半導體集成電路、通信模塊和智能儀表的制作方法

半導體集成電路、通信模塊和智能儀表的制作方法
【專利摘要】一種半導體集成電路，包括：變壓器，其包括第一繞組和第二繞組；低噪聲放大器電路，其包括輸入端子，其中變壓器的第二繞組的至少一端被連接至輸入端子；以及開關，其被設置在變壓器的第二繞組的一端與另一端之間。在其中接收信號被供給至變壓器的第一繞組的時段中，開關被斷開并且變壓器起到用于低噪聲放大器電路的輸入阻抗匹配電路的作用。另一方面，在其中被連接至預定節點的另一電路操作的時段中，開關被閉合并且使得變壓器變成包括預定電容的元件。
【專利說明】
半導體集成電路、通信模塊和智能儀表
技術領域
本發明涉及半導體集成電路、通信模塊和智能儀表，并且例如涉及包括阻抗匹配電路的半導體集成電路、通信模塊和智能儀表。【背景技術】近年來，能夠發射和接收的高頻信號的無線電通信裝置已被廣泛使用。美國專利申請 N0.2013/0035048公開了一種涉及在這樣的無線電通信裝置中使用的收發器電路的技術。 更具體地，美國專利申請N0.2013/0035048公開了一種涉及包括發射器電路、接收器電路以及在發射器電路和天線的連接與接收器電路和天線的連接之間切換的開關電路的前端系統的技術。
【發明內容】
近年來，在無線電通信裝置中使用的半導體集成電路已被進一步小型化。然而，用于切換發射器和接收器電路與天線之間的連接的開關電路歸因于諸如關于由開關電路處理的高頻信號的電壓幅度的大小的問題、對靜電釋放(ESD)的抵抗性等的原因而未足夠地小型化。結果，本發明人發現了無線電通信裝置中使用的半導體集成電路的小型化不充分的問題。相關技術的其他問題和本發明的新特征將從說明書和附圖的以下描述中變得明顯。 根據發明的一方面，開關被設置在包括第一繞組和第二繞組的變壓器的第二繞組的兩個端部處。在其中接收信號被供給至變壓器的第一繞組的時段中，開關被斷開，并且使得變壓器起到輸入阻抗匹配電路的作用。另一方面，在其中未供給發射信號的時段中，開關被閉合。根據以上方面，在無線電通信裝置中使用的半導體集成電路可以被小型化。【附圖說明】以上和其他方面、優點及特征將從結合附圖進行的某些實施例的以下描述中更加明顯，在附圖中:圖1是用于說明根據第一實施例的智能儀表的框圖；圖2是示出根據第一實施例的半導體集成電路的示例的電路圖；圖3是示出在根據第一實施例的半導體集成電路中使用的開關的示例的電路圖；圖4是用于說明根據第一實施例的半導體集成電路的操作(當開關處于閉合狀態時)的圖；圖5是用于說明根據第一實施例的半導體集成電路的操作(當開關處于閉合狀態時)的圖；圖6是示出根據第一實施例的半導體集成電路的另一配置示例的電路圖；圖7是用于說明根據第一實施例的半導體集成電路的操作的時序圖表；圖8是用于說明根據第一實施例的半導體集成電路的操作的時序圖表；圖9是示出根據第一實施例的半導體集成電路的安裝示例的圖；圖10是示出根據第一實施例的半導體集成電路的安裝示例的圖；圖11是示出根據比較例的半導體集成電路的安裝示例的圖；圖12是示出根據比較例的半導體集成電路的安裝示例的圖；圖13是示出根據第一實施例的半導體集成電路的另一安裝示例的圖；圖14是示出根據第一實施例的半導體集成電路的另一安裝示例的電路圖；圖15是示出根據第一實施例的半導體集成電路的另一安裝示例的電路圖；圖16是示出根據相關技術的通信裝置的示例的框圖；圖17是示出根據相關技術的通信裝置的另一配置示例的框圖；圖18是示出在根據相關技術的通信裝置中使用的開關電路的示例的圖；圖19是示出在根據相關技術的通信裝置中使用的開關電路的另一配置示例的圖；圖20是示出根據第二實施例的半導體集成電路的示例的電路圖；圖21是示出根據第三實施例的半導體集成電路的示例的電路圖；圖22是示出根據第三實施例的半導體集成電路的另一配置示例的電路圖；圖23是示出在半導體集成電路中使用的開關的另一配置示例的電路圖；圖24是示出在半導體集成電路中使用的開關的另一配置示例的電路圖；以及圖25是示出在半導體集成電路中使用的開關的另一配置示例的電路圖。【具體實施方式】〈第一實施例〉根據第一實施例的智能儀表將參照圖1說明如下。[智能儀表的配置:圖1]如圖1所示，根據第一實施例的智能儀表100包括通信裝置l〇l、MCU(微控制器單元) 102、測量裝置103、電源電路104、存儲器105、顯示器106和天線ANT。智能儀表100是用于測量從商用電源107供給至家用電源的負載109的電力的量的裝置。通信裝置101將已由智能儀表100測量出的電力的量等方面的信息發送至經由天線ANT 被連接至天線節點N_ANT的另一設備。此外，通信裝置101經由天線ANT從另一個設備接收預定信息。MCU(102)控制通信裝置101、測量裝置103、存儲器105和顯示器106。例如，MCU(102) 將信號MCU_SIG(控制信號等等)供給至通信裝置101。測量裝置103測量流過線108的電力的量并且將與測得的電力的量有關的信息輸出至101(102)101(102)將與已由測量裝置103 測量出的測得的電力的量有關的信息存儲在存儲器105中。顯示器106將各種信息顯示在智能儀表100上。例如，液晶顯示器可以用于顯示器106。例如，通信裝置101在讀取儀表或與 HEMS (家庭能源管理系統)通信的時候發送被存儲在存儲器105中的電力消耗的記錄。[相關技術的說明]接下來，圖1中示出的智能儀表所使用的通信裝置101的相關技術將參照圖16至圖19說明如下。圖16是用于說明圖1中示出的智能儀表100所使用的通信裝置101的相關技術的圖和示出了根據相關技術的通信裝置的示例的框圖。如圖16所示，根據相關技術的通信裝置 1011包括半導體集成電路113_1。半導體集成電路113 j是用于高頻的集成電路并且包含半導體芯片(RF-1C)。半導體集成電路113_1包括接收無源電路115、低噪聲放大器電路LNA、 接收器電路RX、發射器電路TX、發射放大器電路PA、發射無源電路116、局部振蕩器SX、調制解調器MODEM、控制電路114和接口 I/F。此外，通信裝置101_1包括開關電路117。該開關電路 117被設置在半導體集成電路113_1(RF-1C)外。接收無源電路115具有匹配低噪聲放大器電路LNA的輸入阻抗的功能和作為濾波器電路的功能。低噪聲放大器電路LNA將從接收無源電路115供給的接收信號(無線電信號)放大。接收器電路RX在已由低噪聲放大器電路LNA放大了的接收信號上執行諸如降頻轉換 (down convers 1n)等的接收過程。調制解調器MODEM將已從接收器電路RX供給的接收信號解調并且經由接口 I/F將經過解調的接收信號供給至圖1中示出的MCU(102)。此外，發射信號經由接口 I/F被從圖1中示出的MCU( 102)供給至調制解調器MODEM。調制解調器MODEM將所供給的發射信號調制并且將經過調制的發射信號供給至發射器電路TX。 發射器電路TX在已從調制解調器MODEM供給的經過調制的發射信號上執行諸如升頻轉換 (up-convers1n)等的發射過程。發射放大器電路PA對已從發射器電路TX供給的發射信號進行放大。發射無源電路116具有匹配發射放大器電路PA的輸出阻抗的功能和作為濾波器電路的功能。開關電路117在天線ANT和接收無源電路115的連接與天線ANT和發射無源電路116的連接之間切換。更具體地，開關電路117在接收的時候將天線節點N_ANT與接收無源電路115的輸入節點N101連接，并且在發射的時候將天線節點N_ANT與發射無源電路116的輸出節點 N102連接。此外，控制信號MCU_SIG經由接口 I/F被從圖1中示出的M⑶(102)供給至控制電路 114。控制電路114響應于控制信號MCU_SIG產生控制信號CTR并且控制構成通信裝置101_1 的各電路。如圖16所示，在通信裝置101_1中，大多數的功能被集成到半導體集成電路113_1(半導體芯片(RF-1C))內。在圖16中示出的通信裝置101_1中，開關電路117包含與構成半導體集成電路113_1的部分不同的部分。需要注意的是當用于智能儀表的通信裝置支持處于單個頻帶的單個通信系統時往往是綽綽有余的。為了與用于智能儀表的通信裝置進行比較，將對作為示例的移動電話進行說明。在移動電話中，具有8個至16個端口的多個開關電路(對應于開關電路117)被典型地用來支持多個頻帶和通信系統。另一方面，因為具有兩個端口的開關電路117對于用于智能儀表的通信裝置而言是綽綽有余的，所以用于智能儀表的通信裝置中的開關電路的復雜性大大地不同于作為相同無線電通信裝置的移動電話中的開關電路的復雜性。[相關技術的問題]在智能儀表中，為了使電路小型化和降低成本，不斷地對如何提高部件的密度進行著研究。尤其是在用于智能儀表的通信裝置中，因為僅有必要支持處于單個頻帶的單個通信系統，所以裝置的配置可以通過提高其集成度而被大大地簡化。例如，圖17中示出的通信裝置101_2具有有著提高了的集成度的配置并且示出了其中MCU(102)和圖16中示出的半導體集成電路113_1(RF-1C)構成一個半導體集成電路113_2(即，半導體芯片RF-S〇C)(片上射頻系統)的情況。當進行在裝置的配置的集成度上的提高時，可以被集成的最后部分是開關電路117。對此有兩個原因。第一個原因是，因為開關電路117被插入其中的部分的特性阻抗是天線的阻抗(典型地是500)，所以發射與接收信號的電壓幅度將變大。在例如由智能儀表普遍使用的920MHz波段的指定低功率無線電的情況中，來自功率放大器的發射功率的上限是13dBm。 此時，當天線的阻抗是50 Q時，電壓幅度將是大約2.8Vpp。考慮到例如碰觸到天線的某物體所引起的信號反射，有必要將電壓幅度視為2.8Vpp的最多兩倍大。該電壓幅度等效于 M0SFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的安全激發電壓的幾倍大的幅度，該M0SFET通過作為用于獲得小型化和半導體芯片的電壓上的降低的工藝的用于制造RF-1C和RF-S〇C的工藝制造出。因此，處理具有這樣的大電壓幅度的發射與接收信號的切換的開關電路要求通過將稍后說明的專用工藝制造出的半導體1C。第二個原因是，因為天線被形成為靠近智能儀表的表面或者在智能儀表外突出，所以要求對靜電釋放(ESD)的強的抵抗性(抗浪涌電阻(surge res i stance))。然而，不容易確保通過用于獲得小型化和電壓上的降低的工藝制造出的RF-1C和RF-S〇C中的強的抗浪涌電阻。歸因于這些原因，通過特殊制造工藝制造出的開關電路被用于通信裝置1〇1_1和1〇2_2 中的開關電路117。圖18是示出相關技術中使用的開關電路的示例的圖。圖18中示出的開關電路117_1包含通過GaAs相關的化合物半導體處理制造出的開關IC(123)和阻止DC偏置成分從開關IC(123)泄漏的電容性元件C101至C103。因為已在上面說明的RF-1C和RF-SoC通過硅工藝技術形成，所以通過化合物半導體處理形成的開關IC(123)看樣子不能被集成到RF-1C和RF-SoC 中。此外，近年來使用著用SOI(絕緣體上硅)-CM0S技術制造的高性能開關電路。圖19是示出相關技術中使用的開關電路的另一配置示例的圖。圖19中示出的開關電路117_2包括其中多個N型M0SFET串聯連接的開關組125和其中多個N型M0SFET串聯連接的開關組126。開關電路117_2起到SPDT(單刀雙擲)開關的作用。圖19中示出的開關電路117_2包括用于產生正和負偏置電壓以便切換多個N型M0SFET的電荷栗電路CP和用于將所產生的電壓適當地供給至開關組125和126的驅動電路DRV。雖然開關電路117_2可以使用與用于形成RF-1C和RF-SoC的技術相同的硅工藝技術形成，但是出于以下原因難以集成開關電路117_2。具體地，雖然RF-1C和RF-SoC使用塊體襯底，但是圖19中示出的開關電路117_2需要使用SOI襯底。此外，RF-1C和RF-SoC使用用于獲得小型化和電壓上的降低的小型化工藝。然而，圖19中示出的開關電路117_2是通過可以處理高電壓的工藝(小型化的技術落后幾代的工藝)制造出的，因為由開關電路117_2處理的信號的電壓幅度是大的。此外，圖19中示出的開關電路117_2要求電荷栗電路CP和驅動電路DRV。然而，當電荷栗電路CP和驅動電路DRV— 起安裝在RF-1C和RF-SoC上時，電荷電路CP和驅動電路DRV的操作噪聲引起對高頻發射特性和高頻接收特性的不利影響。在這樣的困難的認識下，當使用用來制造RF-1C和RF-SoC的用于獲得小型化和在電壓上的降低的工藝來集成開關電路117時，可以處理的信號的電壓幅度可能被限制或者抗浪涌電阻可能變得不充分。另一方面，當使用一般用于I/O的高電阻M0SFET以便避免在信號的電壓幅度和抗浪涌電阻上的限制時，存在有諸如RF特性的劣化、芯片面積上的增加和功率消耗上的增加等的不利影響。如已在上面說明的，在根據相關技術的通信裝置1011和101_2中，用于切換天線與發射器和接收器電路的連接的開關電路歸因于諸如由開關電路處理的高頻信號的電壓幅度的大小和對ESD的抵抗性等的原因而尚未足夠地小型化。于是，存在有無線電通信裝置中使用的半導體集成電路尚未充分地小型化的問題。可以解決這樣的問題的半導體集成電路將說明如下。[半導體集成電路的配置:圖2]圖2是示出根據第一實施例的半導體集成電路的示例的電路圖。如圖2所示，根據該實施例的半導體集成電路1包括:包括繞組L1和繞組L2的變壓器T1、電容性元件C2、開關SW1、 低噪聲放大器電路LNA和控制電路10。這些部件被集成到例如RF-1C或RF-SoC內。電容性元件C1被設置在天線節點N_ANT與半導體集成電路1的輸入端子TM1之間。根據該實施例的半導體集成電路1可以用于已在上面說明的智能儀表100的通信裝置101。半導體集成電路1中的除了上面提到的那些以外的部件、即低噪聲放大器電路LNA和低噪聲放大器電路LNA的隨后的級中的電路等與圖16中示出的根據相關技術的通信裝置101_ 1中的那些相同。因為這些部件不是根據該實施例的半導體集成電路1的特征部分，所以其描述將省略。此外，與半導體集成電路1不同的另一電路(典型地是發射器電路)被并聯連接至天線節點N_ANT。需要注意的是，在半導體集成電路中包括發射器電路的配置將稍后說明 (圖 6)。如圖2所示，變壓器T1的繞組L1的一端被連接至輸入端子TM1，并且變壓器T1的繞組L1 的另一端被接地(被以交流的方式接地)。變壓器T1的繞組L2的一端(節點N1)和變壓器T1的繞組L2的另一端(節點N2)被分別連接至低噪聲放大器電路LNA的輸入端子。電容性元件C2 和開關SW1被并聯連接在變壓器T1的繞組L2的一端與另一端之間。需要注意的是，電容性元件C2可以取決于低噪聲放大器電路LNA的輸入阻抗的值而省略。圖3是示出開關SW1的示例的電路圖。開關SW1可以包含例如N型MOSFET(TrlO)和電阻器 R10及RlUMOSFEI^TrlO)的漏極和源極被分別連接至變壓器T1的繞組L2的節點N1和節點 N2WV DC偏置經由電阻器R11被供給至MOSFET(TrlO)的主體。控制信號SW1_CTR(電壓VDD或 0V)經由電阻器R10被施加至MOSFET (Tr 10)的柵極。也就是，當電壓VDD被施加至MOSFET(TrlO)的柵極時，MOSFET(TrlO)將處于導通(開關 SW1將處于閉合狀態)。另一方面，當0V被施加至MOSFET(TrlO)的柵極時，MOSFET(TrlO)將處于關斷(開關SW1將處于斷開狀態)。需要注意的是，因為開關SW1僅應該針對RF信號被斷開或閉合，所以MOSFET(TrlO)的源極和漏極可以分別被電容性地耦合至變壓器T1的繞組L2的節點N1和節點N2。此外，可以使用P型MOSFET取代N型MOSFET (Tr 10)。控制電路10將電壓VDD或0V的電壓作為開關SW1的控制信號SW1_CTR施加至NM0S晶體管 TrlO的柵極。此外，控制電路10將控制信號CTR供給至被包括在半導體集成電路1中的各電路(未示出)。控制信號MCU_SIG被從圖1中示出的MCU(102)供給至控制電路10。[半導體集成電路的操作]接下來，半導體集成電路1的操作將說明如下。根據該實施例的半導體集成電路1在接收信號被從天線ANT(預定節點)供給至變壓器 T1的繞組L1時的時段中通過斷開開關SW1而使得變壓器T1起到用于低噪聲放大器電路LNA 的輸入阻抗匹配電路的作用。在圖2中示出的半導體集成電路1中，除變壓器T1之外的電容性元件C1和電容性元件C2也構成用于低噪聲放大器電路LNA的輸入阻抗匹配電路。另一方面，在被連接至天線ANT(預定節點)的另一電路操作時的時段中，開關SW1被閉合。在該情況中，當從天線ANT側觀察電容性元件Cl側時的阻抗將變成等效于充分小的電容性元件的阻抗。需要注意的是，當被連接至天線ANT的另一個電路是發射器電路時，半導體集成電路1(接收器電路)和另一個電路(發射器電路)的操作將變成與圖7和圖8的時序圖表中示出的那些相同(圖7和圖8中示出的操作將稍后說明)。此時，通過適當地選擇變壓器T1的電路常數和電容性元件C1及C2,低噪聲放大器電路 LNA的輸入阻抗可以在其中開關SW1被斷開的狀態中匹配，并且當從天線ANT側觀察半導體集成電路1側時的阻抗可以被配置成在其中開關SW1被閉合的狀態中變成等效于充分小的電容的阻抗。具體地，在其中開關SW1被斷開的狀態中，包括變壓器T1的接收無源電路可以處于適于接收操作的狀態。另一方面，在其中開關SW1被閉合的狀態中，包括變壓器T1的接收無源電路對另一個電路的影響可以在從被連接至天線ANT的另一個電路觀察半導體集成電路1時忽略，或者當從天線ANT側觀察半導體集成電路1時的等效電容(充分小的電容)可以通過包括用于另一個電路的阻抗匹配電路的部件中的一個內的等效電容而起作用。更具體地說，在圖2中示出的半導體集成電路1中，考慮其中低噪聲放大器電路LNA的復輸入阻抗、電容性元件C1的電容C1、繞組L1的電感L1和變壓器T1的耦合系數k的值被預先提供的情況。在該情況中，自由度仍然在以下兩個值中:繞組L2的電感L2和電容性元件C2的電容C2的值。于是，在這樣的約束條件下，可以使得阻抗匹配低噪聲放大器電路LNA的復阻抗 (=自由度2)。此外，當開關SW1被閉合時，被并聯連接至開關SW1的電容性元件C2和低噪聲放大器電路LNA可以忽略。也就是，當開關SW1被閉合時，可以考慮圖4中示出的電路。在這樣的情況中，從天線ANT側觀察到的等效電路將變成圖5中示出的那個。更具體地，從天線ANT側觀察至IJ的阻抗是 1/j ?Cl+j c〇Ll(l-k2)。在RF信號的角頻率處，1/j ?C3 = l/j c〇Cl+j c〇Ll(l-k2)。 因為C1、L1和k的值可以通過適當地選擇這些值被任意確定而不管低噪聲放大器電路LNA的輸入阻抗匹配如何，所以C3的值可以被設定為充分小的預定值。因此，當從被連接至天線ANT的另一個電路觀察時，當開關SW1被閉合時的半導體集成電路1的輸入端子TM1可以被看作等效于電容C3。當電容C3的值被設定為充分小的值時，對另一個電路的影響可以忽略。此外，電容C3可以被并入作為用于另一個電路的阻抗匹配電路的部件中的一個。如上所述，根據該實施例的半導體集成電路1可以在未使用被串聯插入RF信號路徑中的開關電路(參見圖16至圖19)的情況下獲得了好像半導體集成電路1的輸入單元(輸入端子TM1)與天線ANT分離的狀態。此外，變壓器n的初級側的繞組L1的一端被直接連接至半導體集成電路l(RF-1C)的輸入端子TM1，并且變壓器T1的繞組L1的另一端被接地。變壓器T1的初級側的電感典型地為大約幾nH。在粗導線被用于變壓器T1的繞組時，沒有必要為了確保抗浪涌電阻而單獨地提供 ESD保護電路，并且即使當要求ESD保護電路時，僅簡單的ESD保護電路也是充分的。也就是， 通過將半導體集成電路l(RF-1C)的輸入端子TM1直接連接至變壓器T1的初級側的繞組L1， 可以確保強的抗浪涌電阻。此外，因為沒有必要提供ESD保護電路，所以半導體集成電路1的芯片面積可以被減小與ESD保護電路的面積對應的面積。另外，由ESD保護電路引起的寄生電容可以被降低。被連接至變壓器T1的次級側的繞組L2的開關SW1在半導體集成電路1執行接收操作時變成斷開狀態。在半導體集成電路1的接收功率的最大值典型地小(其大約為_20dBm)時，當開關SW1處于斷開狀態時施加的電壓幅度處于可以由構成開關SW1的MOSFET(參見圖3)處理的程度。當被連接至天線ANT的另一個電路是發射器電路時，大的電壓幅度在發射的狀態中被施加至半導體集成電路l(RF-1C)的輸入端子TM1。然而，在開關SW1此時處于閉合狀態時， 施加至開關SW1的電壓幅度幾乎為零。因此，通過用于獲得小型化和電壓上的降低的小型化工藝形成的MOSFET可以被用于開關SW1。另外，優選的是，除了當半導體集成電路1執行接收操作時以外，將開關SW1閉合。一般情況下，低噪聲放大器電路LNA的輸入阻抗大于天線的阻抗(典型地為500)，變壓器T1被以如下方式設計:使得阻抗將從天線ANTii_向低噪聲放大器電路LNA側逐漸增加。于是，針對開關SW1所要求的導通電阻可以大于根據相關技術接近天線ANT布置的開關電路117(參見圖16)的導通電阻。此外，因為小型化工藝被用來制造RF-1C和RF-SoC，即使當M0SFET的面積小時，也可以獲得充分低的導通電阻。結果，開關SW1的面積可以小于相關技術中的。此外， 由開關SW1引起的寄生電容也可以被減小。如已在上面說明的，因為根據該實施例的半導體集成電路1具有上面說明的配置，所以沒有必要使用相關技術中使用的開關電路117(圖18和圖19)。因此能夠獲得在無線電通信裝置中使用的半導體集成電路的小型化。[半導體集成電路的另一配置示例:圖6]接下來，根據該實施例的半導體集成電路的另一配置示例將說明如下。圖6是示出根據該實施例的半導體集成電路的另一配置示例的電路圖。圖6中示出的半導體集成電路2與圖 2中示出的半導體集成電路1之間的不同在于圖6中示出的半導體集成電路2包括諸如發射無源電路12、發射放大器PA等的發射系統的電路。因為除了上面提到的這些以外的配置都與圖2中出的半導體集成電路1的那些相同，所以重復說明將省略。如圖6所示，半導體集成電路2包括:包括繞組L1和繞組L2的變壓器T1、電容性元件C2、 開關SW1、低噪聲放大器電路LNA、控制電路11、發射無源電路12和發射放大器PA。這些部件被集成到例如RF-1C或RF-SoC內。包括變壓器T1、電容性元件C2、開關SW1和低噪聲放大器電路LNA的發射系統的電路經由輸入端子TM1被連接至天線ANT。電容性元件C1被設置在天線節點N_ANT與輸入端子TM1之間。此外，包括發射無源電路12和發射放大器PA的發射系統的電路經由輸出端子TM2被連接至天線節點N_ANT。例如，圖6中示出的半導體集成電路2可以被用于已在上面說明的相關技術的通信裝置101。[〇〇47]半導體集成電路2中的作為低噪聲放大器電路LNA的其他部件和低噪聲放大器電路LNA的隨后的級中的電路及發射放大器PA的前面的級中的電路與圖16中示出的根據相關技術的通信裝置1〇1_1中的那些相同。因為那些部件不是根據該實施例的半導體集成電路2 的特征部分，所以其描述將省略。此外，在圖6中示出的半導體集成電路2中，控制電路11也將控制信號供給至發射系統的電路。需要注意的是，在該實施例中，發射放大器PA可以被配置成將差分發射信號供給至發射無源電路12,或者發射放大器PA可以被配置成將單相發射信號供給至發射無源電路12。[圖6中示出的半導體集成電路的操作]圖6中示出的半導體集成電路2在其中接收信號被從天線ANT供給至變壓器T1的繞組LI 的時段(接收操作時段)中使開關SW1處于斷開狀態并使變壓器T1起到用于低噪聲放大器電路LNA的輸入阻抗匹配電路的作用。在圖6中示出的半導體集成電路2中，除變壓器T1之外的電容性元件C1和電容性元件C2也構成用于低噪聲放大器電路LNA的輸入阻抗匹配電路。另一方面，開關SW1在其中包括發射無源電路12和發射放大器PA的發射系統的電路操作的時段(發射操作時段)中被閉合。在該情況中，當從天線ANT側觀察電容性元件C1側時的阻抗將變成等效于充分小的電容性元件的阻抗。于是，包括發射無源電路12和發射放大器 PA的發射系統的電路可以正常地執行發射操作。接下來，將更加詳細地說明圖6中示出的半導體集成電路2的操作。圖7是用于說明半導體集成電路2的操作的時序圖表。圖7中示出的時序圖表示出了其中常通開關被用于半導體集成電路2的開關SW1的情況。當常通開關被用于開關SW1并且從控制電路11輸出的控制信號SW1_CTR是低電平控制信號時，開關SW1的狀態將是導通(閉合狀態)。此時，半導體集成電路2的狀態將變成能夠執行發射操作的狀態。另一方面，當從控制電路11輸出的控制信號 SW1_CTR是高電平控制信號時，開關SW1將是關斷(斷開狀態)。此時，半導體集成電路2的狀態將變成能夠執行接收操作的狀態。更具體地，當常通開關被用于開關SW1時，在緊接在半導體集成電路2執行接收操作之前的時刻tl和t3處，開關SW1被關斷(斷開狀態)，使得半導體集成電路2將處于能夠執行接收操作的狀態。接著，在半導體集成電路2完成了接收操作之后的時刻t2和t4處，開關SW1被接通(閉合狀態)，使得半導體集成電路2將處于能夠執行發射操作的狀態。需要注意的是， 當半導體集成電路2未執行接收和發射操作兩者時，因為開關SW1是常通的，所以開關SW1被接通(閉合狀態)(例如，參見時刻t4至t5)。圖8是用于說明半導體集成電路2的操作的時序圖表并且示出了其中常斷開關被用于半導體集成電路2的開關SW1的情況。當常斷開關被用于開關SW1并且從控制電路11輸出的控制信號SW1_CTR是低電平控制信號時，開關SW1將變成關斷狀態(斷開狀態)。此時，半導體集成電路2將處于能夠執行接收操作的狀態。另一方面，當從控制電路11輸出的控制信號 SW1_CTR是高電平控制信號時，開關SW1被接通(閉合狀態)。此時，半導體集成電路2將處于能夠執行發射操作的狀態。更具體地，當常斷開關被用于開關SW1時，在緊接在半導體集成電路2執行發射操作之前的時刻til和tl3處，開關SW1被接通(閉合狀態)，使得半導體集成電路2將處于能夠執行發射操作的狀態。接著，在半導體集成電路2完成了發射操作之后的時刻tl2和tl4處，開關 SW1被關斷(斷開狀態)，使得半導體集成電路2將處于能夠執行接收操作的狀態。需要注意的是，當半導體集成電路2未執行接收和發射操作中的任一個時，因為開關SW1是常斷的，所以開關SW1被關斷(斷開狀態)(例如，參見時刻tl4至tl5)。[半導體集成電路的安裝示例:圖9至圖12]接下來，將通過參照圖9和圖10來說明根據該實施例的半導體集成電路的安裝示例。如圖9所示，半導體集成電路2包含半導體芯片(RF-1C)，并且各部件被集成到半導體芯片內。 半導體集成電路2的輸入端子TM1和電容性元件(芯片電容)23的一端使用用于高頻的線21 進行連接。半導體集成電路2的輸出端子TM2和電容性元件23的另一端使用線22進行連接。 線22被連接至天線節點N_ANT。圖10是示出其中圖9中示出的半導體集成電路2(半導體芯片)被安裝在安裝基板上的通信模塊20的圖。如圖10所示，半導體集成電路2(半導體芯片)被安裝在安裝基板上。連接至半導體集成電路2的線22被連接至天線連接器25。多個電容性元件(芯片電容)26被布置在安裝基板上。此外，連接至MCU( 102b)(參見圖1)的連接器27被布置在安裝基板的背面側。 如圖10所示，在通信模塊20中，因為大多數的功能都集中在半導體集成電路2(半導體芯片) 上，所以除了半導體集成電路2以外的必要的部件的數量可以是幾個，諸如天線連接器25、 電容性元件(芯片電容)26和連接器27等。需要注意的是，在圖9和圖10中，電源線、接地線、 控制線等未示出。圖11和圖12是示出根據比較例的半導體集成電路113的安裝示例的圖。半導體集成電路113對應于圖16中示出的半導體集成電路113_1。因此，當使用半導體集成電路113時，圖 16中示出的開關電路117將是必要的。此外，當開關電路117使用GaAs技術形成時，需要三個電容性元件(芯片電容)以便阻止DC成分從開關電路117泄漏(對于細節，參見圖18)。如圖11所示，半導體集成電路113包含半導體芯片(RF-1C)，并且各部件被集成到半導體芯片內。半導體集成電路113的輸入端子TM1和開關電路117使用線131進行連接。電容性元件C101 (芯片電容)被設置在輸入端子TM1與開關電路117之間。半導體集成電路113的輸出端子TM2與開關電路117使用線132進行連接。電容性元件C102(芯片電容)被設置在輸出端子TM2與開關電路117之間。開關電路117和天線節點N_ANT被用線132連接。電容性元件 C103 (芯片電容)被設置在開關電路117與天線節點N_ANT之間。圖12是示出其中圖11中示出的半導體集成電路113(半導體芯片)被安裝在安裝基板上的通信模塊101。如圖12所示，半導體集成電路113(半導體芯片)被安裝在安裝基板上。線 133被連接至天線連接器135。多個電容性元件(芯片電容)136被布置在安裝基板上。此外， 連接至MCU(102)(參見圖1)的連接器137被布置在安裝基板的背面側。需要注意的是，在圖 11和圖12中，電源線、接地線、控制線等未示出。圖12中示出的通信模塊101需要開關電路117,并且需要三個電容性元件(芯片電容)以便阻止DC成分從開關電路117泄漏。這大大地增加了通信模塊101的面積。另一方面，在圖10 中示出的通信模塊20中，因為開關電路117和兩個電容性元件可以省略，所以通信模塊20的面積可以被減小開關電路117和兩個電容性元件的面積。需要注意的是，如圖9所示，在半導體集成電路2中，取代開關電路117,將需要開關SW1。然而，因為開關SW1可以包含例如CMOS (互補金屬氧化物半導體)等等，所以開關SW1的面積可以與構成接收電路的其他電路部件相比足夠地小。[半導體集成電路的另一安裝示例:圖13]接下來，將說明根據該實施例的半導體集成電路的多功能性。普遍是當存在有在發射信號的不希望的波上的嚴格規則時或者當在接收信號波段的附近預期有強的干擾波時在發射側、接收側或者在發射和接收側兩者中提供SAW(表面聲波)濾波器。圖13是示出根據該實施例的半導體集成電路的另一安裝示例的圖并且示出了其中SAW 濾波器被設置在發射和接收側兩者中的配置。圖13中示出的配置需要開關電路117,以便在發射側和天線節點N_ANT的連接與接收側和天線節點N_ANT的連接之間切換。SAW濾波器141 被設置在接收側的輸入端子TM1與開關電路117之間。另外，SAW濾波器142被設置在發射側的輸出端子TM2與開關電路117之間。雖然在圖6中示出的半導體集成電路2(半導體芯片)中，開關SW1被設置在接收信號的路徑中，但是開關SW1的尺寸是小的。于是，即使當圖6中示出的半導體集成電路2(半導體芯片)被用于圖13中示出的包括了SAW濾波器的通信裝置時，也根本沒有在特性、成本和電路面積方面的缺點。因此，相同的半導體集成電路2(半導體芯片)可以被用于圖6中示出的通信裝置(沒有SAW濾波器的配置)和圖13中示出的通信裝置(具有SAW濾波器的配置)。諸如RF-1C和RF-S〇C等的半導體芯片的功能近年來進一步地復雜化。因此，相的同半導體芯片可以以上面說明的方式用于多個用途的益處對于半導體芯片的制造商和用戶而言是顯著的。更具體地說，對于半導體芯片的制造商而言，用于產品設計時的驗證、質量保證的可靠性測試、生產批量的管理、生產后的庫存管理和各種文件的準備及維護的成本、時間等可以降低。對于半導體芯片的用戶而言，用于引入半導體芯片時的基本性能驗證、在與軟件組合的操作上的評價、可靠性驗證和生產時的庫存的管理的成本和時間可以降低。如已在上面說明的，因為根據該實施例的半導體集成電路2可以被用于具有各種配置的通信裝置，所以根據該實施例的半導體集成電路2是多功能的。在該情況中，以與上面的情況類似的方式沒有在通信裝置的特性、成本和電路面積方面的缺點。于是，半導體集成電路可以普遍地用在使用根據該實施例的技術的智能儀表中或者在根據相關技術的智能儀表中。這節省了用于配置智能儀表的總成本、用于開發等所需的時間等。[半導體集成電路的另一配置示例:圖14]接下來，將參照圖14來說明根據該實施例的半導體集成電路的另一配置示例。圖2中示出的半導體集成電路1具有其中電容性元件C1被設置在天線節點N_ANT與輸入端子TM1之間的配置。然而，在該實施例中，如在圖14中示出的半導體集成電路3所示，電容性元件C1’可以被設置在端子TM1’與接地電位之間。端子TM1’被連接至繞組L1的另一端。此外，電容性元件C1’被設置在半導體集成電路3外。也就是，如圖2和圖14所示，在根據該實施例的半導體集成電路中，可以提供被串聯連接至變壓器T1的繞組L1的電容性元件C1(C1’)，并且在其上提供電容性元件的位置可以任意確定。此時，接收信號被從天線ANT供給至包括繞組L1和電容性元件Cl(Cl’)的電路的一端，并且電路的另一端被以交流的方式接地。需要注意的是，因為半導體集成電路3的除了電容性元件C1’以外的配置都與圖2中示出的半導體集成電路1的那些相同，所以重復說明將省略。[半導體集成電路的另一配置示例:圖15]此外，圖2中示出的半導體集成電路1具有其中變壓器T1的繞組L2的一端(節點N1)和變壓器T1的繞組L2的另一端(N2)被分別連接至低噪聲放大器電路LNA的輸入端子的配置、即其中差分信號被供給至低噪聲放大器電路LNA的配置。然而，在該實施例中，以與圖15中示出的半導體集成電路4類似的方式，變壓器T1的繞組L2的僅一端被連接至低噪聲放大器電路LNA的輸入端子，并且繞組L2的另一端(節點N2)可以被以交流的方式接地。也就是，低噪聲放大器電路LNA的輸入可以是單相輸入。需要注意的是，因為圖15中示出的半導體集成電路4的其他配置與圖2中示出的半導體集成電路1的那些相同，所以重復說明將省略。〈第二實施例〉接下來，第二實施例將說明如下。圖20是示出根據第二實施例的半導體集成電路5的示例的圖。圖20中示出的半導體集成電路5示出了被包括在圖6中示出的半導體集成電路2中的發射無源電路12和發射放大器電路PA的特定配置示例。因為其他部件與在第一實施例中說明的半導體集成電路中的那些相同，所以重復說明將省略。[半導體集成電路的配置:圖20]如圖20所示，半導體集成電路5包括:包括繞組L1和L2的變壓器T1、電容性元件C2、開關 SW1、低噪聲放大器電路LNA、包括繞組L4和L5的變壓器T2、電容性元件C5、發射放大器PA和控制電路11。需要注意的是，因為作為變壓器T1、電容性元件C2、開關SW1和低噪聲放大器電路LNA的接收系統的電路元件與在第一實施例中說明的那些相同，所以重復說明將省略。如圖20所示，變壓器T2的繞組L5的一端和另一端被分別連接至發射放大器電路PA的輸出端子。也就是，發射信號被從發射放大器電路PA供給至變壓器T2的繞組L5的一端和另一端。變壓器T2的繞組L4的一端被連接至輸出端子TM2,并且變壓器T2的繞組L4的另一端被接地(以交流的方式接地)。電容性元件C5被連接在變壓器T2的繞組L4的一端與另一端之間。 需要注意的是，電容性元件C5可以取決于發射放大器電路PA的輸出阻抗的值而省略。電容性元件C1被連接在半導體集成電路5的輸入端子TM1與天線ANT之間。此外，電容性元件C4被連接在半導體集成電路5的輸出端子TM2與天線ANT之間。發射放大器電路PA是例如CMOS型差分功率放大器電路并且包括PMOS晶體管Trl和Tr3 及NM0S晶體管Tr2和TrLPMOS晶體管Trl的漏極和NM0S晶體管Tr2的漏極被連接至變壓器T2 的繞組L5的一端，并且PM0S晶體管Tr3的漏極和NM0S晶體管Tr4的漏極被連接至變壓器T2的繞組L5的另一端。控制信號PA_CTR(驅動電壓)被從控制電路11供給至晶體管Tr 1至Tr4的各柵極。[半導體集成電路的操作]接下來，半導體集成電路5的操作將說明如下。當半導體集成電路5執行發射操作時，控制電路11將開關SW1控制處于閉合狀態(參見第一實施例)。此外，發射放大器電路PA將發射信號供給至變壓器T2的繞組L5。此時發射放大器電路PA的操作模式應該被稱作發射模式。更具體地，控制電路11將控制信號PA_CTR供給至發射放大器電路PA的晶體管Tr 1至 Tr4,并且控制發射放大器電路PA以輸出發射信號(差分信號)。此時，變壓器T2起到用于發射放大器電路PA的阻抗匹配電路的作用。在圖20中示出的半導體集成電路5中，除變壓器T2 之外的電容性元件C4和C5也構成用于發射放大器電路PA的阻抗匹配電路。另一方面，當半導體集成電路5執行接收操作時，控制電路11將開關SW1控制處于斷開狀態(參見第一實施例)。此外，發射放大器電路PA使變壓器T2的繞組L5的兩個端部短路。此時發射放大器電路P A的操作模式應該被稱作短路模式。更具體地，控制電路11將被包括在發射放大器電路PA中的NM0S晶體管Tr2和Tr4控制處于導通狀態并且將被包括在發射放大器電路PA中的PM0S晶體管Trl和Tr3控制處于關斷狀態。因此，變壓器T2的繞組L5的兩個端部被連接至接地電位。于是，變壓器T2的繞組L5的兩個端部被短路。備選地，控制電路11將被包括在發射放大器電路PA中的NM0S晶體管Tr2和 Tr4控制處于關斷狀態并且將被包括在發射放大器電路PA中的PM0S晶體管Trl和Tr3控制處于導通狀態。因此，變壓器T2的繞組L5的兩個端部被連接至電源電位。于是，變壓器T2的繞組L5的兩個端部被短路。如上所述，當變壓器T2的繞組L5的兩個端部被短路時，可以使得當從天線ANT側觀察電容C4側時的阻抗等效于充分小的電容性元件的阻抗。如圖20所示，發射側的匹配電路中的元件的數量與接收側的匹配電路中的元件的數量相同。因此，用于發射側的匹配電路的設計的自由度與接收側的匹配電路的相同，并且能夠以與在第一實施例中說明的接收電路的設計類似的方式設計發射電路。于是，通過適當地選擇變壓器T2的電路常數和電容性元件C4及C5,來自發射電路PA的輸出阻抗可以在半導體集成電路5執行發射操作時被匹配。在接收操作的時候，當變壓器T2的繞組L5的兩個端部被短路時，可以使得當從天線ANT側觀察電容性元件C4時的阻抗等效于充分小的電容性元件的阻抗。因此，包括變壓器T2的發射無源電路的對接收電路的影響可以被忽略，或者當從天線ANT側觀察半導體集成電路5側時的等效電容(充分小的電容)可以通過包括了在接收電路的阻抗匹配電路的部件中的一個部件中的等效電容而起作用。〈第三實施例〉[半導體集成電路的配置:圖21]接下來，第三實施例將說明如下。圖21是示出根據第三實施例的半導體集成電路6的示例的電路圖。圖21中示出的半導體集成電路6與圖2中示出的半導體集成電路1之間的不同在于，在半導體集成電路6(半導體芯片)中，電容性元件C1被形成在半導體集成電路6內。因為其他配置與已在第一實施例中說明的半導體集成電路的那些相同，所以重復說明將省略。如圖21所示，電容性元件C1被形成在半導體集成電路6(半導體芯片)內。電容性元件C1 被配置成包括抗浪涌電阻。電容性元件C1可以使用例如在鄰接的布線之間的電容進行配置。如上所述，當電容性元件C1被設置在半導體集成電路6(半導體芯片)內并且被集成在其內時，能夠使無線電通信裝置中使用的半導體集成電路進一步小型化并降低成本。[半導體集成電路的配置:圖22]此外，在該實施例中，如在圖22中示出的半導體集成電路7中所示，變壓器T1的繞組L1 (BP，接收系統電路的輸入側)和發射無源電路12的輸出側(S卩，發射系統電路的輸出側)可以在半導體集成電路7(半導體芯片)內彼此連接。在該情況中，接收系統電路的輸入側和發射系統電路的輸出側被連接至半導體集成電路7的輸入/輸出端子TM3。利用這樣的配置，從半導體集成電路7到天線ANT的布線可以是一個線，并因此當半導體集成電路7被安裝在安裝基板上時的安裝基板的安裝面積可以被減小。〈其他實施例〉接下來，其他實施例將說明如下。在該實施例中，在半導體集成電路中使用的上面說明的開關SW1可以以下面描述的方式配置。[開關SW1的配置示例:圖23]圖23是示出開關SW1的配置示例的電路圖。開關SW1可以包含例如N型MOSFET(Trll)、電阻器R12至R15和電容性元件C11和C12。電容性元件C11和C12被分別提供至MOSFET(Trll)的漏極和源極。換言之，MOSFET (Tr 11)的漏極和源極分別經由電容性元件Cl 1和C12被連接至變壓器T1的繞組L2的一端(節點N1)和另一端(節點N2)。此外，0V DC偏置分別經由電阻器 R13和R15被施加至MOSFET(Trll)的漏極和源極。此外，0V DC偏置經由電阻器R14被連接至 MOSFET(Trll)的主體。控制信號SW1_CTR(電壓VDD或0V)經由電阻器R12被連接至MOSFET (Trll)的柵極。利用具有這樣的配置的開關SW1，開關SW1被插入其中的變壓器T1的次級側的繞組L2的 DC偏置電位可以自由地設定。需要注意的是，可以使用P型MOSFET取代圖23中示出的開關 SW1 中的N型MOSFET(Trl 1)。[開關SW1的配置示例:圖24]圖24是示出開關SW1的配置示例的電路圖。圖24中示出的開關SW1具有與圖23中示出的開關SW1相同的配置。然而，在圖24中示出的開關SW1中，被施加至N型MOSFET(Trll)的漏極和源極的DC偏置是與被施加至柵極的電壓的相位相反的相位的電壓(0V或電壓VDD)。更具體地，當0V被施加至MOSFET(Trl 1)的柵極時，VDD被施加至MOSFET(Trl 1)的漏極和源極。另一方面，當電壓VDD被施加至MOSFET(Trl 1)的柵極時，0V被施加至MOSFET(Trl 1)的漏極和源極。換言之，控制信號SW1_CTR_1被施加至MOSFET(Trll)的柵極，并且具有與控制信號SW1_ CTR_1的相位相反的相位的控制信號SW1_CTR_2被施加至MOSFET(Trl 1)的漏極和源極。利用這樣的配置，當MOSFET(Trll)處于關斷狀態時的柵極-源極電壓可以是負VDD。因此，即使當具有大電壓幅度的接收信號被供給至半導體集成電路時，開關SW1也可以被維持處于關斷狀態。[開關SW1的配置示例:圖25]在該實施例中，在圖24中示出的開關SW1中的M0SFET(Tr 11)的兩個級可以被串聯連接。 更具體地，如圖25所示，N型MOSFET(Trll’)可以被串聯連接至N型MOSFET(Trll)。此時，0V DC偏置經由電阻器R14’被施加至添加的MOSFET(Trl 1’)的主體。此外，控制信號SW1_CTR_1 (電壓VDD或0V)經由電阻器R12 ’被施加至添加的MOSFET(Tr 11’)的柵極。其他配置與圖24中示出的開關SW1的那些相同。需要注意的是，串聯連接的MOSFET的數量可以是三個或更多。通過將多個MOSFET以上述方式串聯連接，即使當具有大電壓幅度的接收信號被從半導體集成電路供給時，開關SW1也可以被維持處于OFF狀態。需要注意的是，雖然已在上面說明了根據該實施例的半導體集成電路被應用于智能儀表的情況，但是根據該實施例的半導體集成電路可以應用于除了智能儀表以外的包括通信電路的裝置。第一至第三實施例可以由本領域普通技術人員中的一個根據期望組合。雖然已在幾個實施例的方面描述了發明，但是本領域技術人員將認識到的是發明可以利用在所附權利要求的精神和范圍內的各種修改來實踐并且發明不限于上面描述的示例。此外，權利要求的范圍不受上面描述的實施例的限制。此外，需要注意的是，
【申請人】意在涵蓋所有權利要求元素的等效形式，即使后來在審查期間經過了修改。
【主權項】
1.一種半導體集成電路，包括:第一變壓器，其包括第一繞組和第二繞組；低噪聲放大器電路，其包括輸入端子并且將無線電信號放大，所述第一變壓器的所述 第二繞組的至少一端被連接至所述輸入端子;以及開關，其被設置在所述第一變壓器的所述第二繞組的所述一端與另一端之間，其中 在其中接收信號經由預定節點被供給至所述第一變壓器的所述第一繞組的第一時段 中，所述半導體集成電路使所述開關處于斷開狀態并且使所述第一變壓器起到用于所述低 噪聲放大器電路的輸入阻抗匹配電路的作用，以及在其中被連接至所述預定節點的另一電路操作的第二時段中，所述半導體集成電路使 所述開關處于閉合狀態。2.根據權利要求1所述的半導體集成電路，進一步包括:第一電容性元件，其在所述第一變壓器的所述第二繞組的所述一端與所述另一端之 間，所述第一電容性元件與所述開關并聯設置。3.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其特征在于，進一步包括:第二電容性元件，其被串聯地連接至所述第一變壓器的所述第一繞組，其中 所述接收信號被供給至包括所述第一繞組和所述第二電容性元件的電路的一端，并且 所述電路的另一端被以交流的方式接地。4.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其中所述第一變壓器的所述第二繞組的所述一端和所述另一端被連接至所述低噪聲放大 器電路的所述輸入端子。5.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其中至少所述第一變壓器、所述低噪聲放大器和所述開關被集成到一個半導體芯片中。6.根據權利要求1所述的半導體集成電路，進一步包括:發射電路，作為被連接至所述預定節點的所述另一電路，其中 所述第一時段是其中所述半導體集成電路執行接收操作的時段，以及 所述第二時段是其中所述半導體集成電路執行發射操作的時段。7.根據權利要求6所述的半導體集成電路，其中 所述發射電路包括:第二變壓器，其包括第一繞組和第二繞組；以及發射放大器電路，其包括輸出端子，所述第二變壓器的所述第一繞組的至少一端被連 接至所述輸出端子，其中所述第二變壓器的所述第二繞組的一端被電連接至所述預定節點，并且所述第二變壓 器的所述第二繞組的另一端被以交流的方式接地，以及在所述第二時段中所述第二變壓器起到用于所述發射放大器電路的阻抗匹配電路的 作用。8.根據權利要求7所述的半導體集成電路，其中所述發射放大器電路包括用于將發射信號供給至所述第二變壓器的所述第一繞組的 發射模式和用于使所述第二變壓器的所述第一繞組的一端與另一端兩者短路的短路模式， 在所述第一時段中所述發射放大器電路以所述短路模式操作，以及在所述第二時段中所述發射放大器電路以所述發射模式操作。9.根據權利要求7所述的半導體集成電路，進一步包括:第三電容性元件，其被連接在輸入端子與所述預定節點之間，所述輸入端子被連接至 所述第一變壓器的所述第一繞組；以及第四電容性元件，其被連接在輸出端子與所述預定節點之間，所述輸出端子被連接至 所述第二變壓器的所述第二繞組。10.根據權利要求3所述的半導體集成電路，其中至少所述第一變壓器、所述低噪聲放大器電路、所述開關和所述第二電容性元件被集 成到一個半導體芯片中。11.根據權利要求6所述的半導體集成電路，其中至少所述第一變壓器、所述低噪聲放大器電路、所述開關和所述發射電路被集成到一 個半導體芯片中，以及在所述半導體芯片內，所述第一變壓器的所述第一繞組和所述發射電路的輸出側被連 接至被包括在所述半導體芯片中的輸入/輸出端子。12.—種通信模塊，被包括在根據權利要求9所述的半導體集成電路中的至少所述第一 變壓器、所述第二變壓器、所述低噪聲放大器電路、所述開關、所述發射放大器電路、所述第 三電容性元件和所述第四電容性元件被集成到所述通信模塊中。13.—種智能儀表，包括根據權利要求12所述的通信模塊。14.一種通信模塊，包括:半導體芯片，包括:第一變壓器，其包括第一繞組和第二繞組；低噪聲放大器電路，其包括輸入端子并且將無線電信號放大，所述第一變壓器的所述 第二繞組的至少一端被連接至所述輸入端子；開關，其被設置在所述第一變壓器的所述第二繞組的所述一端與另一端之間；輸入端子，其被連接至所述第一變壓器的所述第一繞組的一端；以及輸出端子，其被連接至發射電路，其中所述第一變壓器、所述低噪聲放大器電路、所述開關、所述輸入端子和所述輸出端 子被集成到所述半導體芯片中；以及安裝基板，所述半導體芯片被安裝在所述安裝基板上，其中在所述半導體芯片執行接收操作時的時段中，所述開關被斷開并且所述第一變壓器起 到用于所述低噪聲放大器電路的輸入阻抗匹配電路的作用，以及在所述半導體芯片執行發射操作時的時段中，所述開關被閉合。
【文檔編號】H04W88/02GK105959027SQ201610130595
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年3月8日
【發明人】松野典朗
【申請人】瑞薩電子株式會社