專利名稱:電容式話筒電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及電容式話筒電路,尤其涉及能夠切換幻象電源和作為內(nèi)置電源的電池來(lái)使用的電容式話筒電路。
背景技術(shù):
由于作為聲電轉(zhuǎn)換器的電容式話筒單元的阻抗較高,所以電容式話筒一般采用使用了FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管,以下相同)等的阻抗變換器。要使阻抗變換器動(dòng)作則需要電源。在電容式話筒的電源中,有內(nèi)置在話筒內(nèi)部的電源即普通的電池,和用于從外部供給電源的調(diào)音臺(tái)(mixer)或幻象電源。如在日本電子機(jī)械工業(yè)協(xié)會(huì)(EIAJ)標(biāo)準(zhǔn)RC-8162A“話筒的電源供給方法”中規(guī)定的那樣,上述幻象電源經(jīng)由話筒的輸出軟線(cord)被提供給話筒。在幻象電源的供給電路形式中,有電阻劃分T耦合型、變壓器中心抽頭型等,但由于幻象電源的供給電路形式本身與本申請(qǐng)的發(fā)明沒(méi)有直接關(guān)系,因此省略對(duì)該內(nèi)容的詳細(xì)說(shuō)明。
價(jià)格較低廉的一般應(yīng)用或家用的電容式話筒僅利用內(nèi)置的電源電池進(jìn)行動(dòng)作。而專業(yè)用的電容式話筒若僅利用作為內(nèi)置電源的電池進(jìn)行動(dòng)作,則在電池耗盡時(shí)將無(wú)法繼續(xù)使用,不能維持其可靠性,因此,將從外部供給的幻象電源作為主電源來(lái)使用,并將內(nèi)置電源作為幻象電源出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)的輔助電源來(lái)使用。為了能夠容易獲取,內(nèi)置電源電池一般使用5號(hào)干電池,其電壓約為1.5V。
在能夠選擇性地使用幻象電源和內(nèi)置電源電池的電容式話筒中,若設(shè)計(jì)一種電路使其能在使用幻象電源時(shí)取得充分大的輸出信號(hào)振幅,則當(dāng)僅使用內(nèi)置電源電池進(jìn)行動(dòng)作時(shí),該電路將不進(jìn)行動(dòng)作。相反,若設(shè)計(jì)一種電路使其能在內(nèi)置電源電池的電壓例如為1.5V時(shí)最佳地進(jìn)行動(dòng)作,則當(dāng)使用幻象電源時(shí),盡管電源電壓增高還是無(wú)法取得足夠大的輸出信號(hào)的振幅。因此,優(yōu)選的是,當(dāng)使用內(nèi)置電源電池時(shí),能夠取得對(duì)應(yīng)其電壓的輸出信號(hào)電平,而當(dāng)使用幻象電源時(shí),能夠取得對(duì)應(yīng)其電源電壓的較高的信號(hào)輸出電平。
本申請(qǐng)人此前曾提出關(guān)于電容式話筒的專利申請(qǐng),該電容式話筒除了設(shè)有作為電容式話筒的阻抗變換元件的信號(hào)用FET之外,還設(shè)有開(kāi)關(guān)用FET,并根據(jù)幻象電源和內(nèi)置電源電池的切換,用開(kāi)關(guān)用FET來(lái)切換信號(hào)用FET的源極阻抗。在使用內(nèi)置電源電池時(shí)減小信號(hào)用FET的源極阻抗值,在使用幻象電源時(shí)增大上述源極阻抗值,由此,與使用內(nèi)置電源電池時(shí)相比,使信號(hào)電壓的振幅增大,使最大允許聲壓級(jí)提高(參照專利文獻(xiàn)1)。
圖2表示采用了與專利文獻(xiàn)1記載的發(fā)明相同的技術(shù)構(gòu)思的電容式話筒的電路例子。以下,簡(jiǎn)單說(shuō)明該電路例子。在圖2中,標(biāo)號(hào)5表示內(nèi)置電源電池,6表示電容式聲電轉(zhuǎn)換元件,7表示電源線路,8表示緩沖放大器,Q01表示作為阻抗變換元件的信號(hào)用FET,Q02表示開(kāi)關(guān)用FET,TRS表示變壓器。變壓器TRS的次級(jí)線圈的一端連接在熱(Hot)側(cè)的端子引腳2上,另一端連接在冷(Cold)側(cè)的端子引腳3上。上述端子引腳2和端子引腳3經(jīng)由例如在上述EIAJ標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的3引腳型連接器而連接在輸出軟線上,因此另一端子引腳1連接在話筒電路的接地線路上,并經(jīng)由上述連接器連接在上述輸出軟線的屏蔽線路上。變壓器TRS的次級(jí)線圈具有中心抽頭,該中心抽頭經(jīng)由恒流二極管D04連接在開(kāi)關(guān)用FET Q02的柵極上,另外,該中心抽頭以串聯(lián)方式經(jīng)由恒流二極管D04和防逆流二極管D03而連接在電源線路7上。內(nèi)置電源電池5的正極經(jīng)由防逆流二級(jí)管D02連接在電源線路7上。
上述3引腳型連接器,相對(duì)未圖示的幻象電源的供電插座是可自由拆裝的,通過(guò)連接在幻象電源的供電插座上來(lái)使幻象電源連接在兩個(gè)端子2、3之間。這樣連接幻象電源時(shí),從變壓器TRS的次級(jí)線圈的中心抽頭以串聯(lián)方式經(jīng)由恒流二極管D04和防逆流二極管D03而對(duì)電源線路7供給幻象電源,另外,由恒流二極管D04對(duì)開(kāi)關(guān)用FETQ02的柵極施加恒定電壓。開(kāi)關(guān)用FETQ 02是P型FET。
在電源線路7和接地線路之間,信號(hào)用FET Q01、電阻R01、R02串聯(lián)連接。換而言之,電源線路7連接在FET Q01的源極,F(xiàn)ET Q01的漏極經(jīng)由串聯(lián)連接的電阻R01、R02連接在接地線路上。聲電轉(zhuǎn)換元件6連接在FETQ01的柵極和接地線路之間。電阻R01、R02是信號(hào)用FET Q01的負(fù)載電阻,電阻R01、R02的連接點(diǎn)連接在開(kāi)關(guān)用FET Q02的源極。開(kāi)關(guān)用FET Q02的漏極連接在接地線路上。信號(hào)用FET Q01的輸出信號(hào)輸入至兼作阻抗變換電路的緩沖放大器8,緩沖放大器8的輸出連接在變壓器TRS的初級(jí)線圈的一端,初級(jí)線圈的另一端連接在接地線路上。
在上述電路結(jié)構(gòu)中,當(dāng)使用內(nèi)置電池電源5時(shí),開(kāi)關(guān)用FET Q02的柵極電位為0V,因此FET Q02導(dǎo)通,負(fù)載電阻R02被短路,信號(hào)用FET Q01的負(fù)載電阻僅為電阻R01,負(fù)載阻抗值變小。由此,進(jìn)行適于內(nèi)置電池電源5的動(dòng)作。而當(dāng)使用幻象電源時(shí),幻象電源經(jīng)由恒流二極管D04連接在FET Q02的柵極上,因此,對(duì)FET Q02的柵極施加恒流二極管D04的端子電壓,F(xiàn)ET Q02截止。由此,信號(hào)用FETQ01的負(fù)載電阻為電阻R01與電阻R02相加后的值,能夠提高使構(gòu)成阻抗變換器的FET Q01動(dòng)作的電源電壓,能夠使信號(hào)電壓的振幅增大,使最大允許輸入聲壓級(jí)提高。
而且,本發(fā)明如后面說(shuō)明的那樣,其特征在于在選擇性地使用幻象電源和內(nèi)置電池電源的情況下,當(dāng)切換阻抗變換電路的負(fù)載電阻時(shí)采用光MOS繼電器。作為在電容式話筒中采用了光MOS繼電器類的公知例子有防爆炸結(jié)構(gòu)的話筒裝置,該裝置具有設(shè)置在有爆炸危險(xiǎn)的場(chǎng)所的話筒和話筒連接箱,以及設(shè)置在無(wú)爆炸危險(xiǎn)的場(chǎng)所的屏蔽單元,屏蔽單元具有光耦合器,經(jīng)由話筒連接箱而發(fā)送的話筒的聲音輸出,輸入至上述光耦合器的輸入側(cè)發(fā)光二極管,通過(guò)光耦合器的輸出側(cè)的光敏晶體管發(fā)送聲音信號(hào)(例如,參照專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)2記載的發(fā)明,通過(guò)使存在爆炸危險(xiǎn)的場(chǎng)所和無(wú)爆炸危險(xiǎn)的場(chǎng)所光耦合而做成防爆結(jié)構(gòu),因此該發(fā)明舉出了在電容式話筒中使用了類似于光MOS繼電器的單元的例子。后述的用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的結(jié)構(gòu)與上述結(jié)構(gòu)不同。
專利文獻(xiàn)1日本實(shí)開(kāi)平6-52300號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本實(shí)公平5-28877號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容根據(jù)專利文獻(xiàn)1記載的發(fā)明,如上所述,能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)期的目的。但是,從圖2所示的電路結(jié)構(gòu)可知,在使用幻象電源時(shí),施加在開(kāi)關(guān)用FET Q02的柵極上的電壓的供給來(lái)自話筒輸出電路附近,更具體說(shuō)是來(lái)自連接在端子引腳2、3上的變壓器TRS的次級(jí)線圈。話筒軟線連接在話筒的輸出電路上。由于高頻電流容易從外部混入到話筒軟線,所以高頻電流會(huì)從話筒軟線混入到上述輸出電路。該高頻電流被施加在開(kāi)關(guān)用FET Q02的柵極上,因此存在該電流被檢波而變?yōu)樵肼暤膯?wèn)題。特別是近年來(lái)隨著手機(jī)的推廣普及,在話筒附近使用手機(jī)的情況增多,出現(xiàn)了手機(jī)發(fā)出的高頻波成為造成電容式話筒噪聲的主要原因這樣的嚴(yán)重問(wèn)題。
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提供一種電容式話筒電路,在以能選擇性地使用幻象電源和內(nèi)置電池電源并能對(duì)應(yīng)所選擇的電源而切換阻抗變換器的負(fù)載電阻這樣的方式來(lái)構(gòu)成電路的電容式話筒中,即使在話筒附近使用手機(jī)等也能防止產(chǎn)生由高頻波引起的噪聲。
本發(fā)明的電容式話筒電路最主要的特征在于包括電容式聲電轉(zhuǎn)換元件、變換該聲電轉(zhuǎn)換元件的輸出阻抗的阻抗變換器、阻抗變換器的負(fù)載電阻、用于使阻抗變換器動(dòng)作的幻象電源和內(nèi)置電源電池、在使用幻象電源時(shí)和使用內(nèi)置電池電源時(shí)切換上述負(fù)載電阻值的開(kāi)關(guān),其中,上述開(kāi)關(guān)是接通/斷開(kāi)光耦合的光學(xué)開(kāi)關(guān)。
光學(xué)開(kāi)關(guān)進(jìn)行切換,使得在使用幻象電源時(shí)的負(fù)載電阻值比在使用內(nèi)置電源電池時(shí)的負(fù)載電阻值大。
光學(xué)開(kāi)關(guān)可以取為光MOS繼電器,對(duì)構(gòu)成光MOS繼電器的初級(jí)側(cè)的發(fā)光元件供給幻象電源。
可以將光MOS繼電器的發(fā)光元件作為發(fā)光二極管,經(jīng)由該發(fā)光二極管對(duì)話筒電路供給幻象電源。
與使用幻象電源時(shí)的電源電壓和使用內(nèi)置電源電池時(shí)的電源電壓對(duì)應(yīng)地使開(kāi)關(guān)切換阻抗變換器的負(fù)載電阻值,以使得阻抗變換器有效地發(fā)揮功能。上述開(kāi)關(guān)是接通/斷開(kāi)光耦合關(guān)系的光學(xué)開(kāi)關(guān),屏蔽電耦合和電磁耦合,因此能用光學(xué)開(kāi)關(guān)屏蔽要通過(guò)幻象電源供給線路混入的高頻電流,高頻電流不會(huì)到達(dá)阻抗變換器。其結(jié)果,不會(huì)出現(xiàn)高頻電流在阻抗變換器被檢波而成為噪聲的情況。
若以光MOS繼電器作為光學(xué)開(kāi)關(guān),以發(fā)光二極管作為構(gòu)成光MOS繼電器的初級(jí)側(cè)的發(fā)光元件,經(jīng)由該發(fā)光二極管對(duì)話筒電路供給幻象電源,則上述發(fā)光二極管作為內(nèi)置電源電池使用時(shí)的防逆流元件而發(fā)揮作用,不需要額外設(shè)置防逆流元件作為另一用途的部件。
圖1是表示本發(fā)明的電容式話筒電路的實(shí)施例的電路圖。
圖2是表示現(xiàn)有的電容式話筒電路的例子的電路圖。
具體實(shí)施例方式
以下,參照
本發(fā)明的電容式話筒電路的實(shí)施例。對(duì)與圖2所示的現(xiàn)有例子的結(jié)構(gòu)相同的構(gòu)成部分標(biāo)以相同標(biāo)號(hào)。
在圖1中,標(biāo)號(hào)5表示內(nèi)置電源電池,6表示電容式聲電轉(zhuǎn)換元件,7表示電源線路,8表示緩沖放大器,10表示光學(xué)開(kāi)關(guān),Q01表示阻抗變換元件,TRS表示變壓器。變壓器TRS的次級(jí)線圈,一端連接在熱(Hot)側(cè)的端子引腳2上,另一端連接在冷(Cold)側(cè)的端子引腳3上。上述端子引腳2和端子引腳3經(jīng)由基于例如上述EIAJ標(biāo)準(zhǔn)的3引腳型連接器連接在輸出軟線上,另一個(gè)端子引腳1連接在話筒電路的接地線路上,且經(jīng)由上述連接器連接在上述輸出軟線的屏蔽線路上。變壓器TRS的次級(jí)線圈具有中心抽頭,該中心抽頭經(jīng)由恒流二極管D04連接在光學(xué)開(kāi)關(guān)10的初級(jí)側(cè)。內(nèi)置電源電池5的正極經(jīng)由防逆流二極管D02,連接在電源線路7上,內(nèi)置電源電池5的負(fù)極連接在接地線路上。
作為光學(xué)開(kāi)關(guān)10,在圖1所示的實(shí)施例中使用光MOS繼電器。作為光MOS繼電器,例如可以使用東芝株式會(huì)社制造的TLP4176G。光MOS繼電器,在初級(jí)側(cè)(輸入側(cè))具有發(fā)光二極管(以下稱為“LED”)11,在次級(jí)側(cè)具有由接受LED11發(fā)射的光束的兩個(gè)MOSFET12、13構(gòu)成的光敏元件。兩個(gè)MOSFET12、13的源極連接在一起,各自的漏極分別連接在不同的輸出端子上。兩個(gè)MOSFET12、13的柵極連接在一起,未接受到光束時(shí),作為光MOS繼電器的輸出端子的MOSFET12、13這二者的漏極,這兩個(gè)漏級(jí)之間成為閉合的接通(ON)狀態(tài)(電阻值接近0)。通過(guò)MOSFET12、13接受到光束而使它們的漏極之間成為關(guān)斷(高電阻)的斷開(kāi)(OFF)狀態(tài)。變壓器TRS的次級(jí)線圈的中心抽頭經(jīng)由上述恒流二極管D04連接在光學(xué)開(kāi)關(guān)10的LED11的正極側(cè),LED11的負(fù)極側(cè)連接在話筒電路的電源線路7上。
上述3引腳型連接器相對(duì)于未圖示的幻象電源的供電插座是可自由拆裝的,通過(guò)連接在幻象電源的供電插座上而使幻象電源連接在兩個(gè)端子引腳2、3之間。通過(guò)這樣地構(gòu)成,當(dāng)接通幻象電源時(shí),從變壓器TRS的次級(jí)線圈的中心抽頭以串聯(lián)的方式經(jīng)由恒流二極管D04和光學(xué)開(kāi)關(guān)10的LED11而對(duì)電源線路7供給幻象電源。即,經(jīng)由恒流二極管D04和LED11,對(duì)電源線路7供給幻象電源,通過(guò)恒流二極管D04對(duì)電源線路7供給預(yù)定電壓的電源。另外,在使用內(nèi)置電源電池5時(shí),光學(xué)開(kāi)關(guān)10的LED11也作為阻止從電池5流出的電流反向流入幻象電源電路的防逆流二極管而發(fā)揮作用。
在電源線路7和接地線路之間,串聯(lián)連接有作為阻抗變換元件Q01的主體的FET18、電阻R01及電阻R02。更具體而言,F(xiàn)ET18的源極連接在電源線路7上,F(xiàn)ET18的漏極經(jīng)由電阻R01和電阻R02以串聯(lián)方式連接在接地線路上。在阻抗變換元件Q01的FET18的柵極和接地線路之間,連接有電容式聲電轉(zhuǎn)換元件6。聲電轉(zhuǎn)換元件6是以振動(dòng)板和固定電極作為主體的電容結(jié)構(gòu)的變換元件,其中,上述固定電極與上述振動(dòng)板之間隔著間隔物,與上述振動(dòng)板留有極小的空隙地相對(duì)配置。電阻R01、R02是阻抗變換元件Q01的負(fù)載電阻,電阻R01、R02的連接點(diǎn)連接在構(gòu)成光學(xué)開(kāi)關(guān)10的次級(jí)側(cè)的一方的FET13的漏極上。構(gòu)成光學(xué)開(kāi)關(guān)10的次級(jí)側(cè)的另一方的FET12的漏極連接在接地線路上。
阻抗變換元件Q01以FET18作為主體,具有在該FET18的柵極和源極間相互以并聯(lián)方式連接的保護(hù)二極管15、16以及電阻17。阻抗變換元件Q01可以使用集成電路化的元件。保護(hù)二極管15、16彼此反向地連接在一起。阻抗變換元件Q01不需要額外添加的高電阻,能零偏壓地驅(qū)動(dòng)FET18。阻抗變換元件Q01的輸出信號(hào)輸入至以晶體管Q03為主體的緩沖放大器8的上述晶體管Q03的基極。緩沖放大器8兼作阻抗變換電路,緩沖放大器8的輸出、具體地為連接在上述晶體管Q03的射極和接地線路之間的電阻R08的端子電壓,被輸入至變壓器TRS的初級(jí)線圈的一端。變壓器TRS的初級(jí)線圈的另一端連接在接地線路上。
在電源線路7和接地線路之間,并聯(lián)地連接有用于穩(wěn)壓的齊納二極管D05和電容C07,構(gòu)成穩(wěn)定電源電路。電阻R07是連接在晶體管Q03的基極的偏置電阻。D01是與偏置電阻R07串聯(lián)連接的相同的偏置用齊納二極管。
接著,說(shuō)明上述實(shí)施例的動(dòng)作。首先,僅用內(nèi)置電源電池5進(jìn)行動(dòng)作。從內(nèi)置電源電池5流出的電流不流入光學(xué)開(kāi)關(guān)10的輸入側(cè)的LED 11,因此不點(diǎn)亮LED11,光學(xué)開(kāi)關(guān)10的輸出側(cè)的兩個(gè)FET12、13成為電閉合狀態(tài)即短路狀態(tài)。因此,電阻R02被短路,阻抗變換器Q01的負(fù)載電阻僅為電阻R01,負(fù)載電阻值變小,成為適用于由低電壓的內(nèi)置電源電池5驅(qū)動(dòng)的負(fù)載電阻值。
然后,通過(guò)將上述3引腳型連接器連接在未圖示的幻象電源的供電插座上,在兩個(gè)端子引腳2、3之間接入幻象電源,則從變壓器TRS的次級(jí)線圈的中心抽頭經(jīng)由恒流二極管D04和光學(xué)開(kāi)關(guān)10的LED11而使電流流過(guò)電源線路7,對(duì)電源線路7供給幻象電源。上述LED11由于流過(guò)電流而被點(diǎn)亮,通過(guò)用兩個(gè)FET12、13接受從LED11放射出的光束,兩個(gè)FET12、13成為截止?fàn)顟B(tài)即開(kāi)關(guān)斷開(kāi)狀態(tài)。因此,阻抗變換器Q01的負(fù)載電阻成為電阻R01與電阻R02相加的值,電阻值變大,能夠與幻象電源的電壓對(duì)應(yīng)地使輸入信號(hào)電壓的振幅增大,能夠提高對(duì)聲電轉(zhuǎn)換元件6的最大允許輸入聲壓級(jí)。
如上所述,話筒軟線連接在話筒的輸出電路上,高頻電流容易從外部混入話筒軟線,從話筒軟線混入的高頻電流將要混入上述輸出電路。話筒軟線兼作幻象電源的供給線路,因此,在使用幻象電源和使用內(nèi)置電源電池時(shí),切換上述負(fù)載電阻值的開(kāi)關(guān),當(dāng)如現(xiàn)有那樣是電耦合開(kāi)關(guān)時(shí),則高頻電流經(jīng)由該開(kāi)關(guān)流入阻抗變換器Q01,高頻電流在作為阻抗變換器Q01的主體的FET18中被檢波,成為產(chǎn)生噪聲的主要原因。對(duì)于該問(wèn)題,若按照?qǐng)D1所示的本發(fā)明的實(shí)施例,則在使用幻象電源時(shí)和使用內(nèi)置電源電池時(shí)以光學(xué)開(kāi)關(guān)10作為用于切換阻抗變換器Q01的負(fù)載阻抗的開(kāi)關(guān),因此用光學(xué)開(kāi)關(guān)10能夠屏蔽話筒軟線和幻象電源的供電電路與阻抗變換器Q01之間的電耦合,高頻電流不會(huì)流入阻抗變換器Q01。由此,不會(huì)出現(xiàn)以高頻電流為主要原因,在阻抗變換器Q01的FET18產(chǎn)生噪聲的情況。
光學(xué)開(kāi)關(guān)10作為光MOS繼電器,經(jīng)由光MOS繼電器的輸入側(cè)的發(fā)光元件LED11向電源線路7供給幻象電源,因此在使用內(nèi)置電源電池5時(shí),LED11也作為防止電流流入幻象電源電路側(cè)的防逆流二極管而發(fā)揮作用,不需要為了另一用途而額外設(shè)置防逆流二極管。
權(quán)利要求
1.一種電容式話筒電路,包括電容式聲電轉(zhuǎn)換元件;變換該聲電轉(zhuǎn)換元件的輸出阻抗的阻抗變換器;上述阻抗變換器的負(fù)載電阻;用于使上述阻抗變換器動(dòng)作的幻象電源和內(nèi)置電源電池;以及在使用上述幻象電源時(shí)和使用上述內(nèi)置電源電池時(shí)切換上述負(fù)載電阻的值的開(kāi)關(guān),其中,上述開(kāi)關(guān)是接通/斷開(kāi)光耦合的光學(xué)開(kāi)關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式話筒電路,其特征在于上述光學(xué)開(kāi)關(guān)進(jìn)行切換,以使得使用上述幻象電源時(shí)的上述負(fù)載電阻的值比使用上述內(nèi)置電源電池時(shí)的上述負(fù)載電阻的值大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式話筒電路,其特征在于上述光學(xué)開(kāi)關(guān)是光MOS繼電器。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式話筒電路,其特征在于上述幻象電源被提供給構(gòu)成光MOS繼電器的初級(jí)側(cè)的發(fā)光元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容式話筒電路,其特征在于上述發(fā)光元件是發(fā)光二極管,經(jīng)由該發(fā)光二極管向話筒電路供給電源。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容式話筒電路,其特征在于從幻象電源經(jīng)由恒流二極管向發(fā)光二極管供給電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式話筒電路,其特征在于上述阻抗變換器以場(chǎng)效應(yīng)晶體管為主體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電容式話筒電路,在選擇性地使用幻象電源和內(nèi)置電池電源,與所選擇的電源對(duì)應(yīng)地切換阻抗變換器的負(fù)載電阻的電容式話筒中,即使在其附近使用了手機(jī)等,也能夠防止由高頻波產(chǎn)生的噪聲。該電容式話筒電路包括電容式聲電轉(zhuǎn)換元件(6)、變換聲電轉(zhuǎn)換元件(6)的輸出阻抗的阻抗變換器(Q01)、阻抗變換器(Q01)的負(fù)載電阻(R01)和負(fù)載電阻(R02)、用于使阻抗變換器動(dòng)作的幻象電源和內(nèi)置電源電池、在使用幻象電源時(shí)和使用內(nèi)置電源電池時(shí)切換負(fù)載電阻值的開(kāi)關(guān)(10),其中,開(kāi)關(guān)(10)是接通/斷開(kāi)光耦合的光學(xué)開(kāi)關(guān)。光學(xué)開(kāi)關(guān)(10)進(jìn)行切換以使得使用幻象電源時(shí)的負(fù)載電阻值比使用內(nèi)置電源電池時(shí)的負(fù)載電阻值大。
文檔編號(hào)H04R1/08GK101048015SQ20071009159
公開(kāi)日2007年10月3日 申請(qǐng)日期2007年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者秋野裕 申請(qǐng)人:歐力天工股份有限公司