基于ltcc技術的微帶衰減器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了基于LTCC技術的微帶衰減器，該微帶衰減器包括由上而下的上保護層、上屏蔽層、上LTCC基片層、下LTCC基片層、下屏蔽層；上LTCC基片層、下LTCC基片層設置有相同的微帶電路，在微帶電路中：電連接有接地電感L4，接地電感L4的另一端電連接并聯的電容C4、電感L1、電容C5、電感L3；電感L1、電容C5之間電連接有電感L2；所述電感L2的左右兩端分別電連接電容C1、電容C3；所述電容C3與電感L2之間的支路上電連接有電感L5，電感L5另一端電連接電容C6，電容C6另一端接地；所述電容C1的輸入端、電容C3的輸出端的之間電連接有電容C2。本實用新型微帶衰減器解決了傳統的不足，可以承受較大的功率，在寬頻帶范圍內，電控衰減器的衰減精度能夠提高。
【專利說明】
基于LTCC技術的微帶衰減器
技術領域
[0001]本實用新型涉及光纖技術領域，具體的說是涉及一種LTCC技術的微帶衰減器。
【背景技術】
[0002]隨著微電子技術、計算機技術的發展，微波無源組件作為無線通信及雷達系統的核心器件之一，要向小型化、輕量化、高性能和高可靠性的方向發展，LTCC ( Lo wTemperature Co-fired Ceramic)技術是實現這些目標的有效途徑。作為常用的微波無源器件之一，用于傳輸系統中調節輸入信號電平，對于整個射頻網絡系統而言，微帶衰減器的性能至關重要。
[0003]傳統的LTCC技術的微帶衰減器承受功率小，衰減精度隨著頻率的升高急劇下降，導致在寬頻帶范圍內，電控衰減器的衰減精度不高。
【實用新型內容】
[0004]針對現有技術中的不足，本實用新型要解決的技術問題在于提供了一種LTCC技術的微帶衰減器。
[0005]為解決上述技術問題，本實用新型通過以下方案來實現:基于LTCC技術的微帶衰減器；
[0006]該微帶衰減器包括由上而下的上保護層、上屏蔽層、上LTCC基片層、下LTCC基片層、下屏蔽層；
[0007]所述上LTCC基片層、下LTCC基片層設置有相同的微帶電路，在微帶電路中:
[0008]電連接有接地電感L4，所述接地電感L4的另一端電連接并聯的電容C4、電感L1、電容C5、電感L3;
[0009]所述電感L1、電容C5之間電連接有電感L2 ；
[0010]所述電感L2的左右兩端分別電連接電容Cl、電容C3;
[0011]所述電容C3與電感L2之間的支路上電連接有電感L5，電感L5另一端電連接電容C6，電容C6另一端接地；
[0012]所述電容Cl的輸入端、電容C3的輸出端的之間電連接有電容C2。
[0013]進一步的，所述電容Cl并聯有電感L6。
[0014]相對于現有技術，本實用新型的有益效果是:本實用新型微帶衰減器解決了傳統的不足，可以承受較大的功率，在寬頻帶范圍內，電控衰減器的衰減精度能夠提高。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型微帶衰減器結構示意圖。
[0016]圖2為本實用新型微帶電路圖。
[0017]附圖中標記:上保護層1、上屏蔽層2、上LTCC基片層3、下LTCC基片層4、下屏蔽層5。
【具體實施方式】
[0018]下面結合附圖對本實用新型的優選實施例進行詳細闡述，以使本實用新型的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本實用新型的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0019]請參照附圖1?2，本實用新型的基于LTCC技術的微帶衰減器，該微帶衰減器包括由上而下的上保護層1、上屏蔽層2、上LTCC基片層3、下LTCC基片層4、下屏蔽層5;所述上LTCC基片層3、下LTCC基片層4設置有相同的微帶電路，在微帶電路中:電連接有接地電感L4，所述接地電感L4的另一端電連接并聯的電容C4、電感L1、電容C5、電感L3;所述電感L1、電容C5之間電連接有電感L2;所述電感L2的左右兩端分別電連接電容C1、電容C3;所述電容C3與電感L2之間的支路上電連接有電感L5，電感L5另一端電連接電容C6，電容C6另一端接地;所述電容CI的輸入端、電容C3的輸出端的之間電連接有電容C2，所述電容CI并聯有電感L6。在此微帶電路上，加入匹配電容Cl、C3、接地電感LG，及并聯電容C2，該電路可產生3個傳輸零點，本實用新型通過設置3個傳輸零點，承受較大的功率，在寬頻帶范圍內，電控衰減器的衰減精度能夠提高。
[0020]以上所述僅為本實用新型的優選實施方式，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。
【主權項】
1.基于LTCC技術的微帶衰減器，其特征在于: 該微帶衰減器包括由上而下的上保護層(I)、上屏蔽層(2)、上LTCC基片層(3)、下LTCC基片層(4)、下屏蔽層(5)； 所述上LTCC基片層(3)、下LTCC基片層(4)設置有相同的微帶電路，在微帶電路中:電連接有接地電感L4，所述接地電感L4的另一端電連接并聯的電容C4、電感L1、電容C5、電感L3; 所述電感L1、電容C5之間電連接有電感L2 ； 所述電感L2的左右兩端分別電連接電容Cl、電容C3; 所述電容C3與電感L2之間的支路上電連接有電感L5，電感L5另一端電連接電容C6，電容C6另一端接地； 所述電容CI的輸入端、電容C3的輸出端的之間電連接有電容C2。2.根據權利要求1所述的基于LTCC技術的微帶衰減器，其特征在于:所述電容Cl并聯有電感L6。
【文檔編號】H03H7/24GK205647457SQ201620303968
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年4月13日
【發明人】楊學臣
【申請人】深圳市晨洋通信產品有限公司