專利名稱：利用雙結式場效應管將衛星降頻器變為自我振蕩式降頻器的方法
技術領域：
本發明涉及一種用雙結式場效應管將衛星降頻器改變為自我振蕩式降頻器的方法。
常見的衛星降頻器的部份電路如
圖1所示，是于接收器10與輸出埠(圖中未示)之間設置一低雜訊放大器11及一中頻放大器12，在該兩放大器11、12間串聯一混合器(Mixer)13，該混合器13連接一金屬-半導體場效應管(MESFET)，以形成頻率降頻，而接收到的衛星訊號經過低雜訊放大器11、混合器13、金屬-半導體場效應管及中頻放大器12的處理可輸出到訊號應用裝備上，以達到傳訊的效果。但是，上述降頻器具有以下缺點1、同時設置混合器及本機振蕩器時，其電路較復雜，元件數較多，除會增加成本外，也會增大電路板的面積，于使用上較為不便；2、將混合器與本機振蕩器分開制造及設置時，其產品的良率將受到重大的影響，將會增加不良品的數量而有增高成本之慮，且易造成元件廢棄的浪費情形。
本發明之方法，是將原電路中低雜訊放大器與中頻放大器之間的混合器及金屬-半導體場效應管取消，代之以雙結式場效應管(BipolarJunction Transistor)，作為本機振蕩器及自我振蕩式降頻器，以取代常見的混合器及本機振蕩器，從而可簡化電路及減少元件數量，縮小電路板面積。
圖2為本發明形成的自我振蕩式衛星降頻器的電路圖。
權利要求
1.一種利用雙結式場效應管將衛星降頻器變為自我振蕩式降頻器的方法，其是在衛星降頻器電路上的低雜訊放大器與中頻放大器之間連接設置一雙結式場效應管，作為本機振蕩器及混合器使用。
全文摘要
本發明公開了一種利用雙結式場效應管將衛星降低器變為自我振蕩式降頻器的方法，該方法是在衛星降頻器電路上的低雜訊放大器與中頻放大器之間連接設置一雙結式場效應管，以取代原電路中的混合器及金屬－半導體場效應管，可達到原相同的效果，從而減少元件數量，簡化電路，縮小電路板面積，降低成本，提高成品率。
文檔編號H04B1/16GK1400744SQ0112377
公開日2003年3月5日 申請日期2001年7月31日 優先權日2001年7月31日
發明者陳茂仁 申請人:百一電子股份有限公司