Cmos圖像傳感器的制造方法

Cmos圖像傳感器的制造方法
【專利摘要】本發明涉及一種互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，包括一像素陣列，該像素陣列包括多個像素單元，其中每一像素單元包括光電二極管和鏡像電路。該光電二極管的陰極連接一電源，該光電二極管的陽極連接第一節點。該鏡像電路包括第一晶體管和第二晶體管，該第一晶體管的柵極和漏極連接于該第一節點，該第一晶體管的源極接地；該第二晶體管的柵極連接該第一節點，該第二晶體管的漏極連接一第二節點，該第二晶體管的源極接地。其中該第二晶體管的尺寸大于該第一晶體管的尺寸。
【專利說明】CMOS圖像傳感器
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體電路，尤其是涉及一種互補型金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器。
【背景技術】
[0002]隨著電信和計算機系統的發展，CMOS圖像傳感器已逐步代替傳統的電荷耦合器件(CCD)傳感器，廣泛應用于數字照相機/攝像機、計算機攝像頭等電子設備中。
[0003]CMOS圖像傳感器有兩種主要架構，其一是無源像素傳感器(PPS)，另一種是有源像素傳感器(APS)。盡管APS中有簡單的放大器，但由于像素內部空間的限制，以及實際光電探測器尺寸太小會引起信噪比的下降，所以在黑暗環境下使用時，APS的光響應度仍然不夠。
[0004]為了提高光電探測器自身的光響應度，已經發明了多種架構。帶懸空擴散(FD)的空穴積累二極管(HAD)是其中最重要的技術，其像素截面如圖1所示。HAD是一個PN光電二極管，其N區同時是NMOS晶體管的源極。這個NMOS晶體管的柵極被一個讀信號(TRF)驅動，漏極是一個懸空擴散(FD)。一個復位NMOS晶體管的柵極被RST信號驅動，先置位FD到Vdd電位，然后TRF信號引入電荷(HAD的N區中由光激發產生的電子)到FD的電位。TRF信號之后，HAD的曝光重新開始。
[0005]空穴積累二極管的FD的一個關鍵優點是高響應度，FD的電容很小。當TRF柵極打開時，HAD中光激發產生的電子將使FD有一個相對大的電勢降。然而，FD很容易被從周圍電路中耦合過來的電荷所傷，降低像素的噪聲性能。更進一步，要將柵極打開/關掉時電荷注入引起的錯誤完全消除是很困難的。

【發明內容】

[0006]本發明所要解決的技術問題是提供一種光響應度更高的CMOS圖像傳感器。
[0007]本發明為解決上述技術問題而采用的技術方案是提出一種互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，包括一像素陣列，該像素陣列包括多個像素單元，其中每一像素單元包括光電二極管和鏡像電路。該光電二極管的陰極連接一電源，該光電二極管的陽極連接第一節點。該鏡像電路包括第一晶體管和第二晶體管，該第一晶體管的柵極和漏極連接于該第一節點，該第一晶體管的源極接地；該第二晶體管的柵極連接該第一節點，該第二晶體管的漏極連接一第二節點，該第二晶體管的源極接地。其中該第二晶體管的尺寸大于該第一晶體管的尺寸。
[0008]在本發明的一實施例中，上述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器還包括積分電容，連接于該第二節點和地之間。
[0009]在本發明的一實施例中，上述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器還包括輸出電路，其包括:第三晶體管，該第三晶體管的柵極連接該第二節點，該第三晶體管的漏極連接該電源；以及第四晶體管，該第四晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條行讀取信號線，該第四晶體管的漏極連接該第三晶體管的源極，該第四晶體管的源極連接該圖像傳感器的其中一條像素單元數據輸出線。
[0010]在本發明的一實施例中，上述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器還包括復位電路，其包括:第五晶體管，該第五晶體管的漏極連接該電源，該第五晶體管的源極連接該第一節點，該第五晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條第一復位信號線，該第一復位信號線輸出用以復位該第一晶體管的漏極的第一復位信號；第六晶體管，該第六晶體管的漏極連接該電源，該第六晶體管的源極連接該積分電容，該第六晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條第二復位信號線，該第二復位信號線輸出一第二復位信號，該第二復位信號相對于該第一復位信號具有一足以使該第一晶體管的漏極經復位后達到穩定狀態的延遲時間；以及第七晶體管，該第七晶體管的漏極連接該第六晶體管的源極，該第七晶體管的源極連接該第二節點，該第七晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條反相復位信號線，該反相復位信號線輸出該第二復位信號的反相信號。
[0011]在本發明的一實施例中，上述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，還包括輸入電路，其包括:第八晶體管，該第八晶體管的源極連接該第一節點，該第八晶體管的漏極連接該第一晶體管的漏極；第九晶體管，該第九晶體管的源極連接該電源，該第九晶體管的柵極連接該第一節點，該第九晶體管的漏極連接該第八晶體管的柵極；以及電阻，連接于該第九晶體管的漏極和地之間。
[0012]本發明的CMOS圖像傳感器及其像素單元，通過電流倍增的方式實現了高的光響應度，而且與已有的空穴積累二極管技術相比不會有噪聲性能下降的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]為讓本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，以下結合附圖對本發明的【具體實施方式】作詳細說明，其中:
[0014]圖1是現有的空穴積累二極管的像素截面。
[0015]圖2示出CMOS圖像傳感器的像素陣列示意圖。
[0016]圖3示出本發明具有電流倍增特性的像素單元電路原理圖。
[0017]圖4示出根據本發明一實施例的CMOS圖像傳感器的像素單元。
[0018]圖5示出圖4中傳感器像素的運行時序圖。
[0019]圖6示出傳統RGC級輸入電路。
[0020]圖7示出本發明中的RGC級輸入電路。
[0021]圖8示出根據本發明另一實施例的CMOS圖像傳感器的像素單元。
[0022]圖9示出圖8中傳感器像素的運行時序圖。
【具體實施方式】
[0023]圖2是CMOS圖像傳感器的像素陣列示意圖。參照圖2所示，P是像素單元，由各個像素單元P組成的HiXn像素陣列構成CMOS圖像傳感器的感光區域。110是行選擇控制器，其連接m組行選擇線，每組行選擇線包含4條控制線(例如第I組行選擇線包含102_1，103_1，104_1，105_1，第 m 組行選擇線包含 102_m, 103_m, 104_m, 105_m，)，每一組行選擇線給該行提供控制信號(選通該行)。120是列讀取選擇控制器，其連接η條列數據線106_1，106_2，……106_n。讀取該行所有像素單元的數據，然后通過列讀取選擇控制器120內置的選擇功能依次選擇各列數據通過信號線107輸出到外部處理單元中。然后，再由行選擇控制器110依次選擇下一行，重復列讀取選擇控制器120的列讀取選擇輸出數據操作。從而，在行選擇控制器110和列讀取選擇控制器120的控制下，依次將每個像素單元P上的輸出信號由信號線107傳送到外部的處理單元中，如模數轉換器等。
[0024]圖3示出本發明具有電流倍增特性的像素單元電路原理圖。后文所披露實施例的CMOS圖像傳感器及其像素單元，皆通過該電流倍增的方式實現高的光響應度，而且沒有空穴積累二極管(HAD)技術的噪聲性能下降的劣勢。如圖3所示，該電流倍增原理圖中包括:二極管Dl、NMOS晶體管MNO和麗I。在此一對NMOS晶體管MNO和麗I組成鏡像電路。電流Idi為二極管Dl經光照后產生的光生電流，其流經晶體管ΜΝ0，即也是晶體管MNO的漏源電流。電流I2為晶體管麗I的漏源電流，其值是電流Idi的m倍，m是晶體管麗I的寬長比與晶體管MNO的寬長比的比值，m為正實數且m>l。所以電流I2是光生電流Idi放大m倍所得。因此，節點vcap處的電壓變化較節點anode處的電壓變化,更易被響應。在本發明的實施例中，m的取值可視實際需要而定，例如可令晶體管MNl的寬長比遠遠大于晶體管MNO的寬長比，即m取較大的值。
[0025]圖4是本發明一實施例的CMOS傳感器的像素單元的電路原理圖，其進一步示出圖2中的像素單元P，該像素單元P采用了圖3示出的電流倍增方式。如圖4所示，像素單元P包括:二極管D1、一對NMOS晶體管MNO和麗1、積分電容CO、一對NMOS晶體管麗2和麗3、一對NMOS晶體管MN4和MN6、以及NMOS晶體管MN7。這一像素單元與如下信號線連接:第一復位信號線102 (與圖2中的行選擇線102_1，……102_m相對應)，其輸出第一復位信號RowRst ;第二復位信號線103 (與圖2中的行選擇線103_1，……103_m相對應)，其輸出第二復位信號RowRst_Dly ;反相信號復位信號線104 (與圖2中的行選擇線104_1，……104_m相對應)，其輸出第二復位信號R0WRst_Dly的反相信號R0WRst_Dly_n ;行讀取信號線105(與圖2中的行選擇線105_1，……105_m相對應)，其輸出行讀取信號RowEn ;以及像素單元輸出數據線106 (與圖2中的 列數據線106_1，106_2，……106_n相對應)，其輸出像素單元輸出數據Vout。
[0026]二極管Dl是光電二極管。在本發明的實施例中，二極管Dl可以是任意類型的二極管，例如通常的N+/PW 二極管，或者一個P+/NW/Psub 二極管。
[0027]一對NMOS晶體管麗O和麗I構成一個鏡像電路。晶體管MNO的柵極和漏極都連接于第一節點anode，并且二極管Dl陽極和晶體管MNO串聯于該第一節點anode。晶體管麗I的柵極連接于第一節點anode,漏極連接于第二節點vcap。在本實施例中，晶體管麗I的尺寸(尺寸指晶體管的寬長比，下同)是晶體管MNO的“m”倍(m為大于I的正實數)。
[0028]積分電容CO連接于晶體管麗I的漏極和地之間，即在第二節點vcap和地之間，從而流經晶體管MN I的電流可對積分電容CO充電或放電。
[0029]NMOS晶體管麗7的源極連接第一節點anode,柵極連接第一復位信號線RowRst,從而可對晶體管MNO的漏極即第一節點anode復位。在此，晶體管麗7的尺寸可遠大于MNO的尺寸。
[0030]一對NMOS晶體管麗2和麗3構成輸出電路，其中晶體管麗2的柵極連接于第二節點vcap，晶體管麗2的源極連接晶體管麗3的漏極，晶體管麗3的柵極連接行讀取信號線105，晶體管MN3的源極連接像素單元數據輸出線106。
[0031 ] 一對NMOS晶體管MN4和MN6構成復位輸入，用來對第二節點vcap復位，即對積分電容CO復位。晶體管MN4的柵極連接第二復位信號線103，晶體管MN4的源極連接晶體管MN6的漏極，晶體管MN6的柵極連接反相信號復位信號線104，晶體管MN6的源極連接第二節點vcap,并且晶體管MN4的源極也連接第二節點vcap,即積分電容CO。在此,第二復位信號RowRst_Dly是由第一復位信號RowRst經過一個延時單元獲得,延時單元的延時時間足夠晶體管MNO的漏極經過復位后達到穩定。
[0032]在工作時，二極管Dl因受到光照而產生光電流，這一光電流也會流向晶體管ΜΝ0。由于晶體管麗I的尺寸是晶體管MNO的“m”倍，從而使晶體管麗I相對于流經Dl-MNO支路的光電流，會有對應倍數的電流倍增。在穩定狀態，第一節點anode會有電勢使晶體管麗I的電流是光照明激發的流經二極管Dl的光電流的“m”倍。倍增所得的電流會對積分電容CO進行充放電，倍增光電流的積分將通過在晶體管MN3的柵極施加RowEn信號，而從數據輸出線106端讀出。
[0033]每次讀操作(即施加RowEn信號)之后，像素單元需要進行復位。復位操作需要兩步:對晶體管MNO的漏極復位和對積分電容CO的復位，即對第一節點anode復位和第二節點vcap復位。
[0034]對晶體管MNO的漏極復位過程是，在RowRst脈沖到來時，晶體管麗7處于開啟狀態，有電流流過晶體管麗7和MN0，拉高第一節點anode的電位，從而復位晶體管MNO的漏極，即復位第一節點anode。因為晶體管MNO的尺寸遠遠小于晶體管麗7的尺寸，晶體管MNO漏極復位時的電平將比電源VDD小Vth，此處Vth是晶體管麗7的閾值電壓。
[0035]對積分電容CO的復位的過程是，由第一復位信號RowRst經過一個延時單元延時后的第二復位信號RowRst_Dly和它的反相信號R0WRst_Dly_n將分別作用到晶體管MN4和MN6上，晶體管MN4處于開啟狀態，有電流流過晶體管MN4和積分電容CO，拉高第二節vcap電位，從而復位第二節點vcap,其電壓大概是Vdd-Vth,此處Vth是晶體管MN4的閾值電壓。
[0036]這兩步復位過程，保證了傳感器的快速響應。基于光電流通常非常小的事實，在照明強度增加時，晶體管MNO漏極電壓的提升會非常緩慢。在每次曝光窗口的開始點，通過先復位晶體管MNO漏極電壓到Vdd-Vth，對應于照明強度的漏極電壓通過晶體管MNO吸入電流達到。延時后的積分電容CO復位，保證了光電流信號的積分，在晶體管MNO漏極電壓變穩定之后開始，因此，晶體管MNO所需的建立時間能夠被跳過(即不包括在積分窗口中)。
[0037]圖4所示傳感器單元的時序圖如圖5所示，其中，“RowEn”是晶體管麗3的柵極信號；“Vout”是像素單元P的輸出信號；“R0WRst”是晶體管麗7的柵極信號，即第一復位信號；“anode”表示第一節點anode處的時序波形；“RowRst_Dly”和“RowRst_Dly_n”分別是晶體管MN4和晶體管MN6的柵極信號，即第二復位信號和其反相信號；“vcap”表示第二節點vcap處的時序波形。積分電容CO的積分時間窗口如圖5中從虛線A到虛線B。曝光連續發生時，緊接著晶體管MN3的柵極信號“RowEn”之后，是第一節點anode的電壓被第一復位信號“RowRst”脈沖復位，即第一節點anode處的電位隨著第一復位信號“RowRst”脈沖的到來被拉高。接著，第二復位信號“RowRst_dly”復位積分電容CO,即第二節點vcap處的電位隨著第二復位信號“RowRst_dly”脈沖的到來被拉高，之后開始倍增光電流(流過麗I)的積分窗口。圖4所示傳感器的一個不足在于，光響應度高的光電二極管，通常其結電容也大，這使第一節點anode電壓的建立時間變緩慢，將極大降低傳感器對照明變化的響應速度。為了解決這個問題，本發明的另一實施例運用RGC級輸入電路，提出一個更優的CMOS圖像傳感器，如圖8所示。
[0038]傳統RGC級輸入電路如圖6所示，該電路包括:電阻Rl、R2和RD，NMOS晶體管Ml和M2。電阻Rl和晶體管M2串聯在電源VDD和地之間，晶體管M2的漏極連接晶體管Ml的柵極。電阻R2、晶體管Ml和電阻RD串聯在電源VDD和地之間，晶體管Ml的源極連接晶體管M2的柵極。晶體管M2的柵極為輸入端in，晶體管Ml的漏極為輸出端out。該RGC級輸入電路能提供非常低的輸入阻抗Rin，其值為1/gml (l+gm2*Rl)，其中gml和gm2分別為晶體管Ml和M2的跨導。
[0039]本發明在傳統RGC級輸入電路的基礎上進行改進，如圖7所示，其能提供非常低的輸入阻抗Rin，其值為l/gmMro (l+gmMP2*Rl)，其中gmMro和gmMP2分別為晶體管MPO和MP2的跨導。本發明的另一個實施例運用該RGC級輸入電路提出一個更優的CMOS圖像傳感器，如圖8所示。其中，像素單元P包括:二極管Dl、PMOS晶體管MPO、MP2、電阻R1、一對NMOS晶體管MNO和麗1、積分電容CO、一對NMOS晶體管麗2和麗3、一個復位NMOS晶體管麗5、以及一對復位NMOS晶體管MN4和MN6。
[0040]二極管Dl是光電二極管。在本發明的實施例中，二極管Dl可以是任意類型的二極管，例如通常的N+/PW 二極管，或者一個P+/NW/Psub 二極管。
[0041]PMOS晶體管MPO、MP2和電阻Rl構成調整共源共柵(RGC)級輸入電路，其中晶體管MP2和電阻Rl串聯在電源VDD和地之間，晶體管MP2的柵極連接第一節點anode。晶體管MPO的源極和二極管Dl的陽極連接于第一節點anode，晶體管MPO的柵極連接于晶體管MP2和電阻Rl串聯的節點，晶體管MPO的漏極連接晶體管MNO的漏極。
[0042]RGC級能夠提供非常低的輸入阻抗，這恰恰是本發明所期望的，可用來克服光電二極管Dl的大結電容。然而，在典型的RGC級中，晶體管MPO需要一個偏置電流流過，而這在本發明的實施例中是不允許的。如圖8所示的實施例調整了 RGC級，放棄使用偏置電阻，而直接采用光電二極管Dl。偏置電流的缺失，可通過前一實施例所描述的兩步復位操作來彌補。
[0043]一對NMOS晶體管麗O和麗I構成一個鏡像電路。晶體管MNO的柵極和漏極都連接晶體管MPO的漏極。晶體管麗I的柵極也連接晶體管MPO的漏極。在本實施例中，晶體管麗I的尺寸是晶體管MNO的“m”倍(m大于I且m為正實數)。
[0044]積分電容CO連接于晶體管麗I的漏極，即第二節點vcap和地之間，從而流經晶體管MNl的電流可對積分電容CO充電或放電。
[0045]NMOS晶體管MN5的源極連接第一節點anode,柵極連接第一復位信號線102,從而可對第一節點anode復位。在此，晶體管麗5的尺寸可遠大于MNO的尺寸。
[0046]—對NMOS晶體管麗2和麗3構成輸出電路，其中晶體管麗2的柵極連接于第二節點vcap，晶體管麗2的源極連接晶體管麗3的漏極，晶體管麗3的柵極連接行讀取信號線105，晶體管MN3的源極連接像素單元數據輸出線106。
[0047]一對NMOS晶體管MN4和MN6構成復位輸入，用來對第二節點vcap復位，即對積分電容CO復位。晶體管MN4的柵極連接第二復位信號線103，晶體管MN4的源極連接晶體管MN6的漏極，晶體管MN6的柵極連接反相信號復位信號線104，晶體管MN6的源極連接第二節點vcap,并且晶體管MN4的源極也連接第二節點vcap,即積分電容CO。在此,第二復位信號RowRst_Dly是由第一復位信號RowRst經過一個延時單元獲得,延時單元的延時時間足夠晶體管MNO的漏極經過復位后達到穩定。
[0048]在工作時，二極管Dl因受到光照而產生光電流，這一光電流通過晶體管MPO流向晶體管MN0。由于晶體管麗I的尺寸是晶體管MNO的“m”倍，從而使晶體管麗I相對于流經D1-MP0-MN0支路的光電流，會有對應倍數的電流倍增。在穩定狀態，晶體管MPO的漏極會有電勢使晶體管麗I的電流是光照明激發的流經二極管Dl的光電流的“m”倍。倍增所得的電流會對積分電容CO進行充放電，倍增光電流的積分將通過在晶體管MN3的柵極施加RowEn信號,而從數據輸出線端讀出。
[0049]每次讀操作(即施加RowEn信號)之后，像素單元需要進行復位。復位操作需要兩步:對晶體管MPO的源極復位(從而對晶體管MNO的漏極復位)和對積分電容CO的復位，即對第一節點anode復位和第二節點vcap復位。
[0050]對晶體管MPO的源極復位過程是，在第一復位信號RowRst脈沖到來時，晶體管MN5處于開啟狀態，有電流流過晶體管MN5，MPO和MN0，拉高第一節點anode的電位，即拉高晶體管MNO的漏極電位,從而復位晶體管MNO的漏極。
[0051]對積分電容CO的復位的過程是，由第一復位信號RowRst經過一個延時單元延時后的第二復位信號RowRst_Dly和它的反相信號R0WRst_Dly_n將分別作用到晶體管MN4和MN6上，晶體管MN4處于開啟狀態，有電流流過晶體管MN4和積分電容CO，拉高第二節點vcap電位,從而復位第二節點vcap,其電壓大概是Vdd-Vth,此處Vth是晶體管MN4的閾值。
[0052]圖9示出了圖8所示的帶RGC級的傳感器的運行時序圖。可以看到，這與圖5非常相似。圖9中，“RowEn”是晶體管麗3的柵極信號；“Vout”是像素單元P的輸出信號；“RowRst”是晶體管麗5的柵極信號，即第一復位信號；“anode”表不第一節點anode處的時序波形；“RoWRst_Dly”和“R0WRst_Dly_n”分別是晶體管MN4和晶體管MN6的柵極信號，即第二復位信號和其反相信號；“vcap”表示第二節點vcap處的時序波形。在帶RGC級的傳感器中，第一節點anode電壓的建立時間相比于圖5所示中的快，從而提高了傳感器對照明變化的響應速度。并且，在本實施例中，光電二極管的結電容可以比圖5所示實施例大幅增力口，例如本實施例的光電二極管的結電容可以是前一實施例的10倍。
[0053]本發明所披露的上述實施例的CMOS圖像傳感器及其像素單元，通過電流倍增的方式實現了更高的光響應度，而且沒有空穴積累二極管技術的噪聲性能下降的劣勢。
[0054]雖然本發明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發明，任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的修改和完善，因此本發明的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。
【權利要求】
1.一種互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，包括一像素陣列，該像素陣列包括多個像素單元，其中每一像素單元包括: 光電二極管(D1)，該光電二極管的陰極連接一電源，該光電二極管的陽極連接第一節點；以及 鏡像電路，包括第一晶體管(MNO )和第二晶體管(MN I),該第一晶體管的柵極和漏極連接于該第一節點，該第一晶體管的源極接地；該第二晶體管的柵極連接該第一節點，該第二晶體管的漏極連接一第二節點，該第二晶體管的源極接地； 其中該第二晶體管的尺寸大于該第一晶體管的尺寸。
2.如權利要求1所述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，還包括: 積分電容，連接于該第二節點和地之間。
3.如權利要求2所述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，還包括輸出電路，其包括: 第三晶體管(MN2)，該第三晶體管的柵極連接該第二節點，該第三晶體管的漏極連接該電源；以及 第四晶體管(MN3)，該第四晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條行讀取信號線，該第四晶體管的漏極連接該第三晶體管的源極，該第四晶體管的源極連接該圖像傳感器的其中一條像素單元數據輸出線。
4.如權利要求2或3所述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，還包括復位電路，其包括:· 第五晶體管(MN5或MN7)，該第五晶體管的漏極連接該電源，該第五晶體管的源極連接該第一節點，該第五晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條第一復位信號線，該第一復位信號線輸出用以復位該第一晶體管的漏極的第一復位信號； 第六晶體管(MN4)，該第六晶體管的漏極連接該電源，該第六晶體管的源極連接該積分電容，該第六晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條第二復位信號線，該第二復位信號線輸出一第二復位信號，該第二復位信號相對于該第一復位信號具有一足以使該第一晶體管的漏極經復位后達到穩定狀態的延遲時間；以及 第七晶體管(MN6)，該第七晶體管的漏極連接該第六晶體管(MN4)的源極，該第七晶體管的源極連接該第二節點，該第七晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條反相復位信號線，該反相復位信號線輸出該第二復位信號的反相信號。
5.如權利要求1所述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，還包括輸入電路，其包括: 第八晶體管(ΜΡ0)，該第八晶體管的源極連接該第一節點，該第八晶體管的漏極連接該第一晶體管的漏極； 第九晶體管(MP2)，該第九晶體管的源極連接該電源，該第九晶體管的柵極連接該第一節點，該第九晶體管的漏極連接該第八晶體管的柵極；以及 電阻，連接于該第九晶體管的漏極和地之間。
6.如權利要求5所述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，還包括: 積分電容，連接于該第二節點和地之間。
7.如權利要求6所述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，還包括輸出電路，其包括: 第三晶體管(MN2)，該第三晶體管的柵極連接該第二節點，該第三晶體管的漏極連接該電源；以及 第四晶體管(MN3)，該第四晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條行讀取信號線，該第四晶體管的漏極連接該第三晶體管的源極，該第四晶體管的源極連接該圖像傳感器的其中一條像素單元數據輸出線。
8.如權利要求6或7所述的互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，還包括復位電路，其包括: 第五晶體管(MN5或MN7)，該第五晶體管的漏極連接該電源，該第五晶體管的源極連接該第一節點，該第五晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條第一復位信號線，該第一復位信號線輸出用以復位該第一晶體管的漏極的第一復位信號； 第六晶體管(MN4)，該第六晶體管的漏極連接該電源，該第六晶體管的源極連接該積分電容，該第六晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條第二復位信號線，該第二復位信號線輸出一第二復位信號，該第二復位信號相對于該第一復位信號具有一足以使該第一晶體管的漏極經復位后達到穩定狀態的延遲時間；以及 第七晶體管(MN6)，該第七晶體管的漏極連接該第六晶體管(MN4)的源極，該第七晶體管的源極連接該第二節點，該第七晶體管的柵極連接該圖像傳感器的其中一條反相復位信號線，該反相復位 信號線輸出該第二復位信號的反相信號。
【文檔編號】H04N5/3745GK103546703SQ201210243408
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年7月13日 優先權日:2012年7月13日
【發明者】李冰 申請人:李冰