固體攝像器件、其制造方法以及電子裝置的制作方法

專利名稱：固體攝像器件、其制造方法以及電子裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及固體攝像器件、其制造方法以及電子裝置。具體地，本發明涉及具有光 電轉換器的固體攝像器件、制造該固體攝像器件的方法以及電子裝置，該光電轉換器在光 接收表面接收光，并對接收光進行光電轉換，由此生成信號電荷。
背景技術：
諸如數碼攝像機和數碼相機等電子裝置具有固體攝像器件。固體攝像器件的示例 包括互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxidesemiconductor, CMOS)圖像傳感 器和電荷耦合器件(charge coupleddevice，CCD)圖像傳感器。在上述固體攝像器件中，具有多個像素的攝像區域設于半導體基板的表面上。在 該攝像區域中，形成多個光電轉換器與多個像素對應。這些光電轉換器接收物體圖像的光， 并對接收光進行光電轉換，由此生成信號電荷。例如，形成光電二極管作為光電轉換器。在這種固體攝像器件中，像素的單元尺寸減小，像素的個數增加。因此，每個像素 接收的光的量減少，于是靈敏度降低。因而，為了提高聚光效率和提高靈敏度，形成片上透鏡與像素對應。在片上透鏡的表面上進一步形成防反射層，用于防止所拍攝的圖像因閃光和重影 等所致的圖像質量的降低。例如，在先技術已經提出形成多孔膜作為防反射層，使得其膜厚度為反射光波長 λ的四分之一(即λ/4)。例如，在先技術還提出通過利用折射率小于片上透鏡的材料形成 防反射層。例如，可參考未經審查的日本專利申請公開文本2002-261261號、2003-258224 號、2008-66679 號、2006-332433 號和平 10-270672 號。為了克服上述問題，在先技術還提出利用含有極小粒子的粘合劑樹脂形成片上透 鏡。例如，可參考未經審查的日本專利申請公開文本2008-30464號。 在上述配置中，存在難以充分提高聚光效率的情況，這導致不能充分改善靈敏度。 因此，所拍攝圖像的圖像質量低下。還存在難以充分抑制產生閃光和重影等的情況，這導致 所拍攝圖像的圖像質量低下。為了解決這些問題，人們想到了增加片上透鏡的曲率的方法。然而，這種方法會帶 來一些問題，例如制造過程復雜度增大以及制造成本增加。因而，難以改善所拍攝圖像的圖像質量，也難以提高制造效率。

發明內容
因此，期望提供一種固體攝像器件、其制造方法以及電子裝置，該固體攝像器件和 電子裝置能夠改善所拍攝圖像的圖像質量并且能夠提高制造效率。本發明實施例的固體攝像器件包括至少一個光電轉換器，其設于基板的攝像表 面，在所述光電轉換器的光接收表面接收入射光，并對所述入射光進行光電轉換，由 此生成 信號電荷；至少一個片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像表面上，并且位于所述光電轉換 器的所述光接收表面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面；以及防反射層，其設于 所述基板的攝像表面的片上透鏡上表面。所述防反射層包括折射率比所述片上透鏡低的粘 合劑樹脂和折射率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。本發明另一實施例的固體攝像器件包括光電轉換器，其設于基板的攝像區域中， 在所述光電轉換器的光接收表面接收入射光，并對所述入射光進行光電轉換，由此生成信 號電荷；以及片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像區域中，并且位于所述光電轉換器的所 述光接收表面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面。所述片上透鏡包括粘合劑樹 脂和折射率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。本發明又一實施例的電子裝置包括光電轉換器，其設于基板的攝像表面，在所述 光電轉換器的光接收表面接收入射光，并對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電荷； 片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像表面上，并且位于所述光電轉換器的所述光接收表 面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面；以及防反射層，其設于所述基板的攝像表 面的片上透鏡上表面。所述防反射層包括折射率比所述片上透鏡低的粘合劑樹脂和折射率 比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。本發明再一實施例的電子裝置包括光電轉換器，其設于基板的攝像區域中，在所 述光電轉換器的光接收表面接收入射光，并對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電 荷；以及片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像區域中，并且位于所述光電轉換器的所述光 接收表面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面。所述片上透鏡包括粘合劑樹脂和 折射率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。本發明實施例的固體攝像器件的制造方法包括以下步驟在基板的攝像表面設置 光電轉換器，所述光電轉換器在其光接收表面接收入射光，并對所述入射光進行光電轉換， 由此生成信號電荷；在所述光電轉換器的光接收表面上方設置片上透鏡，所述片上透鏡將 所述入射光聚集在所述光接收表面；以及在所述片上透鏡的上表面設置防反射層。所述防 反射層含有折射率比所述片上透鏡低的粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑樹脂低的低折 射率粒子。本發明另一實施例的固體攝像器件的制造方法包括以下步驟在基板的攝像表面 設置光電轉換器，所述光電轉換器在其光接收表面接收入射光，并對所述入射光進行光電 轉換，由此生成信號電荷；以及在所述光電轉換器的所述光接收表面的上方設置片上透鏡， 所述片上透鏡將所述入射光聚集在所述光接收表面。所述片上透鏡含有粘合劑樹脂和折射 率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。根據本發明，利用折射率比所述片上透鏡低的粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑 樹脂低的低折射率粒子形成所述防反射層。或者，利用粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑 樹脂低的低折射率粒子形成所述片上透鏡。因而，能夠利用低折射率粒子的彎曲降低相位差所引起的波動。根據本發明，能夠提供一種固體攝像器件、其制造方法以及電子裝置，該固體攝像 器件和電子裝置能夠改善所拍攝圖像的圖像質量并且能夠提高制造效率。


圖1 是表示本發明第一實施例的相機的配置框圖；圖2是表示本發明第一實施例的固體攝像器件的配置的示意圖；圖3是表示本發明第一實施例的設于攝像區域中的像素的主要部分的電路圖；圖4是表示本發明第一實施例的固體攝像器件的主要部分的圖；圖5是表示本發明第一實施例的固體攝像器件的包括防反射層的部分的圖；圖6是表示在本發明第一實施例固體攝像器件的制造方法的步驟中主要部分的圖；圖7是表示在本發明第一實施例固體攝像器件的制造方法的步驟中主要部分的 圖；圖8是表示在本發明第一實施例固體攝像器件的制造方法的步驟中主要部分的 圖；圖9是表示在本發明第一實施例固體攝像器件的制造方法的步驟中主要部分的 圖；圖10是表示在本發明第一實施例固體攝像器件的制造方法的步驟中主要部分的 圖；圖11是表示在本發明第一實施例固體攝像器件的制造方法的步驟中主要部分的 圖；圖12是表示本發明第一實施例的防反射層的折射率與靈敏度關系的曲線圖；圖13是表示本發明第二實施例的固體攝像器件的主要部分的圖；圖14是表示本發明第三實施例的固體攝像器件的主要部分的圖；圖15是表示本發明第三實施例的防反射層的折射率與靈敏度關系的曲線圖；圖16是表示本發明第四實施例的固體攝像器件的主要部分的圖；圖17是表示本發明第五實施例的固體攝像器件的主要部分的圖；圖18A 圖18D是表示本發明第五實施例的包括片上透鏡的主要部分的圖；以及圖19A和圖19B示出了本發明第五實施例的片上透鏡的折射率、膜厚度(μ m)和 靈敏度之間的關系。
具體實施例方式以下參照

本發明的各實施例。按以下順序進行說明1.第一實施例(防反射層的膜厚度均勻)2.第二實施例(在OCL凹部的防反射層的膜厚度比凸部的厚)3.第三實施例(防反射層的表面平坦)4.第四實施例(防反射層具有多層)5.第五實施例(0CL包含低折射率粒子)
6.變化例1.第一實施例(防反射層的膜厚度均勻)[A]器件配置(1)相機的主要部分的配置圖1是表示本發明第一實施例的相機40的配置的框圖。如圖1所示，相機40包括固體攝像器件1、光學系統42、驅動電路43和信號處理 電路44。以下依次說明相機40所包括的各部分。穿過光學系統42的(物體圖像的)入射光H被固體攝像器件1的攝像表面PS接 收。然后，固體攝像器件1對接收光進行光電轉換，生成信號電荷。固體攝像器件1根據從 驅動電路43輸出的驅動信號進行驅動。具體地，固體攝像器件1讀出信號電荷并將其作為 原始數據輸出。光學系統42設置為使物體圖像的入射光H聚集在固體攝像器件1的攝像表面PS 上。驅動電路43向固體攝像器件1和信號處理電路44輸出各種驅動信號，驅動固體 攝像器件1和信號處理電路44。信號處理電路44被配置為對從固體攝像器件1輸出的數據進行信號處理，生成物 體圖像的數字圖像。(2)固體攝像器件的主要部分的配置下面說明固體攝像器件1的整體配置。圖2是表示本發明實施例的固體攝像器件1的配置的示意圖。本實施例的固體攝像器件1可由CMOS彩色圖像傳感器實現，如圖2所示，包括基 板101。如圖2所示，基板101例如是硅基半導體基板，具有設有攝像區域PA和周邊區域 SA的表面。(2-1)攝像區域 PA下面說明攝像區域PA。如圖2所示，攝像區域PA為矩形，具有在水平方向χ和垂直方向y上布置的多個 像素P。即，多個像素P以矩陣形式布置。更具體地，如圖2所示，像素P布置成在水平方向χ和垂直方向y上分別布置有m 個像素和η個像素。即，多個像素P布置為具有m列η行的像素陣列。下面說明像素P的 具體配置。攝像區域PA具有行控制線VL。行控制線VL在水平方向χ上與布置在攝像區域 PA中的對應像素P電連接。行控制線VL布置成在垂直方向y上彼此平行，與沿垂直方向y 布置的像素P對應。即，行控制線VL包括第1行控制線VLl到第η行控制線VLn，這些行控 制線被布線為與設于攝像區域PA中的像素P的各行(第1行 第η行)對應。攝像區域PA還具有列信號線HL。列信號線HL在垂直方向y上與布置在攝像區域 PA中的對應像素P電連接。列信號線HL布置成在水平方向χ上彼此平行，與沿水平方向χ 布置的像素P對應。即，列信號線HL包括第1列信號線HLl到第m列信號線HLm，這些列信 號線被布線為與設于攝像區域PA中的像素P的各列(第1列 第m列)對應。圖3是表示本發明實施例的設于攝像區域PA中的像素P的主要部分的電路圖。
如圖3所示，設于攝像區域PA中的各像素P包括光電二極管21、傳輸晶體管22、放大晶體管23、選擇晶體管24和復位晶體管25。即，像素P具有光電二極管21以及用于 執行從光電二極管21讀出信號電荷操作的多個像素晶體管。在像素P中，光電二極管21接收物體圖像的光，對接收光進行光電轉換，生成信號 電荷，然后存儲該信號電荷。如圖3所示，光電二極管21經傳輸晶體管22與浮動擴散部FD 相連。傳輸晶體管22把存儲在光電二極管21中的信號電荷作為輸出信號傳輸。如圖3所示，在像素P中，傳輸晶體管22設于光電二極管21和浮動擴散部FD之 間。傳輸脈沖TRG —旦施加到傳輸晶體管22的柵極，傳輸晶體管22就將存儲在光電二極 管21中的信號電荷作為輸出信號傳輸到浮動擴散部FD。如圖3所示，在像素P中，放大晶體管23的柵極與浮動擴散部FD相連，放大經浮動 擴散部FD輸出的輸出信號。放大晶體管23經選擇晶體管24與列信號線HL相連。當選擇 晶體管24導通時，放大晶體管23與連接至列信號線HL的恒流源I共同形成源極跟隨器。在像素P中，如圖3所示，選擇晶體管24配置為選擇脈沖SEL被提供給選擇晶體 管24的柵極。選擇晶體管24用于為各行選擇讀出信號用的像素。一旦提供選擇脈沖SEL， 選擇晶體管24就導通。如上所述，當選擇晶體管24導通時，放大晶體管23和恒流源I形 成源極跟隨器，從而與浮動擴散部FD的電壓對應的電壓輸出到列信號線HL。如圖3所示，在像素P中，復位晶體管25配置為復位脈沖RST被提供給復位晶體 管25的柵極。復位晶體管25連接在電源Vdd和浮動擴散部FD之間。復位脈沖RST—旦 提供給復位晶體管25的柵極，復位晶體管25就使浮動擴散部FD的電位復位到電源Vdd電 位。下面所述的周邊電路設于周邊區域SA中。各種脈沖信號通過行控制線VL從周邊 電路被提供給像素P，從而對于各水平線(即各像素行)，像素P依次被選擇和驅動。(2-2)周邊區域下面說明周邊區域SA。如圖2所示，周邊區域SA設于攝像區域PA周圍。設于周邊區域SA中的周邊電路處理像素P產生的信號電荷。周邊電路例如包括 行掃描電路13、列電路14、列掃描電路15、輸出電路17和時序控制電路18。行掃描電路13包括移位寄存器(未圖示)，用來選擇和驅動各行的像素P。如圖2 所示，各行控制線VL的一端電連接到行掃描電路13。行掃描電路13通過對應的行控制線 VL掃描設于攝像區域PA中各行像素P。更具體地，行掃描電路13通過行控制線VL將諸如 復位脈沖信號和傳輸脈沖信號等各種脈沖信號輸出給各行像素P，由此驅動像素P。各列信號線HL的一端電連接到列電路14。列電路14被配置為對從各列的像素 P讀出的信號進行信號處理。列電路14具有ADC(模擬-數字轉換器)400，ADC400進行模 擬-數字轉換操作，用于將從像素P輸出的模擬信號轉換成數字信號。更具體地，ADC400 設置為在水平方向χ上彼此平行，與攝像區域PA中沿水平方向χ布置的像素P的列對應。 ADC400電連接到用于像素P的對應列的列信號線HL，對從像素P的對應列輸出的信號進行 模擬-數字轉換操作。列掃描電路15包括移位寄存器(未圖示)。列掃描電路15被配置為選擇像素P 的列，并從列電路14向水平輸出線16輸出數字信號。如圖2所示，列掃描電路15電連接到列電路14中所包括的ADC400。從像素P讀出的信號通過列電路14被依次輸出到水平方 向Χ的水平輸出線16。輸出電路17例如包括放大器(未圖示)。輸出電路17對從列掃描電路15輸出的 數字信號執行諸如放大處理等信號處理，然后輸出經放大的數字信號。時序控制電路18生成各種時序信號，然后將時序信號輸出到行掃描電路13、列電 路14和列掃描電路15，由此驅動和控制電路13、14和15。(3)固體攝像器件的具體配置下面詳細說明本實施例的固體攝像器件1。圖4是表示本發明第一實施例的固體攝像器件1的主要部分的示意圖。圖4示出 了設于攝像區域PA中的像素P的橫剖面。攝像區域PA具有按上述方式布置在基板101上 的像素P，于是省略了其主要部分之外的說明。如圖4所示，固體攝像器件1配置為在該固體攝像器件1中，光電二極管21、片上 透鏡(OCL) 111、防反射層112、光波導芯部131和濾色器301設于基板101上，與像素P對應。下面依次說明固體攝像器件1所包括的各部分。(3-1)光電二極管 21如圖4所示，光電二極管21設于基板101中。光電二極管21被配置為在光接收 表面JS接收入射光H，然后對入射光H進行光電轉換，生成信號電荷。如圖4所示，片上透鏡111、防反射層112、光波導芯部131和濾色器301設于光電 二極管21的光接收表面JS上方。光波導芯部131、濾色器301、片上透鏡111和防反射層 112從光接收表面JS側依次布置在光電二極管21上方。于是，在本實施例中，光電二極管 21的光接收表面JS接收穿過上述部分的入射光H，然后光電二極管21生成信號電荷。傳 輸晶體管22設于基板101上，與光電二極管21相鄰。(3-2)片上透鏡 111片上透鏡111是所謂的“微透鏡”。如圖4所示，片上透鏡111設于基板101的光 接收表面JS上方，用于將入射光H聚集在光接收表面JS上。片上透鏡111是從光接收表面JS以凸形向上凸出的凸透鏡。即，片上透鏡111形 成為，在從光電二極管的21光接收表面JS向光波導芯部131的方向上，透鏡中心比邊緣厚。片上透鏡111在基板101的深度方向ζ上與光電二極管21的光接收表面JS相對， 濾色器301和光波導芯部131設于片上透鏡111和光電二極管21之間。于是，光電二極管 21的光接收表面JS接收由片上透鏡111聚集的透過濾色器301和光波導芯部131的光。在本實施例中，多個片上透鏡111設置為與多個光電二極管21對應。片上透鏡 111之間具有間隙。例如由諸如苯乙烯樹脂等透明樹脂形成片上透鏡111。(3-3)防反射層 112如圖4所示，防反射層112覆蓋片上透鏡111的上表面，防止入射光H在片上透鏡 111上表面的反射。圖5示意性示出了本發明第一實施例的固體攝像器件1中包括防反射層112的部分的放大的橫剖面圖。由于圖5是示意性原理圖，所以圖示的比例與實際尺寸不同。如圖5所示，由低折射率粒子112P和粘合劑樹脂112R形成防反射層112。可使 用折射率比片上透鏡111低的材料作為粘合劑樹脂112R。可使用折射率比粘 合劑樹脂112R低的粒子作為低折射率粒子112P。如圖4和圖5所示，防反射層112形成于光接收表面JS上方，隨著離光接收表面 JS距離的增大，分布的低折射率粒子112P比粘合劑樹脂112R更多。在此情況下，作為低折射率粒子112P，優選使用具有孔洞的中空無機粒子，例如中 空硅粒子(折射率η約為1.25 1.40)。這是因為諸如中空硅粒子等中空粒子含有空氣 (反射率η = 1)并且折射率低。優選地，使用具有空隙且比重低，比如中空硅粒子的粒子作為低折射率粒子。這種 粒子的示例包括諸如氧化鈦、氧化鋁和氧化鋯等無機材料。或者，也可以使用具有空隙且比 重低的有機材料。優選使用平均粒子尺寸在20 IOOnm的粒子作為中空硅粒子。當粒子尺寸超過 該范圍時，會出現諸如保存穩定性不好和在所形成的膜中產生空隙等問題。另外，當平均粒 子尺寸低于該范圍時，會出現難以使用低折射率材料的問題。優選地，例如使用聚硅氧烷樹脂(折射率η約為1.5)作為粘合劑樹脂112R。或 者，優選使用丙烯酸樹脂等。優選地，防反射層112中所包含的低折射率粒子112Ρ占10% 50%的重量。當 超過該范圍時，會在膜中產生空隙并且保存穩定性降低。另外，當沒有達到該范圍時，會出 現諸如難以使用低折射率材料的問題。在本實施例中，防反射層112設于片上透鏡111的上表面上，防反射層112的膜厚 度d均勻。更具體地，優選防反射層112形成為，膜厚度d為反射光波長λ的四分之一，即膜 厚度d為λ/4。根據該布置，由于進入防反射層112后所反射的反射光與入射光相比具有 相移，所以該反射光和進入防反射層112的光相互抵消。這能夠很好地提供防反射功能。(3-4)光波導芯部131如圖4所示，光波導芯部131設于基板101表面的上方，使入射光導向光電二極管 21的光接收表面JS。如圖4所示，光波導芯部131設于濾色器301和光電二極管21的光接收表面JS 之間。光波導芯部131使依次透過片上透鏡111和濾色器301的光導向光電二極管21的 光接收表面JS。如圖4所示，光波導芯部131的形狀為，在從片上透鏡111向光電二極管21的方 向上，沿光電二極管21的光接收表面JS的平面的面積減小。即，光波導芯部131形成為具 有楔形。如圖4所示，光波導芯部131具有側面和底面，該側面和底面被用作覆蓋層的層間 絕緣層Sz覆蓋。如圖4所示，層間絕緣層Sz位于光波導芯部131的側面部分，并包括多個 布線H。通過在層間絕緣層Sz中形成凹槽，在凹槽的表面上形成阻擋金屬層ΒΜ，然后用諸 如銅的導電材料填充凹槽，從而形成布線H。為了防止布線H中所含的銅擴散，在相應的層 間絕緣層Sz之間設有防擴散層KB。
在本實施例中，如圖4所示，光波導芯部131包括第一芯部131a和第二芯部131b。如圖4所示，光波導芯部131的第一芯部131a形成于孔K的表面上以及層間絕緣層Sz的最上層表面上，該孔K通過去除層間絕緣層Sz的一部分形成。第一芯部131a用作 鈍化膜。第一芯部131a由折射率比用作覆蓋層的層間絕緣層Sz高的光學材料構成。并且， 第一芯部131a由折射率比設在第一芯部131a內的第二芯部131b高的光學材料構成。例 如，層間絕緣層Sz由氧化硅膜構成。第一芯部131a通過等離子體CVD(化學氣相沉積)沉 積氮化硅(SiN)膜形成，使得折射率比層間絕緣層Sz高。此外，優選地，第一芯部131a由 光致抗蝕劑膜、氧化鈦膜或通過等離子體CVD沉積的等離子體氮氧化硅(SiON)膜形成。如圖4所示，光波導芯部131的第二芯部131b是嵌入層，嵌入在第一芯部131a中。 用光學材料填充通過去除層間絕緣層Sz的一部分所形成的孔K，形成第二芯部131b，第一 芯部131a位于孔K和第二芯部131b之間。第二芯部131b隔著第一芯部131a設于層間絕 緣層Sz的最上層表面上。第二芯部131b的表面被平坦化。第二芯部131b由折射率比第一 芯部131a小的光學材料形成。例如，通過旋轉涂覆丙烯酸樹脂形成第二芯部131b。或者， 第二芯部131b優選由聚酰亞胺樹脂、Si3N4(四氮化三硅)膜、DLC(類金剛石)膜或聚硅氧 烷樹脂形成。(3-5)濾色器 301如圖4所示，濾色器301設于基板101表面的上方，與光接收表面JS相對，被配置 為使得入射光H獲得顏色并透射到光接收表面JS。如圖4所示，濾色器301設于包含在光波導芯部131中的第二芯部131b上。更具體地，通過旋轉涂覆等方法涂覆含有顏料和感光樹脂的涂覆液，形成涂覆膜， 然后通過光刻技術圖形化該涂覆膜，于是形成濾色器301。例如，類似于第二芯部131b，使 用丙烯酸樹脂作為感光樹脂形成濾色器301。由于濾色器301和第二芯部131b均由丙烯酸 樹脂形成，所以優選彼此接觸形成。盡管圖中未示出，但濾色器301包括設置為與像素P對應的三原色濾色器層，即綠 色濾色器層、紅色濾色器層和藍色濾色器層。例如，綠色濾色器層、紅色濾色器層和藍色濾 色器層以拜耳(Bayer)型布置排列，與各像素P對應。[B]制造方法下面說明上述固體攝像器件1的制造方法。圖6 圖11示出了在本發明第一實施例固體攝像器件1的制造方法的步驟中的 主要部分。圖6 圖11示出了類似于圖4中所示部分的橫剖面圖。(1)形成光電二極管21等首先，如圖6所示，形成包括光電二極管21的各部分。例如，通過將η型雜質離子注入到為ρ型硅基板的基板101中形成光電二極管21。之后，形成構成像素P的諸如傳輸晶體管22等部分。然后，在基板101的表面上方形成多個層間絕緣層Sz以覆蓋光電二極管21。例 如，通過CVD沉積氧化硅膜形成層間絕緣層Sz。在形成層間絕緣層Sz的過程中，例如通過鑲嵌處理在層間絕緣層Sz之間形成布 線H。通過在層間絕緣層Sz中形成凹槽，在凹槽的表面形成阻擋金屬層BM，然后用諸如銅的導電材料填充該凹槽，從而形成布線H。例如，通過濺射連續形成鉭膜和氮化鉭膜形成 阻擋金屬層BM。例如，通過形成銅晶種層(未圖示)，利用電解電鍍處理形成銅膜，然后利 用CMP (化學機械研磨)平坦化銅膜的表面，從而形成布線H。為了防止布 線H中所含銅的擴散，在相應的層間絕緣層Sz之間設置防擴散層KB。 例如，通過利用CVD沉積碳化硅膜，在布線上形成防擴散層KB作為一層。(2)形成孔 K然后，如圖7所示，形成孔K。在此情況下，通過蝕刻去除層間絕緣層Sz的一部分形成孔K。更具體地，如圖7所示，蝕刻層間絕緣層Sz等的一部分，即與光電二極管21的光 接收表面JS的中間部分對應的部分。在本實施例中，這樣形成孔K，即在孔K中，沿光接收 表面JS的平面的面積從光接收表面JS起向上逐漸增大。即，將孔K形成為楔形，孔K的側 面在垂直于光接收表面JS的Z方向上傾斜。通過諸如干式蝕刻等各向異性蝕刻形成孔K。(3)形成第一芯部131a之后，如圖8所示，形成第一芯部131a。在按上述方法形成的孔K的表面上形成第一芯部131a。例如，通過利用等離子體 CVD沉積氮化硅(SiN)膜形成第一芯部131a以覆蓋孔K的表面。更具體地，形成第一芯部131a，使得孔K的表面例如被0. 5 μ m厚的膜覆蓋。(4)形成第二芯部131b之后，如圖9所示，形成第二芯部131b。在此情況下，在按上述方式將第一芯部131a沉積在孔K的表面上之后，用光學材 料填充孔K形成第二芯部131b。例如，通過利用旋轉涂覆丙烯酸樹脂膜形成第二芯部131b。在上述方式中，形成包括第一芯部131a和第二芯部131b的光波導芯部131。(5)形成濾色器301之后，如圖10所示，形成濾色器301。在此情況下，通過旋轉涂覆含有顏料和感光樹脂的涂覆液，形成涂覆膜，然后通過 光刻技術對該涂覆膜圖形化，于是依次形成構成濾色器301的濾色器層。更具體地，利用例如i射線作為曝光光來照射光掩模，將掩模圖形圖像轉移到感 光樹脂膜，然后對得到的感光樹脂膜進行曝光處理。之后，對經過曝光處理的感光樹脂膜進 行顯影處理。對各顏色執行上述處理。經過上述處理，依次形成綠色濾色器層(未圖示)、 紅色濾色器層(未圖示)和藍色濾色器層(未圖示)，于是形成濾色器301。(6)形成片上透鏡111之后，如圖11所示，形成片上透鏡111。在此情況下，在形成透鏡材料膜(未圖示)之后，對透鏡材料膜進行處理，形成片 上透鏡111。例如，使用聚乙烯樹脂(折射率η = 1. 60)在濾色器301上形成透鏡材料膜(未 圖示)。之后，在透鏡材料膜上形成感光樹脂膜(未圖示)。對感光樹脂膜進行諸如回流處 理等處理，與片上透鏡111的形狀對應，于是圖形化感光樹脂膜。利用經圖形化的感光樹脂 膜作為掩模，對透鏡材料膜進行回蝕處理，于是形成片上透鏡111。在本實施例中，執行上述形成步驟，使得多個片上透鏡111彼此相鄰。
(7)形成防反射層112然后，如圖4所示，形成防反射層112。在此情況下，通過旋轉涂覆含有低折射率粒子和粘合劑樹脂的涂覆液，形成涂覆 膜，然后對該涂覆膜進行烘干處理，于是形成防反射層112。例如，使用中空硅粒子(折射率約為1. 25 1. 40)作為低折射率粒子112P，使用 聚硅氧烷樹脂(折射率約為1. 5)作為粘合劑樹脂112R。更具體地，形成防反射層112，使膜厚度d為反射光波長λ的四分之一。例如，形 成涂覆膜，使膜厚度d為100 200nm。之后，例如，在120°C的溫度下進行三分鐘烘干處 理，在200°C的溫度下進一步進行五分鐘烘干處理，使涂覆膜中的溶劑揮發。烘干處理多次 的結果是，能夠抑制形成泡沫。在形成涂覆膜之前的預處理中，優選地，片上透鏡111被配 置為在不進行吸濕處理的情況下保持疏水性。按照上述方法形成各部分，就制成固體攝像器件1。[C]結論如上所述，在本實施例中，防反射層112包括粘合劑樹脂112R和低折射率粒子 112P(參見圖5)。在此情況下，粘合劑樹脂112R的折射率比下層的片上透鏡111低。并且 低折射率粒子112P的折射率比粘合劑樹脂112R低。因而，本實施例能夠利用低折射率粒子112P的彎曲降低相位差所引起的波動。更 具體地，由于防反射層112因低反射膜而具有防反射功能，并且具有一定程度的彎曲，所以 可在不降低片上透鏡的有效曲率的情況下容易地實現低反射功能。在本實施例中，使用中空硅粒子作為低折射率粒子112P。防反射層112形成于光 接收表面JS上方，以此形成方式，隨著離光接收表面JS距離的增大，分布的低折射率粒子 112P比粘合劑樹脂112R更多(參見圖5)。換言之，在本實施例中，防反射層112形成為折 射率在入射光H射向光接收表面JS的方向上逐漸增大。在本實施例中，由于防反射層112具有多級防反射功能，所以能夠改善防反射特 性。更具體地，當利用氧化硅膜(折射率η= 1.42)形成防反射層時，對綠光的反射率 為4%。相比之下，如同在本實施例中，當使用中空硅粒子(折射率η= 1.28)作為防反射 層112的低折射率粒子112Ρ時，對綠光的反射率降為以下。通過改變防反射層112的折射率，還能夠優化靈敏度特性。圖12是表示本發明第一實施例中防反射層112的折射率與靈敏度關系的曲線圖。 圖12所示的靈敏度通過基準樣例的靈敏度被標準化。如圖12所示，當防反射層112的折射率η為1. 25 1. 32時，可以很好地改善靈敏度。因而，本實施例能夠改善所拍攝圖像的圖像質量。2.第二實施例(在OCL凹部的防反射層的膜厚度比凸部的大的情況)[Α]器件配置等圖13是表示本發明第二實施例的固體攝像器件Ib的主要部分的示意圖。圖13 示出了類似于圖4所示部分的橫剖面圖。如圖13所示，本實施例的固體攝像器件Ib的片上透鏡Illb與第一實施例的片上透鏡111不同。防反射層112b與第一實施例的防反射層112也不同。除此之外，本實施例 與第一實施例相同。因而，下文省略了相同部分的說明。如圖13所示，多個片上透鏡11 Ib布置為彼此相鄰。更具體地，多個片上透鏡Illb 形成為一體，彼此之間沒有間隙。如同第一實施例的情況，防反射層112b形成為包括粘合劑樹脂(未圖示)和低折 射率粒子(未圖示)。即，防反射層112b形成為包括中空硅粒子。在本實施例中，如圖13所示，防反射層112b設置為其表面覆蓋片上透鏡Illb的 上表面，于是呈波浪形。在此情況下，防反射層112b設置為壓在片上透鏡Illb之間的凹部的第一膜厚度 dl比片上透鏡Illb的以凸形凸出的上部的第二膜厚度d2大。例如，防反射層112b形成為第二膜厚度d2為反射光波長λ的四分之一，S卩，第二 膜厚度d2為λ/4。根據該布置，由于進入防反射層112b后所反射的反射光與入射光相比 具有相移，所以該反射光和進入防反射層112b的光相互抵消，這能夠很好地提供防反射功 能。防反射層112b形成為第一膜厚度dl大于λ/4，其中第二膜厚度d2的膜厚度為λ/4。 優選地，防反射層112b形成為，使得第一膜厚度dl和第二膜厚度d2滿足以下關 系d2+ “片上透鏡 Illb 的厚度”-dl > IOOnm (A)通過該布置，能夠實現很好的聚光性能。[B]結論如上所述，在本實施例中，片上透鏡Illb具有“無間隙結構”，彼此相鄰布置。防反 射層112b設置為具有波浪形，使得壓在片上透鏡Illb之間的凹部的厚度比片上透鏡Illb 的以凸形凸出的上部的厚度大。在片上透鏡之間設有間隙(空隙)時，會出現所謂的“混色”，降低所拍攝圖像的圖 像質量。然而，在本實施例中，由于片上透鏡Illb具有無間隙結構，所以可防止該問題。在本實施例中，防反射層112b形成為上述的“波浪形”。因而，在本實施例中，與 dl = d2(通常的等角的防反射層結構)的情況相比，由于曲面的個數增加，所以能夠減小波 動。于是，本發明能夠改善靈敏度特性。另外，當透鏡厚度隨著減少層數或微型化而增大或 明顯減小時，在工藝方面可能會難以實現這種設置。在此情況下，改變膜厚度d2的厚度能 夠相對容易地控制透鏡的聚光位置。更具體地，與防反射層不是波浪形(dl = d2)的情況相比，可使對綠光的靈敏度改 善大約2%。如同第一實施例的情況，本實施例的防反射層112b包括粘合劑樹脂(未圖示)和 低折射率粒子(未圖示)。因而，如同第一實施例，能夠改善防反射特性。通過改變防反射層112b的折射率，還能夠優化靈敏度特性。因而，本實施例能夠改善所拍攝圖像的圖像質量。3. m^mrn (防反射m的表g平毋.階唐況)[A]器件配置等圖14是表示第三實施例的固體攝像器件Ic的主要部分的示意圖。圖14示出了類似于圖4所示部分的橫剖面圖。
如圖14所示，本實施例的固體攝像器件Ic的防反射層112c與第二實施例的防反 射層112b不同。除此之外，本實施例與第二實施例相同。因而，下文省略相同部分的說明。如同第二實施例的情況，防反射層112c形成為包括粘合劑樹脂(未圖示)和低折 射率粒子(未圖示)。即，防反射層112c形成為包括中空硅粒子。然而，在本 實施例中，如圖14所示，防反射層112c設于片上透鏡Illb的上表面， 但與第二實施例不同，防反射層112c的表面沿基板101的平面(xy平面)方向是平坦的。在本實施例中，優選地，防反射層112c形成為，片上透鏡Illb以凸形凸出的上部 處的膜厚度dc例如是200 600nm。[B]結論如上所述，如同第一實施例和第二實施例，本實施例的防反射層112c形成為包括 粘合劑樹脂(未圖示)和低折射率粒子(未圖示)。因而，能夠改善防反射特性。調整防反 射層112c的膜厚度可以改善靈敏度特性。另外，在防反射層的表面平坦時，片上透鏡的聚光效率減低。但是，改變防反射層 112c的折射率能夠優化靈敏度特性。圖15是表示第三實施例中防反射層112c的折射率與靈敏度關系的曲線圖。圖15 所示的靈敏度通過基準樣例的靈敏度被標準化。如圖15所示，當防反射層112c的折射率η為1. 25時，能夠很好地改善靈敏度。因而，本實施例能夠改善所拍攝圖像的圖像質量。4. mrn^mm (^mimn^^mmmu)[A]器件配置等圖16是表示本發明第四實施例的固體攝像器件Id的主要部分的示意圖。圖16 示出了類似于圖4所示部分的橫剖面圖。如圖16所示，本實施例的固體攝像器件Id的防反射層112d與第二實施例的防反 射層112b不同。除此之外，本實施例與第二實施例相同。因而，下文省略相同部分的說明。如圖16所示，防反射層112d包括第一防反射層1121和第二防反射層1122。如圖16所示，第一防反射層1121設于片上透鏡111的上表面上。如圖16所示，第二防反射層1122設于第一防反射層1121上。如同第二實施例，防反射層112d的第一防反射層1121和第二防反射層1122均包 括低折射率粒子(未圖示)和粘合劑樹脂(未圖示)。在此情況下，上層的第二防反射層1122形成為比下層的第一防反射層1121具有 更多的低折射率粒子。例如，第一防反射層1121和第二防反射層1122形成為包括中空硅 粒子作為低折射率粒子。更具體地，下層的第一防反射層1121形成為滿足以下條件中空硅含量占重量的10% 50% (優選占重量的10% 40% )，并且膜厚度為 30 lOOnm。上層的第二防反射層1122形成為滿足以下條件中空硅含量占重量的10% 50% (優選占重量的20% 50% )，并且膜厚度為 30 lOOnm。當第一防反射層1121的中空硅含量占重量的40%、膜厚度為50nm，并且第二防反射層1122的中空硅含量占重量的50%、膜厚度為50nm時，與單一的防反射層相比，防反射 作用可提高0.5%。[B]結論如上所述，在本實施例中，通過形成多個防反射層1121和1122形成防反射層 112d。在此情況下，防反射層112d形成為上層比下層具有更多的低折射率粒子。在本實施例中，如同第二實施例，由于防反射層112d具有多級防反射功能，所以 能夠改善防反射特性。因而，本實施例能夠改善所拍攝圖像的圖像質量。在上述示例中，優選地，上層中的低折射率粒子的粒子尺寸比下層中的低折射率 粒子的大。在此情況下，具有較大粒子尺寸的粒子因熱引發的聚集效應向上移動，于是，包 括較大粒子的低折射率層形成于上層中，而無需多次涂覆粒子。5.第五實施例(0CL包括低折射率粒子的情況)[A]器件配置等圖17是表示本發明第五實施例的固體攝像器件Ie的主要部分的示意圖。圖17 示出了類似于圖4所示部分的橫剖面圖。如圖17所示，固體攝像器件Ie具有片上透鏡llle。固體攝像器件Ie沒有防反射 層。除此之外，本實施例與第二實施例相同。因而，下文省略相同部分的說明。如同第二實施例的防反射層，片上透鏡Ille由低折射率粒子(未圖示)和粘合劑 樹脂(未圖示)形成。可使用折射率比粘合劑樹脂低的粒子作為低折射率粒子。優選使用其它實施例中 的防反射層的低折射率粒子。例如，優選使用中空硅粒子(折射率η約為1. 25 1. 40)。可使用折射率比低折射率粒子高的樹脂作為粘合劑樹脂。例如，優選使用聚苯乙 烯樹脂(折射率η = 1.60)。優選地，片上透鏡llle中的低折射率粒子占重量的10% 50%。當超出該范圍 時，會在膜中產生空隙或者保存穩定性降低。另外，當未達到該范圍時，會出現難以使用低 折射率材料的問題。通過形成包括低折射率粒子和粘合劑樹脂的透鏡材料膜(未圖示)，然后處理該 透鏡材料膜，從而形成片上透鏡llle。圖18A 圖18D是表示本發明第五實施例的固體攝像器件Ie的片上透鏡Ille在 制造過程中的主要部分的圖。圖18A 圖18D是類似于圖4所示的形成有片上透鏡Ille 部分的放大的橫剖面圖。(1)形成透鏡材料膜LM首先，如圖18A所示，形成透鏡材料膜LM。在此情況下，在形成透鏡材料膜LM之前，如同第一實施例，形成濾色器301 (參見 圖 10)。在濾色器301上形成透鏡材料膜LM。更具體地，通過旋轉涂覆等方法涂覆包括上述低折射率粒子和粘合劑樹脂的涂覆 液，然后進行烘干處理使溶劑揮發，從而形成例如500nm膜厚度的透鏡材料膜LM。例如，在 120°C的溫度下進行三分鐘烘干處理，在200°C的溫度下進一步進行五分鐘烘干處理。
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然后，如圖18B所示，形成抗蝕劑圖案PM。在此情況下，在透鏡材料膜LM上形成光致抗蝕劑膜(未圖示)，然后將光致抗蝕劑 膜處理為與片上透鏡Ille的形狀對應。例如，通過光刻技術進行圖形化之后，對光致抗蝕 劑膜進行回流處理等，形成具有片上透鏡Ille的形狀的抗蝕劑圖案PM。即，抗蝕劑圖案PM 的表面被處理為具有沿片上透鏡Ille的透鏡表面的曲面。之后，如圖18C所示，形成片上透鏡llle。 在此情況下，按上述方式處理的抗蝕劑圖案PM用作掩模，通過干式蝕刻處理來回 蝕透鏡材料膜LM，從而形成片上透鏡llle。即，去除整個抗蝕劑圖案PM，并去除透鏡材料膜 LM的一部分。留下的透鏡材料膜LM的膜厚度從濾色器301的表面起至少為50 lOOnm， 使得沒露出濾色器301的表面。在以下條件下進行上述干式蝕刻處理，例如，氣體為四氟甲 烷(CF4)并且功率為700W。根據該布置，片上透鏡Ille形成為，在中間部分的越往上的位置，分布的低折射 率粒子比粘合劑樹脂更多。盡管以上說明了片上透鏡Ille形成為具有球形透鏡表面的凸透鏡的情況，但本 發明并不局限于此。如圖18D所示，片上透鏡Illeb也可形成為具有矩形剖面的數字透鏡。[B]結論如上所述，本實施例的片上透鏡Ille包括低折射率粒子和粘合劑樹脂。因而，如同第二實施例，本實施例能夠改善防反射特性。圖19A和圖19B示出了本發明第五實施例中片上透鏡Ille的折射率η、膜厚度 dm(ym)和靈敏度的關系。圖19A和圖19B中所示的靈敏度通過基準樣例(折射率為1.60) 的靈敏度被標準化。圖19A示出了相機透鏡(圖1的光學系統42)的光圈數為5. 6的情況， 圖19B示出了相機透鏡(圖1的光學系統42)的光圈數為2. 8的情況。如圖19A和圖19B所示，能夠通過改變片上透鏡Ille的折射率等優化靈敏度特 性。例如，將折射率η設為1. 35以下能夠使靈敏度改善3%以上。因而，本實施例能夠改善所拍攝圖像的圖像質量。變化例本發明并不局限于上述各實施例，可以做出各種變化。盡管在上述實施例中說明了本發明應用于CMOS圖像傳感器的情況，但本發明并 不局限于此。例如，本發明也可應用于CXD圖像傳感器。盡管在上述實施例中說明了本發明應用于相機的情況，但本發明并不局限于此。 本發明也可應用于諸如掃描儀和復印機等具有固體攝像器件的電子裝置。在上述各實施例中，諸如片上透鏡等光學元件布置成實現所謂的“瞳孔修正”。更 具體地，布置在攝像表面上的諸如片上透鏡等光學元件的間距比位于攝像表面的光電二極 管的間距小。在上述各實施例中，固體攝像器件l、lb、lc、ld和Ie對應于本發明的固體攝像器 件。在上述各實施例中，基板101對應于本發明的基板。在上述各實施例中，攝像表面PS對 應于本發明的攝像表面。在上述各實施例中，光接收表面JS對應于本發明的光接收表面。 在上述各實施例中，光電二極管21對應于本發明的光電轉換器。在上述各實施例中，片上 透鏡111、11 Ib和11 Ie對應于本發明的片上透鏡。在上述各實施例中，防反射層112、112b、112c和112d對應于本發明的防反射層。在上述各實施例中，粘合劑樹脂112R對應于本發 明的粘合劑樹脂。在上述各實施例中，低折射率粒子112P對應于本發明的低折射率粒子。 在上述各實施例中，第一膜厚度dl對應于本發明的第一膜厚度。在上述各實施例中，第二 膜厚度d2對應于本發明的第二膜厚度。在上述各實施例中，第一防反射層1121對應于本 發明的第一防反射層。在上述各實施例中，第二防反射層1122對應于本發明的第二防反射 層。在上述各實施例中，相機40對應于本發明的電 子裝置。 本領域技術人員應當理解，依據設計要求和其它因素，可以在本發明所附的權利 要求及其等同物的范圍內進行各種修改、組合、次組合及改變。
權利要求
一種固體攝像器件，其包括至少一個光電轉換器，其設于基板的攝像表面，在所述光電轉換器的光接收表面接收入射光，并對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電荷；至少一個片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像表面上，并且位于所述光電轉換器的所述光接收表面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面；以及防反射層，其設于所述基板的攝像表面上的片上透鏡的上表面，其中，所述防反射層包括折射率比所述片上透鏡低的粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。
2.如權利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述防反射層包括中空硅粒子作為所述 低折射率粒子。
3.如權利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述防反射層形成于所述光接收表面上 方，隨著離所述光接收表面距離的增大，分布的低折射率粒子比所述粘合劑樹脂更多。
4.如權利要求3所述的固體攝像器件，其中，所述片上透鏡為多個，是從所述光接收表 面以凸形向上凸出的凸透鏡，設置為彼此相鄰，與多個所述光電轉換器對應；并且所述防反射層設置為覆蓋所述多個片上透鏡的上表面。
5.如權利要求4所述的固體攝像器件，其中，所述防反射層設置為壓在所述片上透鏡 之間的凹部的第一膜厚度比所述片上透鏡的以凸形凸出的上部的第二膜厚度大。
6.如權利要求5所述的固體攝像器件，其中，所述防反射層設置于所述片上透鏡的所 述上表面上，所述防反射層的表面沿所述基板的所述攝像表面方向是平坦的。
7.如權利要求5所述的固體攝像器件，其中，所述防反射層至少包括 第一防反射層，其設于所述片上透鏡的所述上表面上；以及第二防反射層，其設于所述第一防反射層上；其中，所述第一防反射層和所述第二防反射層均包含所述低折射率粒子和所述粘合劑 樹脂；并且所述第二防反射層包含的所述低折射率粒子比所述第一防反射層包含的所述低折射 率粒子多。
8.—種固體攝像器件，其包括光電轉換器，其設于基板的攝像區域中，在所述光電轉換器的光接收表面接收入射光， 并對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電荷；以及片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像區域中，并且位于所述光電轉換器的所述光接 收表面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面，其中，所述片上透鏡包含粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。
9.如權利要求8所述的固體攝像器件，其中，所述片上透鏡包括中空硅粒子作為所述 低折射率粒子。
10.一種電子裝置，其包括光電轉換器，其設于基板的攝像表面，在所述光電轉換器的光接收表面接收入射光，并 對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電荷；片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像表面上，并且位于所述光電轉換器的所述光接 收表面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面；以及防反射層，其設于所述基板的所述攝像表面上的所述片上透鏡的上表面， 其中，所述防反射層包括折射率比所述片上透鏡低的粘合劑樹脂和折射率比所述粘合 劑樹脂低的低折射率粒子。
11.一種電子裝置，其包括光電轉換器，其設于基板的攝像區域中，在所述光電轉換器的光接收表面接收入射光， 并對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電荷；以及片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像區域中，并且位于所述光電轉換器的所述光接 收表面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面，其中，所述片上透鏡包含粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。
12.—種固體攝像器件的制造方法，該方法包括以下步驟在基板的攝像表面設置光電轉換器，所述光電轉換器在其光接收表面接收入射光，并 對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電荷；在所述光電轉換器的光接收表面上方設置片上透鏡，所述片上透鏡將所述入射光聚集 在所述光接收表面；以及在所述片上透鏡的上表面設置防反射層，其中，所述防反射層包括折射率比所述片上 透鏡低的粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。
13.一種固體攝像器件的制造方法，該方法包括以下步驟在基板的攝像表面設置光電轉換器，所述光電轉換器在其光接收表面接收入射光，并 對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電荷；以及在所述光電轉換器的所述光接收表面的上方設置片上透鏡，所述片上透鏡將所述入射 光聚集在所述光接收表面，其中，所述片上透鏡包括粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑樹 脂低的低折射率粒子。
全文摘要
本發明涉及固體攝像器件、其制造方法以及電子裝置。所述固體攝像器件包括至少一個光電轉換器，其設于基板的攝像表面，在所述光電轉換器的光接收表面接收入射光，并對所述入射光進行光電轉換，由此生成信號電荷；至少一個片上透鏡，其設于所述基板的所述攝像表面上，并且位于所述光電轉換器的所述光接收表面的上方，將所述入射光聚集在所述光接收表面；以及防反射層，其設于所述基板的攝像表面的片上透鏡上表面，所述防反射層包括折射率比所述片上透鏡低的粘合劑樹脂和折射率比所述粘合劑樹脂低的低折射率粒子。本發明的固體攝像器件和電子裝置能夠改善所拍攝圖像的圖像質量并且能夠提高制造效率。
文檔編號H04N5/225GK101888489SQ20101015098
公開日2010年11月17日 申請日期2010年4月20日 優先權日2009年5月14日
發明者下地誠也, 狹山征博, 田中良和, 勝谷隆之, 荻野明子 申請人:索尼公司