專利名稱：控制如陰極射線管的偏轉電路之類負載上電信號的控制電路和方法
技術領域：
本發明涉及一種用于控制如陰極射線管的偏轉電路之類負載上的電信號的控制電路，控制電路包括用于通斷負載上電信號的第一晶體管，其中負載與第一晶體管的集電極和發射極相連，此外控制電路還包括與第一晶體管的基極和發射極相連、用于驅動第一晶體管的諧振電路，與諧振電路相連、用于驅動諧振電路的電源，與電源和諧振電路相連的脈沖發生電路，以及帶存儲單元的處理單元。
此外，本發明涉及一種按照本發明調整用于控制負載上的電信號的控制電路的方法。
所述控制電路實際上是已知的。在已知的控制電路中，負載是象陰極射線管(CRT)的偏轉線圈一樣的感性負載的偏轉電路。已知控制電路的第一晶體管是適合用來通斷流過CRT偏轉線圈的大電流的雙極型開關晶體管。必須每隔一定時間間隔，也就是說，在CRT屏幕上所繪制的每行結尾處斷開這些大電流。通過給第一晶體管的基極提供零電壓或負電壓，使電流從第一晶體管的基極拉出，從而切斷電流。稍后將說明，這種通斷需要格外關注，為此開發了特殊的開關電路。
如果第一晶體管導通，則電流流過它的集電極和發射極，其中基極電流流入它的基極。如果基極電流比與第一晶體管的增益系數對應的要大，則過多的帶電粒子將聚集在第一晶體管的基極。這稱為“轉向過度”。結果，需要相對長的時間周期來從基區移走所有電荷并因此將集電極電流減小到零。這將導致第一晶體管在開關期間有相當大的熱耗散。
當第一晶體管的基極電流非常小時，則第一晶體管的集電極和發射極上的電壓降可能明顯大于零。這叫做“轉向不足”。在這種情況下，甚至較小電流通過第一晶體管的集電極和發射極，在第一晶體管中也將出現過多的熱耗散。
這樣，由于“轉向過度”和“轉向不足”，第一晶體管都將有相對較大的能量消耗水平。因此，第一晶體管會在短時間內發熱，甚至可能過早被損壞。
在用于控制負載上電信號的已知控制電路中，應用了一種特殊的第一晶體管，它能夠承受集電極和發射極上的大電壓和通過其中的大電流。一個重要的方面是能以合理的生產成本生產這種晶體管。這些晶體管的缺點在于，它們通常具有較低的電流增益，并且增益系數對于不同產品樣本變化很大。這種缺點和控制電路的其它元件的相關控制參數的較寬取值范圍導致幾乎不可能實現對第一晶體管的最佳驅動。結果，在控制電路的成批生產的所有生產的控制電路中只有少量控制電路能以最佳方式驅動第一晶體管，使其熱耗散最小。成批生產的其它控制電路表現出縮短的第一晶體管的使用壽命，因此降低了這種控制電路的可靠性。
根據已知的控制電路，給出解決上述缺點的方案，其中采用連續反饋環路來控制第一晶體管。反饋環路以這樣一種方式控制第一晶體管，使其既不工作在“轉向過度”方式，也不工作在“轉向不足”方式。反饋環路包括用于根據第一晶體管的基極上的被測電壓產生數字信號的模數轉換器，根據數字信號產生控制信號的處理單元，根據控制信號產生模擬控制信號的數模轉換器。由此產生的模擬控制信號用來控制電源。隨后，電源可控制諧振電路，諧振電路可驅動第一晶體管。以這種方式，實現了一種連續工作的閉環控制環路(反饋環路)，用于以最佳方式驅動第一晶體管。這意味著，盡管控制電路的相關參數具有分散性，也基本上以最佳方式控制成批生產的控制電路中的每個控制電路。
已知控制電路的一個缺點是控制電路包括在使用中連續調整電源的反饋環路。結果，負載接收到不斷波動的電信號。特別是在負載是CRT的偏轉電路的情況下，這導致CRT的圖像不穩定。連續工作的反饋環路在CRT屏幕上是可見的。已知控制電路的另一個缺點是該控制電路比較昂貴。其中一個原因是控制電路的反饋環路中的模數轉換器比較昂貴。
本發明的一個目的是提供一種控制電路，它解決所述缺點中的至少一個。這由按照本發明的控制電路來實現，其特征在于，存儲單元被設置成裝有與負載的預定狀態和電源和/或脈沖發生電路的相應預定最佳控制調整有關的控制信息，其中處理單元被安排用來根據裝入存儲單元中的控制信息，針對負載的實際狀態通過電源和/或通過脈沖發生電路控制第一晶體管，從而最佳地控制電信號。這里，可利用即刻出現的同步信號來確定負載的實際狀態。
利用按照本發明的控制電路，處理單元根據負載的實際狀態來控制電源和/或脈沖發生電路。不需要閉環控制環路或反饋環路。負載的實際狀態可以由例如一組狀態參數來定義。在負載是CRT的偏轉電路的情況下，這組狀態參數可包括指示預期的行開關頻率的參數和指示CRT圖像尺寸的參數。在操作中，處理單元能建立指示負載實際狀態的狀態參數，此后，處理單元能根據裝入存儲單元中的控制信息，針對狀態參數所定義的實際狀態來控制電源和/或脈沖發生電路。
存儲單元可能已經裝有在工廠里由工廠測量和控制設備所測量出的所述控制信息。這樣，控制電路能針對預定的負載狀態安排控制信息。控制信息取決于控制電路的相關特性，例如第一晶體管的增益系數和控制電路的其它元件的傳輸特性。利用所測量的控制信息，就能以最佳方式控制第一晶體管，而無需詳細確立控制電路的所有這些特性。而且，按照本發明，實現了一種能夠穩定可靠地控制負載上的電信號的控制電路。這是處理單元根據與負載的預定狀態相關的控制信息來控制電源和/或脈沖發生電路而不經由閉環控制環路或反饋環路的結果。當選定一種負載狀態時，進行穩定控制，并且被控制的電信號中的擾動是最小的。
按照本發明的控制電路特別適合用于控制CRT的偏轉電路，其中能以一種非常穩定的方式產生圖像，并且在CRT產生的圖像上看不到電源控制的影響。此外，按照本發明的控制電路能以相對便宜的方法制造，因為所述控制電路不必配備模數轉換器。
按照本發明的控制電路的一個實施例的特征在于，脈沖發生電路被設置成產生用于經由諧振電路使第一晶體管通斷的脈沖信號。脈沖信號的沿或邊緣確定第一晶體管的開關時間點。在這個實施例中，電源和諧振電路由用于產生饋送到第一晶體管的開關信號的脈沖信號來控制。這樣，在這個實施例中，第一晶體管由脈沖發生電路在脈沖信號的沿所確定的時間點間接控制通斷。
在按照本發明的控制電路的一個實施例中，處理單元與電源相連以用來控制電源。處理單元可經由電源和諧振電路來控制第一晶體管。
在按照本發明的控制電路的一個實施例中，處理單元與脈沖發生電路相連以用來控制脈沖發生電路，其中脈沖發生電路被用來進行脈沖信號的脈寬調制。以這種方式，處理單元可經由脈沖發生電路通過脈沖信號的沿來控制開關時間點以及通過脈沖信號的脈寬來控制電源的幅度。
按照本發明的控制電路的另一個實施例的特征在于，脈沖發生電路包括第二晶體管，與第二晶體管的基極和發射極相連的脈沖發生器，以及變壓器，其中變壓器的第一線圈與電源和第二晶體管的集電極相連，變壓器的第二線圈與諧振電路相連。這里，一種可能的諧振電路是LCR電路。
一種按照本發明的方法，用于按照本發明調整用來控制負載上電信號的控制電路，其特征在于該方法至少包括以下步驟將第一晶體管的基極和發射極與工廠測量和控制設備相連；
將處理單元與工廠測量和控制設備相連；將負載調整到負載的實際狀態，其中負載的實際狀態是負載的幾種預定狀態中的一種；針對負載的實際狀態，通過工廠測量和控制設備調整控制電路的電源，使其處于電源的多個相繼控制調整中，其中工廠測量和控制設備調整處理單元，處理單元控制電源，使其處于電源的多個控制調整中；對于針對負載的實際狀態的電源的多個控制調整中的每一個，用工廠測量和控制設備測量第一晶體管的基極和發射極的電壓響應特性；根據用工廠測量和控制設備所測量的電壓響應特性，為負載的實際狀態從電源的多個控制調整中選擇最佳控制調整；通過工廠測量和控制設備把與用于負載的實際狀態的最佳控制調整相關的控制信息存儲到控制電路的存儲單元中；在負載的非編程狀態下，處理單元可根據與用作新狀態的非編程狀態接近的兩個預定狀態的內插來確定電源的調整。
在附圖中，為了說明，示出實施本發明的某些方式
圖1示意性地表示按照本發明的控制電路的一部分；圖2示意性地表示當第一晶體管截止時，第一晶體管的基極和發射極之間的可能的電壓響應特性；圖3示意性地表示與工廠測量和控制設備相連的按照本發明的控制電路；圖4示意性地說明工廠測量和控制設備怎樣調整按照本發明的控制電路，以便為負載的預定狀態選擇最佳調整狀態。
圖1中示出用來控制負載6、如陰極射線管(CRT)的偏轉電路上的電信號4的按照本發明的控制電路2的一部分。在這種情況下，電信號是流過晶體管8的集電極10和發射極12的電流I4。控制電路包括用來控制負載6上電流I4的通斷的第一晶體管8。負載6與第一晶體管8的集電極10和發射極12相連。控制電路2還包括與第一晶體管8的基極16和發射極12相連、用來驅動第一晶體管8的諧振電路14。電源18經由脈沖發生電路20(從而間接連接)與諧振電路14相連，用來驅動諧振電路14。在圖1的實例中，脈沖發生電路20還與含有存儲單元26的處理單元24相連。脈沖發生電路20可通過圖1中示意表示的脈沖信號22來開關第一晶體管8。在這個實例中，脈沖信號22由多個連續的方波脈沖組成。脈沖信號22包括與各個相繼的交替時間間隔A和B相對應的交替的各個高電平和低電平。從時間間隔A的高電平向時間間隔B的低電平過渡處，有一個在圖1中用箭頭標出的陡峭下降沿。在這些沿的位置，晶體管12截止，使得電流4下降到大約零安培的值。脈沖發生電路20控制第一晶體管8通斷的確切操作是一個由脈沖發生電路20、諧振電路14和電源18的復雜合作過程。由于這個合作過程本身是公知的，因而本專利申請將不對其進行詳細描述。諧振電路14可以是一個LCR電路，參見例如圖3。
脈沖發生電路20產生脈沖信號22，其中在時間間隔A期間，第一晶體管8處于導通狀態，所以最大電流I4流過第一晶體管8的集電極10和基極12。因此，存在三種可能的不同情況。
在第一種情況中，第一晶體管8處于“轉向不足”。這意味著流向第一晶體管8的基極16的基極電流太小而不能在集電極10和發射極12間產生可忽略的電壓。這種情況下，甚至小的電流I4就能產生相當大的散熱量，使第一晶體管的溫度迅速增加。因此，在“轉向不足”的情況下，在第一晶體管8中有較大的散熱量。
第一晶體管8的第二種可能情況是“轉向過度”，這意味著流向第一晶體管8的基極16的基極電流比由第一晶體管能產生最大電流I4的增益系數對應的基極電流值大。在時間間隔A向時間間隔B過渡時，流向基極16的基極電流將降到零。接下來，在第二種可能情況中，基極16上的電壓可變成零或甚至是負值，其中基極電流可能改變符號，使得基極電流從基極16流出。結果，進入第一晶體管8的基極16的載流子數目迅速減少，并將變為零。減少基極16中的載流子數目將導致電流I4減小，同時由于感性負載6的性能，第一晶體管8的集電極和發射極之間的電壓上升。在通過集電極10和發射極12的相應電流I4上升和下降期間，產生一個功率峰值，它將被耗散在第一晶體管8中。結果在第一晶體管8中出現較大的散熱量。
在第三種情況中，驅動晶體管8，使其處于“轉向不足”和“轉向過度”兩種狀態之間。在第三種情況中，以最佳方式驅動晶體管8。這就稱為第一晶體管8的最佳驅動，其中第一晶體管8中散熱最小。第一晶體管8的這種最佳控制是這樣一種情形，其中第一晶體管8的基極16的電壓具有在基極16上的最大(負的)峰值電壓Vp。
裝有包含控制電路2的最佳控制調整的控制信息的處理單元24的任務是用來以這樣的方式控制所述控制電路2，即第一晶體管8由具有最佳控制調整的最佳驅動來控制。
當脈沖發生電路20通過脈沖信號22使晶體管8截止時，流入第一晶體管的基極16的基極電流將是負電流(這樣電流從晶體管8的基極16流出)，它在短時間內上升到大約零值。這樣從基極16流出的基極電流流入諧振電路14。諧振電路14可包括LCR電路。這產生在圖2中示意表示成t(時間)的函數的電壓響應特性VBE。這個電壓響應特性的幅度取決于第一晶體管8的基極16中的基極電流上升速度和電流I4的大小。如果第一晶體管8沒有“轉向不足”和“轉向過度”，則達到的電壓峰值Vp將是最大的。結果，達到的峰值表明第一晶體管8的最佳控制。
控制電路2包括帶有存儲單元26的處理單元24，其中存儲單元26裝有控制信息。控制信息涉及負載6的預定狀態和控制電路2的相應預定最佳控制調整。處理單元24被用來針對負載6的實際狀態根據控制信息最佳地控制電源18。為此，處理單元24可以直接經由連接28與電源相連，但是處理單元也可以只經由連接30與脈沖發生電路20相連。在后一種情況下，處理單元24可通過脈沖信號22的脈寬調制以間接方式控制電源18。在任一方式中，脈沖發生電路20產生脈沖信號20，該信號的沿確定第一晶體管8的開關時間點。為了這個操作，脈沖發生電路20經由諧振電路14與第一晶體管8相連。
重要的是注意，控制電路2可根據負載6的實際狀態控制負載上的電信號4。如果負載6是CRT的偏轉線圈，那么預定狀態由一組狀態參數來定義。可以定義這樣一組狀態參數，例如在30-120KHz區間中的行開關頻率，不同圖像尺寸等。負載的每個預定狀態要求不同的電信號4和第一晶體管8的基極16的相應不同的基極電流。最佳值是使第一晶體管8耗散的電能盡可能少的那些值。其中第一晶體管8的熱耗散最小的最佳控制調整是在峰值電壓Vp最大的點實現的。
稍后將借助于圖3進行說明，這些最佳控制調整可能已在工廠里通過工廠測量和控制設備建立。建立最佳控制調整后，將其存儲在處理單元24的存儲單元26中。
圖3詳細給出按照本發明的控制電路2的一個實施例，它與包括偏轉電路的負載6以及工廠測量和控制設備34相連。
控制電路2包括用于控制負載6上電信號I4通斷的第一晶體管8。負載6與第一晶體管8的集電極10和發射極12相連。控制電路2還包括含有LCR電路的諧振電路14。LCR電路包括感抗36，諸如線圈、電阻38以及第一晶體管8的阻塞基極-發射極結的電容。
諧振電路14與脈沖發生電路20相連，脈沖發生電路20包括第二晶體管42、與第二晶體管42的基極和發射極相連的脈沖發生器44以及變壓器46。變壓器46的第一線圈48與電源18和第二晶體管42的集電極相連。此外，變壓器46的第二線圈50與諧振電路14相連。最后，脈沖發生電路20包括與地以及同時連接到第一線圈46和電源18的結點相連的耦合電容器52。
在這個實例中，電源18包括與地和壓控電流源56相連、用于產生電源電壓54的基本驅動器54。壓控電流源56與所述結點和數模轉換器58相連。數模轉換器58是處理單元24和電源電壓18的接口。在這個實例中，處理單元24是含有存儲單元26的微處理器。
負載6包括如圖3示意表示的偏轉電路。負載6包括與第一晶體管8的集電極10和負載6的其它元件相連的集電極串聯二極管60。這些其它元件是回掃二極管62、回掃電容器64、與偏轉電源電壓68串聯連接的電源耦合線圈66以及與偏轉線圈72的并聯連接和隔直電容74串聯連接的線性校正器70。圖3中的負載6的偏轉電路本身是已知的，這里不作詳細描述。這里要注意的重要事情是，偏轉電路可處于隨狀態參數而定的不同狀態，這些參數包括諸如用于行偏轉的不同開關頻率以及CRT的屏幕上顯示的不同圖像格式。
在圖3的示例中，控制電路2經由連接76和78與工廠測量和控制設備34相連。工廠測量和控制設備34包括峰值整流二極管80，它與用于設置峰值電壓整流器的時間常數的放電電阻82和用于對經連接76在第一晶體管8的基極16測得的峰值電壓Vpeak整流的儲能電容器84的并聯連接相串聯。峰值整流二極管80、放電電阻82和儲能電容器84與模數轉換器86相連。模數轉換器86與測量和控制設備34的測量和控制處理單元88相連。測量和控制處理單元88經由連接78與控制電路2的處理單元24相連。
在下文中，詳細說明通過工廠測量和控制設備34調整控制電路2的方法。
在工廠里，控制電路2可通過連接76、78與工廠測量和控制設備34相連。那么就開始測量和調整循環，其中工廠測量和控制設備34還通過控制連接90與負載6相連。然后，負載6被調整到其預定狀態之一。在這個預定狀態，測量和控制處理單元88通過連接78控制處理單元24，使得處理單元24在第一控制調整中控制電源18。同時，脈沖發生電路20驅動用于驅動第一開關晶體管8的諧振電路14，這里脈沖信號的沿確定開關時間點。然后，工廠測量和控制設備34經過連接76測量基極16和發射極12之間的實際電壓。圖2給出基極16和發射極12之間的所測電壓VBE的一個例子。函數VBE是電壓響應特性。如圖2所示，在時間間隔A，第一晶體管的基極和發射極之間的電壓基本上是恒定值。然后，在從時間間隔A向時間間隔B過渡時，電壓VBE下降一個峰值電壓Vpeak，這里電壓VBE可能變為負的，隨后上升為零或負值。這個值Vpeak是用于確定控制電路2的最佳控制調整的重要參數，特別是用于最佳驅動或調整第一晶體管8的重要參數。在負載6的預定狀態下，工廠測量和控制設備34將為電源18的不同控制調整測量峰值電壓Vp。然后，通過選擇其中Vp最大的特定電壓響應特性VBE來確定用于預定狀態的最佳控制調整。圖4示意性地說明了這一過程。沿著圖4坐標系的縱軸測量Vpeak值，沿水平軸測量壓控電流源56產生的電流Ip92。在由工廠測量和控制設備34完成的第一調整中，壓控電流源56把電流Ip驅動到脈沖發生電路20。然后，作為響應，測量峰值電壓Vpeak＝Vpl并由工廠測量和控制設備34存儲。然后，在第二調整中，電流Ip92由相應的峰值電壓Vp2產生。這一過程一直持續到為最佳控制調整I3找到最大可能的峰值電壓Vp3。這個最佳控制調整由工廠測量和控制設備34經由連接78存入處理單元24的存儲單元26。存儲單元26最好是用來存儲信息的EEPROM單元。
接下來，對于負載6的其它預定狀態，工廠測量和控制設備34執行前述段落所描述的過程。這樣，對負載的每個預定狀態，找到最佳控制調整，可存儲在處理單元24的存儲單元26中。
在工廠測量和控制設備34針對負載6的預定狀態建立最佳控制調整后，斷開連接76、78、90，然后控制單元和負載6可以交付使用。控制電路2和負載6的組合能夠以最佳方式工作，其中對于負載6的每個預定狀態，控制電路都能夠以最佳方式驅動第一晶體管8。這由不包括反饋環路的控制序列來完成。這種情況下，控制序列包括處理單元24、數模轉換器58、電源18、脈沖發生電路20以及與第一晶體管8相連的諧振電路14。因為控制序列中沒有反饋環路，所以可以實現第一晶體管8的穩定可靠的最佳控制。結果，第一晶體管8表現出最小的熱耗散，使得控制電路2加負載6的結合能夠表現最佳。
本發明是按照幾個實施例來描述的。然而，本發明決不僅限于這些實施例。所述實施例的修改和變形也被認為落入本發明的范圍內。此外，按照本發明的控制電路的寬應用范圍也是可能的。例如，相應的控制電路可以被用在開關式電源、燈驅動電路和電動機控制電路中。
權利要求
1.用于控制如陰極射線管的偏轉電路之類的負載(6)上的電信號(4)的控制電路(2)，包括用于控制所述負載(6)上的所述電信號(4)通斷的第一晶體管(8)，其中所述負載(6)與所述第一晶體管(8)的集電極(10)和發射極(12)相連，其中所述控制電路(2)還包括與所述第一晶體管(8)的基極(16)和所述發射極(12)相連、用于驅動所述第一晶體管(8)的諧振電路(14)，與所述諧振電路(14)相連、用于驅動所述諧振電路(14)的電源(18)，與所述電源(18)和所述諧振電路(14)相連的脈沖發生電路(20)，以及帶有存儲單元(26)的處理單元(24)，其特征在于，所述存儲單元(26)被設置成裝有與所述負載(6)的預定狀態和所述電源(18)和/或所述脈沖發生電路(20)的相應預定最佳控制調整有關的控制信息，其中所述處理單元(24)被設置用來通過針對所述負載(6)的實際狀態，根據裝入所述存儲單元(26)中的控制信息經由所述電源(18)和/或經由所述脈沖發生電路(20)控制所述第一晶體管(8)，從而最佳地控制所述電信號(4)。
2.如權利要求1所述的用于控制負載(6)上的電信號(4)的控制電路(2)，其特征在于，所述脈沖發生電路(20)被設置用來產生脈沖信號(22)，以便經由所述諧振電路(14)控制所述第一晶體管(8)通斷。
3.如前面權利要求其中之一所述的用于控制負載(6)上的電信號(4)的控制電路(2)，其特征在于，所述處理單元(24)和所述電源(18)相連以用于控制所述電源(18)。
4.如前面權利要求其中之一所述的用于控制負載(6)上的電信號(4)的控制電路(2)，其特征在于，所述處理單元(24)與所述脈沖發生電路(20)相連，用于控制所述脈沖發生電路(20)，其中所述脈沖發生電路(20)被設置用于所述脈沖信號(22)的脈寬調制。
5.如前面權利要求其中之一所述的用于控制負載(6)上的電信號(4)的控制電路(2)，其特征在于，所述脈沖發生電路(20)包括第二晶體管(42)、與所述第二晶體管(42)的基極和發射極相連的脈沖發生器(44)以及變壓器(46)，其中所述變壓器(46)的第一線圈(48)與所述電源(18)和所述第二晶體管(42)的集電極相連，以及其中所述變壓器(46)的第二線圈(50)與所述諧振電路(14)相連。
6.如前面權利要求其中之一所述的用于控制負載(6)上的電信號(4)的控制電路(2)，其特征在于，所述諧振電路(14)是LCR電路。
7.如前面權利要求其中之一所述的用于控制負載(6)上的電信號(4)的控制電路(2)，其特征在于，所述處理單元(24)是微處理器，以及所述存儲單元(26)是數字EEPROM。
8.如權利要求1至7其中之一所述的用于控制負載(6)上的電信號(4)的控制電路(2)的調整方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步驟把所述第一晶體管(8)的所述基極(16)和所述發射極(12)與工廠測量和控制設備相連；把所述處理單元(24)與工廠測量和控制設備相連；調整所述負載(6)，使其處于所述負載(6)的一個實際狀態，其中所述負載(6)的所述實際狀態是所述負載(6)的預定狀態之一；針對所述負載(6)的所述實際狀態，通過所述工廠測量和控制設備調整所述控制電路(2)的所述電源(18)，使其處于所述電源(18)的多個相繼控制調整中，其中所述工廠測量和控制設備調整所述處理單元(24)，以及其中所述處理單元(24)控制所述電源(18)，使其處于所述電源(18)的多個控制調整中；對于針對所述負載(6)的所述實際狀態的所述電源(18)的多個控制調整中的每一個，通過所述工廠測量和控制設備測量所述第一晶體管(8)的所述基極(16)和所述發射極(12)的電壓響應特性；根據通過所述工廠測量和控制設備測量的電壓響應特性，為所述負載(6)的所述實際狀態從所述電源(18)的多個控制調整中選擇最佳控制調整；通過所述工廠測量和控制設備把與用于所述負載(6)的所述實際狀態的最佳控制調整相關的控制信息存儲到所述控制電路(2)的所述存儲單元(26)中。
全文摘要
本發明涉及一種用于控制負載(6)、如陰極射線管的偏轉電路上的電信號(4)的控制電路(2)，包括用于按照負載(6)上電信號(4)通斷的第一晶體管(8)，其中負載(6)與第一晶體管(8)的集電極(10)和發射極(12)相連，其中控制電路(2)還包括與第一晶體管(8)的基極(16)和發射極(12)相連、用于驅動第一晶體管(8)的諧振電路(14)，與諧振電路(14)相連、用于驅動諧振電路(14)的電源(18)，與電源(18)和諧振電路(14)相連的脈沖發生電路(20)，以及帶有存儲單元(26)的處理單元(24)。此外，本發明涉及一種用于按照本發明調整控制電路的方法。
文檔編號H04N3/16GK1663234SQ03813894
公開日2005年8月31日 申請日期2003年5月27日 優先權日2002年6月18日
發明者J·L·M·維希斯, H·W·格魯特胡爾澤, V·科瓦塞維 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司