揚聲器模組的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種揚聲器模組，涉及電聲產品【技術領域】，包括外殼，所述外殼內收容有揚聲器單體，所述揚聲器單體包括振動系統和磁路系統，所述振動系統遠離所述磁路系統的一側與所述外殼之間圍成所述揚聲器模組的后聲腔，所述振動系統靠近所述磁路系統的一側與所述外殼之間圍成所述揚聲器模組的前聲腔。本實用新型揚聲器模組解決了現有技術中薄型揚聲器模組F0及THD性能差，聲學性能低的技術問題。本實用新型揚聲器模組有效的改善了模組的F0及THD，提高了模組的聲學性能。
【專利說明】揚聲器模組
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電聲產品【技術領域】，特別涉及一種揚聲器模組。
【背景技術】
[0002]揚聲器模組是便攜式電子設備的重要聲學部件,其包括外殼，外殼內收容有揚聲器單體，揚聲器單體將整個模組內腔分割成相互隔離的前聲腔和后聲腔，前聲腔連通揚聲器模組的出聲孔。外殼上對應于后聲腔的部分設有連通模組后聲腔與外界的泄露孔，泄露孔能夠平衡振膜振動時產生的模組內外壓強差，還可以將模組內部產生的熱量散發出去。
[0003]現有的揚聲器模組中，振動系統遠離磁路系統的一側為前聲腔，振動系統靠近磁路系統的一側為后聲腔。隨著便攜式電子設備的不斷薄型化發展，揚聲器模組也隨之不斷的變薄，這種振動系統遠離磁路系統的一側為前聲腔的揚聲器模組，振膜距離外殼較近，使得振動系統的振膜受到的阻力較大，即振膜面的聲質量較大，不利于聲波的輻射，從而嚴重的降低了揚聲器模組的聲學性能。
實用新型內容
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種揚聲器模組，此揚聲器模組振膜受到的阻力小，有利于聲波向外福射，聲學性能高。
[0005]更進一步，本實用新型所要解決的技術問題是提供一種揚聲器模組，此揚聲器模組有效的改善了模組的H)(低頻特性)和THD (總諧波失真)，聲學性能高。
[0006]為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案是:
[0007]—種揚聲器模組，包括外殼，所述外殼內收容有揚聲器單體，所述揚聲器單體包括振動系統和磁路系統，振動系統包括振膜和結合于振膜一側的音圈，磁路系統形成收容音圈的磁間隙，其特征在于，所述振膜遠離所述磁路系統的一側與所述外殼之間圍成所述揚聲器模組的后聲腔，所述振膜靠近所述磁路系統的一側與所述外殼之間圍成所述揚聲器模組的前聲腔；正對振膜一側的所述外殼上設有連通外殼兩側的泄露孔，所述泄露孔連通所述后聲腔與外界。
[0008]其中，所述揚聲器模組設有出聲孔，所述出聲孔與所述前聲腔連通。
[0009]其中，所述泄露孔位于所述揚聲器單體的正投影區域內。
[0010]其中，所述泄露孔位于所述揚聲器單體的正投影區域的中心位置。
[0011]其中，所述外殼包括結合在一起的第一殼體、第二殼體和第三殼體，所述第一殼體、所述第二殼體和所述振動系統圍成所述揚聲器模組的后聲腔，所述泄露孔位于所述第一殼體上。
[0012]其中，所述第二殼體上設有出聲孔；所述磁路系統的盆架包括側壁和底壁，所述側壁環繞設置在所述底壁的邊緣部位，且所述側壁為斷續結構，所述斷續結構的側壁將所述振動系統的振膜靠近所述磁路系統的一側與所述出聲孔連通。
[0013]其中，所述第三殼體上設有與所述盆架的所述底壁相適配的開孔。[0014]其中，所述泄露孔位于所述第一殼體外側的一端覆蓋有阻尼網。
[0015]采用了上述技術方案后，本實用新型的有益效果是:
[0016]由于本實用新型揚聲器模組的振動系統遠離磁路系統的一側與外殼之間圍成揚聲器模組的后聲腔，振動系統靠近磁路系統的一側與外殼間圍成揚聲器模組的前聲腔。這種將振動系統和磁路系統位置互換的結構與原有結構相比，加大了振膜與外殼之間的距離，從而減小了振膜受到的阻力，減小了振膜面的聲質量，使得氣流流通順暢，有利于聲波的輻射，有效的提升了揚聲器模組的聲學性能。
[0017]由于薄型的揚聲器模組的振動空間有限，導致后聲腔的氣流流動性差，使得揚聲器模組的H)和THD性能降低，故將泄露孔開在揚聲器單體的正投影區域內，增強了后聲腔內的氣流流動性，有效的改善了模組的H)和THD，進一步的提升了揚聲器模組的聲學性能。
[0018]由于第三殼體上設有與盆架的底壁相適配的開孔，在組裝模組時，可使得盆架底壁的外表面與第三殼體的外表面齊平，有效的減小了模組的厚度。
[0019]綜上所述，本實用新型揚聲器模組解決了現有技術中薄型揚聲器模組H)及THD性能差，聲學性能低的技術問題。本實用新型揚聲器模組有效的改善了模組的H)及THD，提高了模組的聲學性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1是本實用新型揚聲器模組的立體分解結構示意圖；
[0021]圖2是圖1的組合圖；
[0022]圖3是圖2的A-A線剖視圖；
[0023]圖中:10、第一殼體，12、泄露孔,20、第二殼體,30、第三殼體,32、開孔,40、振膜，42、球頂，44、音圈，50、盆架，500、底壁，502、側壁，52、磁鐵，54、華司，60、阻尼網，70、后聲腔，80、出聲孔，90、前聲腔。
【具體實施方式】
[0024]下面結合附圖和實施例，進一步闡述本實用新型。
[0025]如圖1和圖3共同所不,一種揚聲器模組,為一體化模組,包括相互結合在一起的第一殼體10、第二殼體20和第三殼體30，第一殼體10、第二殼體20和第三殼體30圍成的空間內收容有矩形的揚聲器單體。揚聲器單體包括振動系統和磁路系統，振動系統將整個模組內腔分割為前聲腔90和后聲腔70兩個腔體，前聲腔90與模組的出聲孔80相連通。
[0026]如圖1和圖3共同所示，振動系統包括邊緣部固定在第二殼體20上的振膜40，振膜40遠離第一殼體10的一側固定有音圈44，振膜40靠近第一殼體10的一側的中部設有球頂42，音圈44的端部位于磁路系統的磁間隙內。磁路系統位于振動系統的前端,磁路系統包括固定在第三殼體30上的盆架50，盆架50包括側壁502和底壁500，側壁502垂直設置在底壁500的四側邊緣部位，側壁502為斷續結構，即側壁502在底壁500的四個角部位置均設有開孔，底壁500上依次設有磁鐵52和華司54，磁鐵52和華司54與盆架50的側壁502之間形成有磁間隙。音圈44根據通過其線圈的電流的大小和方向在磁間隙內做往復切割磁力線運動，帶動振膜40產生振動，振膜40策動空氣發聲，從而實現電聲的轉換。
[0027]如I和圖3共同所不,振膜40遠離磁路系統的一側與第一殼體10和第二殼體20之間圍成后聲腔70，振膜40靠近磁路系統的一側與第二殼體20和第三殼體30之間圍成前聲腔90，盆架50的側壁502上的開孔將前聲腔90與出聲孔80連通。振膜40靠近磁路系統的一側發出的聲音通過側壁502上的開孔按照圖2中箭頭所示的路線由出聲孔80輻射到模組外界。這種將振動系統和磁路系統位置互換的結構與原有結構相比，加大了前聲腔處振膜40與外殼之間的距離，從而減小了振膜40受到的阻力，減小了振膜面的聲質量，使得氣流流通順暢，有利于聲波的輻射，有效的提升了揚聲器模組的聲學性能。
[0028]如圖2和圖3共同所示，第一殼體10上設有用于平衡模組內外氣壓的泄露孔12，泄露孔12連通后聲腔70。泄露孔12位于揚聲器單體正投影區域的中心位置，即泄露孔12正對球頂42的中心位置，泄露孔12設置在這一位置，可以增強后聲腔70內的氣流流動性，有效的改善了模組的H)和THD，同時還改善了模組的散熱效果，從而進一步的提升了揚聲器模組的聲學性能，延長了模組的使用壽命。
[0029]如圖2和圖3共同所示，第一殼體10靠近揚聲器單體的一側為內側，遠離揚聲器單體的一側為外側，泄露孔12位于第一殼體10外側的一端覆蓋有阻尼網60。
[0030]如圖1和圖3共同所示，第三殼體30上設有與盆架50的底壁500形狀、大小相適配的開孔32，在組裝模組時，可使得盆架50的底壁500的外表面與第三殼體30的外表面齊平，有效的減小了模組的厚度，有利于模組的薄型化發展。底壁500與第三殼體30的外表面指底壁500與第三殼體30位于模組內腔外側的表面。
[0031]如圖3所示，本實施例中的泄露孔12正對球頂42的中心位置，為本實用新型的優選方案，實際應用中泄露孔還可設置在揚聲器單體正投影范圍內的其它位置，同樣可以起到增強后聲腔內氣流流動性，改善模組的H)和THD，以及散熱效果的作用。
[0032]本實用新型振動系統和磁路系統位置互換及泄露孔設置在揚聲器單體的正投影范圍內，用以改善模組的H)及THD，提升整體聲學性能的技術方案，不僅適用于三殼模組上，還適用于兩殼模組上，本領域的技術人員根據本說明書的介紹不需要付出創造性的勞動就可以將本實用新型的技術方案移植到兩殼揚聲器模組中，故針對兩殼揚聲器模組的【具體實施方式】在此不再詳述。
[0033]本實用新型中第一殼體、第二殼體和第三殼體的命名只是為了區別技術特征，不代表三者之間的安裝順序，工作順序以及位置關系等。
[0034]本實用新型不局限于上述具體的實施方式，本領域的普通技術人員從上述構思出發，不經過創造性的勞動，所作出的種種變換，均落在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.揚聲器模組，包括外殼，所述外殼內收容有揚聲器單體，所述揚聲器單體包括振動系統和磁路系統，振動系統包括振膜和結合于振膜一側的音圈，磁路系統形成收容音圈的磁間隙，其特征在于，所述振膜遠離所述磁路系統的一側與所述外殼之間圍成所述揚聲器模組的后聲腔，所述振膜靠近所述磁路系統的一側與所述外殼之間圍成所述揚聲器模組的前聲腔；正對振膜一側的所述外殼上設有連通外殼兩側的泄露孔，所述泄露孔連通所述后聲腔與外界。
2.根據權利要求1所述的揚聲器模組，其特征在于，所述揚聲器模組設有出聲孔，所述出聲孔與所述前聲腔連通。
3.根據權利要求2所述的揚聲器模組，其特征在于，所述泄露孔位于所述揚聲器單體的正投影區域內。
4.根據權利要求3所述的揚聲器模組，其特征在于，所述泄露孔位于所述揚聲器單體的正投影區域的中心位置。
5.根據權利要求1至4任一項權利要求所述的揚聲器模組，其特征在于，所述外殼包括結合在一起的第一殼體、第二殼體和第三殼體，所述第一殼體、所述第二殼體和所述振動系統圍成所述揚聲器模組的后聲腔，所述泄露孔位于所述第一殼體上。
6.根據權利要求5所述的揚聲器模組，其特征在于，所述第二殼體上設有出聲孔；所述磁路系統的盆架包括側壁和底壁，所述側壁環繞設置在所述底壁的邊緣部位，且所述側壁為斷續結構，所述斷續結構的側壁將所述振動系統的振膜靠近所述磁路系統的一側與所述出聲孔連通。
7.根據權利要求6所述的揚聲器模組，其特征在于，所述第三殼體上設有與所述盆架的所述底壁相適配的開孔。
8.根據權利要求7所述的揚聲器模組，其特征在于，所述泄露孔位于所述第一殼體外側的一端覆蓋有阻尼網。
【文檔編號】H04R9/06GK203574855SQ201320718477
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年11月14日 優先權日:2013年11月14日
【發明者】汲鵬程, 張友林 申請人:歌爾聲學股份有限公司