專利名稱：硅晶微麥克風裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種微麥克風，尤其涉及一種硅晶微麥克風。
背景技術：
現今的可攜式電子產品，例如MP3、手機、PDA、上網本等，其發展趨勢越來越小越來越輕，而且復合更多功能，而麥克風是一般可攜式電子產品中常見的零部件，自然其發展趨勢也是輕、薄、短、小，同時也要求更佳的效能與輸出表現。現今技術中，微麥克風裝置中的鍵合用焊盤直接設置在背極板中的背極板上，沒有任何保護以及固定措施，容易導致鍵合用焊盤氧化、松動、甚至脫落的問題，以至微麥克風效能降低、輸出表現較差。
實用新型內容針對現有技術因鍵合用焊盤沒有任何保護措施或固定措施而導致鍵合用焊盤松動或脫落的問題，本實用新型提供一種能克服上述缺陷的硅晶微麥克風裝置。本實用新型提供一種硅晶微麥克風裝置，包括硅基、振膜、背極板、背電極以及至少兩鍵合用焊盤，該硅基支撐該背極板及該振膜，該背極板支撐該背電極，該兩鍵合用焊盤之一設置于該背電極上，該兩鍵合用焊盤之二一部分設置于該振膜上，另一部分設置于該背電極上，還包括保護層，該保護層一部分不完全覆蓋該兩鍵合用焊盤表面，另一部分連接該背電極。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，該保護層是金屬鈍化層，覆蓋該鍵合用焊盤周邊的表面。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，該金屬鈍化層是氮化硅材料，或者是氮化硅與氧化硅的復合層材料。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，該保護層還包括金屬支架層，該金屬支架層部分地覆蓋該鍵合用焊盤表面，該金屬支架層還與該背電極連接，該金屬鈍化層設置于該金屬支架層表面。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，該鍵合用焊盤是兩個或多個。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，該保護層是單層結構或多層結構。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，該保護層厚度是0. 1到4. 0微米。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，其中該背極板厚度為0. 5-7. 0微米。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，其中該振膜的厚度為0. 1-4.0微米。作為對所述硅晶微麥克風裝置的進一步改進，其中該振膜的厚度為0. 1-4.0微米。相較于現有技術，本實用新型硅晶微麥克風裝置，通過增加保護層，可以有效的防止鍵合用焊盤的氧化問題，還能提高鍵合用焊盤與背極板或與振膜結構的固定性，解決現有技術中，鍵合用焊盤易松動、甚至脫落的問題，從而提高硅晶微麥克風效能和輸出表現。
圖1是本實用新型硅晶微麥克風裝置第一實施方式的截面示意圖；圖2是本實用新型硅晶微麥克風裝置第二實施方式的截面示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型進行說明。本實用新型實施例提供一種硅晶微麥克風裝置，請參閱圖1，圖1是本實用新型硅晶微麥克風裝置第一實施方式的截面示意圖。該硅晶微麥克風裝置1包括硅基10、振膜20、 背極板30、保護層40和鍵合用焊盤50。該背極板30進一步包括背電極32，該硅基10支撐該背極板30及該振膜20，該背極板30支撐該背電極32，該鍵合焊盤50至少包括兩個，該兩鍵合用焊盤50之一設置于該背電極32上，該兩鍵合用焊盤50之二的一部分設置于該振膜20上，另一部分設置于該背電極32上。該保護層40該保護層一部分不完全覆蓋該兩鍵合用焊盤50表面，另一部分連接該背電極32。本實用新型硅晶微麥克風裝置第一實施方式，該硅晶微麥克風裝置1通過增加保護層40，可以有效的防止鍵合用焊盤50的氧化問題，該保護層40還能起到卡槽作用，所以還能提高鍵合用焊盤50與背極板30或與振膜20結構的固定性，解決現有技術中，鍵合用焊盤50易松動、甚至脫落的問題，從而提高硅晶微麥克風效能和輸出表現。該振膜20的厚度為0. 1-4. 0微米。該背極板30厚度為0.5-7.0微米。該保護層40是單層或多層結構。該硅晶微麥克風裝置2該保護層40是金屬鈍化層，覆蓋該鍵合用焊盤50周邊的表面，該金屬鈍化層是氮化硅(氮化硅是一種超硬物質，本身具有潤滑性，并且耐磨損，高溫時抗氧化)材料，或者是氮化硅與氧化硅的復合層材料。 該保護層厚度是0. 1到4. 0微米。該鍵合用焊盤50是兩個或多個，該鍵合用焊盤50的材質選自鋁、銅、金、銀、鎳、 鉬、鈦、鉻材料所構成的群組。請參閱圖2，圖2是本實用新型硅晶微麥克風裝置第二實施方式的截面示意圖。其與本實用新型第一實施方式的區別僅在于該保護層240是雙層結構，它還包括金屬支架層242部分地覆蓋該鍵合用焊盤50表面，該金屬支架層242還與該背電極32連接，該金屬鈍化層244設置于該金屬支架層242表面。本實用新型硅晶微麥克風裝置第二實施方式，通過增加保護層240，該保護層240 為雙層結構，該保護層240還包括金屬支架層242，該金屬支架層242表面設置有金屬鈍化層244，該金屬支架層242部分地設置在該鍵合用焊盤50表面，還與該背電極32連接，可以有效的防止鍵合用焊盤50的氧化問題，還能起到卡槽的作用，所以還能進一步提高鍵合用焊盤50與背極板30或與振膜20結構的固定性，解決現有技術中，鍵合用焊盤50易松動、 甚至脫落的問題，從而提高硅晶微麥克風效能和輸出表現。以上僅為本實用新型的優選實施案例而已，并不用于限制本實用新型，對于本領域的技術人員來說，本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之
4內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種硅晶微麥克風裝置，包括硅基、振膜、背極板、背電極以及至少兩鍵合用焊盤，該硅基支撐該背極板及該振膜，該背極板支撐該背電極，該兩鍵合用焊盤之一設置于該背電極上，該兩鍵合用焊盤之二的一部分設置于該振膜上，另一部分設置于該背電極上，其特征在于還包括保護層，該保護層一部分不完全覆蓋該兩鍵合用焊盤表面，另一部分連接該背電極。
2.根據權利要求1所述的硅晶微麥克風裝置，其特征在于該保護層是金屬鈍化層，覆蓋該鍵合用焊盤周邊的表面。
3.根據權利要求2所述的硅晶微麥克風裝置，其特征在于該金屬鈍化層是氮化硅材料，或者是氮化硅與氧化硅的復合層材料。
4.根據權利要求3所述的硅晶微麥克風裝置，其特征在于該保護層還包括金屬支架層，該金屬支架層部分地覆蓋該鍵合用焊盤表面，該金屬支架層還與該背電極連接，該金屬鈍化層設置于該金屬支架層表面。
5.根據權利要求1所述的硅晶微麥克風裝置，其特征在于該鍵合用焊盤是兩個或多個。
6.根據權利要求1所述的硅晶微麥克風裝置，其特征在于該保護層是單層結構或多層結構。
7.根據權利要求1所述的硅晶微麥克風裝置，其特征在于該保護層厚度是0.1到4. 0 微米。
8.根據權利要求1所述的硅晶微麥克風裝置，其特征在于其中該背極板厚度為 0. 5-7. 0 微米。
9.根據權利要求1所述的硅晶微麥克風裝置，其特征在于其中該振膜的厚度為 0. 1-4. 0 微米。
專利摘要本實用新型公開了一種硅晶微麥克風裝置。所述硅晶微麥克風裝置包括硅基、振膜、背極板、背電極以及至少兩鍵合用焊盤，該硅基支撐該背極板及該振膜，該背極板支撐該背電極，該兩鍵合用焊盤之一設置于該背電極上，該兩鍵合用焊盤之二的一部分設置于該振膜上，另一部分設置于該背電極上，還包括保護層，該保護層一部分不完全覆蓋該兩鍵合用焊盤表面，另一部分連接該背電極通過上述方式，本實用新型能夠可以有效的防止鍵合用焊盤的氧化問題，還能提高鍵合用焊盤與背極板或與振膜結構的固定性，從而解決現有技術中，鍵合用焊盤易松動、甚至脫落的問題，從而提高硅晶微麥克風效能和輸出表現。
文檔編號H04R19/04GK202004962SQ20112000794
公開日2011年10月5日 申請日期2011年1月12日 優先權日2011年1月12日
發明者孟珍奎, 張小麟, 張睿, 楊斌, 王琳琳, 葛舟, 顏毅林 申請人:瑞聲聲學科技(深圳)有限公司, 瑞聲科技(新加坡)有限公司