專利名稱：電聲換能器及其制造方法和使用該器件的電聲換能裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及電聲換能器及其制造方法和使用該電聲換能器的電聲換能裝置。
已經提出一種半導體器件，其中的電容器能起電聲換能器的作用，例如在半導體芯片上集成微音器(例如見WO84/03410)。
如圖21(e)所示，這種電容器包括作為電容器的一個電極的振動膜82；一個氮化硅膜制成的支持部分83；作為電容器另一個電極的多晶硅膜85和在多晶硅膜85上面形成的絕緣膜87，其中，振動膜82在有空腔81a的半導體襯底81上形成，支持部分83保證了在與半導體襯底81的空腔81a對應的區域處形成空腔84a，多晶硅膜85從支持部分83的上面伸展到空腔84a的一部分之上，絕緣膜87基本上覆蓋空腔84a，只在空腔84a上方留有小孔87a。
這電容器用下面的工藝制成，請參考圖21(a)到圖21(e)。
首先，如圖21(a)所示，在半導體襯底81的頂面上形成作為電容器的一個電極的擴散層，它是振動膜82，然后在擴散層上以所需要的形狀有選擇地形成氮化硅膜制成的支持部分83。
隨后，如圖21(b)所示，在所形成的半導體襯底81中的不存在支持部分83而又露出擴散層的部位上填上PSG膜84，后者有與支持部分83相同的表面高度。
跟著，如圖21(c)所示，在PSG膜84以及支持部分83的上面形成作為電容器的另一個電極的多晶硅膜85。這時多晶硅膜85被加工成把PSG膜84的表面的一部分暴露出來。
隨后，如圖21(d)所示，在所形成的半導體襯底81的頂表面和底表面上形成絕緣膜87。在半導體襯底81的頂表面的絕緣膜87處形成小孔87a，而在半導體襯底81的底表面的絕緣膜87處形成開口87b。
此后，如圖21(e)所示，經小孔87a通過刻蝕PSG膜84而在擴散層與多晶硅膜85之間形成空腔84a，同時刻蝕半導體襯底81的底表面，直到露出擴散層為止，從而形成開口81a。這樣，就形成了振動膜82。
在上述的電容器中，在離所形成的半導體襯底81的表面某一距離處，在里面形成了作為電容器的一個電極的振動膜82。在所形成的半導體襯底81的表面形成了作為電容器的另一個電極的多晶硅膜85。在這樣的結構中，從開口81a輸入的聲波(聲信號)使振動膜82振動，從而改變了均為電容器電極的振動膜82和多晶硅膜85之間的距離，因而改變了電容器的電容量。這樣就產生了等效于聲信號的電信號。
可是，具有上述結構的電容器有難以控制振動膜82厚度的問題，因為作為一個電極的振動膜82是通過刻蝕使半導體襯底81變薄而形成的。
另一方面，提出了能容易地控制振動膜厚度的電容器，它在半導體襯底上有兩個電極，雖然這種電容器不起電聲換能器作用，但是起探測外部壓力的壓力傳感器的作用(見日本公開特許公報No.HEI4(1992)-127479)。
如圖22所示，這種電容器有作為電容器的一個電極的p型擴散層92、支持層94和作為電容器的另一個電極的多晶硅膜96，其中p型擴散層92在n型硅襯底91上形成，在p型擴散層92上隔著一層氧化物層93形成支持層94，而隔著一層氧化物層95在支持層94上形成多晶硅膜96。形成氧化物層95以便完全覆蓋支持層94，并確保在支持層94內有一個空腔94a。在空腔94a上的氧化物層95處形成多個小孔95a。均為電容器電極的p型擴散層92和多晶硅膜96分別連接到不同的布線層97和98。
這種電容器用下面的工藝生產。
首先通過把高濃度雜質注入到n型硅襯底91的表面來形成p型擴散層92。此后，以氧化物膜93完全覆蓋所得的硅襯底91，在此氧化物膜93上形成凸臺形狀的多晶硅支持層94。以氧化物膜95完全覆蓋支持層94。在氧化物膜95處形成多個小孔95a。通過這些小孔95a把支持層94的多晶硅部分刻蝕掉，以便形成空腔94a。
進而，用CVD方法來生長多晶硅膜96，以便覆蓋氧化物膜95并封閉空腔94a。用光刻方法使多晶硅膜96形成圖案，以便在空腔94a上形成電容器的另一電極。這時在封閉的空腔94a內所封閉的壓力就是壓力探測的基準壓力。
隨后，在多晶硅膜96上形成另一氧化物膜99，并在多晶硅膜96和p型擴散層92之上的氧化物膜99內形成開口。形成導電膜，并使其形成圖案，以便制成布線層97和98，它們分別通過開口連接到p型擴散層92和多晶硅膜96。
在這種壓力傳感器中，在空腔94a之上的多晶硅膜96構成彈性另件形式的振動膜。當外壓力使多晶硅膜96變形時，通過把p型擴散層92和多晶硅膜96之間的靜電電容的變化與對應于基準壓力力的靜電電容作比較來檢測或測量壓力。
可是，在這種壓力傳感器中，因為在形成空腔94a之后才形成作為電容器的另一電極的多晶硅膜96，多晶硅膜96向半導體襯底91彎曲，并且不能保證足夠的張力。如果多晶硅膜96的張力非常小，氧化膜95就會與作為電容器的一個電極的p型擴散層92接觸。為此，如果把這種壓力傳感器用作電容器來產生等效于聲信號的電信號，則頻率特性就被限制在某一范圍內。因此不能獲得足夠好的聲特性，并且不能產生等效于聲信號本身的電信號。因此，這種電容器不能應用于例如微音器或類似器件的電聲換能器。
此外，因為空腔94a完全被多晶硅膜96封閉，所以，如果外壓力變得低于空腔94a內的壓力，則空腔94a膨脹，而如果外壓力變得高于空腔94a內的壓力，則空腔94a收縮。因此，聲特性惡化。
鑒于上述情況，本發明的一個目的是提供這樣一種電聲換能器和它的制造工藝，這種電聲換能器有易于控制作為電容器的一個電極的振動膜的厚度，保證振動膜有適當的張力，因而表現出良好的聲特性。
本發明提供一種電聲換能器，它包括下電極、上電極和絕緣層，其中，上電極包括振動部分和用來在振動部分周邊起碼一部分支持振動部分的支持部分，而絕緣層用來把下電極與上電極絕緣開，其中上電極在振動部分和/或支持部分有一個起伏部分、以便在上電極和下電極之間形成空腔。
在另一方面，本發明提供一種生產電聲換能器的工藝過程，它包括下面的步驟(a)在下電極上有選擇地形成絕緣層，使得下電極表面部分地暴露出來；(b)在下電極暴露的表面和下電極暴露的表面周圍的絕緣層區域有選擇地形成反應(sacrificial)膜；(c)在反應(sacrificial)膜上形成上電極，上電極把反應膜的一部分暴露出來，并復蓋反應膜的周邊部分，以便延伸到絕緣層上；和(d)采用經由反應膜暴露的部分用去掉反應膜的方法，在上電極和下電極之間形成空腔。
從下面所作的詳細描述，將更清楚本申請的這些和其它的目的。可是，應該理解到，表示本發明的最佳實施例的詳細描述和特殊例子只是為了說明，因為對于本專業的技術人員來說，根據這種詳細描述，在本發明的精神和范圍內的各種變化和修改將變得顯而易見。
圖1(a)是用來說明根據本發明的電聲換能器的第一實施例的主要部分的示意的平面圖，圖1(b)是沿著圖1(a)中的A-A’線所取的剖面圖，而圖1(c)是沿著圖1(a)中的B-B’線所取的剖面圖；圖2(a)到圖2(e)和圖2(a’)到圖2(b’)是用來說明圖1(a)到圖1(c)所示電聲換能器的生產工藝的主要部分的示意的剖面圖；圖3(a)到圖3(b)是說明反應膜熱處理效應的主要部分的示意的剖面圖4是說明當空氣摩擦阻力變化時的靈敏度-頻率特性的曲線圖；圖5是說明根據本發明的電聲換能器的工作原理的示意圖；圖6是說明根據本發明的電聲換能器的第二實施例的主要部分的示意的剖面圖；圖7是說明根據本發明的電聲換能器的第三實施例的主要部分的示意的剖面圖；圖8是說明根據本發明的電聲換能器的第四實施例的主要部分的示意的剖面圖；圖9是說明根據本發明的電聲換能器的第五實施例的主要部分的示意的剖面圖；圖10是說明根據本發明的電聲換能器的第六實施例的主要部分的示意的剖面圖；圖11是說明根據本發明的電聲換能器的第七實施例的主要部分的示意的剖面圖；圖12(a)和圖12(b)是說明根據本發明的電聲換能器的第八實施例的主要部分的示意的剖面圖；圖13(a)和圖13(b)分別是說明根據本發明的電聲換能器的第九實施例的主要部分的示意的平面圖和示意的剖面圖；圖14(a)至圖14(e)和圖14(a’)至圖14(e’)是說明生產圖13(a)到圖13(b)所示電聲換能器的工藝的主要部分的示意的剖面圖；圖15(a)和圖15(b)分別是說明根據本發明的電聲換能器的第十實施例的主要部分的示意的平面圖和示意的剖面圖；圖16(a)，圖16(b)和圖16(c)是說明生產圖15(a)和圖15(b)所示電聲換能器的工藝的主要部分的示意的平面圖和示意的剖面圖；圖17(a)，圖17(b)和圖17(c)分別是說明根據本發明的電聲換能器的第十一實施例的主要部分的示意的平面圖和示意的剖面圖；圖18(a)到圖18(g)是說明生產根據本發明的電聲換能器的第十二實施例的工藝的主要部分的示意的剖面圖；圖19是說明根據本發明的電聲換能器的第十三實施例的主要部分的示意的剖面圖；圖20(a)和圖20(b)分別是說明根據本發明的電聲換能器的第十四實施例的主要部分的示意的平面圖和示意的剖面圖；圖21(a)到圖21(e)是傳統的電聲換能器的主要部分的示意的剖面圖；和圖22是傳統的壓力傳感器的主要部分的示意的剖面圖。
本發明的電聲換能器有電容器類型的結構，其電容量由空腔(空氣)形成，它主要包括下電極；上電極；和處在下電極和上電極之間的絕緣層。
對下電極材料沒有特別的限制，只要它們是導電的即可。下電極材料的例子包括非晶、單晶或多晶的n型或p型元素半導體(例如硅、鍺等)或化合物半導體(例如GaAs、InP、ZnSe、CsS等)；例如金、鉑、銀、銅、鋁之類的金屬；例如鈦、鉭、鎢之類的難熔金屬；以及難熔金屬的硅化物和polycides，等等。下電極可以用上述的一種材料的單層膜構成或上述的一些材料的多層膜構成。在這些材料中間，最好采用用作半導體器件襯底的材料。更詳細地說，最好采用單晶或多晶的n型或p型半導體襯底，特別是硅襯底。下電極也可以由上述的導電材料的一層膜構成，它與半導體襯底之間插入一層絕緣膜，從而成為所謂多層布線結構，在這種結構中，混合形成例如晶體管和電容器這樣的半導體器件、電路、絕緣膜、布線層等等。下電極也可以以SOI襯底或多層SOI襯底的頂層半導體層的形式形成。在這情況下，下電極的厚度沒有特別的限制。在下電極由半導體襯底構成的情況下，半導體器件、電路、絕緣層、布線層等等可以在下電極以外的半導體襯底其它區域混合形成，可以在半導體襯底表面形成n型或p型擴散層，并且可以在半導體襯底表面上形成溝槽、小島等等。
對上電極材料沒有特別的限制，只要是導電的即可。與上述下電極材料相同的材料也可以用于上電極。特別是，上電極最好用多晶硅膜制成。如果多晶硅膜用作上電極，則多晶硅膜的表面電阻最好調節到這樣的程度，以便如此抑制寄生電阻、使得電聲換能器的輸出靈敏度不減小，例如把所述表面電阻調節到到幾到幾十Ω·cm-2。上電極最好有均勻的厚度，但可以局部地厚些或薄些。上電極的厚度在大約1到2μm范圍比較合適。
上電極包括振動部分和支持部分。
振動部分指的是上電極中正好在空腔(例如見圖1(b)的3c)之上的部分，即，與空腔從下電極一側向上電極投影的圖像面積相對應的上電極部分。振動部分具有借助外部聲音引起振動而改變上和下電極之間的電容的功能。對振動部分的形狀沒有特別的限制，但根據隨后詳細描述的支持部分的位置、數目、尺寸等等來適當地設置振動部分的形狀。例如，振動部分可以是圓形的或多邊形的。從振動部分的中心到它的邊(或圓周)的距離相等(例如在圖1(a)中P=Q=O)比較合適，并且振動部分最好是圓形的、基本上圓形的、等邊多邊形的或基本上等邊多邊形的，所謂基本上等邊多邊形就是對應的等邊的多邊形的角被切掉，其中，等邊六邊形和等邊八邊形更好，而特別好的是等邊六邊形。對振動部分的尺寸沒有特別限制，但可以是例如大約1.0×105到大約40.0×105μm2，更具體地說，大約2.5×105到大約14.4×105μm2。
振動部分最好有一個或多個小孔，例如，其直徑最好是例如大約2到大約10μm。小孔的數目可以根據振動部分的尺寸而變，但如果振動部分具有上述范圍內的尺寸，則小孔的數目可以是大約100或更少，最好是大約60到大約90。
支持部分用來在振動部分周邊的起碼一部分支持振動部分。支持部分占有除上述振動部分以外的上電極的其余部分。在起碼兩個位置上形成支持部分是合適的，最好是在三個位置上形成，這些位置離振動部分中心有相同的距離。最好根據下面的原則來確定支持振動部分的支持部分相對于振動部分總周邊的比率，即，支持部分能有效地保持振動部分的振動，并且能向振動部分提供適當的張力，例如大約是振動部分總周邊的50％或小些。
上電極呈鐘形(is contoured)。換而言之，上電極具有起伏。上電極有起伏指的是，只是上電極的底面(對著下面要詳細描述的下電極的面)、只是上電極的頂面(對著下電極的面的相反的面)或上電極的底面和頂面兩者有階梯狀或逐漸改變離下電極的頂面(對著下電極的面)的距離。
在此，“階梯狀”表達的意思是上電極的底面和/或頂面與下電極的頂面之間的距離突然改變，即，上電極的底面和/或頂面起碼有兩個面，它們離下電極的頂面有不同距離。“逐漸”表達的意思是上電極的底面和/或頂面與下電極的頂面之間的距離緩慢地變化，即，上電極的底面和/或頂面與下電極的頂面之間的距離有變化，但這種距離變化不是基于不同的表面。只在上電極的底面或只在上電極的頂面有起伏的意思是上電極的厚度部分地改變，因而在底面或頂面形成起伏、即形成突出或凹陷部分。在上電極的底面和上電極的頂面都有起伏的意思是上電極的厚度基本上均勻，而通過使上電極彎曲來形成起伏。
通過使其起伏，上電極可以具有僅僅一個凹陷或一個凸起(例如見圖7或9)、多個凹陷和/或多個凸起、在一個凹陷處有一個或多個凹陷和/或凸起、以及在一個凸起處有一個或多個凹陷和/或凸起(例如見圖1(b))。可以只在支持部分的頂面(見圖7)、只在支持部分的底面或只在支持部分的頂和底面；只在振動部分的頂面、只在振動部分的底面或只在振動部分的頂和底面(例如見圖9)；或在支持部分的頂面、在支持部分的底面或在支持部分的頂和底面，以及在振動部分的頂面、在振動部分的底面或在振動部分的頂和底面(例如見圖1(b)、6和8)形成起伏。最好是，只在支持部分的頂面(例如見圖7)、只在振動部分的頂和底面(例如見圖9)，或在支持部分的頂面和在振動部分的頂和底面(例如見圖1(b)、6和8)形成起伏。如果起伏是在振動部分，則最好通過使后面詳細敘述的絕緣層的邊緣附近的振動部分彎曲來形成起伏。在上電極絕緣層的邊緣附近的意思是指這樣的上電極區域這區域位置離處于上電極之下的絕緣層的邊緣的距離為振動部分最大寬度的大約1％。更具體地說，這指的是離絕緣層的邊緣大約10μm距離內的上電極區域。
此外，通過使上電極有起伏，振動部分的端部的底面最好處在高于正好在絕緣膜上方延伸的支持部分的一個區域的頂面的位置(例如見圖6、7和8)，或處在比所述頂面低或處在與支持部分的所述頂面相同高度的位置(例如見圖1(b))。在此，對振動部分端部的底面與正好在絕緣膜上方延伸的支持部分區域的頂面之間的高度差沒有特別的限制，但可以根據上電極的厚度、空腔的高度等作適當的調整。這樣，就有可能在給振動部分提供適當張力和防止上電極與下電極接觸的同時，保證聲音引起的振動均勻地傳輸。特別是，在振動部分的端部的底面高于正好在絕緣膜上方延伸的支持部分區域的頂面的情況下，支持部分還能吸收振動膜的過大的振動，從而防止上電極破裂。在另一方面，在振動部分的端部的底面低于正好在絕緣膜上方延伸的支持部分區域的頂面或處在與其相同的高度的情況下，可以減小空腔的體積，從而能改進輸出靈敏度。
振動部分的中心部分最好有均勻的厚度而沒有起伏。但是，除了絕緣層的邊緣附近的起伏外，在其周邊處，振動部分可以有多個小面(多個區域)，它們離下電極的頂面有不同距離(例如見圖12(b))。在此，振動部分周邊指的是振動部分的這樣的區域，該區域處于離振動部分的外邊緣向振動部分的中心的距離大約為振動部分最大寬度的10％，最好是8％的位置。更具體地說，它指的是這樣的區域，它離開振動部分外邊緣向振動部分中心的距離大約為100μm，最好是大約80μm。離下電極的頂面有不同距離的所述多個小面可以通過形成一個或多個，最好是兩到三個凹陷或凸起來形成。在這情況下，凹陷或凸起之間的間隔例如大約為10μm到20μm是適當的。
通過上電極的起伏而在下電極和上電極之間形成空腔。空腔是一個張開的空間，在空腔的一個部分與空氣接觸。空腔最好基本上只通過上電極的起伏來形成，但除了通過上電極的起伏來形成外，也可以通過在下電極和上電極之間插入隨后要詳細描述的絕緣膜來形成。根據下電極不接觸上電極，同時又能獲得所需要的聲特性來確定空腔的高度。例如，高度可以在1到3μm之間的范圍內。空腔可以有均勻的高度，但也可以局部地低些或高些。空腔的尺寸可以根據加到要制造的電聲換能器上的電壓大小、所需要的聲特性等等而變化。例如，空腔可以有大約1.0×105到40.0×105μm2的面積。
絕緣層有防止下電極和上電極接觸以及保證它們之間絕緣的作用。在某些情況下，絕緣層可以起到構成空腔的一部分的功能。只要是絕緣的，對絕緣層沒有特別的限制。例如，絕緣層可以用例如氮化硅膜、氧化硅膜、這些膜的疊層等制成。絕緣層的厚度可以是例如大約0.5到大約1.2μm。起碼在能防止下電極和上電極接觸的區域形成絕緣層就足夠了，但絕緣層也可以在起下電極作用的區域以外的區域上形成。
本發明的電聲換能器可以有一個壁，它圍繞著上電極的振動部分、上電極的支持部分和/或延伸在上電極的振動部分和支持部分上方的區域。所述壁可以用導電的或絕緣的材料制成，例如硅、鍺等的半導體素，例如Au,Ni,Ag,Cu等的金屬，例如鈦、鉭、鎢等的難熔金屬，這些金屬的合金等，在這些金屬中，最好用能以電鍍方法容易地成形的例如Au,Ni,Ag等金屬。
可以把壁做成例如繞著整個上電極的閉合曲線、做成例如繞著上電極的多個矩形、做成雙重、三重…閉合曲線或開放的壁。最好把壁做成閉合曲線。對壁的形狀沒有特別的限制。雖然壁可以有基本上平行于下電極表面的平的頂面，但是，最好把壁做成向著振動部分的中心其高度變小。在此，向著振動部分的中心其高度變小的意思是，單壁或多個壁中的每個壁可向著中心階梯狀地或向著中心傾斜地減小其高度，這意思也是，多個壁可向著中心階梯狀地或向著中心傾斜地減小它們的高度。在形成多個壁的情況下，所有的壁不需要有相同的高度、寬度等。把壁的高度和寬度分別調整到大約5到30μm的范圍和大約20到100μm的范圍為合適。通過調整壁的高度、間隔、寬度等，就可以優化聲音收集效率、方向性和/或類似的參數。
此外，在本發明的電聲換能器中，下電極和上電極最好分別連接到各自的用于加電壓的端子。端子可以用通常用作電極端子的任何導電材料做成，但最好用不能氧化的抗腐蝕的金屬，例如金、鉑等金屬制成。如果上電極和/或下電極用半導體材料制成，則在與端子接觸的區域最好形成高摻雜層，以便減小與端子的接觸電阻。在這情況下，雜質濃度可以在大約1.0×1019到大約1.0×1020離子/cm3數量級。
本發明的電聲換能器可用于微音器、喇叭等。特別是，通過把該換能器與半導體器件集成在一起能夠減小其尺寸和改善這種裝置的性能。更具體地說，電聲換能器可用于便攜電話、計算機的聲音輸入/輸出裝置、在半導體信息裝置中的小尺寸的記錄/重放裝置等等。
也可以通過把許多上述的電聲換能器組合起來或任選地把電聲換能器與其它需要的器件組合起來實現本發明的電聲換能裝置。
為了制造本發明的電聲換能器，首先在步驟(a)，在下電極上有選擇地形成絕緣膜，使得下電極部分地暴露出來。可以用已知的方法來形成下電極。例如，在下電極由半導體襯底形成的情況下，可以通過用所需要的雜質摻雜半導體襯底并使其具有某一電阻率來形成下電極。或在用導電的單層或多層膜形成下電極的情況下，可以通過以噴鍍、汽相淀積、化學汽相淀積(CVD)法等在適當的襯底上形成導電材料膜、并把所形成的膜做成所需要的形狀的圖案來形成下電極。
可以用已知的方法，例如用在下電極的整個表面上形成一層絕緣材料的膜、并用光刻(影印)和刻蝕方法把這膜變成所需要的形狀的圖案的方法，來有選擇地形成絕緣層。這里，可以用只在下電極的一部分的上面有開孔的掩模圖案，或用只覆蓋下電極的一部分的掩模圖案來使絕緣層形成圖案。對絕緣層的厚度沒有特別的限制，可以是大約0.5到1.2μm。
在步驟(b)，在下電極的暴露部分和在圍繞著下電極暴露部分的絕緣層的區域有選擇地形成反應膜。可用與步驟(a)中所述的形成絕緣層的基本上相同的方法來有選擇地形成反應膜。這里，需要形成從下電極正上方延伸到與絕緣層重疊的反應膜。在此，重疊的范圍或重疊部分的寬度可以根據要制造的電聲換能器的尺寸、特性等等來調整到合適的值，可以是例如大約5到大約50μm，在大約10到大約30μm更好。反應膜最好用這樣的材料制成，在某刻蝕條件下用某種刻蝕方法刻蝕時，它比下電極、上電極、絕緣膜等具有更大的刻蝕率。這種材料的例子包括摻磷二氧化硅玻璃(PSG)，旋涂玻璃(SOG)，摻硼磷硅玻璃(BPSG),SiO2等。對反應膜的厚度沒有特別的限制，但例如可以是大約1到3μm。
如果使用磷摻雜的氧化硅膜作為反應膜，最好在整個下電極表面上形成反應膜之后，在能使膜表面平滑的溫度下對反應膜作熱處理。在此，可根據反應膜的類型、厚度等，適當地設定熱處理，可以在大約900到大約1000℃溫度下進行熱處理10到100分鐘。
如果使用SOG作為反應膜，則不需要分開進行熱處理。此外，因為SOG有相當大的刻蝕率，所以可以減少刻蝕時間。因此，可以簡化生產工藝。
如果如上所述的那樣，在上電極的振動部分的外周邊形成多個到下電極有不同距離的小面，則最好是在反應膜的適當地方形成具有預定的線寬度的抗蝕劑圖案，然后用這抗蝕劑圖案作為掩模，把反應膜刻蝕到預定的深度，以便在其上形成起伏或凸起和凹陷。從而，在后面的一個步驟中，在其表面有起伏或凸起和凹陷的反應膜上形成上電極，結果，上電極依照反應膜上的起伏或凸起和凹陷而本身出現起伏或凸起和凹陷。對在反應膜上的起伏或凸起和凹陷的高度沒有特別的限制，但可以這樣來考慮，即，能在后面的一個步驟中為上電極的振動部分提供足夠的張力，這高度例如是大約0.3到1.0μm。此外，在反應膜上的起伏或凸起和凹陷的形成包括了對一次形成的反應膜的刻蝕，這刻蝕減小了反應膜的厚度。因此，考慮到用刻蝕方法減小厚度，有必要首先形成較厚的反應膜。
在步驟(c)，在反應膜上形成上電極。上電極把反應膜的一部分暴露出來，覆蓋反應膜的周邊部分，并延伸到絕緣層上。如上所述，上電極做成這樣的形狀，使得振動部分起碼在一個地方，通常在兩個或更多地方被支持部分所支持。因此，在此，上電極做成這樣的形狀，以便把反應膜局部地暴露出來，并延伸到絕緣層，局部地覆蓋反應膜的周邊。即，上電極從振動部分的形成支持部分的區域突出/伸展，覆蓋形成振動部分的反應膜區域，并進一步在形成振動部分的區域的外周邊處暴露出反應膜。可以用類似于形成單層或多層導電材料膜的下電極的方法來形成上電極。
在形成上電極之后或同時，最好在限定振動部分的區域形成夠到反應膜的一些小孔，以便在下一個步驟易于去掉反應膜。通過在整個表面形成上電極材料膜、并利用具有對應于上電極的圖案以及對應于小孔的開口的掩模來使所述上電極材料膜形成所需圖案的方法，在形成上電極的同時形成小孔。另一種方法是，在形成上電極圖案之后，利用只在要形成小孔的位置有開口的掩模，通過刻蝕上電極來形成小孔。
在步驟(d)，通過反應膜暴露的地方把反應膜去掉。最好把反應膜基本上完全去掉。可以用各種方法去掉反應膜，例如干法刻蝕、濕法刻蝕等。但是，最好是使用有選擇地只刻蝕反應膜的刻蝕劑的濕法刻蝕來去掉反應膜。更具體地說，可以一提的方法是，把反應膜浸沒在含有HF、磷酸、硫酸、硝酸等中一種或多種酸的刻蝕劑中，最好是浸沒在含HF的刻蝕劑中大約1到10分鐘。在上電極上形成小孔的情況下，能用較短時間去掉反應膜，因為反應膜能大面積地接觸刻蝕劑。這樣，就在下和上電極之間形成空腔。
現在來參考附圖詳細地描述本發明的電聲換能器和生產這種器件的工藝。
第一實施例如圖1(a)到1(c)所示，本實施例的電聲換能器包括硅襯底1構成的下電極；包括振動部分3c和支持部分3b的多晶硅膜3構成的上電極；在下電極和上電極之間形成的空腔4a；以及設置在下電極和上電極之間的SiN膜2的絕緣層，其中支持部分3b從在振動部分3c周邊上的四個地方延伸。除了正好在上電極的振動部分3c下面的開口和用于把端子連接到下電極的區域外，在圖1(a)中以長短交替的虛線表示的絕緣層幾乎復蓋了整個硅襯底1的表面。
上電極的振動部分3c基本上呈等邊八邊形，從它的中心到支持部分3b的距離O,P和Q相等。每個支持部分3b從絕緣層正上方朝著空腔4a的中心的正上方有起伏X和Y。上電極在四個地方有這種起伏。在振動部分3c上有多個小孔3a。此外，振動部分3c的端部的底面與延伸到絕緣層的支持部分3b的上表面處在相同的高度。
在這電聲換能器的周邊處形成Au/TiW膜5的端子，后者連接到下電極(硅襯底1)。在支持部分3b上形成另一個Au/TiW膜5的端子，后者連接到上電極。
這種電聲換能器用下面的生產工藝來生產。
首先如圖2(a)和2(a’)所示，利用氣體NH3+SiH2Cl2在大約750到850℃的淀積溫度下，在作為電聲換能器一個電極的n型硅襯底1(有大約625μm厚和3到6Ω/□的電阻率)的整個表面上用LP-CVD法形成大約1.2μm厚的SiN膜2。隨后，用光刻法使SiN膜2形成所需要的形狀的圖案(在圖1(a)上用長短交替的虛線表示)，這圖案有基本上是等邊的八邊形的開口和用于連接到下電極的開口。
隨后，如圖2(b)和2(b’)所示，利用絕緣層作為掩模，以大約1到8×1015離子/cm2的劑量進行砷或磷離子注入，以便在n型硅襯底1的表面上形成n型擴散層1a。應當指出，起碼在用于連接到下電極的開口正下方形成n型擴散層1a就足夠了。隨后，利用氣體SiH4+PH3在大約350到450℃的淀積溫度下，在所形成的硅襯底1的整個表面上淀積大約1到3μm厚的PSG膜4作為反應膜。PSG膜4的厚度能決定在下電極和上電極之間形成的空腔的高度。此后，為了減小PSG膜4的高度差，在大約900到大約1000℃的溫度范圍內進行熱處理大約幾十分鐘。
在此，對PSG膜4的熱處理減小了在絕緣膜與硅襯底1之間的PSG膜4上的高度差M，如圖3(b)所示。但是，如果不進行熱處理，則在下一步要在PSG膜4上形成的多晶硅膜3將涉及代表絕緣膜與硅襯底1之間的PSG膜4的高度差的L部分，如圖3(a)所示。當刻蝕PSG膜4而形成空腔時，在L部分有高度差的多晶硅膜3就接觸硅襯底1，并在上電極與下電極之間造成短路。
跟著，用光刻方法使PSG膜4形成圖案，以便保留在下一步形成空腔的地方。用把PSG膜4浸沒在HF刻蝕劑大約四分鐘的方法來形成圖案。這樣形成PSG膜4的圖案，使得PSG膜4與絕緣膜重疊大約10到30μm。這種重疊是用來在上電極形成起伏，從而使振動膜(即上電極)容易振動。如果這時PSG膜4不與絕緣膜重疊，當在下一步刻蝕掉PSG膜4并干燥時，下電極和上電極就會彼此接觸和短路。
隨后，如圖2(c)和(c’)所示，利用氣體SiH4在大約550到大約700℃的淀積溫度下，在所形成的硅襯底1的整個表面上淀積大約1到3μm厚的多晶硅膜3。此外，在大約850到大約950℃的摻雜溫度下，利用氣體POCl3以磷摻雜多晶硅膜3以便提高其導電性。從而，多晶硅膜3的表面電阻變為大約幾Ω·cm-2到幾十Ω·cm-2。隨后，用光刻的方法使多晶硅膜3形成有所需要形狀的圖案，以便形成有支持部分3b和振動部分3c的上電極。振動部分3c的形狀是有例如大約2.5×105到大約14.4×105μm2面積的一個等邊八邊形。支持部分3b的形狀是矩形，其長邊與振動部分3c的一個邊一致。支持部分3b處在振動部分3c的邊上，每隔一邊有一個支持部分延伸的地方。此外，在PSG膜4上的多晶硅膜3上形成六十到八十個直徑大約6到10μm的小孔3a。這些小孔用來使下一步的PSG膜4刻蝕更快。還有，通過形成小孔3a，就有可能使上電極與下電極之間的空氣摩擦阻力優化，從而，使聲特性變平，并改進高音調聲音(高頻)區域的靈敏度，如圖4所示。
此外，如圖2(d)和2(d’)所示，用Au/TiW膜5(大約2到大約4μm/大約0.2到大約0.3μm厚)形成端子，以便從下電極和上電極取出信號。在此，Au膜用來在下一步用HF刻蝕劑刻蝕PSG膜4時，防止端子被刻蝕掉，而在形成Au膜之前形成TiW膜，用以防止Au膜擴散到下電極和上電極。
隨后，如圖2(e)和2(e’)所示，把所形成的硅襯底1浸沒在5到10％HF刻蝕劑中幾小時，并用IPA(異丙醇)置換進行干燥，從而用刻蝕法去掉PSG膜4來形成空腔4a。
現在參考圖5來解釋上述的電聲換能器的工作原理。
把電壓ED(即大約3到大約6V的DC)加到上電極3和下電極1。當從外面加上對應于聲音的振動F時，作為振動膜的上電極3被振動，從上電極3到下電極1的距離改變(如圖5中的α、β等所示)。從而，電極1和3之間的靜電電容量被改變，電荷量跟著改變。進而隨電荷量改變而發生電流。這電流通過電阻R(例如大約1到3kΩ)，從而輸出對應于聲音的電壓E。
第二實施例如圖6所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是在形成上電極的多晶硅膜13中，振動部分13c(上電極的在空腔14a正上方的部分)的底面在支持部分13b的頂面的上方，而所述支持部分13b在絕緣層SiN膜2正上方延伸。
第三實施例如圖7所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是絕緣層SiN膜22復蓋作為下電極的硅襯底1的整個表面，結果上電極只在支持部分23b處有起伏。
在該電聲換能器中，因為絕緣層復蓋下電極的整個表面，即使當電聲換能器用作電聲換能器，突然大的聲音造成振動時，電聲換能器也能防止上電極與下電極之間的短路。因此，有可能避免損壞電聲換能器本身。
第四實施例如圖8所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是在硅襯底31的不存在絕緣層SiN膜22的表面處形成凹入的部分，因此振動部分33c的表面按照凹入的部分的深度下沉。
該電聲換能器可以用除了下面的區別外的與第一實施例的相同的生產工藝來生產，即，在圖2(a)和2(a’)中，當用光刻法使SiN膜2形成圖案時用刻蝕把硅襯底1去掉大約0.5到大約2.0μm，然后在圖2(b)和2(b’)中，在凹入的部分的底部注入離子，并在包括凹入的部分的硅襯底1的整個表面上形成PSG膜4。
第五實施例如圖9所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是絕緣層SiN膜42與上電極的支持部分43b接觸，在支持部分43b中沒有形成起伏，而振動部分43c有一個起伏，此起伏在接近絕緣層的邊緣的振動部分43c的頂面和底面上通過彎曲而形成。
第六實施例如圖10所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是多晶硅膜53的上電極有一個呈基本上等邊的六邊形的振動部分53c，在振動部分53c的周邊上的三個地方延伸出三個支持部分53b。
從振動部分53c的中心到支持部分53b的距離R,S和T相同。
三個支持部分53b對振動部分53c的支持以較強的張力保持著振動部分53c，因而增強了對由聲音產生的振動的靈敏度。
第七實施例如圖11所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是幾乎只在支持部分63b的正下方設置絕緣層62。
通過只在支持部分63b的正下方設置絕緣層62，就有可能在電聲換能器的生產工藝中，以絕緣層作為掩模，在圖2(b)和2(b’)中，用離子注入的方法，連續地從振動部分的下面到用于連接到下電極的端子的下面形成n型擴散層。因而，能減小下電極的電阻率。
第八實施例如圖12(b)所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是由多晶硅膜制成的上電極的振動部分73c在其周邊處有多個凸起和凹陷。
除了下面的區別之外，這電聲換能器能夠用與第一實施例中的相同的生產工藝來生產，即，在圖2(b)和2(b’)中，在淀積PSG膜74(到大約2.0μm厚)和形成所需要的圖案后，在PSG膜74的周邊形成如圖12(a)所示的有線寬G(大約10到20μm)的光刻掩模77，利用光刻掩模77、通過把PSG膜74浸泡在HF刻蝕劑中大約兩分鐘，刻蝕PSG膜74大約0.3到1.0μm，以便在PSG膜74的周邊表面形成多個凸起和凹陷。
第九實施例如圖13(a)和13(b)所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是多晶硅膜3制成的上電極的振動部分3c全都被帶形壁6a所包圍。
壁6a由18μm高和40μm寬的鍍金膜制成。
該電聲換能器用下面的生產工藝生產在第一實施例中的圖2(c)和2(c’)之后，如圖14(a)和14(a’)所示，在所得的硅襯底1的整個表面上形成大約0.05到0.2μm/0.1到0.4μm厚的Au/TiW膜7。
隨后，如圖14(b)和14(b’)所示，在整個Au/TiW膜7表面上形成大約10到30μm的抗蝕膜，并在要形成壁和提取信號的端子的區域形成開口，從而形成抗蝕劑圖案8。
此后，如圖14(c)和14(c’)所示，利用鍍金溶液淀積金鍍膜，然后去掉抗蝕劑圖案8。
隨后，如圖14(d)和14(d’)所示，利用鍍金膜作為掩模刻蝕Au/TiW膜7來形成壁6a和信號輸出端子5a。
此后，如圖14(e)和14(e’)所示，把所得的硅襯底1浸泡在5到10％HF刻蝕劑中幾小時，并用IPA置換來干燥，以便用刻蝕方法去掉PSG膜4而形成空腔4a。
第十實施例如圖15(a)和15(b)所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是這器件在多晶硅膜3制成的上電極的支持部分3b的所有周邊上有如第九實施例所描述的壁6a。
應當指出，圖15(a)和15(b)表示用刻蝕方法去掉PSG膜4a后的電聲換能器，而圖16(a)到16(c)表示用刻蝕方法去掉PSG膜4a前的電聲換能器。
這電聲換能器能夠用與第九實施例相同的生產工藝來生產。
第十一實施例如圖17(a)和17(c)所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是該器件在多晶硅膜3制成的上電極的振動部分3c和支持部分3b上延伸的區域的所有周邊上有壁6b。壁6b用18μm高和60μm寬的鍍金膜制成。
應當指出，圖17(a)和17(c)表示用刻蝕方法去掉PSG膜4a后的電聲換能器，而圖17(b)表示用刻蝕方法去掉PSG膜4a前的電聲換能器。
第十二實施例如圖18(g)所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖1的電聲換能器基本上相同，這區別是在多晶硅膜3制成的上電極的支持部分的周邊形成金隆起塊(bumps)的三個壁6c,6d和6e。在這些壁6c,6d和6e中，較接近振動部分的中心的壁比其它壁有較小的高度。壁6c,6d和6e分別是18μm高和30μm寬，12μm高和30μm寬和6μm高和30μm寬。它們之間的間隔是20μm。
最高的壁6c能改善方向性，其它壁6d和6e能改善聲音收集效果。
該電聲換能器可以用下面的生產工藝生產在直到第九實施例中的圖14(a)和14(a’)之后，把25μm厚的抗蝕劑涂敷到Au/TiW膜7的整個表面上，并在要形成壁6e和形成輸出信號的端子的區域處形成開口，從而形成抗蝕劑圖案9a，如圖18(a)和18(a’)所示。
此后，如圖18(b)和18(b’)所示，利用鍍金溶液淀積金鍍膜6e’，然后去掉抗蝕劑圖案9a。
隨后，如圖18(c)和18(c’)所示，如上所述地涂敷抗蝕劑，并在要形成壁6d的區域處形成開口，從而形成抗蝕劑圖案9b。
此后，如圖18(d)和18(d’)所示，利用鍍金溶液淀積金鍍膜6d’，然后去掉抗蝕劑圖案9b。
隨后，如圖18(e)和18(e’)所示，如上所述地涂敷抗蝕劑，并在要形成壁6c的區域處形成開口，從而形成抗蝕劑圖案9c。
此后，如圖18(f)和18(f’)所示，利用鍍金溶液淀積金鍍膜6c’，然后去掉抗蝕圖案9c。
隨后，如圖18(g)和18(g’)所示，利用金鍍膜6c’,6d’和6e’作為掩模刻蝕Au/TiW膜7來形成壁6c,6d和6e和信號輸出端子5a(未示出)。
此后，用與第一實施例同樣的方式通過刻蝕PSG膜4來形成空腔4a。
第十三實施例如圖19所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖18(g)的電聲換能器基本上相同，這區別是在多晶硅膜3制成的上電極的支持部分3b的所有周邊上形成壁6f，此壁的頂部有階梯。壁6f高18μm,12μm和6μm而寬90μm。
該電聲換能器能夠用與第十二實施例相同的生產工藝來生產。
第十四實施例如圖20所示，除了下面的區別之外，這實施例中的電聲換能器與圖13(a)的電聲換能器基本上相同，這區別是多晶硅膜3制成的上電極的振動部分3c幾乎是圓形的，并且在支持部分3b的整個周邊上形成壁6a。
第十五實施例可以利用多個在第一到第十四實施例中制造的電聲換能器產生電信號-聲信號變換裝置。
這種電信號-聲信號變換裝置的例子包括配備有兩個或三個或更多沒有壁的電聲換能器的電信號-聲信號變換裝置；配備有兩個或三個或更多有壁的電聲換能器的電信號-聲信號變換裝置；以及配備有一個或兩個或更多沒有壁的電聲換能器、并且配備有一個或兩個或更多有壁的電聲換能器的電信號-聲信號變換裝置。
根據本發明的電聲換能器，可以容易地控制作為電容器的一個電極的上電極的厚度，還有，通過形成起伏使上電極保持適當的張力，從而能防止上電極與下電極短路。因此，有可能獲得有良好的聲特性的高度可靠的電聲換能器。
在振動部分的端部的底面處于在絕緣層正上方延伸的支持部分的頂面之上的情況下，可以進一步改善上電極的張力，從而獲得良好的聲特性。
在振動部分的端部的底面處于在絕緣層正上方延伸的支持部分的頂面以下或處于相同高度的情況下，空腔體積減小。因此，對于相同的振動，輸出電壓可以增大。因此，有可能獲得有更高靈敏度的電聲換能器。
在振動部分在其周邊處有多個距下電極有不同距離的小面的情況下，上電極能保持更好的張力，從而導致進一步改善聲特性。
在振動部分有起碼一個小孔的情況下，能優化上與下電極之間的空氣摩擦阻力。因而，有可能使聲特性變平，并改善高音調樂音的靈敏度。
在支持部分在離振動部分中心等距離的三個地方支持振動部分的情況下，能進一步改善上電極的張力。
在振動部分基本上是圓形或基本上等邊多邊形的情況下，聲音能均勻地傳輸到振動部分，因而，除了進一步改善張力外，還能提高聲音的靈敏度。這就有可能進一步改善聲音效果。
在下電極由半導體襯底構成的情況下，就易于與其它半導體器件的高度集成和結合。
在上與下電極都連接到加電壓用的以金隆起塊(bumps)制成的端子的情況下，就有可能防止被生產過程中的刻蝕劑和生產后的空氣和濕氣所氧化和腐蝕。因此，不需要形成附加的保護膜。因此，就有可能改善上電極隨輸入聲音的振動，并且還能提供高可靠性的電聲換能器。
在變換器件的上電極的振動部分的周邊處配備有壁的情況下，可以切斷來自上電極四周的噪聲，并可改善輸入聲音的方向性，這導致進一步改善上電極隨輸入聲音所產生的振動。在支持部分被壁包圍的情況下，可以防止因振動部分的厚度變化而造成的振動效率損失，這導致進一步改善上電極隨輸入聲音所產生的振動。在振動部分和支持部分之上延伸的周邊區域有壁的的情況下，可以減小上電極的支持部分的面積而不降低壁的強度。因此，有可能因為減少了寄生電容而改善電容器轉換效率，改善振動效率和減小尺寸。
在上電極配備有多個壁的情況下，在上電極有多個這樣的壁，即隨著壁越靠近振動部分的中心、壁的高度越小的情況下，和/或在上電極配備有這樣的壁，即所述壁的頂面的高度朝著振動部分的中心降低的情況下，能進一步改善方向性和聲音收集效果。
此外，根據本發明的生產電聲換能器的工藝，可以用簡化的工藝來生產高可靠高性能的電聲換能器。
采用只加入一個抗蝕掩模的簡單工藝，就有可能生產高質量的具有改善了上電極張力的電聲換能器。
在上電極有小孔的情況下，能減少刻蝕反應膜所需的時間，這簡化了生產工藝和導致生產成本的降低。
在用以磷摻雜的氧化硅膜制成反應膜的情況下，更容易簡化生產工藝和降低生產成本。
權利要求
1．一種電聲換能器，它包括下電極；上電極，它包括振動部分和用作在振動部分周邊起碼一部分支持振動部分的支持部分；和絕緣層，用來把下電極與上電極絕緣開，其中所述上電極在所述振動部分和/或所述支持部分具有起伏，以便在所述上電極和所述下電極之間形成空腔。
2．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述上電極起碼在所述支持部分的頂面有起伏。
3．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述上電極的起伏是通過使所述絕緣層的端部附近的所述振動部分彎曲來形成的。
4．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述振動部分的端部的底面高于所述支持部分在所述絕緣層正上方延伸的區域的頂面。
5．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述振動部分的端部的底面低于所述支持部分在所述絕緣層正上方延伸的區域的頂面或者處在與其相同的高度。
6．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述在其周邊區域，所述振動部分有多個小面，它們離下電極有不同距離。
7．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述振動部分起碼有一個小孔。
8．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述支持部分在離所述振動部分中心等距離的三個地方支持所述振動部分。
9．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述振動部分基本上是圓形。
10．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述振動部分的形狀是基本上等邊的多邊形。
11．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述下電極由半導體襯底構成。
12．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述上電極與所述下電極各自連接到用于加電壓的以金隆起塊(bumps)制成的端子。
13．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述電聲換能器在所述上電極的所述振動部分的周邊配備有壁。
14．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述電聲換能器在所述上電極的所述支持部分的周邊配備有壁。
15．根據權利要求1的電聲換能器，其特征在于所述電聲換能器在所述上電極的所述振動部分和所述支持部分之上延伸的周邊區域配備有壁。
16．據權利要求13到15中的任何一個權利要求的電聲換能器，其特征在于所述上電極配備有多個壁。
17．根據權利要求16的配備有多個壁的電聲換能器，其特征在于越靠近所述振動部分的中心的所述壁越短。
18．根據權利要求13到15中的任何一個權利要求的電聲換能器，其特征在于所述上電極配備有一個這樣的壁，向著所述振動部分的中心，所述壁的頂面的高度減小。
19．一種電聲換能裝置，它包括多個權利要求1中所述的電聲換能器。
20．一種生產電聲換能器的工藝過程，它包括下面的步驟(a)在下電極上有選擇地形成絕緣層，使得所述下電極表面部分地暴露出來；(b)在所述下電極的所述暴露的表面上以及所述下電極的所述暴露的表面周圍的所述絕緣層區域有選擇地形成反應(sacrificial)膜；(c)在所述反應(sacrificial)膜上形成上電極，所述上電極把所述反應膜的一部分暴露出來、并復蓋所述反應膜的延伸在所述絕緣層上的周邊部分；和(d)經由所述反應膜的所述暴露的部分、采用去除所述反應膜的方法，在所述上電極和所述下電極之間形成空腔。
21．根據權利要求20的工藝過程，其特征在于在所述步驟(b)中形成所述反應膜之后以及所述步驟(c)之前，利用在所述反應膜上形成的呈所需要的形狀的抗蝕劑圖案，刻蝕所述反應膜的表面，以便在所述絕緣層的邊緣附近的所述反應膜的表面上形成起伏。
22．根據權利要求20的工藝過程，其特征在于在所述步驟(c)中形成上電極的同時，或在所述步驟(c)中形成所述上電極之后以及所述步驟(d)之前，在所述上電極上形成小孔，并且在所述步驟(d)中通過所述小孔去除所述反應膜。
23．根據權利要求20的工藝過程，其特征在于在所述步驟(b)中，在整個下電極表面上淀積用磷摻雜的氧化硅的反應膜，在使所述反應膜表面平滑的溫度下對所述反應膜作熱處理，并且使所述反應膜形成所需要的圖案。
全文摘要
一種電聲換能器包括下電極、上電極和絕緣層,其中,上電極包括振動部分和用來在振動部分周邊起碼一部分支持振動部分的支持部分,而絕緣層用來把下電極和上電極絕緣開,其中上電極在振動部分和/或支持部分具有起伏,以便在上電極和下電極之間形成空腔。
文檔編號H04R19/04GK1299152SQ0013496
公開日2001年6月13日 申請日期2000年12月11日 優先權日1999年12月9日
發明者廣崎有史, 田中清公, 木村史郎, 山本郁夫 申請人:夏普公司