用于制造半導體器件的工藝和半導體器件的制作方法

專利名稱：用于制造半導體器件的工藝和半導體器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種用于制造半導體器件的工藝和通過該工藝形成的半導體器件。更具體地，它涉及一種用于制造包括光電轉換部分的半導體器件的工藝和由此工藝形成的半導體器件。
背景技術：
半導體圖像拾取器件例如電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器、互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器等已經廣泛用于例如數字照相機、攝象機、具有照相機的蜂窩電話、掃描儀、數字復印機、傳真機等的各種應用。隨著它們被廣泛使用，對于減少尺寸、降低器件的成本以及更好的功能和性能、例如像素數量的增加和器件的光靈敏度的改善存在不斷增長的需求。
除了減少器件的尺寸和增加像素數量之外，降低器件成本的需要致使減少了將要并入到器件中的像素的尺寸。像素尺寸的減少使得了器件的光靈敏度變壞(光靈敏度是對器件的基本要求之一)，并且在弱照明環境下使器件難于獲取清晰的圖像。因此，提高每個像素的光靈敏度并利用適合于大批量生產的工藝、以低成本來制造器件就非常重要。
作為用于提高器件的光靈敏度的技術，以下的技術是公知的。例如，在日本未審專利公開No.平4(1992)-12568中公開了一種在濾色器(color filter)上形成由有機聚合物材料制造的微透鏡的技術，以及在日本未審專利公開No.平11(1999)-87672中公開了另一種技術，其在光接收部分和濾色器之間的疊置結構內部形成的透鏡，即所謂的層內透鏡。
如圖3所示，包含這種層內透鏡的固態圖像拾取器件，包括在半導體襯底21的表面中的CCD傳送(transfer)溝道24、讀取柵部分23、光電轉換部分(光接收部分)22和溝道截斷(channel stopper)25，以及通過絕緣膜26在CCD傳送溝道24上形成的傳送電極27和通過層間電介質28在傳送電極27上形成的光屏蔽膜29。器件還包括由硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)等形成的平坦化膜30，層內透鏡(intralayer lens)74，R、G或B的濾色器12，保護膜13和微透鏡14。依此次序在光屏蔽膜29上疊置這些部分。這里，微透鏡14位于光電轉換部分22之上。
將在下面描述形成層內透鏡的方法。
如圖4(a)所示，將所需的雜質注入到半導體襯底21中以形成光電轉換部分22、讀取柵部分23、CCD傳送溝道24和溝道截斷25。隨后，在半導體襯底21的表面上形成絕緣膜26，然后在絕緣膜26上形成具有預定圖形的傳送電極27(它的膜厚為例如300nm)。此后，通過層間電介質28在傳送電極27上形成光屏蔽膜29(它的膜厚為例如200nm)，由此光屏蔽膜29覆蓋傳送電極27并具有在光電轉換部分22之上的開口。
如圖4(b)所示，通過大氣壓CVD工藝在光屏蔽膜29和半導體襯底21上淀積預先確定有磷和硼的預定濃度的BPSG膜，具有600nm的膜厚，并在900℃或更高溫度下進行回流處理，由此形成具有在光電轉換部分22之上的凹面部分的平坦化膜30。該凹面部分的表面構成將在該膜30上形成的層內透鏡的凸形表面。
如圖4(c)所示，通過大氣壓CVD工藝在平坦化膜30上形成氮化硅系列薄膜71。氮化硅系列薄膜71的厚度大于平坦化膜30的凹面部分的深度。因為凹面部分歸因于傳送電極27上的光屏蔽膜29的形狀，所以該部分的深度為大約500nm。因此，氮化硅系列薄膜71的厚度設定為500nm或更厚，例如，大約1500nm。
隨后，將玻璃上旋涂(SOG)膜前體旋涂在氮化硅系列薄膜71上，使得SOG膜具有1500nm厚，并進行退火處理(例如，400℃30小時)，由此形成具有平坦表面的SOG膜72。
如圖4(d)所示，回蝕SOG膜72和氮化硅系列薄膜71，使得完全除去SOG膜72，并平坦化氮化硅系列薄膜71的表面。在此工藝中，蝕刻各個膜的上部，以致蝕刻SOG膜的厚度為大約3000nm。設定回蝕條件，使得SOG膜72和氮化硅系列薄膜71的蝕刻選擇比為從1.0∶0.9-1.0∶1.1。通過等離子體蝕刻方法例如高頻平行板方法、磁控管高頻等離子體方法、微波等離子體方法或磁場微波放電方法的任何一種方法來實施上述工藝。
然后，如圖4(e)所示，在平坦化膜30上形成由氮化硅系列薄膜71形成的層內透鏡74。
層內透鏡的上述形成方法存在以下的1-3個問題。
1.必須形成構成層內透鏡的氮化硅系列薄膜71，使得膜71的厚度大于在下面的平坦化膜30的凹面部分的深度。當通過通常在氮化硅系列薄膜的形成中使用的大氣壓CVD設備或等離子體CVD設備來形成具有1000nm或更厚的氮化硅系列薄膜71時，由于膜應力，膜71就會塑性地變形，并在膜中產生龜裂。此外，膜71的膜厚不可能是均勻的，其將導致層內透鏡的厚度的不均勻性。結果，使固態圖像拾取器件的圖像質量變壞。
2.SOG膜72必須形成具有這樣的厚度，使得用SOG膜72填充在下面的氮化硅系列薄膜71的凹面部分并使SOG膜72的表面平坦。當通過將前體旋涂到膜71上、隨后進行退火來形成具有1000nm厚或更厚的SOG膜72時，由于膜應力，就使膜72產生龜裂并且片狀脫落。龜裂和片狀脫落就會在層內透鏡的形狀中產生缺陷。該缺陷給圖像拾取器件帶來問題。
3.將要蝕刻的SOG膜72和氮化硅系列薄膜71必須具有大約3000nm的總厚度用于上述的回蝕工藝，SOG膜72和氮化硅系列薄膜71的蝕刻選擇比需要設定為大約1∶1。蝕刻量對于一個晶片或多個晶片易于改變。因此，形成均勻厚度的層內透鏡就非常困難。此外，在此工藝中采用的蝕刻設備非常昂貴，并且包括蝕刻速度的控制、污物控制等的維護將帶來許多的工作。

發明內容
鑒于上述問題就獲得了本發明。本發明的一個目的是提供一種用于制造半導體器件的簡單工藝以及由該工藝形成的半導體器件，該工藝不用新的設備就能夠形成具有均勻厚度的高質量的層內透鏡，該層內透鏡沒有在該透鏡之上并在該透鏡之下形成的層內透鏡或各絕緣膜的龜裂和脫落。
根據本發明，提供一種用于制造半導體器件的工藝，包括步驟在包括光電轉換部分的半導體襯底上形成透明膜，該透明膜具有在該光電轉換部分之上的凹面部分；在該透明膜上形成一材料膜，該材料膜由具有比該透明膜的折射系數更高的折射系數的光敏材料形成；以及用光線有選擇地輻照該材料膜的預定部分，然后顯影該材料膜，由此形成具有面對該凹面部分的凸面部分的層內透鏡。
利用此工藝，可以在不用新的設備的情況下，通過在半導體制造工藝中通常采用的旋涂機、顯影機、曝光機等來簡單地形成沒有龜裂和脫落的具有均勻厚度的層內透鏡。
根據本發明的另一個方面，提供一種半導體器件，包括含有光電轉換部分的半導體襯底；在該半導體襯底上形成的透明膜，該透明膜具有在該光電轉換部分之上的凹面部分；以及在該透明膜上形成的層內透鏡，該層內透鏡具有面對該凹面部分的凸面部分，該層內透鏡由具有比該透明膜的折射系數更高的折射系數的光敏材料形成。
從下文給出的詳細描述中，本申請的這些和其它目的將更加明顯。然而，應當理解，雖然給出了展示本發明的優選實施例的詳細描述和具體實例，但僅僅用于說明，因為從以下詳細的說明中，在本發明的精神和范圍之內的各種變化和修改對于本領域技術人員將變得顯而易見。


圖1是根據本發明的一個實施例的半導體器件的主要部分的示意性剖面圖；圖2(a)-2(c)是說明用于制造圖1的半導體器件的工藝步驟的主要部分的示意性剖面圖；圖3是包含層內透鏡的常規固態圖像拾取器件的示意性剖面圖；以及圖4(a)-4(e)是說明用于形成圖3的層內透鏡的工藝步驟的主要部分的示意性剖面圖。
具體實施例方式
在根據本發明的用于制造半導體器件的工藝中，在半導體襯底中首先形成光電轉換部分。只需要通常用于制造半導體器件的襯底即可，并不特別限制半導體襯底。例如，半導體襯底可以由例如硅、鍺等的元素半導體或例如SiC、GaAs、AlGaAs等的化合物半導體形成。在這些襯底之中，優選硅襯底。典型地，半導體襯底可以摻雜有n型或p型雜質，并可以具有一個或多個n型阱或p型阱。除了光電轉換部分(發光部分或光接收部分)之外，還可以在半導體襯底的表面內和/或在半導體襯底的表面上形成含有高濃度的n型或p型雜質的區域，以形成電荷傳送區、隔離區、接觸區、溝道截斷等，還可以在其中或其上形成其它半導體器件和電路。
光電轉換部分可以包括光接收部分或發光部分。光接收部分典型為在半導體襯底的表面中形成的pn結二極管。可以根據將獲得的半導體器件的所需的性能適合地設置p型或n型雜質層的尺寸、形狀和數量、以及雜質濃度等。發光部分可以包括發光二極管。可以通過公知的工藝來形成在半導體襯底的表面中的光電轉換部分。該工藝可以包括步驟形成掩模，該掩模具有通過光刻和腐蝕處理的在所需部分處的開口，以及通過掩模的離子注入。
在CCD的情況下，可以在相鄰的光電轉換部分之間通過絕緣膜形成傳送電極，在傳送電極上通過層間電介質形成光屏蔽膜。傳送電極可以由多晶硅、硅化鎢等形成。例如，傳送電極的厚度可以是大約300-600nm。光屏蔽膜可以由能夠阻擋可見光和/或紅外光的材料形成，例如硅化鎢，包括鈦、鎢等的金屬，或它們的金屬合金，膜的厚度可以是大約100-1000nm。絕緣膜或層間電介質可以是通常用于這種膜或電介質的單層膜，例如等離子體的四乙氧基硅烷(TEOS)膜，低溫氧化物(LTO)膜，高溫氧化物(HTO)膜或由CVD工藝形成的非摻雜的硅酸鹽玻璃(NSG)膜，以及通過旋涂工藝形成的SOG膜、通過CVD工藝形成的氮化硅膜等，或它們的疊層膜。因為上述絕緣膜、層間電介質、傳送電極和光屏蔽膜會對其上將形成的層內透鏡的厚度和形狀有影響，根據后面將描述的透明膜的厚度和材料，絕緣膜、層間電介質、傳送電極和光屏蔽膜的總厚度優選調整為大約500-2000nm。
在半導體襯底上形成透明膜以至具有在光電轉換部分之上的凹面部分。可以歸因于傳送電極和光屏蔽膜等的形狀來形成凹面部分，或可以通過腐蝕透明膜來形成凹面部分。根據采用的材料和它的厚度，透明膜的光透射率可以適合為大約80-100％。透明膜可以是單層膜，其可以是上述列舉的絕緣膜或它們的疊層膜，其中優選BPSG膜。透明膜的厚度可以是大約100-2000nm。優選適當調整該厚度，因為凹面部分的深度和形狀會對其上將形成的層內透鏡的凸面部分的厚度和形狀有影響。
可以通過本領域中適當選擇的公知工藝來形成上述的絕緣膜、層間電介質、傳送電極、光屏蔽膜和透明膜。該工藝可以包括濺射工藝、CVD工藝、旋涂工藝、真空蒸發工藝、EB工藝等中的至少一種工藝。CVD工藝可以是低壓CVD工藝、大氣壓CVD工藝、等離子體CVD工藝等。
在獲得的半導體襯底上形成光敏材料膜，其具有比透明膜的折射系數更高的折射系數。然后，用光線有選擇地輻照材料膜的預定部分，并顯影該材料膜。由此形成層內透鏡以至具有面對透明膜的凹面部分的凸面部分。
材料膜可以由樹脂形成，該樹脂可以通過光線的輻照被固化或變成可溶于堿溶液。樹脂可以是本領域中公知的正型光刻膠或負型光刻膠。光線可以是具有能量的光，包括γ射線、X射線、可見光、紫外光等，其中優選紫外光。光線的能量不用特別限制，但紫外光的能量可以適合為例如大約500-800mJ。材料膜可以由有機材料例如丙烯酸系列材料、聚酰亞胺系列材料等形成。用于可見光的材料膜的折射系數優選為大約1.6或更大。為了提高材料膜的折射系數，該材料膜可以含有折射系數高于上述材料的折射系數的材料，并且特別地，它的折射系數為大約2.0或更高。例如，材料膜可以含有例如無機氧化物的無機材料，特別是氧化鋅、氧化鈦、氧化鋯、氧化錫等。上述材料優選具有大約20nm或更小的粒徑尺寸，更加優選為大約10nm或更小的粒徑尺寸。適當設置有機材料和特殊材料之間的混合比，由此最優化顯影之后的例如透射率、折射系數、光敏特性、回流處理的形變、表面相同和殘余物的因素。例如，有機材料和特殊材料之間的混合比可以為大約1∶0.1-0.3，優選為大約1∶0.2-1.5。可選的，可以將本領域中公知的任何光敏劑進一步添加到材料膜中。可以利用公知的工藝，例如輥涂敷工藝、噴涂工藝、噴嘴涂敷工藝、浸漬涂敷工藝、旋涂工藝、格柵涂敷(bar coating)工藝、絲網涂敷工藝等在透明膜上提供上述材料，隨后通過干燥來形成具有光滑表面的材料膜。根據將采用的材料的透射率，可以適當調整材料膜的厚度。例如，它的厚度可以為大約500-1500nm。
可以通過公知的方法用光選擇性地輻照材料膜，例如通過具有適合圖形的掩模用光線輻照材料膜的方法，或通過電子束光刻方法用光線僅僅輻照材料膜的所需要的部分的方法。在由光線輻照固化的材料來形成材料膜的地方，僅用光線選擇性輻照其上將形成層內透鏡的部分。在由通過光線輻照變為可溶于堿溶液的材料形成材料膜的地方，用光線選擇性輻照將不會形成層內透鏡的、包括焊接區和劃片線的部分。
可以通過堿溶液來顯影材料膜，更具體地，堿溶液包括氫氧化四甲銨、氨水等。
在形成光電轉換部分、傳送電極、光屏蔽膜等的像素區內的材料膜被保留，并通過顯影除去焊接區和劃片線上的材料膜。因此，就可以在像素區的范圍之內和在光電轉換之上形成具有凸面部分的層內透鏡，其凸面部分通過傳送電極和光屏蔽膜產生的透明膜的凹面部分引起。可以平坦化層內透鏡的上表面，層內透鏡在它的上表面上具有凸面部分。通過一種工藝來形成凸面部分，該工藝包括步驟將僅在光電轉換部分之上的該材料膜形成為矩形形狀，并利用熱處理來使得矩形形狀的材料膜變軟并熔化。由此，在層內透鏡的底表面處能夠提供由透明膜的凹面部分引起的一個凸面部分，并且在層內透鏡的上表面處能夠提供通過熱處理的形變來引起的另一個凸面部分。就是說，層內透鏡可以具有在兩個表面上的凸面部分。在獲得的層內透鏡中，最厚部分和最薄部分之間的厚度差可以為大約500-1000nm。更具體地，最厚部分可以為大約1000-2000nm厚，最薄部分可以為大約0-500nm厚。
根據本發明，可以在層內透鏡上形成具有低折射系數的透明材料膜。與具有高折射系數的上述材料膜相比，透明材料膜可以具有小了0.5或更多的折射系數。用于可見光的透明材料膜的折射系數可以為大約1.6或更小。透明材料膜可以由以下材料形成氟代烯烴系列共聚物，具有含氟脂肪族環結構的聚合物，全氟代烷基醚系列共聚物或含氟(偏)丙烯酸酯聚合物，或者兩種或多種上述材料的混合物。此外，可以將氟化物，特別是氟化鎂添加到材料膜中。氟化物優選形成為顆粒，并且每個顆粒尺寸優選為大約20nm或更小，更優選為大約10nm或更小。氟代烯烴類共聚物和特定材料之間的混合比可以為大約1∶0.1-1.5。
利用上述材料，可以通過公知的工藝在層內透鏡上形成具有低折射系數的材料膜，例如輥涂敷工藝、噴涂工藝、噴嘴涂敷工藝、浸漬涂敷工藝、旋涂工藝、格柵涂敷工藝、絲網涂敷工藝等。可以根據將使用的材料來適當調整材料膜的厚度。例如，它的厚度可以為大約500-1500nm。材料膜優選具有基本上平坦的表面，即在像素之間的膜厚的變化優選在幾十埃之內。
此外，優選在層內透鏡之上通過具有低折射系數的透明材料膜形成微透鏡。透明材料膜可以利用上述工藝形成為單層膜或疊層膜。可選的，可以在透明材料膜上形成功能膜，例如濾色器、鈍化膜、保護膜、平坦化膜、層間膜等，并且可以在透明材料膜上疊置兩種或多種功能膜。每種功能膜可以由任意厚度的任何材料形成。微透鏡可以利用本領域公知的工藝由公知的材料形成。由于下層的形狀，微透鏡的底表面可以是平坦的，并且微透鏡的上表面適合于處理成具有凸起形狀或拱形形狀。
根據本發明的半導體器件包括由高折射系數的材料形成的層內透鏡，其中層內透鏡形成在含有光電轉換部分的半導體襯底上，并且至少在光電轉換部分之上的底表面上具有層內透鏡的凸面部分。半導體器件包括固態圖像拾取器件，例如CCD和CMOS圖像傳感器、CMD、電荷注入器件、雙極型圖像傳感器、光電導膜圖像傳感器、疊置的CCD或紅外圖像傳感器。此外，半導體器件還包括光接收元件或發光元件，例如在半導體集成電路的制造工藝中制造的發光二極管。半導體器件可以用作例如液晶屏的光透射控制器件的器件的光接收部分或發光部分。
下面將參照附圖，利用本發明的實施例詳細地描述本發明的半導體器件及其制造工藝。在此使用的設備和材料術語與在半導體器件制造工藝中通常采用的設備和材料術語相同。因此，省略術語的詳細說明。
如圖1所示，根據本發明的半導體器件的CCD固態圖像拾取器件包括在半導體襯底41的表面內形成的CCD傳送溝道44、讀取柵極部分43、光電轉換部分42和溝道截斷45，以及通過絕緣膜46在CCD傳送溝道44上形成的傳送電極47和通過層間電介質48在傳送電極47上形成的光屏蔽膜49。提供光屏蔽膜49用于防止光泄漏到傳送部分中。器件還包括由BPSG制造的透明膜50，具有高折射系數的層內透鏡51，R、G或B的濾色器52，由透明有機膜制造的保護膜53以及微透鏡54。它們依此次序疊置在光屏蔽膜49之上。提供層內透鏡51以便形成在光電轉換部分之上的凸面部分，并且在光電轉換部分42之上提供微透鏡54。
可以通過以下工藝來形成此CCD固態圖像拾取器件。
如圖2(a)所示，將所需的雜質注入到半導體襯底41中，由此形成光電轉換部分42、讀取柵極部分43、CCD傳送溝道44和溝道截斷45。隨后，通過熱氧化等在半導體襯底41的表面上形成例如氧化硅膜的絕緣膜46，然后在絕緣膜46上形成由多晶硅構成并且具有預定圖形的傳送電極47。此后，在傳送電極47上通過層間電介質48形成由硅化鎢構成的光屏蔽膜49。提供光屏蔽膜以便覆蓋傳送電極47并具有在光電轉換部分42之上的開口。
如圖2(b)所示，通過大氣壓CVD工藝在光屏蔽膜49和半導體器件41上淀積BPSG膜，使得BPSG膜具有900nm的膜厚。此時，設定在BPSG膜中含有的硼和磷的每一種濃度，使得BPSG膜具有在光電轉換部分42之上形成的有光滑表面的凹面部分。這里，硼的濃度設置為3.8wt％，磷的濃度設置為4.2wt％。然后，在溫度950℃下對BPSG膜實施20分鐘的回流處理，由此獲得透明膜50。
隨后，將800nm厚的高折射系數材料旋涂在獲得的透明膜50上，并通過熱板在90℃下干燥2小時。在此采用的上述材料是具有光敏劑的丙烯酸類樹脂，該樹脂含有大約20wt％的顆粒狀氧化鋯(大約20nm的尺寸)。然后，用紫外光有選擇地輻照光接收部分42之上的部分材料，例如，這種光線具有在半導體制造工藝中通常采用的光刻技術中使用的365nm的波長、大約700mJ。輻照的部分被固化，并變成不可溶于后面將說明的堿性顯影劑中。通過含有2.3％的TMAH的堿性顯影劑來顯影該材料，用水清洗并通過熱板在200℃下干燥2分鐘，由此獲得如圖2(c)中所示的具有在光電轉換部分42之上的凸面部分的層內透鏡51。
通過光刻工藝將負型光刻膠處理成所需的圖形，該光刻膠中分散具有G、R或B的光譜特性的顏料，由此形成濾色器52。然后，將0.7μm厚的丙烯酸樹脂(熱固性的丙烯酸樹脂的一個例子是從JSR公司可獲得的OPTOMER SS-1151)提供到濾色器52之上，形成保護膜53，然后通過公知的技術來形成微透鏡54，例如在日本未審專利公開No.平4(1992)-12568中公開的技術。因此，獲得如圖1中所示的具有層內透鏡的CCD固態圖像拾取器件。
在上述的實施例中，對CCD固態圖像拾取器件的說明可以應用于其它器件的說明，例如，其它固態圖像拾取器件，如MOS固態圖像拾取器件，液晶顯示器等。以如上述實施例的相同方式，通過調整適合的層內透鏡、平坦化膜、保護膜和微透鏡的每一種膜的厚度以及它們的形成條件，能夠獲得具有所需形狀的層內透鏡的半導體器件。
根據本發明，特殊的材料膜形成在透明膜上，透明膜的上表面具有凹面部分，并且用光線選擇性輻照材料膜的所需要的部分，隨后顯影該材料膜。由此，在所需的位置處就形成了層內透鏡的凸面部分。此外，材料膜可以形成具有最小的厚度，并且在材料膜之上和之下提供的功能膜例如絕緣膜等可以形成具有最小的厚度，因此就能夠防止層內透鏡的龜裂和功能膜的脫落。因此，就可以以高質量、低成本地形成具有均勻厚度的層內透鏡。
權利要求
1.一種用于制造半導體器件的工藝，包括步驟在含有光電轉換部分的半導體襯底上形成透明膜，該透明膜具有在該光電轉換部分之上的凹面部分；在該透明膜上形成材料膜，該材料膜由具有比該透明膜的折射系數更高的折射系數的光敏材料形成；以及用光線有選擇地輻照該材料膜的預定部分，然后顯影該材料膜，由此形成具有面對該凹面部分的凸面部分的層內透鏡。
2.根據權利要求1的用于制造半導體器件的工藝，其中材料膜由含有金屬氧化物的紫外光固化樹脂形成。
3.根據權利要求1的用于制造半導體器件的工藝，其中材料膜由含有金屬氧化物的樹脂形成，其中樹脂通過紫外光輻照變為可溶于堿液。
4.根據權利要求2的用于制造半導體器件的工藝，其中金屬氧化物包括氧化鋯和氧化鈦中的至少一種。
5.根據權利要求1的用于制造半導體器件的工藝，其中通過含有氫氧化四甲銨的堿溶液來顯影材料膜。
6.一種半導體器件，包括含有光電轉換部分的半導體襯底；在該半導體襯底上形成的透明膜，該透明膜具有在該光電轉換部分之上的凹面部分；以及在該透明膜上形成的層內透鏡，該層內透鏡具有面對該凹面部分的凸面部分，該層內透鏡由具有比該透明膜的折射系數更高的折射系數的光敏材料形成。
7.根據權利要求6的半導體器件，其中光敏材料是包含金屬氧化物的紫外光固化樹脂。
8.根據權利要求6的半導體器件，其中光敏材料是一種樹脂，其中該樹脂包含金屬氧化物并且通過紫外光輻照變為可溶于堿液。
9.根據權利要求7的半導體器件，其中金屬氧化物包括氧化鋯和氧化鈦中的至少一種。
全文摘要
一種用于制造半導體器件的工藝，包括步驟在含有光電轉換部分的半導體襯底上形成透明膜，該透明膜具有在光電轉換部分之上的凹面部分；在透明膜上形成材料膜，該材料膜由具有比該透明膜的折射系數更高的折射系數的光敏材料形成；以及用光線有選擇地輻照該材料膜的預定部分，然后顯影該材料膜，由此形成具有面對該凹面部分的凸面部分的層內透鏡。
文檔編號H04N5/372GK1518118SQ20041000283
公開日2004年8月4日 申請日期2004年1月17日 優先權日2003年1月17日
發明者仲井淳一, 朗, 青木徹朗 申請人:夏普株式會社