1所示的結構，則其中的金屬電極層是先在電子傳輸層而被形成，因此上述利用濺鍍的能量將金屬打入電子傳輸層的效果將不復存在，從而使得有機電激發光顯示組件中的發光效率降低。
為了解決發光顯示組件及其制造方法存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決的道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，而一般產品又沒有適切的結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲解決的問題。
由此可見，上述現有的發光顯示組件及其制造方法仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進一步改進。
有鑒在上述現有的發光顯示組件及其制造方法存在的缺陷，發明人基在豐富的實務經驗及專業知識，極加以研究創新，經過不斷的研究、設計作樣品及改進后，終在創設出確具實用價值的本實用新型。
發明內容
因此，本發明的一個目的是提供一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件及其制造方法，使得有機電激發光二極管的陰極串接在薄膜晶體管的汲極，以減少顯示組件的跨壓變動時電壓對在薄膜晶體管上的電流的影響。
本發明的另一目的是提供一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件及其制造方法，使得金屬電極層配置在有機發光材料層上方，這種配置在進行金屬電極層的金屬濺鍍時，微量的金屬可以進入電子傳輸層中，而增強電子注入的效率。
本發明的再一目的是提供一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件及其制造方法，成薄膜晶體管的前先覆蓋一層透明導電層在整個基板上方，此透明導電層將作為此顯示組件的共陽極。
所要解決的主要技術問題是使其首先在基板上形成透明導體層以作為顯示組件的共陽極。接著，在透明導體層上形成一層保護層。之后，在保護層上形成一個以上薄膜晶體管以形成一薄膜晶體管數組。接著，在保護層形成一個以上開口以暴露出像素區域的透明導體層，然后在開口中的透明導體層上形成一個以上有機發光材料層。之后，在這些有機發光材料層上形成金屬電極層，且這些金屬電極層與所對應的汲極的電性相連接。
本發明提出一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件的制造方法，此方法首先是在一個基板上形成一透明導體層以作為所有有機電激發光二極管的共陽極，再在透明導體層上形成一保護層，接著在保護層上形成一個以上個閘極，再在這些閘極上形成一閘絕緣層，其后在閘極絕緣層與保護層中形成一個以上個開口以暴露出透明導體層，且這些開口形成一個像素區域，之后在閘極上方的閘絕緣層上形成一個信道層，再在該信道層上形成一個源極與一汲極以形成一個以上個薄膜晶體管，繼的在這些開口中形成一個有機發光材料層，再在這些有機發光材料層上形成顯示畫面的一個金屬電極層，其中這些金屬電極層是作為有機電激發光二極管的陰極，并個電性連接至對應的汲極。
本發明提出一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件，此組件包括一個基板、一個透明導體層、一保護層、一個以上薄膜晶體管、一個以上有機發光材料層以及一個以上個金屬電極層。其中透明導體層是配置在基板上以作為所有有機電激發光二極管的共陽極，護層是配置在透明導體層上，其中此保護層具有一個以上個開口以暴露出透明導體層，且這些開口是形成一個像素區域，薄膜晶體管是一個對應這些開口而配置在保護層上以構成一個薄膜晶體管數組，其中每一薄膜晶體管至少具有一閘極、一源極以及一汲極，有機發光材料層是一配置在對應開口中的透明導體層上，而金屬電極層是配置在對應的有機發光材料層上以作為有機電激發光二極管的陰極，且金屬電極層是電性連接對應的汲極。
本發明提出另一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件，此有機電激發光顯示組件包括一基板、一金屬層、一保護層、一個以上個薄膜晶體管、一個以上個透明導體層、一個以上個有機發光材料層以及一個以上個金屬電極層。其中，金屬層是配置在基板上，保護層是配置在金屬層上，其中在保護層與金屬層中具有一個以上個開口以暴露出基板，且這些開口是形成一個像素區域，薄膜晶體管對應這些開口配置在保護層上以構成一薄膜晶體管數組，中每一薄膜晶體管至少具有一閘極、一源極以及一汲極，透明導體層配置在對應的開口中的基板上，有機發光材料層配置在對應的開口中的透明導體層上，而金屬閘極層配置在對應的有機發光二極材料層上以作為有機電激發光二極管的陰極，且金屬閘極層電性連接對應的汲極。并且金屬層與透明電極層是作為所有有機電激發光二極管的共陽極。
在上述主動矩陣式有機電激發光顯示組件的制造方法以及組件結構中，其中有機發光材料層是能夠以有機發光材料層是以電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層的順序所依序堆棧而形成。尚且金屬電極層是由濺鍍的方式形成在電子傳輸層上。
在上述主動矩陣式有機電激發光顯示組件的制造方法以及組件結構中，薄膜晶體管上還可形成另一保護層，此保護層的形成步驟進行在完成薄膜晶體管之后，且在形成金屬電極層的前，形成此保護層可以防止在形成顯示畫面的金屬電極層時，由在對準誤差使得金屬電極層將源極、汲極電性連接，進而造成短路。
在本發明的主動矩陣式有機電激發光顯示組件中，由在有機電激發光二極管的陰極是串接在薄膜晶體管的汲極，因此能夠減少有機電激發光二極管的跨壓變動影響到薄膜晶體管的電流大小，從而能夠維持薄膜晶體管的電流的穩定性。
此外，本發明的有機電激發光顯示組件與其制造方法中，有機電激發光二極管能夠以透明導體層、電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層以及金屬電極層的順序所堆棧形成，因此在進行金屬電極層的金屬濺鍍制造過程時，微量的金屬可以進入電子傳輸層中而增強電子注入的效率，進而使得顯示組件具有良好的發光效能。
另外，配置另一種形式的共陽極，此種共陽極是在基板上方的像素區域是采用透明導電層，并在基板上方的其它區域用金屬層，而共陽極是由透明導電層與導電層區域共同組成，因此能夠使有機電激發光顯示組件是為向底面(基板)發光的形式，又可以利用金屬層的低阻抗的性質增強有機電激發光顯示組件間的導電效果。
本實用新型的目的及解決其主要技術問題是采用以下技術方案來實現的。
依據本實用新型提出的；一個基板，一個透明導體層，配置在該基板上；一個保護層，配置在該透明導體層上；其中該保護層具有一個以上個開口以暴露出該透明導體層，且該開口形成一個像素區域；一個以上薄膜晶體管，對應這些開口而配置在該保護層上以形成一個薄膜晶體管數組，其中每一個薄膜晶體管至少具有一閘極、一源極以及一汲極；一個以上有機發光材料層，配置在該些開口中的該透明導體層上；以及一個以上金屬電極層，配置在這些有機發光材料層上，且該些金屬電極層電性連接這些汲極。
本實用新型的目的及解決其技術問題還可以采用以下技術措施來進一步實現。
前述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件及其制造方法，其中有一些有機發光材料層是以電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層的順序所堆棧配置。主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其中具有一個第二保護層，配置在該薄膜晶體管上。其中該透明導體層的材質包括銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。其中該金屬電極層的材質包括氟化鋰以及鋁的復合層。所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，包括一個基板；一個金屬層，配置在該基板上；一保護層，配置在該金屬層上，其中在該保護層與該金屬層中具有一個以上開口以暴露出該基板，且該些開口形成相應的像素區域；一個以上薄膜晶體管，對應開口配置該保護層上以構成一個薄膜晶體管數組，其中每一個薄膜晶體管至少具有一閘極、一源極以及一汲極；一個以上個透明導體層，一個配置在這些開口中的該基板上；一個以上個有機發光材料層，一個配置在這些開口中的透明導體層上；以及一個以上金屬電極層，一個配置在這些有機發光二極材料層上，且該金屬電極層的電性連接該些汲極。其中每一個有機發光材料層是以電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層的順序所堆棧配置。其中具有一個第二保護層，配置在該薄膜晶體管上。其中該透明導體層的材質包括銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。其中這些第二金屬層的材質包括氟化鋰以及鋁的復合層。
一種制造主動矩陣式有機電激發光顯示組件的方法，該方法包括下列步驟在一個基板上形成一透明導體層；在該透明導體層上形成一個第一保護層；在該第一保護層上形成一個以上個閘極；在該些閘極上形成一閘絕緣層；在閘極絕緣層與該第一保護層中形成一個以上個開口以暴露出該透明導體層，且該些開口形成一個像素區域；在該閘極上方的該閘絕緣層上形成一個信道層；在該些信道層上形成一個源極與一汲極；在該些開口中形成一個有機發光材料層；以及在該些有機發光材料層上個形成顯示畫面的一個金屬電極層，其中該金屬電極層是個電性連接至該些汲極。其中每一個有機發光材料層是以電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層的順序所堆棧形成。其中在該第一保護層上形成一個以上個薄膜晶體管之后，且在該有機發光材料層上形成顯示畫面的該金屬層之前，更包括在該薄膜晶體管上形成一個第二保護層，且該第二保護層是暴露出部分該汲極。其中所述的該透明導體層的材質包括銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。其中該些金屬電極層的材質包括一氟化鋰以及一鋁金屬的復合層。其中該金屬電極層中的該鋁金屬的形成方法包括濺鍍法。在一個基板上形成一透明導體層；在該透明導體層上形成一個第一保護層；在該第一保護層上形成一個以上個薄膜晶體管；該第一保護層中形成一個以上開口以暴露出該透明導體層，且該些開口形成一個像素區域；在該些開口中形成一個有機發光材料層；以及在該些有機發光材料層上個形成顯示畫面的一金屬電極層，其中該些金屬電極層個電性連接至該些薄膜晶體管的一汲極。其中在該第一保護層上形成該薄膜晶體管的步驟包括在該第一保護層上形成一個以上個閘極；在該閘極上形成一閘絕緣層；在該閘極上方的該閘絕緣層上形成一個信道層；以及在這些信道層上形成一個源極與該汲極。其中該開口同時形成在該閘絕緣層與該第一保護層中以暴露出該透明導體層。
本實用新型與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，1.本發明的有機電激發光顯示組件的陰極串接在薄膜晶體管的汲極，因此能夠減少有機電激發光二極管的跨壓變動影響薄膜晶體管的電流大小，從而能夠維持薄膜晶體管的電流的穩定性。
2.在本發明的有機電激發光顯示組件與其制造方法中，由于有機電激發光二極管是能夠以透明導體層、電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層以及金屬電極層的順序所堆棧形成，因此在進行金屬電極層的金屬濺鍍制程時，微量的金屬可以進入電子傳輸層中而增強電子注入的效率，進而使得顯示組件具有良好的發光效能。
3.本發明是配置另一種形式的共陽極，此種共陽極在基板上方的像素區域是采用透明導電層，并在基板上方的其它區域采用金屬層，而共陽極是由透明導電層與導電層區域共同組成，因此能夠使有機電激發光顯示組件為向底面(基板)發光的形式，又可以利用金屬層的低阻抗的性質增強有機電激發光顯示組件間的導電效果。
綜上所述，本實用新型特殊結構的機電激發光顯示組件與其制造方法，具有上述諸多的優點及實用價值，且在同類產品中均未見有類似的結構設計公開發表或使用，其不論在結構上或功能上皆有較大的改進，且在技術上有較大的進步，并產生了好用及實用的效果，而確實具有增進的功效，從而更加適在實用，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
本實用新型的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。
圖1所繪示為習知一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件的剖面示意圖。
圖2至圖7所繪示為依照本發明一較佳實施例的一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件的制造流程剖面示意圖。
圖8所繪示為依照本發明另一較佳實施例的一種有機電激發光顯示組件的剖面示意圖。
圖9所繪示為依照本發明又一較佳實施例的一種有機電激發光顯示組件的剖面示意圖。
圖10所繪示為依照本發明再一較佳實施例的一種有機電激發光顯示組件的剖面示意圖。
圖式標記說明100、200基板 102、202閘極104、204閘極絕緣層106、206信道層108a、208a源極108b、208b汲極110、210薄膜晶體管112、230、234保護層114、232、238開口 116、216金屬電極層118、218電子傳輸層120、220有機發光層122、222電洞傳輸層(hole transport layer)124、224電洞注入層126、226有機發光材料層128、228透明導體層236金屬層圖7的圖式標記說明詳細表示如下200基板202閘極204閘極絕緣層 206信道層208a源極 208b汲極210薄膜晶體管 216金屬電極層226有機發光材料層具體實施方式
以下結合附圖及較佳實施例，對依據本實用新型主動矩陣式有機發光顯示組件及其制造方法提出的其具體實施方式
、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
圖2至圖7所繪示為依照本發明一較佳實施例的一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件的制造流程剖面示意圖。一般而言，在一個有機電激發光顯示面板上是由多數個有機電激發光顯示組件呈一矩陣排列在基板上，然而為求簡化起見，在第圖2至第圖7中是僅繪示出制造一個有機電激發光顯示組件的制程以作說明。
請參照圖2，首先提供基板200，此基板200可以是玻璃基板或塑料基板。接著，在基板200上形成透明導體層228以作為所有有機電激發光顯示組件的共陽極，其中，形成透明導體層228的方法例如是濺鍍法，而且此透明導體層228的材質可以是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。接著，在透明導體層228上形成全面性的保護層230，其中此保護層230的材質可以是氮化硅，其形成的方法可以是電漿化學氣相沉積法，此保護層230用以阻隔透明導體層228與后續形成的其它膜層。
請參照圖3，在保護層230上形成閘極202，其中閘極202的材質可以是鉻(Cr)、鎢(W)、(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)或是合金，形成此閘極202的方法是在保護層230上形成金屬層(未繪示)，然后再顯示畫面此金屬層以定義出閘極202。之后，在這些閘極202上方形成全面性的閘極絕緣層204以覆蓋閘極202以及保護層230，其中形成閘極絕緣層204的材質為氮化硅，其形成的方法是電漿化學氣相沉積法。
請參照圖4，在閘極絕緣層204與保護層230中形成開口232以暴露出透明導體層228表面，且此開口232是對應一像素區域。在閘極202上方的閘極絕緣層204上形成信道層206，其中信道層206的表面上更可形成歐姆接觸層(未繪示)，此信道層206的材質是非晶硅(a-Si)，而歐姆接觸層的材質則是經摻雜的非晶硅(n+-Si)。
請參照圖5，在信道層206上形成源極208a以及汲極208b，并且將部分的信道層206厚度移除。以上所形成的閘極202、閘絕緣層204、信道層206以及源極208a/汲極208b是構成薄膜晶體管210。
請參照圖6，在開口232中形成有機發光材料層226。此有機發光層226例如是以電洞注入層224、電洞傳輸層222、有機發光層220以及電子傳輸層218的順序依序堆棧所形成，其中，電洞傳輸層222的材質可以是芳香族胺基化合物，有機發光層220的材質可以是金屬錯合物是的發光材料或是螢光色素是的發光材料，而電子傳輸層218的材質可以是Alq3。
請參照圖7，在有機發光材料層226上方形成像素的金屬電極層216，金屬電極層216的材質可以是鋁以及氟化鋰所共同形成的復合層，其形成的方法例如是以濺鍍或蒸鍍的方法形成氟化鋰層(未繪示)，再以濺鍍的方式在氟化鋰層上形成鋁金屬層(未繪示)以構成復合金屬層(未繪示)，然后可以是以蔭罩幕(Shadow Mask)顯示畫面此復合金屬層以形成金屬電極層216，用以作為有機電激發光顯示組件的陰極，并且金屬電極層216是與所對應的汲極208b相連接。
值得一提的是，此實施方式在進行鋁金屬層的濺鍍制程時，利用濺鍍的能量可以促使金屬電極層216中的金屬(鋰)進入電子傳輸層218中，并與電子傳輸層216中的物質(Alq3)相互結合，以增進電子注入的效能，而使有機電激發光顯示組件具有良好的發光效率。
參照圖7，以說明本發明的有機電激發光顯示組件的結構。同樣的，為求簡化起見，在圖7中是僅繪示一個有機電激發光顯示組件以作說明。此有機電激發光顯示組件包括一基板200、一透明導體層228、一保護層230、一薄膜晶體管210、一有機發光材料層226以及一金屬電極層216。
其中，透明導體層228配置在基板200上，且透明導體層228是用以作為有機電激發光二極管的陽極，其材質可以是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。另外，保護層230配置在透明導體228上方，其中保護層230上具有開口232以暴露出像素區域的透明導體層228。此外，薄膜晶體管210配置在保護層230上方，其中此薄膜晶體管210至少包括一閘極202、一閘絕緣層204、一信道層206以及一源極208a/汲極208b，而有機發光材料層226配置在開口232中的透明導電層228之上。另外，顯示畫面的金屬電極層216配置在有機發光材料層226的上，此金屬電極層216作為顯示組件的陰極，并與汲極208b的電性相連，其中此金屬電極層216的材質例如是鋁與氟化鋰所形成的復合金屬層。
特別值得一提的是，在薄膜晶體管210配置的前所覆蓋在基板200的透明導電層228，是可以作為基板200上所有有機電激發光二極管的共陽極。另外，此實施方式可以將有機電激發光二極管的陰極串接在薄膜晶體管210的汲極208b，能夠減少有機電激發光二極管的跨壓變動影響到薄膜晶體管的電流大小，從而能夠維持薄膜晶體管的電流的穩定性，所以，此組件可具有較佳的發光效能。
除了上述較佳實施例的外，本發明尚具有其它實施例。圖8所繪示為本發明另一較佳實施例的一種有機電激發光顯示組件的剖面示意圖。此有機電激發光顯示組件包括一基板200、一金屬層236、一保護層230、一透明導體層228、一薄膜晶體管210、一有機發光材料層226以及一金屬電極層216。
其中，金屬層236配置在基板200上作為有機電激發光二極管的部分陽極，金屬層236的材質例如是具有低阻抗性質的金屬，此外，在金屬層236中具有開口238，在開口238中配置有透明導體層228，且此透明導體層228位在基板200上，其中所配置的金屬層236以及透明導體層228則作為顯示組件的共陽極。另外，保護層230配置在透明導體層228及金屬層236上方，其中保護層230上具有另一開口232以暴露出透明導體層228。此外，薄膜晶體管210配置在保護層230上方，其中此薄膜晶體管210以閘極202、閘極絕緣層204、信道層206以及源極208a/汲極208b依序堆棧配置，而有機發光材料層226以及金屬電極層216依序配置在開口232中的透明導電層228的上，其中的金屬電極層216與汲極208b電性相連接。
值得一提的是，由在基板200上共同配置金屬層236以及透明導體層228以形成共陽極，此共陽極在像素區域是為透明導體層228而能夠保有原有的透光性以向面板發光，而且還能夠藉由金屬層236的配置增加組件間的導電性。
而且，在上述發明的組件制造方法以及組件結構中，亦可在薄膜晶體管上形成另一保護層，如圖9以及圖10所示。此保護層234的形成步驟進行在完成薄膜晶體管210之后，且在形成金屬電極層216的前，所以此保護層234會形成在薄膜晶體管210與金屬電極層216的間。形成此保護層234的目的，是為了防止在形成顯示畫面的金屬電極層216時，由在對準上的誤差而使得金屬電極層216將源極208a以及汲極208b電性連接而造成短路。
在上述本發明的較佳實施例中，其中的薄膜晶體管是以底閘式薄膜晶體管以作說明，然而本發明并不限定在此，本發明亦可以采用低溫多晶硅頂閘式薄膜晶體管以取代底閘式薄膜晶體管及其制造過程。
以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬在本實用新型技術方案的范圍內。
權利要求
1.一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于包括一個基板，一個透明導體層，配置在該基板上；一個保護層，配置在該透明導體層上；其中該保護層具有一個以上個開口以暴露出該透明導體層，且該開口形成一個像素區域；一個以上薄膜晶體管，對應這些開口而配置在該保護層上以形成一個薄膜晶體管數組，其中每一個薄膜晶體管至少具有一閘極、一源極以及一汲極；一個以上有機發光材料層，配置在該些開口中的該透明導體層上；以及一個以上金屬電極層，配置在這些有機發光材料層上，且該些金屬電極層電性連接這些汲極。
2.根據權利要求1所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；其中有一些有機發光材料層是以電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層的順序所堆棧配置。
3.根據權利要求1所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；其中具有一個第二保護層，配置在該薄膜晶體管上。
4.根據權利要求1所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；其中該透明導體層的材質包括銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。
5.根據權利要求1所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；其中該金屬電極層的材質包括氟化鋰以及鋁的復合層。
6.根據權利要求1所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；包括一個基板；一個金屬層，配置在該基板上；一保護層，配置在該金屬層上，其中在該保護層與該金屬層中具有一個以上開口以暴露出該基板，且該些開口形成相應的像素區域；一個以上薄膜晶體管，對應開口配置該保護層上以構成一個薄膜晶體管數組，其中每一個薄膜晶體管至少具有一閘極、一源極以及一汲極；一個以上個透明導體層，一個配置在這些開口中的該基板上；一個以上個有機發光材料層，一個配置在這些開口中的透明導體層上；以及一個以上金屬電極層，一個配置在這些有機發光二極材料層上，且該金屬電極層的電性連接該些汲極。
7.根據權利要求6所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；其中每一個有機發光材料層是以電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層的順序所堆棧配置。
8.根據權利要求6所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；其中具有一個第二保護層，配置在該薄膜晶體管上。
9.根據權利要求6所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；其中該透明導體層的材質包括銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。
10.根據權利要求6所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；其中這些第二金屬層的材質包括氟化鋰以及鋁的復合層。
11.根據權利要求1所述的主動矩陣式有機電激發光顯示組件，其特征在于；一種制造主動矩陣式有機電激發光顯示組件的方法，該方法包括下列步驟在一個基板上形成一透明導體層；在該透明導體層上形成一個第一保護層；在該第一保護層上形成一個以上個閘極；在該些閘極上形成一閘絕緣層；在閘極絕緣層與該第一保護層中形成一個以上個開口以暴露出該透明導體層，且該些開口形成一個像素區域；在該閘極上方的該閘絕緣層上形成一個信道層；在該些信道層上形成一個源極與一汲極；在該些開口中形成一個有機發光材料層；以及在該些有機發光材料層上個形成顯示畫面的一個金屬電極層，其中該金屬電極層是個電性連接至該些汲極。
12.根據權利要求11所述的方法；其特征在于；其中每一個有機發光材料層是以電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層的順序所堆棧形成。
13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于；其中在該第一保護層上形成一個以上個薄膜晶體管之后，且在該有機發光材料層上形成顯示畫面的該金屬層之前，更包括在該薄膜晶體管上形成一個第二保護層，且該第二保護層是暴露出部分該汲極。
14.根據權利要求11所述的方法，其特征在于；其中所述的該透明導體層的材質包括銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。
15.根據權利要求11所述的方法，其特征在于；其中該些金屬電極層的材質包括一氟化鋰以及一鋁金屬的復合層。
16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于；其中該金屬電極層中的該鋁金屬的形成方法包括濺鍍法。
17.根據權利要求11所述的方法，其特征在于該方法包括下列步驟在一個基板上形成一透明導體層；在該透明導體層上形成一個第一保護層；在該第一保護層上形成一個以上個薄膜晶體管；該第一保護層中形成一個以上開口以暴露出該透明導體層，且該些開口形成一個像素區域；在該些開口中形成一個有機發光材料層；以及在該些有機發光材料層上個形成顯示畫面的一金屬電極層，其中該些金屬電極層個電性連接至該些薄膜晶體管的一汲極。
18.根據權利要求17所述的方法，其特征在于；其中在該第一保護層上形成該薄膜晶體管的步驟包括在該第一保護層上形成一個以上個閘極；在該閘極上形成一閘絕緣層；在該閘極上方的該閘絕緣層上形成一個信道層；以及在這些信道層上形成一個源極與該汲極。
19.根據權利要求18所述的方法，其特征在于；其中該開口同時形成在該閘絕緣層與該第一保護層中以暴露出該透明導體層。
全文摘要
一種主動矩陣式有機電激發光顯示組件的制造方法，此方法是首先在基板上形成透明導體層以作為顯示組件的共陽極。接著，在透明導體層上形成一層保護層。之后，在保護層上形成一個以上薄膜晶體管以形成一薄膜晶體管數組。接著，在保護層形成一個以上開口以暴露出像素區域的透明導體層，后在開口中的透明導體層上形成一個以上有機發光材料層。之后，在這些有機發光材料層上形成金屬電極層，且這些金屬電極層與所對應的汲極的電性相連接。
文檔編號H05B33/10GK1536945SQ03109820
公開日2004年10月13日 申請日期2003年4月11日 優先權日2003年4月11日
發明者林巧茹 申請人:友達光電股份有限公司