專利名稱：相機模塊的制造方法
技術領域：
本發明涉及一種利用晶片級光刻工藝涂布干膜層的相機模塊的制造方法。
背景技術：
公知相機模塊工藝是將透鏡堆疊至其上具有光學元件的一基板，然后，將與透鏡堆疊的上述基板切割，且分離出數個獨立的相機模塊單元。在公知相機模塊的工藝期間，相機模塊的良率會因為用于透鏡模塊的透鏡組的保護膜的移除步驟會傷害光學透鏡的孔徑 而降低。在此技術領域中，有需要一種具有不會傷害光學透鏡的孔徑的相機模塊的制造方法，以改善上述缺點。
發明內容
有鑒于此，為解決現有技術的缺陷，本發明一實施例提供一種相機模塊的制造方法，包括提供多個透鏡組；于上述多個透鏡組上形成一干膜層；圖案化上述干膜層，以形成多個干膜圖案，分別貼附上述多個透鏡組；分離上述多個透鏡組；將上述多個透鏡組分離出來的一透鏡組接合至一圖像感測裝置芯片；移除上述透鏡組上的上述干膜圖案。本發明另一實施例提供一種相機模塊的制造方法，包括提供一第一晶片，其上具有多個第一透鏡元件；于上述第一晶片上形成一第一間隙元件，以將上述多個第一透鏡元件彼此隔開，以形成多個透鏡組，上述多個透鏡組由位于上述第一晶片兩側的上述多個第一透鏡元件和上述第一間隙元件構成；于上述第一間隙元件上形成一干膜層；圖案化上述干膜層，以形成多個干膜圖案，分別貼附上述多個透鏡組；分離上述多個透鏡組；將上述多個透鏡組分離出來的一透鏡組接合至一圖像感測裝置芯片；移除上述透鏡組上的上述干膜圖案。本發明又另一實施例提供一種相機模塊的制造方法，包括提供一第一晶片，其上具有多個第一透鏡元件；于上述第一晶片上形成一第一間隙元件，以將上述多個第一透鏡元件彼此隔開，以形成多個透鏡組；將一第二晶片接合至上述第一晶片，其中上述第二晶片具有多個第二透鏡元件，對齊于上述多個第一透鏡元件；于上述第二晶片上形成一第二間隙元件，以將上述多個第二透鏡元件彼此隔開，以形成多個透鏡組，上述多個透鏡組由位于上述第一晶片兩側的上述多個第一透鏡元件、位于上述第二晶片兩側的上述多個第二透鏡元件、上述第一間隙元件和上述第二間隙元件構成；于上述第二間隙元件上形成一干膜層；圖案化上述干膜層，以形成多個干膜圖案，分別貼附上述多個透鏡組；分離上述多個透鏡組；將上述多個透鏡組分離出來的一透鏡組接合至一圖像感測裝置芯片；移除上述透鏡組上的上述干膜圖案。本發明實施例提供的相機模塊的制造方法利用一干膜層做一保護薄膜，以避免透鏡組的孔徑于后續工藝期間被例如電磁干擾(EMI)遮蔽材料或遮光材料的涂布材料覆蓋。上述干膜層于將透鏡組晶片分離為各自獨立的透鏡組之前，利用晶片級光刻工藝形成。因此，于晶片級工藝時使用干膜層的上述制造方法可有高產率。
圖Ia-圖lc、圖2a-圖2b、圖3a_圖3b和圖4_圖9為本發明實施例的相機模塊的制造方法的剖面圖或俯視圖。主要附圖標記說明200a 第二晶片；200b 第一晶片； 202a 第二透鏡元件；202b 第一透鏡元件；203a 第二間隙元件；203b 第一間隙元件；204 干膜層；204a 干膜圖案；210 圖像感測裝置芯片；212 彈性薄膜；213 載板；214 膠；216 焊球；218 頂面；220 粘著劑；222 金屬層；224 遮光層；230 保護層。
具體實施例方式以下以各實施例詳細說明并伴隨著
的范例，作為本發明的參考依據。在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分皆使用相同的附圖標記。且在附圖中，實施例的形狀或是厚度可擴大，并以簡化或是方便標示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未示出或描述的元件，為所屬技術領域中普通技術人員所知的形式，另外，特定的實施例僅為揭示本發明使用的特定方式，其并非用以限定本發明。圖Ia-圖lc、圖2a-圖2b、圖3a_圖3b和圖4_圖9為本發明實施例的相機模塊的制造方法的剖面圖或俯視圖。本發明實施例的相機模塊的制造方法是利用一干膜以避免一光學透鏡組在后續工藝期間被例如電磁干擾(EMI)遮蔽材料或遮光材料的涂布材料覆蓋。圖Ia為本發明一實施例的透鏡組，上述透鏡組由位于單一晶片上的透鏡元件構成。請參考圖la，提供一第一晶片200b，其上具有多個第一透鏡元件202b。然后，于第一晶片200b上形成一第一間隙兀件203b,以將第一透鏡兀件202b彼此隔開。位于該第一晶片兩側的多個第一透鏡元件和該第一間隙元件構成多個透鏡組。第一晶片200b可包括一透明材料。第一間隙元件203b可配置為一陣列，位于第一晶片200b的兩側。在本發明其他實施例中，第一透鏡元件202b和第一間隙元件203b可分別配置位于第一晶片200b的
單一側。在本發明其他實施例中，圖Ib是顯示本發明另一實施例的透鏡組，上述透鏡組由位于兩晶片上的透鏡元件構成。如圖Ib所示，一第二晶片200a，其上具有多個第二透鏡元件202a，接合至第一晶片200b上，以使第一晶片200b和第二晶片200a堆疊在一起。然后，于第二晶片200a上形成一第二間隙元件203a，以將第二透鏡元件202a彼此隔開。第二晶片200a可包括一透明材料。第二透鏡元件202a可配置為一陣列，位于第二晶片200a的上表面上。第二透鏡元件202a對齊于第一透鏡元件202b。圖Ic顯示由兩片晶片和其上透鏡元件構成的透鏡組的俯視圖。在本發明其他實施例中，一或多個其上具有透鏡元件的晶片 可接合至第二晶片200a或第一晶片200b。以圖Ia至圖Ic所示的實施例作為后續說明，然其并非用以限定本發明揭示的實施例。接著，請參考圖2a和圖2b，利用一壓合工藝，將一干膜層204堆疊于第二間隙元件203a上。在本發明一實施例中，干膜層204完全覆蓋由第一晶片200b和第二晶片200a構成的晶片級透鏡組。圖3a和圖3b顯示形成分別貼附透鏡組的干膜圖案204a的制造工藝步驟。可由感光材料形成干膜層204，因此干膜層204可視為一光致抗蝕劑層。如圖3a和3b所示，進行一光刻工藝，以移除部分干膜層204，以圖案化干膜層204形成多個干膜圖案204a。在本發明一實施例中，光刻工藝可包括對準、曝光和顯影干膜層204。之后，可進行一烘烤工藝，于75°C以下的工藝溫度完全硬化干膜圖案204a。在本發明一實施例中，干膜圖案204a分別覆蓋每一個透鏡組。干膜圖案204a對其下的第二透鏡元件202a具有保護功能。在本發明一實施例中，于75°C以下的工藝溫度對干膜圖案204a進行堆疊、曝光和顯影等工藝步驟，因此，各自獨立的透鏡組可分別被一固化的干膜圖案204a覆蓋，而不會被液態的干膜材料或其他顆粒和雜質污染。接著，利用一切割工藝，沿第一間隙元件203b和該第二間隙元件203a分離覆蓋干膜圖案204a的晶片級透鏡組。舉例來說，可沿如圖3b所示的切割道、虛線分離晶片級透鏡組。在本發明一實施例中，第一晶片200b和其上的第一透鏡元件202b，以及第二晶片200a和其上的第二透鏡元件202a分離為各自獨立的透鏡組。圖4是顯示一個獨立的透鏡組。如圖4所示的透鏡組具有位于第一晶片200b兩側的第一透鏡元件202b和位于第二晶片200a兩側的第二透鏡元件202a。并且，干膜圖案204a面對且位于透鏡組的第二透鏡元件202a上。接著，請參考圖5，可利用將一圖像感測裝置芯片210放置且壓合至一載板213上的方式進行一固著工藝，圖像感測裝置芯片210的一底面上具有多個焊球216。在本發明一實施例中，載板213可為一導熱膠帶，包括一彈性薄膜212和位于其上的膠214，以固定圖像感測裝置芯片210。在本發明一實施例中，圖像感測裝置芯片210可包括互補式金屬氧化物半導體兀件(metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices)或電荷稱合兀件(charge-coupled devices (CCDs))。接著，請參考圖6，可進行一點膠工藝，于圖像感測裝置芯片210的一頂面218上涂上一粘著劑220以接合如圖4所示的透鏡組。在本發明一實施例中，粘著劑220可包括樹脂或高分子樹脂膠。接著，請參考圖7，可通過將透鏡組放置且壓合至圖像感測裝置芯片210中央的方式，將透鏡組接合至圖像感測裝置芯片210的頂面218上。接著，請參考圖8，形成一保護層230，覆蓋透鏡組。保護層230的形成方式可包括進行例如噴涂工藝的一涂布工藝，以于透鏡組和干膜圖案204a整體上方涂布一金屬材料，以形成一金屬層222。在本發明一實施例中，金屬層222可包括鋁、銅或類似的金屬(銀、鐵涂層)。金屬層222可視為一電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)遮蔽物，以對圖像感測裝置芯片210提供電磁干擾(EMI)遮蔽功能。接著，進行例如噴涂工藝的另一涂布工藝，以涂布一遮光材料覆蓋金屬層222，以形成一遮光層224。在本發明一實施例中，遮光層224可包括一黑漆以避免內部反射。在本發明一實施例中，包括金屬層222和遮光層224的保護層230具有保護透鏡組的功能。接著，請參考圖9，可進行一激光切割工藝，以切割部分金屬層222、部分遮光層224和干膜圖案204a。透鏡組上方的殘留的干膜圖案204a浸泡于含有例如丙酮的有機溶 質的一溶劑中。接著，利用振蕩方式，于含有例如丙酮的有機溶質的溶劑中移除和剝除干膜圖案204a。在此步驟中可同時去除金屬層222、遮光層224和干膜圖案204a。此外，振蕩溶劑有助于第二透鏡元件202a上方的干膜圖案204a、部分金屬層222和部分遮光層224的移除效率。利用含有有機溶質的溶劑移除干膜圖案204a之后，透鏡組內不會有任何殘留物質。在本發明其他實施例中，可再進行一清潔工藝，以移除于透鏡組上方的干膜圖案204a、金屬層222和遮光層224的殘留物質。如圖9所示，金屬層222和遮光層224遮蔽除了透鏡組的焊球216和孔徑之外的相機模塊。接著，從圖像感測裝置芯片210移去如圖8所示的載板213。因此，完成本發明一實施例的相機模塊的制造方法。本發明一實施例提供一種相機模塊的制造方法。上述相機模塊的制造方法利用一干膜層做一保護薄膜，以避免透鏡組的孔徑于后續工藝期間被例如電磁干擾(EMI)遮蔽材料或遮光材料的涂布材料覆蓋。上述干膜層于將透鏡組晶片分離為各自獨立的透鏡組之前，利用晶片級光刻工藝形成。因此，于晶片級工藝時使用干膜層的上述制造方法可有高產率。因為上述干膜層利用晶片級光刻工藝形成，干膜圖案可利用晶片級光刻工藝的一對準步驟精確位于透鏡組上方。并且，干膜層的尺寸控制能力佳。此外，于形成透鏡組期間，不需額外工藝步驟即可輕易移除用于透鏡組的干膜圖案。雖然本發明已以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發明，任何本領域普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視所附的權利要求所界定為準。
權利要求
1.一種相機模塊的制造方法，包括下列步驟 提供多個透鏡組； 于所述多個透鏡組上形成一干膜層； 圖案化該干膜層，以形成多個干膜圖案，分別貼附所述多個透鏡組； 分離所述多個透鏡組； 將所述多個透鏡組分離出來的一透鏡組接合至一圖像感測裝置芯片；以及 移除該透鏡組上的該干膜圖案。
2.如權利要求I所述的相機模塊的制造方法，還包括 于該干膜圖案上形成一金屬層；以及 于該金屬層上形成一遮光層，以于該透鏡組上形成包括該金屬層和該遮光層的一保護膜。
3.如權利要求I所述的相機模塊的制造方法，其中移除該透鏡組上的該干膜圖案包括 利用一激光工藝切割該干膜圖案； 利用一有機溶劑浸泡該干膜圖案，其中該有機溶劑包括丙酮；以及 振蕩該干膜圖案。
4.如權利要求I所述的相機模塊的制造方法，移除該透鏡組上的該干膜圖案之后還包括清潔該透鏡組，且將所述多個透鏡組分離出來的該透鏡組接合至該圖像感測裝置芯片包括于圖像感測裝置芯片上涂上一粘著劑以接合該透鏡組。
5.如權利要求I所述的相機模塊的制造方法，其中提供所述多個透鏡組包括 提供一第一晶片，其上具有多個第一透鏡元件； 于該第一晶片上形成一第一間隙元件，以將所述多個第一透鏡元件彼此隔開。
6.如權利要求5所述的相機模塊的制造方法，其中分離所述多個透鏡組還包括利用一切割工藝，沿該第一間隙元件分開所述多個透鏡組。
7.如權利要求5所述的相機模塊的制造方法，其中形成該干膜層包括于該第一間隙元件上堆疊一感光材料層。
8.如權利要求5所述的相機模塊的制造方法，還包括 將一第二晶片接合至該第一晶片，其中該第二晶片具有多個第二透鏡元件，對齊于所述多個第一透鏡元件，以及一第二間隙元件，以將所述多個第二透鏡元件彼此隔開。
9.如權利要求8所述的相機模塊的制造方法，其中分離所述多個透鏡組還包括利用一切割工藝，沿該第一間隙元件和該第二間隙元件分開所述多個透鏡組。
10.如權利要求5所述的相機模塊的制造方法，其中圖案化該干膜層還包括 曝光該干膜層； 顯影該干膜層以形成所述多個干膜圖案；以及 于75°C以下的溫度烘烤所述多個干膜圖案。
全文摘要
本發明提供一種相機模塊的制造方法，上述相機模塊的制造方法提供多個透鏡組；于上述多個透鏡組上形成一干膜層；圖案化上述干膜層，以形成多個干膜圖案，分別貼附上述多個透鏡組；分離上述多個透鏡組；將上述多個透鏡組分離出來的一透鏡組接合至一圖像感測裝置芯片；移除上述透鏡組上的上述干膜圖案。本發明實施例提供的相機模塊的制造方法利用一干膜層做一保護薄膜，以避免透鏡組的孔徑于后續工藝期間涂布材料覆蓋。上述干膜層于將透鏡組晶片分離為各自獨立的透鏡組之前，利用晶片級光刻工藝形成。因此，于晶片級工藝時使用干膜層的上述制造方法可有高產率。
文檔編號H04N5/225GK102969321SQ20111046119
公開日2013年3月13日 申請日期2011年12月26日 優先權日2011年8月29日
發明者林孜穎, 鄭杰元, 林宏燁 申請人:采鈺科技股份有限公司, 美商豪威科技股份有限公司