一種寬頻阻抗變換器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種電子元器件，具體涉及一種寬頻阻抗變換器。
【背景技術】
[0002]電子管是一個高電壓小電流的高阻放大器件，在輸出功率推動低阻抗的耳機和揚聲器時必須阻抗變換，比如一個大功率的電子管陽極阻抗是6000歐姆，推動8歐姆的喇叭必須把6000歐姆轉化為8歐姆才能和揚聲器很好的對接功率輸送，以前的阻抗變換器不能達到音頻的頻響范圍(音頻要求20HZ-20KHZ)，目前就是號稱世界頻響最寬的日本的鐵木蘭(TAMRAD10)和天狗(TANGO)也只能做到20HZ-20KHZ-1.5DB，包括美國、瑞士、法國、德國、英國等的國家都是在音頻范圍內衰減很大，都具有一定的技術局限性。
【發明內容】
[0003]為克服上述缺陷，本發明的目的即在于提供一種寬頻阻抗變換器。
[0004]本發明的目的是通過以下技術方案來實現的:
[0005]本發明的一種寬頻阻抗變換器，包括有變換器本體，所述變換器本體包括有數量為3-5層的高阻端層及與高阻端層依次層狀設置的低阻端層，所述高阻端層及低阻端層之間還設置有絕緣隔離層；
[0006]每一個高阻端層包括3個以上依次串聯的高阻端，每一個低阻端層包括依次串聯的且與每一個高阻端層包括的高阻端數量相同的低阻端;所述高阻端層的末高阻端與下一層高阻端層的首高阻端電連接;每一個低阻端層的首低阻端依次電連接，每一個低阻端層的末低阻端依次電連接。
[0007]進一步，所述層狀設置的最上層為高阻端層。
[0008]進一步，所述高阻端與低阻端上下位置相對應。
[0009]進一步，所述變換器本體還包括有鐵芯，所述高阻端層及低阻端層均纏繞在鐵芯上形成層狀設置。
[0010]進一步，所述高阻端層的數量為4層，每一個高阻端層包括6個依次串聯的高阻端。
[0011]進一步，所述高阻端層的數量為3層，每一個高阻端層包括3個依次串聯的高阻端。
[0012]更進一步，所述高阻端層的數量為5層，每一個高阻端層包括8個依次串聯的高阻端。
[0013]本發明提供的一種寬頻阻抗變換器，當變換器的低阻部分高于8歐姆時采用分層分段處理，分層分段處理可以把分布電容減少，即分布電容的存在把高頻部分旁路造成輸送損失，大幅度的減少分布電容，克服分布電容的影響，繼而克服變換器阻抗變換的瓶頸，使得電子管變換器的頻寬可以做到和晶體管的那么寬，甚至可以達到10HZ-80KHZ-0.1DB的技術效果，同時該變換器具有輸出阻抗低、控制能力強、高音潤滑、中音飽滿、低音不會拖泥帶水等特點。其還可以應用到其他領域，如雷達和需要阻抗變換的任何地方。
【附圖說明】
[0014]為了易于說明，本發明由下述的較佳實施例及附圖作詳細描述。
[0015]圖1為本發明一種寬頻阻抗變換器的結構示意圖；
[0016]圖2為本發明一種寬頻阻抗變換器工作中整機頻響測試圖；
[0017]圖3為本發明一種寬頻阻抗變換器工作中整機頻響另一測試圖。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0019]請參閱圖1-3，本發明的一種寬頻阻抗變換器，包括有變換器本體，該變換器本體包括有數量為3-5層的高阻端層a及與高阻端層a依次層狀設置的低阻端層b，該高阻端層a及低阻端層b之間還設置有絕緣隔離層c;作為優選，該高阻端與低阻端上下位置相對應，層狀設置的最上層為高阻端層a。
[0020]每一個高阻端層a包括3個以上依次串聯的高阻端，每一個低阻端層b包括依次串聯的且與每一個高阻端層a包括的高阻端數量相同的低阻端;該高阻端層a的末高阻端與下一層高阻端層a的首高阻端電連接;每一個低阻端層b的首低阻端依次電連接，每一個低阻端層b的末低阻端依次電連接，即依次串聯。
[0021]下面以具體的實施例對該寬頻阻抗變換器進行詳細描述:
[0022]具體參見圖1，該寬頻阻抗變換器為4層6段分布，即是高阻端層a的數量為4層，每一個高阻端層a包括6個依次串聯的高阻端，該分布可以獲得較佳的分布效果，可以更好的把分布電容減少;作為優選，該寬頻阻抗變換器可以為3層3段分布或5層8段分布，該兩種分布也可以較好的把分布電容減少。其高阻端層a及低阻端層b均纏繞在鐵芯15上，高阻端層a的首高阻端分別為首高阻端1、5、9、13，高阻端層a的末高阻端分別為末高阻端2、6、10、14，其中的末高阻端2與首高阻端5連接，末高阻端6與首高阻端9連接，末高阻端10與首高阻端13連接;低阻端層b的首低阻端分別為首低阻端3、7、11，低阻端層b的末低阻端分別為末低阻端4、8、12，其中的首低阻端3、7、11依次電連接，末低阻端4、8、12依次電連接，即是3個低阻端層b相并聯;最下層的高阻端層a與鐵芯15之間可設置低阻端層b，也可以不設置，如圖1為不設置的情況。
[0023]參見圖2，為本寬頻阻抗變換器的測試圖，一格為0.5DB，可達到20-20KHZ-0.1DB，中間直的一段為20HZ-20KHZ;參見圖3，為本寬頻阻抗變換器的另一測試圖，即是WEILY阻抗變換器帶載測試圖，每一格為0.5DB，整段為20-80KHZ，其衰減就在80KHZ附近-0.1-0.2左右。
[0024]本發明提供的一種寬頻阻抗變換器，當變換器的低阻部分低于8歐姆時，不使用分段處理；當變換器的低阻部分高于8歐姆時采用分層分段處理，分層分段處理的分布電容的存在把高頻部分旁路造成輸送損失，大幅度的減少分布電容，克服分布電容的影響，繼而克服變換器阻抗變換的瓶頸，使得電子管變換器的頻寬可以做到和晶體管的那么寬，甚至可以達到10HZ-80KHZ-0.1DB的技術效果，同時該變換器具有輸出阻抗低、控制能力強、高音潤滑、中音飽滿、低音不會拖泥帶水等特點。其還可以應用到其他領域，如雷達和需要阻抗變換的任何地方。
[0025]以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種寬頻阻抗變換器，包括有變換器本體，其特征在于，所述變換器本體包括有數量為3-5層的高阻端層及與高阻端層依次層狀設置的低阻端層，所述高阻端層及低阻端層之間還設置有絕緣隔離層； 每一個高阻端層包括3個以上依次串聯的高阻端，每一個低阻端層包括依次串聯的且與每一個高阻端層包括的高阻端數量相同的低阻端;所述高阻端層的末高阻端與下一層高阻端層的首高阻端電連接;每一個低阻端層的首低阻端依次電連接，每一個低阻端層的末低阻端依次電連接。2.根據權利要求1所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述層狀設置的最上層為高阻端層。3.根據權利要求1或2所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述高阻端與低阻端上下位置相對應。4.根據權利要求3所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述變換器本體還包括有鐵芯，所述高阻端層及低阻端層均纏繞在鐵芯上形成層狀設置。5.根據權利要求4所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述高阻端層的數量為4層，每一個高阻端層包括6個依次串聯的高阻端。6.根據權利要求4所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述高阻端層的數量為3層，每一個高阻端層包括3個依次串聯的高阻端。7.根據權利要求4所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述高阻端層的數量為5層，每一個高阻端層包括8個依次串聯的高阻端。
【專利摘要】本發明涉及一種電子元器件，特別涉及一種寬頻阻抗變換器。其變換器本體包括有數量為3-5層的高阻端層及與高阻端層依次層狀設置的低阻端層，所述高阻端層及低阻端層之間還設置有絕緣隔離層；每一個高阻端層包括3個以上依次串聯的高阻端，每一個低阻端層包括依次串聯的且與每一個高阻端層包括的高阻端數量相同的低阻端；所述高阻端層的末高阻端與下一層高阻端層的首高阻端電連接；每一個低阻端層的首低阻端依次電連接，每一個低阻端層的末低阻端依次電連接。其分層分段處理的分布電容的處理把高頻部分旁路造成輸送損失，大幅度的減少分布電容，克服分布電容的影響，使得電子管變換器的頻寬可以做到和晶體管的那么寬，可以達到10HZ-80KHZ-0.1DB的技術效果。
【IPC分類】H04R1/28
【公開號】CN105554624
【申請號】CN201510904034
【發明人】韋利躍, 韋曉娟
【申請人】韋曉娟
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年12月9日