專利名稱：彩色顯像管裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及彩色顯像管裝置，特別是涉及蔭罩型彩色顯像管裝置、其消磁方法及消磁裝置。
蔭罩型彩色顯像管裝置具備含有大致為矩形形狀的面板及從面板的側緣部分延伸出的管裙的屏板部分、與屏板部分相接合的漏斗部分，及連在漏斗部分的管頸部分。通過屏板部分、漏斗部分及管頸部分使彩色顯像管的內部保持氣密。在管頸內部裝有發生電子束的電子槍組件。在漏斗部分及管頸部分的外側面上設有發生磁場的偏轉線圈。在漏斗部分的外側面上設有用于使被磁化的部件消磁的消磁線圈。在屏板部分的面板內面上形成有熒光屏。在顯像管內部與熒光屏相對、并與面板之間隔開有一定的間隔安裝有大致為矩形形狀的蔭罩。蔭罩由薄金屬作成并有多個縫隙(slit)孔。在蔭罩的周圍設有蔭罩框架。在框架上焊有可彈性變形的多個蔭罩支持體。在屏板部分的內面設有與支持體相結合的多個支柱銷。又在框架的管頸部分一側上設有用來使從電子槍組件射出的電子束不受地磁等的外部磁場的作用的內部磁屏蔽。
在蔭罩型彩色顯像管中從電子槍組件射出來的3個電子束在由偏轉線圈所產生的磁場作用下在水平方向和垂直方向上進行偏轉之后，就指向蔭罩的縫隙孔并進行會聚。會聚在蔭罩的縫隙孔附近的電子束射到在面板上所形成的熒光屏上。熒光屏具有交替排列成帶狀的三種熒光帶。在3個電子束通過蔭罩的縫隙孔之后分別射到這些熒光帶上，并發出紅、綠、藍三色光。即蔭罩的縫隙孔將3個電子束分配到分別發出紅、綠、藍色光的預定的熒光帶上。
一般在彩色顯像管裝置中用低碳鋼等的磁性材料作蔭罩、蔭罩框架及內部磁性屏蔽等。為此如通過地磁等外部磁性使磁性材料磁化，則蔭罩、蔭罩框架、及內部磁性屏蔽等這些剩余磁性會使電子束的軌道產生變化。如電子束的軌道發生變化則電子束就不會正好射擊到熒光屏上。因此彩色顯像管的色純度降低。為防止此色純度降低現象的發生有必要使這些剩余磁性進行消磁。
在現有的彩色顯像管中被磁化的構件由繞在漏斗部分的外側面上的消磁線圈在以下三種場合下進行消磁。第一種場合是在彩色顯像管的制造工序中在對已完成的彩色顯像管的特性進行試驗時消磁。第二種場合是在電視機的制造工序中在對將彩色顯像管及其他元件進行組裝時的成品即電視機的性能進行試驗時消磁。以及第三種場合是在通常使用時的電視機的電源接通時消磁。在對彩色顯像管的特性進行試驗時，測定色純度并將其作為圖像質量評價的一個項目。此色純度是在用下面的消磁方法對剩余磁性進行消磁之后才進行測定的。又在組裝彩色顯像管而作成電視機時為了在成品電視機上作色調整而對剩余磁性進行消磁。
下面說明現有的消磁方法。從電子槍射出的電子束由加有水平及垂直偏轉電流的偏轉線圈的水平及垂直偏轉線圈使其進行偏轉。在對磁性構件的剩余磁性進行消磁時，在電子束對熒光屏進行掃描之前或掃描之中，使交流過渡衰減電流(即隨著時間的增長而緩慢地進行衰減的交流電流)流向消磁線圈。此交流電流所具有的頻率和市電的頻率相同。又垂直偏轉電流所具有的頻率在世界上幾乎所有的地區都和市電電源的頻率相同。在
圖1中表示由交流過渡衰減電流發生的消磁磁場2及由垂直偏轉電流發生的偏轉磁場4隨時間變化的情況。如圖1所示，消磁磁場2及偏轉磁場4兩者的頻率相同。又在圖1中消磁磁場2和偏轉磁場4在相位上也是一致的。但通常消磁磁場2與偏轉磁場4同步的現象不會產生。因而在消磁磁場2因有電流流入消磁線圈而使彩色顯像管消磁時在消磁磁場2和偏轉磁場4之間很容易產生相位偏移。在圖2中表示通過在偏轉線圈上流過垂直偏轉電流而發生的垂直偏轉磁場的磁場分布曲線6。圖2的縱軸表示磁通密度B，其橫軸表示距管頸的距離。對于磁場分布曲線6來說，即使在配置有磁性屏蔽的端部的位置8處磁通密度仍為5高斯。因而在磁性屏蔽處，交流過渡衰減電流和垂直偏轉磁場相重疊，因而加有消磁磁場及偏轉磁場的磁性構件的磁滯曲線從概率論方面看幾乎不和原點對稱，故在消磁之后也因上述相位差而在磁性屏蔽上剩有磁性。在圖3中表示磁性屏蔽的磁滯曲線。即在該磁性屏蔽中的當交流過渡衰減磁場和垂直偏轉磁場相重疊時的磁滯曲線10與加有通常的磁場時的以虛線12表示的磁滯曲線相比是變了形的。即在通常的磁場中磁滯曲線是以原點為中心呈旋轉對稱的形狀，而關于消磁磁場和垂直偏轉磁場相重疊時的磁場則其磁滯曲線變形而不呈旋轉對稱。在圖4中表示用消磁磁場消磁時的磁性材料的更詳細的磁滯曲線。又在圖5中表示在消磁線圈中因流有消磁電流而發生的消磁磁場的曲線及在偏轉線圈中因流有垂直偏轉電流而發生的垂直偏轉磁場的曲線。對應于圖5中的點a的時間的圖4所示的磁滯曲線在磁性材料上加有消磁磁場和垂直偏轉電流時為點a的值，而在僅加有消磁磁場時則為點a′的值。又對應于圖5的點c上的時間的圖4的磁滯曲線在磁性材料上加有消磁磁場和垂直偏轉磁場時為點c的值，而在僅加有消磁磁場時則為c′的值。在點e、g上也相同。且對應圖5中的點b、d、f、h的時間的圖4的磁滯曲線在磁性材料上加有消磁磁場和垂直偏轉磁場時為點b、d、f、h的值，而在僅加有消磁磁場時則為與點b、d、f、h的值稍有偏離但沒有圖示的值。因而如圖4所示在磁性材料上加有消磁磁場和垂直偏轉磁場時和僅加有消磁磁場時在磁滯曲線上會產生偏離現象。且點c和點c′的偏離要比點a和點a′的偏離小。
為此，如將圖5的消磁磁場21垂直偏轉磁場22加到磁性屏蔽上，則磁性屏蔽的磁滯曲線20為圖4所示的形狀。在磁滯曲線上的點b、點d上的磁場強度Hb、Hd因加有垂直偏轉磁場而變成Hb＞Hd、即如設在點b處的磁場強度的減小量為△Hb、且在點d處的磁場強度的減小量為△Hd、則△Hd＞Hb。所以，如將同一頻率的消磁磁場21及垂直偏轉磁場22加到磁性屏蔽上，則磁性屏蔽的磁滯曲線20成為如圖4所示的非對稱形狀。且在消磁結束后磁滯曲線聚束在點r。其結果是在磁性材料上剩余磁通密度Br殘留下來，且剩磁不是零。但由于此聚束的位置r隨消磁磁場和垂直偏轉磁場的相位差而變化，故剩磁的大小Br也產生變化。
在圖6中表示在用上述消磁方法對彩色顯像管進行消磁時在熒光屏角上的電子束的射擊位置的偏離情況。在圖6的縱軸上表示電子束和射擊點的偏移量，在其橫軸上則表示磁性屏蔽的消磁次數。如此圖所示，電子束的射擊點的偏移量最大為33μm，而平均為11μm。由于消磁磁場和垂直偏轉磁場的相位偏移量是變化的，故剩磁的大小變化很大。為此，射擊點的偏移量有各種變化。
又在美國專利4，737，881所揭示的實施例中為了消磁而采用諧振電路。在此諧振電路中設有微法μF級的電容器及毫亨mH級的消磁線圈。因此，在該諧振電路中的消磁頻率f，根據f = 1 / 2 πL C]]>的關系而為幾十千赫。又在頻率為f的磁場能量E可用E = 2 πL C= 1 / f]]>表示。因此能量E與頻率成反比。即如消磁磁場的頻率f高則消磁能量變小。其結果是如頻率變高則使已磁化的磁性構件消磁的消磁裝置的消磁能力減小，從而不能充分消磁。
大家雖然都知道振蕩頻率在100赫以下的諧振電路，但在此諧振電路上必須要有法拉F級的電容器及亨利H級的線圈。為此諧振電路的大小變成比彩色顯像管裝置的大小還要大，且價格上也高達顯像管裝置的十倍以上。因而在實用上在顯像管裝置上此諧振電路是不能使用的。
其結果是如將實用的發生10千赫的頻率的振蕩的諧振電路用在顯像管裝置上，則與垂直偏轉磁場的頻率相比，消磁磁場的頻率變高。因此，消磁線圈的消磁能量小，又由于還受到垂直偏轉磁場的影響，故已磁化的構件不能充分消磁。
本發明的目的在于提供色純度較高且批量生產性能良好的彩色顯像管裝置，并同時提供其制造方法及消磁裝置。
根據本發明，彩色顯像管裝置備有具有屏板、漏斗及管頸并具有管軸的真空容器。屏板具備其前面形狀大致呈矩形形狀、且同時具有內面的面板及從該面板的側緣部分延伸的管裙。上述漏斗與上述管裙相結合。上述管頸形成為大致圓筒狀，且從上述漏斗處相連。在上述面板的內面上形成有熒光屏。與上述熒光屏相對，在上述屏板內配置有蔭罩。在上述蔭罩的周圍焊有蔭罩框架。為了對上述蔭罩進行支持而在上述屏板上設有多個支柱銷。為了將上述蔭罩支持在上述屏板內，而在上述蔭罩框架上設有多個彈性支持裝置。在上述漏斗及管頸的外周上配置有發生偏轉磁場的偏轉線圈。在偏轉線圈的垂直偏轉線圈上加有頻率為M(赫)的垂直偏轉電流。又在漏斗的外周上設有發生消磁磁場的消磁線圈。在此消磁呷ι霞佑釁淦德飾狶[赫]且M/L的值不是整數的消磁電流。并設有用以向消磁線圈供給消磁電流的消磁信號源。
在本發明中彩色顯像管的消磁方法具備以下的工序。
即具有使頻率為M[赫]的偏轉電流在偏轉線圈的垂直偏轉線圈上流動的工序，及在上述工序的同時使頻率為L[赫]且M/L的值不是整數的消磁信號在消磁線圈上流動的工序。
根據本發明能使彩色顯像管中的用磁性材料作成的構件的剩磁充分地消磁。
圖1為表示現有的彩色顯像管裝置的消磁磁場和垂直偏轉磁場的曲線的圖;
圖2為表示現有的彩色顯像管裝置的垂直偏轉磁場的磁通密度的分布曲線的圖;
圖3為表示現有的內部磁屏蔽的磁滯曲線的圖;
圖4為表示現有的彩色顯像管裝置的在消磁時的磁滯曲線的圖;
圖5為表示現有的彩色顯像管裝置的消磁磁場及垂直偏轉磁場的曲線的圖;
圖6為表示在現有的彩色顯像管裝置中的電子束的射擊點的偏離量的曲線的圖;
圖7為表示本發明的實施例的彩色顯像管裝置的縱剖視圖;
圖8為表示本發明的實施例的消磁裝置的透視圖;
圖9為表示本發明的實施例的消磁磁場及垂直偏轉磁場的曲線的圖;
圖10為表示本發明的實施例的彩色顯像管裝置的消磁時的磁滯曲線的圖;
圖11為表示本發明的實施例的彩色顯像管在消磁之后的電子束的射擊點的偏離量的曲線的圖;
圖12為表示在垂直偏轉磁場的頻率M和消磁磁場的頻率L之比M/L為3時的垂直偏轉磁場及消磁磁場的曲線的圖;
圖13A為表示本發明的實施例的消磁裝置的平面圖;
圖13B為將圖13A中的消磁裝置在A-A線上剖開后的剖視圖。
以下參照圖面對本發明的實施例進行說明。
圖7表示作為實施例的彩色顯像管裝置，彩色顯像管40具備具有大致呈矩形形狀的面板42及從面板42的側緣部分延伸出來的管裙44的屏板部分46，與屏板部分46的管裙44相結合的漏斗部分48，及與漏斗部分48相連的管頸部分50。通過屏板部分4、漏斗部分48及管頸部分50保持彩色顯像管40的內部為氣密。在管頸部分50的內部裝有發生三個電子束的電子槍組件52。并設有與漏斗部分48及管頸部分50的外側面相接觸并發生偏轉磁場的偏轉線圈54。在漏斗部分48的外側面上設有發生消磁磁場的消磁線圈68。又在消磁線圈68上接有用以發生消磁信號的消磁信號源69。消磁線圈68及消磁信號源69作為消磁裝置也在圖8中進行表示。在屏板46的面板42的內面上形成熒光屏56。熒光屏56具有3種熒光層，且這些熒光層交替配置成帶狀。這些熒光層通過3個電子束的作用分別發出紅、緣、藍三色光。與熒光屏56相對在顯像管40的內部配置有矩形形狀的蔭罩58。蔭罩58用薄的金屬板作成，并具有多個縫隙孔。蔭罩58使來自電子槍組件52的3個電子束射擊在預定的熒光層上。在蔭罩55的周圍設有用金屬作成的蔭罩框架60。在框架60上焊接多個可作彈性變形的彈性支持體62。與支持體62相結合的多個屏板支柱銷64被設置在管裙44內面。又，在框架60的靠管頸一側上設有內部磁性屏蔽66，以便使地磁等外部磁場不會作用在來自電子槍組件52的電子束上。
本發明的消磁方法說明如下。如將彩色顯像管裝置的電源接通，來自電子槍52的3個電子束在由偏轉線圈54所發生的水平及垂直磁場的作用下進行偏轉，并對熒光屏56進行掃描。如在顯像管裝置的電源被接通的同時，或在電源被接通的狀態下，在消磁線圈68上流過來自消磁信號源59且用于消磁的緩慢衰減的交流電流。在圖9中表示有通過使此交流電流流到消磁線圈68上而發生的磁場的波形及通過使垂直偏轉電流流到偏轉線圈54上而發生的怪逼懦〉牟ㄐ巍Ｓ山渙鞴傷ゼ醯緦魎拇懦 0的頻率和由垂直偏轉電流所產生的磁場72的頻率是不同的。又在圖10中表示有在將圖9所示的2個磁場加到內部磁性屏蔽66上時的內部磁性屏蔽66的磁滯曲線。在圖9及圖10中在交流過渡衰減磁場70的波形的最初的一個周期的每1/4周期上畫有點a1、b1、c1、d1。又在磁場70的該下一個周期中畫有點e1、f1、g1、及h1。與磁場70的最初的一個周期相比，下一周期的振幅變小。即在點b1處的磁場70比點f1處的磁場強，點d1處的磁場70比點h1處的磁場強。而且磁場70的振幅則每隔一個周期就緩慢地變弱。因而如圖10所示的磁滯曲線74由于加有上述磁場而產生變化，使其大小變小。由于衰減的磁場70的頻率和偏轉磁場72的頻率是不同的，故在磁性屏蔽66等的已磁化的磁性構件上將加有每個頻率都不偏移的磁場。其結果是在消磁磁場的每個周期上都進行變化的磁滯曲線聚束在剩磁為零的點r1的位置上。
具體地說，例如設垂直偏轉電流的頻率為M＝60赫，設消磁線圈的交流過渡衰減電流的頻率為L＝50赫。使這些頻率的電流分別流到30英寸110°偏轉的彩色顯像管裝置的偏轉線圈及消磁線圈上、并測量在熒光屏56的角上附近的電子束的射擊點的偏移量。此測量結果如圖11所示，其射擊點的偏移量最大為5μm，平均為3μm。因而與用現在的M和L相等的同一頻率進行消磁時相比，可使射擊誤差非常地小。又作為其他的例子，如設垂直轉電流的頻率M＝50赫，消磁電流的頻率L＝60赫，則在熒光屏56的角上附近的電子束射擊點的偏移量的測量結果為最大17μm、平均6μm。因而與現有例相比能使射擊點偏差變小。這些結果表示內部磁性屏蔽等的磁性構件的剩磁可高效率地進行消磁。
在上述的具體例子中的消磁電流的頻率L比垂直偏轉電流的頻率M小時，即M＞L時，磁性構件的磁疇的動作容易追蹤由消磁電流所產生的磁性的方向。因此由于剩磁的方向大致指向一定的方向，故可很容易地使此剩磁消磁。但是如M/L變為100以上(M/L＞100)，由于流到消磁線圈上的電流從交流的性質變成更接近直流的性質，故上述消磁變得很困難。又，在消磁電流的頻率L比垂直偏轉電流的頻率M大時，即在M＜L時，關于磁性部件內的磁疇的動作將難以跟蹤由消磁電流產生的磁性方向。因此與M＞L時相比消除剩磁要稍許變得困難些。因而考慮這些結果后將確實能使剩磁消除的范圍定為1/10≤M/L＜100。但垂直偏轉電流的頻率M為消磁電流的頻率L的整數倍時應除外。其理由是因為如消磁磁場的頻率L為垂直偏轉電流頻率的約數，由于在用磁性材料作成的構件上所加的磁場會發生一定的圖形(pattern)，故不能完全消除剩磁。其結果是電子束在熒光屏上的射擊點偏差的偏移量變大。例如在由消磁電流所產生的消磁磁場的頻率L為由垂直偏轉電流產生的偏轉磁場的頻率M的1/2即M/L＝2時，由于消磁電流的半個周期和偏轉電流的一個周期是一致的，故在加給磁性構件的磁場上將發生某種圖形。因此如在磁性構件上加上上述消磁磁場，則磁性構件因不能完全消磁而留有剩磁。又作為另一例子，如圖12所示，在由消磁電流產生的消磁磁場的頻率L為由偏轉電流發生的偏轉磁場的頻率M的1/3即M/L＝3時，消磁電流的1/3的周期和偏轉電流的一個周期是一致的。因此在加到磁性構件上的磁場將發生某種圖形。因此即使將上述消磁磁場加到磁性構件上也因不能完全使磁性構件消磁，而留有剩磁。
因此，從上述結果可得出，能使磁性體的剩磁最有效地消磁的場合為滿足下列關系的場合，即M/L不是整數、且1/10≤M/L＜100。
在上述實施例中消磁裝置裝在彩色顯像管上，而在用于彩色顯像管制造工序及電視機制造工序等的場合等，則用圖13A及圖13B所示的消磁裝置。此消磁裝置和上述的實施例相同具有消磁線圈76及消磁信號源78。在彩色顯像管消磁時，將該消磁線圈76置于彩色顯像管的近傍，其后如有和上述實施例相同的消磁信號從消磁信號源78流到消磁線圈76，則消磁線圈76向離開彩色顯像管的方向上運動。其結果是可使彩色顯像管的已磁化的構件充分消磁。
在上述實施例中對備有內部磁性屏蔽及蔭罩的彩色顯像管中的消磁方法進行了說明，但另一方面也可適用于沒有裝內部磁性屏蔽的彩色顯像管。又，此消磁方法并不限于彩色顯像管還可適用于在加有偏轉磁場的領域上使用磁性材料的顯像管。
根據本發明可防止因剩磁的影響而引起的射擊點誤睢Ｎ嗽謚圃觳噬韻窆艿墓ば蛑薪型枷衿蘭凼匝櫚仁保苷返夭飭吭誄ナ４諾撓跋斕淖刺碌牡繾郵納浠韉鬮蟛畹牧俊Ｒ蚨莧非械嘏卸喜噬韻窆艿耐枷裰柿康暮沒怠 根據本發明，由于彩色顯像管的剩磁能充分消除，故能使彩色顯像管的色純度更高。其結果是可提供品質良好的彩色顯像管。
權利要求
1.一種彩色顯像管裝置的消磁方法，是對于備有具有屏板部分、漏斗部分及管頸部分且具有管軸的真空容器，與屏板部分相對進行配置的蔭罩，焊接在該蔭罩的外周上的蔭罩框架，及設置在上述漏斗部分及管頸部分的外面、且使電子束偏轉的偏轉線圈的彩色顯像管將消磁信號加到配置在該顯像管的近傍的消磁線圈上的彩色顯像管消磁方法，其特征在于具有使頻率M(赫)的垂直偏轉電流流入上述偏轉線圈的垂直偏轉線圈的工序，及在上述工序的同時使其頻率為L(赫)且M/L的值為非整數的作為消磁信號的交流電流流入消磁線圈的工序。
2.如權利要求1所述的彩色顯像管裝置的消磁方法，其特征在于上述M/L的值為0.1≤M/L≤100。
3.如權利要求1所述的彩色顯像管裝置的消磁方法，其特征在于上述消磁線圈設置在上述漏斗部分的外周上、且流有緩慢衰減的交流電流。
4.如權利要求1所述的彩色顯像管裝置的消磁方法，其特征在于在消磁線圈上流有上述消磁信號時，上述消磁線圈被從彩色顯像管的近旁拉開。
5.一種彩色顯像管的消磁裝置，是具有使備有其中流有頻率M(赫)的垂直偏轉電流的偏轉線圈的彩色顯像管消磁的消磁裝置，和將消磁信號供給到消磁裝置上的消磁信號源裝置的顯像管的消磁裝置，其特征在于上述消磁信號源裝置為頻率L(赫)的裝置，且發生M/L的值為非整數的作為消磁信號的交流電流，并將上述消磁信號供給消磁裝置。
6.如權利要求5所述的彩色顯像管的消磁裝置，其特征在于上述消磁裝置設在彩色顯像管的漏斗部分的外周上、且流有緩慢地衰減的交流電流。
7.如權利要求5所述的彩色顯像管的消磁裝置，其特征在于當上述消磁裝置上流有上述消磁信號時上述消磁裝置被從彩色顯像管的近旁拉開。
8.如權利要求5所述的彩色顯像管的消磁裝置，其特征在于上述M/L的值為0.1≤M/L≤100。
9.一種彩色顯像管裝置，包括真空容器，它為具有屏板部分、漏斗部分及管頸部分且具有管軸的具空容器，其屏板部分的前面的形狀大致呈矩形形狀，同時備有具有內面的面板及從面板的側緣部分延伸的管裙，其漏斗部分與上述管裙相接合，其管頸部分大致形成為圓筒狀，同時從上述漏斗部分處進行連接;在上述面板的內面上所形成的熒光屏;與上述熒光屏相對進行配置的蔭罩;焊接在上述蔭罩的外周上的蔭罩框架;及設在上述漏斗部分及管頸部分的外周上，且產生磁場以便使電子束偏轉的偏轉線圈;設在上述漏斗部分的外周上的消磁裝置;其特征在于在上述偏轉線圈上流有頻率為M(赫)的垂直偏轉電流，及為了使以磁性體作成的構件的剩磁消磁而使頻率為L(赫)且M/L的值為非整數的、作為消磁信號的、緩慢地衰減的交流電流流到上述消磁裝置上。
10.如權利要求9所述的彩色顯像管裝置，其特征在于上述M/L值為0.1≤M/L≤100。
11.如權利要求9所述的彩色顯像管裝置，其特征在于上述消磁裝置為消磁線圈。
12.如權利要求9所述的彩色顯像管裝置，其特征在于上述消磁裝置上連接有發生消磁信號的消磁信號源裝置。
全文摘要
如設流到消磁裝置上的消磁電流的頻率為L(赫)，設流到偏轉線圈上的垂直偏轉電流的頻率為M(赫)，則在消磁裝置上流有M/L的值為非整數的，作為消磁電流的緩慢地進行衰減的交流電流。
文檔編號H04N17/04GK1035202SQ8910087
公開日1989年8月30日 申請日期1989年2月17日 優先權日1988年2月18日
發明者時田清, 中根和則, 井上雅及, 藤原毅 申請人:東芝株式會社