專利名稱：微位相差板的制造系統及制造方法
技術領域：
本發明是有關于一種微位相差板(micro-retarder)的制造系統及制造方法，且特別是有關于一種以加熱處理方式制作微位相差板的制造系統及制造方法。
背景技術：
請參照圖1，其繪示一種傳統的微位相差板910 (micro-retarder)
的制造方法的示意圖。微位相差板910為立體顯示器的關鍵零元件。如圖1所示，高分子薄膜911具有一特定高分子排列方向。偏極光穿越高分子薄膜后將產生光學相位延遲的現象。傳統的微位相差板910的制造方法是以一加熱源930對高分子薄膜911的特定局部區域加熱后，使得高分子薄膜911的高分子排列方向回復成無方向性。已加熱的局部區域910a與未加熱的局部區域910b交錯排列，如此即形成一種微位相差板910。
請參照圖2，其繪示偏極光L9穿越微位相差板910的示意圖。偏極光L9穿越微位相差板910后，可切分成兩種偏極方向。當偏極光L9穿越已加熱的局部區域910a，偏極光L9沒有發生光學相位延遲的現象；當偏極光L9穿越未加熱的局部區域910b，偏極光L9則發生光學相位延遲的現象。藉此，微位相差板910即可應用在立體顯示器中，以創造出立體影像的效果。
請參照圖3，其繪示傳統的微位相差板910的位相延遲曲線圖。圖3的橫軸表示位置，縱軸表示相位延遲值。傳統的加熱源930在對高分子薄膜911加熱時，將產生加熱能量分布不均勻以及加熱能量擴散的情況。
請參照圖15及圖4，圖15繪示采用震蕩模式為TEMOO的激光的能量立體分布圖，圖4繪示采用震蕩模式為TEMOO的激光的能量剖
7面分布圖。尤其是采用震蕩模式為TEM00的激光束作為加熱源930時，其能量分布呈高斯分布曲線，其中央處的能量較高，邊緣處的能量較低。因此加熱能量分布不均勻的情況進一步為嚴重。如圖3所示，在已加熱的局部區域910a與未加熱的局部區域910b之間，并非以筆直的陡峭直線作變化，而是以漸變的曲線作變化。也就是說，已加熱的局部區域910a與未加熱的局部區域910b之間的相位延遲程度無法有明顯的區隔。因此傳統的微位相差板910將形成散射光、影像對比不佳、甚至開口率偏低的問題。
發明內容
本發明是有關于一種微位相差板的制造系統及制造方法，其利用移動控制裝置、量測裝置、冷卻裝置、偏極調整裝置及反射鏡組的搭配設計，不僅使得微位相差板的己加熱的局部區域與未加熱的局部區域的相位延遲程度具有明顯的差異，進一步增進制造程序的方便性。
根據本發明的一方面，提出一種微位相差板的制造系統。微位相差板的制造系統包括一承載裝置、 一加熱裝置及一移動控制裝置。承載裝置用以承載一高分子薄膜。高分子薄膜具有一高分子排列方向。加熱裝置用以提供一加熱源。加熱源中央處的能量小于加熱源邊緣處的能量。移動控制裝置用以控制加熱源及高分子薄膜沿一第一方向相對移動，以使調整后的加熱源沿第一方向對高分子薄膜的至少一局部區域加熱，并改變此局部區域的高分子排列方向。
根據本發明的另一方面，提出一種微位相差板的制造方法。微位
相差板的制造方法包括以下步驟提供一高分子薄膜，具有一高分子排列方向。提供一加熱源。加熱源中央處的能量小于加熱源邊緣處的能量。沿一第一方向相對移動高分子薄膜及加熱源，以使加熱源沿第一方向對高分子薄膜的至少一局部區域加熱，并改變此局部區域的高分子排列方向。
為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，進一步詳細說明如下。
8
圖1繪示一種傳統的微位相差板的制造方法的示意圖； 圖2繪示偏極光穿越微位相差板的示意圖； 圖3繪示傳統的微位相差板的位相變化曲線圖； 圖4繪示采用震蕩模式為TEM00的激光的能量剖面分布圖； 圖5繪示本發明第一實施例的微位相差板的制造系統的示意圖； 圖6繪示采用震蕩模式為TEMOl、 TEM10及TEMll的激光的沿 雙峰的剖面分布圖7繪示本發明第一實施例的微位相差板的制造方法的流程圖； 圖8繪示第一實施例的加熱源沿第一方向移動的能量累積示意圖； 圖9繪示本發明第二實施例的微位相差板的制造系統的示意圖； 圖IO繪示圓錐形透鏡及聚焦透鏡與激光束的能量分布的示意圖11繪示第二實施例的加熱源H沿第一方向移動的能量累積示意
圖12A 12C繪示圖IO的圓錐型透鏡及聚焦透鏡的其它配置方式
圖13繪示本發明第三實施例的微位相差板的制造系統的示意圖； 圖14繪示本發明第四實施例的微位相差板的制造系統的示意圖； 圖15繪示采用震蕩模式為TEM00的激光的能量立體分布圖；以
及
圖16至圖18分別繪示采用震蕩模式為TEM01、TEM10及TEM11
的激光的能量立體分布圖。
主要元件符號說明
100、 200、 300、 400:微位相差板的制造系統
110、 910:微位相差板
110a、 910a:己加熱的局部區域 110b、 910b:未加熱的局部區域
111、 911:高分子薄膜
120、 420:承載裝置130:加熱裝置
150、 350、 450:移動控制裝置
160、 460反射鏡組
161:第一反射鏡
162:第二反射鏡
170:量測裝置
171:分射裝置
180:驅動裝置
181:處理裝置
190:冷卻裝置
19h偏極調整裝置
241:圓錐型透鏡
242:聚焦透鏡
LO:量測線
L420:中心軸
L9:偏極光
H、 930:加熱源
Ch第一方向
C2:第二方向
具體實施例方式
第一實施例
請參照圖5，其繪示本發明第一實施例的微位相差板110的制造系 統100的示意圖。微位相差板110的制造系統100包括一承載裝置120、 一加熱裝置130及一移動控制裝置150。
承載裝置120用以承載一高分子薄膜111。在本實施例中，承載裝 置120是以一承載平臺為例作說明。
加熱裝置130提供一加熱源H。加熱源H例如是一激光束、 一紅 外線、 一超音波、 一電子束或一中子束。在本實施例中，加熱源H以-- C02激光束為例作說明。微位相差板110的制造系統100進一步包 括一反射鏡組160，反射鏡組160用以反射加熱源H至高分子薄膜111上。
在本實施例中，加熱源H中央處的能量較低，邊緣處的能量較高。 以激光束為例，具有此類特性的激光束可選用震蕩模式(transverse electromagnetic mode, TEM)為TEMOl、 TEM10或TEM11。請參照 圖16 18及圖6，圖16 18分別繪示采用震蕩模式為TEMOl 、TEM10 及TEM11的激光的能量立體分布圖，圖6繪示采用震蕩模式為TEM01、 TEM10及TEM11的激光的沿雙峰的剖面分布圖。如圖6所示，采用 震蕩模式為TEMOl、 TEM10及TEM11的激光的能量分布呈逆高斯分 布曲線，其中央處的能量較低，邊緣處的能量較高。
移動控制裝置150用以控制加熱源H及高分子薄膜111相對移動， 移動控制裝置150例如是步進馬達或服務器馬達。移動控制裝置150 的控制方式例如是控制承載裝置120移動、控制加熱裝置130移動或 是直接控制加熱源H的反射路徑。在本實施例中，移動控制裝置150 的控制方式是以控制承載裝置120移動為例作說明。
請參照圖7，其繪示本發明第一實施例的微位相差板100的制造方 法的流程圖。本發明第一實施例的微位相差板100的制造方法如下
首先，在歩驟S102中，提供上述的高分子薄膜111。高分子薄膜 ill被設置于承載裝置120上。
接著，在步驟S104中，以加熱裝置130提供加熱源H，加熱源H 中央處的能量小于加熱源H邊緣處的能量。
然后，在步驟S108中，以移動控制裝置150沿第一方向C1相對 移動加熱源H及高分子薄膜111 ，以使加熱源H沿第一方向Cl對高分 子薄膜111的至少一局部區域加熱110a，以改變此局部區域110a的高 分子排列方向。在此步驟中，移動控制裝置150控制加熱源H與高分 子薄膜111以一等速相對移動。在本實施例中，移動控制裝置150控 制承載裝置120以一等速移動。
當加熱源H對某一局部區域110a完成加熱處理后，移動控制裝置 150進一步控制高分子薄膜111及加熱源H沿一第二方向C2相對移動，以使加熱源H對另一局部區域110a進行加熱處理。第二方向C2實質 上垂直于第一方向Cl (即分別為圖4的X軸方向及Y軸方向)。
移動控制裝置150控制承載裝置120沿第一方向Cl及第二方向 C2移動，即可使加熱源H沿第一方向Cl及第二方向C2相對移動。
請參照圖8，其繪示第一實施例的加熱源H沿第一方向Cl移動的 能量累積示意圖。加熱源H中央處的能量較低，邊緣處的能量較高。 當加熱源H以等速沿第一方向Cl移動時，加熱源H經過量測線L0 時，能量累積如圖8右側所示。如此一來，當加熱源H對一局部區域 110a (繪示于圖5)完成加熱處理后，局部區域110a內各處所受到的 能量均相等。使得己加熱的局部區域100a與未加熱的局部區域110b (繪示于圖5)的分子排列具有相當明顯的差異。
另請參照圖5，微位相差板110的制造系統100進一步包括一量測 裝置170、 一分射裝置171、 一驅動裝置180及一處理裝置181。分射 裝置171設置于加熱裝置130及反射鏡組160之間，分射裝置171用 以將部分的加熱源H轉投射至量測裝置170。分射裝置171例如是分 光透鏡等。透過上述的量測裝置170及分射裝置171，本實施例的微位 相差板110制造方法進一步包括下列反饋調整的步驟
首先，以量測裝置170量測加熱源H的一加熱能量，例如是量測 激光束的溫度或激光束的亮度等。在本實施例中，量測裝置170在接 收部分激光束后，據以量測激光束的溫度。
接著，加熱裝置130依據加熱能量調整加熱源H的一驅動能量。 舉例來說，若處理裝置181判斷加熱能量由預定電平降低至第一電平， 則控制驅動裝置180增加加熱裝置130的驅動能量，直到加熱能量回 復至預定電平；若處理單元181判斷加熱能量已增高至第二電平，則 控制驅動裝置180降低加熱裝置130的驅動能量，直到加熱能量回復 至預定電平。使得加熱源H的加熱能量隨時間保持穩定。
此外，請再參照圖5，微位相差板110的制造系統IOO進一步包括 一冷卻裝置190。冷卻裝置190用以冷卻已加熱的局部區域110a。微 位相差板110的制造方法進一步透過冷卻已加熱的局部區域110a的步 驟來快速降低已加熱的局部區域110a的熱量。使得已加熱的局部區域
12110a的熱量不會擴散至不欲加熱的局部區域110b。因此已加熱的局部 區域110a與未加熱的局部區域110b的分子排列具有相當明顯的差異。
此外，本實施例的微位相差板110的制造系統100進一步包括一 偏極調整裝置191。偏極調整裝置191例如是一偏光板。偏極調整裝置 191設置于激光束傳遞路徑上。由于高分子薄膜lll在未加熱前，其分 子排列己具有一定的高分子排列方向。微位相差板110的制造方法更 依據高分子薄膜111的高分子排列方向，調整激光束的一偏極角度。 例如是調整激光束的偏極方向與高分子薄膜111的高分子排列方向之 間成平行狀態、垂直狀態或成一特定角度。偏極角度的調整可依據實 際操作參數(如激光束的種類或高分子薄膜的材質)來作調整。
激光束調整偏極角度后，激光束投射于高分子薄膜111時，可減 少高分子薄膜lll的熱擴散的速度。因此，已加熱的局部區域110a與 未加熱的局部區域110b的分子排列更可維持相當明顯的差異。
第二實施例
請參照圖9,其繪示本發明第二實施例的微位相差板110的制造系 統200的示意圖。本實施例的微位相差板110的制造系統200與制造 方法與第一實施例的微位相差板no的制造系統100與制造方法不同 之處在于微位相差板110的制造系統進一步包括一圓錐型透鏡241 及一聚焦透鏡242，并且加熱裝置130輸出的激光束的震蕩模式為 TEMOO，其余相同之處不再重述。
請參照圖10，其繪示圓錐形透鏡241及聚焦透鏡242與激光束的 能量分布的示意圖。圓錐型透鏡241用以偏折激光束中央處的能量， 以使激光束形成中央處的能量小于邊緣處的能量的加熱源H。當激光 束穿越圓錐型透鏡241時，激光束的能量分布由高斯分布曲線改變成 谷狀分布曲線。激光束再穿越聚焦透鏡242后，激光束的能量分布由 谷狀分布曲線改變成逆高斯分布曲線。如此一來，本實施例采用圓錐 型透鏡241及聚焦透鏡242的搭配方式亦可獲得中央處的能量較低且 邊緣處的能量較高的加熱源H。
請參照圖11，其繪示第二實施例的加熱源H沿第一方向Cl移動
13的能量累積示意圖。加熱源H中央處的能量較低，邊緣處的能量較高，
儼然如同一甜甜圈狀。當加熱源H以等速沿第一方向Cl移動時，加 熱源H經過量測線LO時，能量累積如圖11右側所示。如此一來，當 加熱源H對一局部區域110a (繪示于圖9)完成加熱處理后，局部區 域110a內各處所受到的能量均相等。使得己加熱的局部區域100a與 未加熱的局部區域110b (繪示于圖9)的分子排列具有相當明顯的差 異。
請參照圖12A 圖12C，其繪示圖10的圓錐型透鏡241及聚焦透 鏡242的其它配置方式圖。雖然本實施例的圓錐型透鏡241及聚焦透 鏡242是以圖10的配置方式為例作說明，然圓錐型透鏡241及聚焦透 鏡242的配置方式并不在此限，例如圓錐型透鏡241及聚焦透鏡242 亦可前后交換位置，或者圓錐型透鏡241亦可翻轉，如圖12A 圖12C 所示。
第三實施例
請參照圖13，其繪示本發明第三實施例的微位相差板110的制造 系統300的示意圖。本實施例的微位相差板110的制造系統300及制 造方法與第一實施例的微位相差板110的制造系統100及制造方法不 同之處在于移動控制裝置350不控制承載裝置120移動，而控制加 熱源H的反射路徑，其余相同之處不再重述。
如圖13所示，反射鏡組160包括第一反射鏡161及一第二反射鏡 162。第一反射鏡161及第二反射鏡162反射加熱源H后，將加熱源H 投射于高分子薄膜111上。移動控制裝置350可控制第二反射鏡162 沿第一方向Cl移動且控制第一反射鏡161跟著第二反射鏡162沿第一 方向Cl從動(即第一反射鏡161隨著第二反射鏡162沿第一方向Cl 移動，以使第一反射鏡161所反射的加熱源H仍投射于第二反射鏡 162)，以使加熱源H投射于高分子薄膜111上的位置沿著第一方向Cl 移動。移動控制裝置350更可控制第二反射鏡162沿著第二方向C2移 動并控制第一反射鏡161隨著第二反射鏡162從動(即第一反射鏡161 隨著第二反射鏡162轉動，以使第一反射鏡161所反射的加熱源H仍
14投射于第二反射鏡162)，以使加熱源H投射于高分子薄膜111上的位 置沿著第二方向C2移動。
此外，反射鏡組160的控制方式并非限于此。舉例來說，反射鏡 組160的控制方式亦可以采取以下的方式移動控制裝置350可控制 第一反射鏡161沿第一方向Cl移動且控制第二反射鏡162跟著第一反 射鏡161沿第一方向Cl從動(即第二反射鏡162隨著第一反射鏡161 沿第一方向Cl移動，以使第一反射鏡161所反射的加熱源H仍投射 于第二反射鏡162)，以使加熱源H投射于高分子薄膜111上的位置沿 著第一方向Cl移動。移動控制裝置350更可控制第一反射鏡161沿著 第二方向C2移動并控制第二反射鏡162隨著第一反射鏡161從動(即 第二反射鏡162隨著第一反射鏡161轉動，以使第一反射鏡161所反 射的加熱源H仍投射于第二反射鏡162)，以使加熱源H投射于高分子 薄膜111上的位置沿著第二方向C2移動。
如此一來，加熱裝置130及承載裝置120皆不須移動，僅需移動 反射鏡組160即可改變加熱源H投射于高分子薄膜111的位置。反射 鏡組160具有質量輕及移動方便等特性，使得加熱源H的移動控制變 的相當容易。 ，
第四實施例
參照圖14，其繪示本發明第四實施例的微位相差板110的制造系 統400的示意圖。本實施例的微位相差板110的制造系統400及制造 方法與第一實施例的微位相差板iio的制造系統100及制造方法不同 之處在于承載裝置420為一空心圓桶，其余相同之處不再重述。
承載裝置420具有一中心軸L420，高分子薄膜111設置于承載裝 置420的內壁。反射鏡組460設置于中心軸L420上，以使加熱源H 經由反射鏡組460反射后，投射于高分子薄膜111上。移動控制裝置 450用以控制承載裝置420相對中心軸L420持續轉動，以使加熱源H 投射于高分子薄膜111的位置沿著高分子薄膜111的表面移動。當承 載裝置420相對中心軸L420轉動一圈時，加熱源H亦沿著一長條型 局部區域110a加熱，以改變此局部區域110a的高分子排列方向。
15除了控制承載裝置420相對中心軸L420持續轉動以外，若改控制 反射鏡組460相對中心軸L420轉動，亦可以使加熱源H投射于高分 子薄膜111的位置沿著高分子薄膜111的表面移動。使用者可依據實 際產品及設備的需求來選用。
此外，移動控制裝置450更控制反射鏡組460沿中心軸L420相對 加熱裝置130前后移動。當反射鏡組460沿中心軸L420相對加熱裝置 130移動時，加熱源H投射于高分子薄膜111的位置亦移至另一長條 型局部區域110a，以使加熱源H對高分子薄膜lll的數個局部區域110a 加熱。
本實施例藉由移動控制裝置450驅動空心圓桶狀的承載裝置420 不停地以等速轉動。在控制空心圓桶狀的承載裝置420轉動時，不需 要刻意地減速或加速，僅須利用慣性作用不斷地轉動。并且反射鏡組 460亦只須沿中心軸L420相對加熱裝置130前后移動。使得加熱源H 的移動控制變的相當容易。
本發明上述實施例所揭露的微位相差板的制造系統及制造方法， 是利用移動控制裝置、量測裝置、冷卻裝置、偏極調整裝置及反射鏡 組的搭配設計，除了使微位相差板的已加熱的局部區域與未加熱的局 部區域的高分子排列方向具有明顯的差異外，更具有多項優點，以下 僅列舉部分優點說明如下
1. 加熱源中央處的能量較低，邊緣處的能量較高。當加熱源以等 速沿第一方向移動時，加熱源的能量累積相當地平均。如此一來，當 加熱源對一局部區域完成加熱處理后，局部區域內各處所受到的能量 均相等。使得已加熱的局部區域與未加熱的局部區域的分子排列具有 相當明顯的差異。
2. 量測裝置用以量測加熱源的加熱能量，加熱裝置再依據加熱能 量調整加熱裝置的驅動能量，使得加熱源的加熱能量隨時間保持穩定。
3. 冷卻裝置用以冷卻已加熱的局部區域，使得已加熱的局部區域 的熱量不會擴散至不欲加熱的局部區域。因此已加熱的局部區域與未 加熱的局部區域的分子排列具有相當明顯的差異。
164. 偏極調整裝置是依據高分子薄膜的高分子排列方向來調整激光 束的偏極角度，使得激光束投射于高分子薄膜時，可減少高分子薄膜 的熱擴散的速度。因此，已加熱的局部區域與未加熱的局部區域的分 子排列更可維持相當明顯的差異。
5. 在加熱裝置輸出的激光束的震蕩模式為TEM01的情況下，透 過圓錐型透鏡來偏折激光束的中央處的能量，亦可使激光束形成中央 處的能量小于邊緣處的能量的加熱源。
6. 移動控制裝置更可控制反射鏡組移動，以改變加熱源的反射路 徑。藉由反射鏡組具有質量輕及移動方便等特性，使得加熱源的移動 控制變的相當容易。
7. 此外，承載裝置亦可以是一空心圓桶。藉由移動控制裝置驅動 空心圓桶狀的承載裝置不停地以等速轉動。在控制空心圓桶狀的承載 裝置轉動時，不需要刻意地減速或加速，僅須利用慣性作用不斷地轉 動。并且反射鏡組亦只須沿中心軸相對加熱裝置前后移動。使得加熱 源的移動控制變的相當容易。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以 限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發 明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發明的保護 范圍當視權利要求書所界定的范圍為準。
1權利要求
1、一種微位相差板的制造系統，其特征在于，該方法包括一承載裝置，用以承載一高分子薄膜，該高分子薄膜具有一高分子排列方向；一加熱裝置，用以提供一加熱源，該加熱源中央處的能量小于該加熱源邊緣處的能量；以及一移動控制裝置，用以控制該高分子薄膜及該加熱源沿一第一方向相對移動，以使調整后的該加熱源沿該第一方向對該高分子薄膜的至少一局部區域加熱，并改變該局部區域的該高分子排列方向。
2、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該移動控制裝置進一步控制該高分子薄膜及該加熱源沿一第二方向相 對移動，該第二方向垂直于該第一方向，以使調整后的該加熱源對多 個局部區域加熱，并使該高分子薄膜形成多個已加熱的局部區域及多 個未加熱的局部區域，該些已加熱的局部區域及該些未加熱的局部區 域皆沿該第一方向延伸且交錯排列。
3、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該加熱源為一激光束，該激光束的震蕩模式TEM選用TEMOl、 TEM10 或TEMll。
4、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該加熱源為一激光束，該微位相差板的制造系統進一步包括一圓錐型透鏡，用以偏折該激光束中央處的能量，以使該激光束 中央處的能量小于邊緣處的能量。
5、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于，該加熱源為一激光束、 一紅外線、 一超音波、 一電子束或一中子束。
6、 根據權利要求l所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該控制裝置控制該高分子薄膜的移動對應于該加熱源以一等速相對移 動，使均勻加熱。
7、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該系統進一步包括-一量測裝置，用以量測該加熱源的一加熱能量，該加熱裝置依據 該加熱能量調整該加熱裝置的一驅動能量，以使該加熱源的該加熱能 量隨時間保持穩定。
8、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該系統進一步包括一冷卻裝置，用以冷卻已加熱的該局部區域。
9、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該加熱源為一激光束，該微位相差板的制造系統進一步包括一偏極調整裝置，依據該高分子薄膜的該高分子排列方向，調整 該激光束的一偏極角度。
10、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該承載裝置為一平臺，該移動控制裝置用以控制該承載裝置沿該第一 方向及一第二方向移動，該第二方向垂直于該第一方向。
11、 根據權利要求l所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該承載裝置為一平臺，該微位相差板的制造系統進一步包括一反射鏡組，用以反射該加熱源于該高分子薄膜上，該移動控制 裝置用以控制該反射鏡組所反射的該加熱源沿該第一方向及一第二方 向移動，該第二方向垂直于該第一方向。
12、 根據權利要求11所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該反射鏡組包括一第一反射鏡；及一第二反射鏡，該加熱源依序經由第一反射鏡及第二反射鏡反射 至該高分子薄膜上；其中，該移動控制裝置控制該第二反射鏡沿該第一方向移動，并 控制該第一反射鏡沿該第一方向移動，以使該第一反射鏡所反射的該 加熱源投射于該第二反射鏡，并使該第二反射鏡所反射的該加熱源沿該第一方向移動；該移動控制裝置控制該第二反射鏡沿該第二方向移動，并控制該 第一反射鏡隨著該第二反射鏡轉動，以使該第一反射鏡所反射的該加 熱源投射于該第二反射鏡，并使該第二反射鏡所反射的該加熱源沿該第二方向移動。
13、 根據權利要求11所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該反射鏡組包括一第一反射鏡；及一第二反射鏡，該加熱源依序經由第一反射鏡及第二反射鏡反射 至該高分子薄膜上；其中，該移動控制裝置控制該第一反射鏡沿該第一方向移動，并 控制該第二反射鏡沿該第一方向移動，以使該第一反射鏡所反射的該 加熱源投射于該第二反射鏡，并使該第二反射鏡所反射的該加熱源沿 該第一方向移動；該移動控制裝置控制該第一反射鏡沿該第二方向移動，并控制該 第二反射鏡隨著該第一反射鏡轉動，以使該第一反射鏡所反射的該加 熱源投射于該第二反射鏡，并使該第二反射鏡所反射的該加熱源沿該 第二方向移動。
14、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該承載裝置包括一空心圓桶，該承載裝置具有一中心軸，該高分子薄 膜設置于該承載裝置的內壁，該微位相差板的制造系統進一步包括一反射鏡組，設置于該中心軸上，該移動控制裝置用以控制該承 載裝置相對該中心軸轉動，并控制該反射鏡組沿該中心軸移動。
15、 根據權利要求1所述的微位相差板的制造系統，其特征在于， 該承載裝置包括一空心圓桶，該承載裝置具有一中心軸，該高分子薄膜設置于該承載裝置的內壁，該微位相差板的制造系統進一步包括一反射鏡組，設置于該中心軸上，該移動控制裝置用以控制該反 射鏡組相對該中心軸轉動，并控制該反射鏡組沿該中心軸移動。
16、 一種微位相差板的制造方法，其特征在于，該方法包括提供一高分子薄膜，具有一高分子排列方向；提供一加熱源，該加熱源中央處的能量小于該加熱源邊緣處的能量；以及沿一第一方向相對移動該高分子薄膜及該加熱源，以使該加熱源 沿該第一方向對該高分子薄膜的至少一局部區域加熱，并改變該局部區域的該高分子排列方向。
17、 根據權利要求16所述的微位相差板的制造方法，其特征在于，該方法進一步包括沿一第二方向相對移動該高分子薄膜及該加熱源，該第二方向垂 直于該第一方向，以使該加熱源對多個局部區域加熱，并使該高分子 薄膜形成多個己加熱的局部區域及多個未加熱的局部區域，該些已加 熱的局部區域及該些未加熱的局部區域皆沿該第一方向延伸且交錯排 列。
18、 根據權利要求16所述的微位相差板的制造方法，其特征在于， 該加熱源為一激光束，該激光束的震蕩模式選用TEMOl、 TEM10或 TEMll，以使該激光束形成中央處的能量小于邊緣處的能量。
19、 根據權利要求16所述的微位相差板的制造方法，其特征在于， 該加熱源為一激光束，調整該加熱源的該步驟是以一圓錐型透鏡偏折 該激光束中央處的能量，以使該激光束中央處的能量小于邊緣處的能
20、 根據權利要求16所述的微位相差板的制造方法，其特征在于， 該加熱源為一激光束、 一紅外線、 一超音波、 一電子束或一中子束。
21、 根據權利要求16所述的微位相差板的制造方法，其特征在于， 在沿該第一方向相對移動的該步驟中，該高分子薄膜及該加熱源以一 相對移動，使均勻加熱。
22、 根據權利要求16所述的微位相差板的制造方法，其特征在于， 該方法進一步包括量測該加熱源的一加熱能量；以及依據該加熱源的該加熱能量，調整該加熱裝置的一驅動能量，以 使該加熱源的該加熱能量隨時間保持穩定。
23、 根據權利要求16所述的微位相差板的制造方法，其特征在于， 該方法進一步包括冷卻己加熱的該局部區域。
24、 根據權利要求16所述的微位相差板的制造方法，其特征在于， 該加熱源為一激光束，該微位相差板的制造方法進一步包括依據該高分子薄膜的該高分子排列方向，調整該激光束的一偏極 角度。
25、 一種微位相差板的制造系統，其特征在于，該系統包括 一承載裝置，用以承載一高分子薄膜，該高分子薄膜具有一高分子排列方向；以及一加熱裝置，用以提供一激光束；一偏極調整裝置，依據該高分子薄膜的該高分子排列方向，調整 該激光束的一偏極角度；以及一移動控制裝置，用以控制該承載裝置及該加熱裝置沿一第一方 向相對移動，以使調整后的該加熱源沿該第一方向對該高分子薄膜的 至少一局部區域加熱，并改變該局部區域的該高分子排列方向。
26、 一種微位相差板的制造方法，其特征在于，該方法包括 提供一高分子薄膜，具有一高分子排列方向； 提供一激光束；依據該高分子薄膜的該高分子排列方向，調整該激光束的一偏極 角度；以及沿一第一方向相對移動該高分子薄膜及該激光束，以使該激光束 沿該第一方向對該高分子薄膜的至少一局部區域加熱，并改變該局部 區域的該高分子排列方向。
全文摘要
本發明公開了一種微位相差板的制造系統及制造方法。微位相差板的制造系統包括一承載裝置、一加熱裝置及一移動控制裝置。承載裝置用以承載一高分子薄膜。高分子薄膜具有一高分子排列方向。加熱裝置用以提供一加熱源，加熱源中央處的能量小于加熱源邊緣處的能量。移動控制裝置用以控制加熱源及高分子薄膜沿一第一方向相對移動，以使調整后的加熱源沿第一方向對高分子薄膜的至少一局部區域加熱，并改變此局部區域的高分子排列方向。
文檔編號H04N13/00GK101498804SQ200810008789
公開日2009年8月5日 申請日期2008年1月29日 優先權日2008年1月29日
發明者呂春福, 蔡朝旭, 黃國忠 申請人:財團法人工業技術研究院