一種基于mcu控制功放偏置電壓裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置，包括上位機、MCU電路、RF射頻電路、比較運算放大器和功放管，所述上位機、MCU電路、RF射頻電路、比較運算放大器和功放管依次連接，所述RF射頻電路采集所述比較運算放大器和功放管之間的電壓，所述MCU電路和RF射頻電路之間設置有濾波電路。相對現有技術，本實用新型在線檢測、自動調控、測量精度高、能承受射頻大功率及產品穩定性好。
【專利說明】
一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置
技術領域
[0001]本實用新型涉及對講機技術領域，特別涉及一種基于M⑶控制功放偏置電壓裝置。
【背景技術】
[0002]射頻功率放大器廣泛應用于各種無線通信發射設備中，隨著移動通訊服務的快速增長，對低耗、高效、體積小的要求也迅速增加。眾所周知，RF功放(PA)是射頻傳輸中功率損耗最大的眾多設計模塊之一。當前發展的第三代通信推動了對功放的更新，PA作為通信基站的核心部分，它的效率直接影響了整個基站的效率，因此研究解決功率放大器的效率問題成為當前研究的的熱點。F類放大器理論效率可以達到100%。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種在線檢測、自動調控、測量精度高、能承受射頻大功率及產品穩定性好的基于MCU控制功放偏置電壓裝置。
[0004]本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置，包括上位機、MCU電路、RF射頻電路、比較運算放大器和功放管，所述上位機、M⑶電路、RF射頻電路、比較運算放大器和功放管依次連接，所述RF射頻電路采集所述比較運算放大器和功放管之間的電壓，所述MCU電路和RF射頻電路之間設置有濾波電路。
[0005]進一步，所述上位機包括寫頻線、直流電源和計算機，所述計算機通過寫頻線與所述MCU電路連接，所述直流電源與所述計算機連接。
[0006]進一步，所述RF射頻電路為RF射頻芯片RDA1846。
[0007]進一步，所述RF射頻電路包括數字模擬轉換器、壓控振蕩器、電壓采集單元和電源管理單元，所述數字模擬轉換器、壓控振蕩器、電壓采集單元和電源管理單元依次串聯，所述數字模擬轉換器與所述MCU電路連接。
[0008]進一步，所述功放管為N溝道MOS管功率放大器。
[0009]本實用新型的有益效果是:通過上位機、M⑶電路和RF射頻電路協調運作，對比較運算放大器和功放管之間的電壓進行實時調控，實現智能化管理，在線工作、調控精度高、降低了能耗、能承受射頻大功率及產品穩定性好。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置的模塊框圖；
[0011]圖2為RF射頻電路的模塊框圖。
[0012]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:
[0013]1、上位機，11、直流電源，12、計算機；
[0014]2、MCU 電路；
[0015]3、RF射頻電路，31、數字模擬轉換器，32、壓控振蕩器，33、電壓采集單元，34、電源管理單元；
[0016]4、比較運算放大器，5、功放管，6、濾波電路。
【具體實施方式】
[0017]以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
[0018]如圖1所示，一種基于M⑶控制功放偏置電壓裝置，包括上位機1、MCU電路2、RF射頻電路3、比較運算放大器4和功放管5，所述上位機1、M⑶電路2、RF射頻電路3、比較運算放大器4和功放管5依次連接，所述RF射頻電路3采集所述比較運算放大器4和功放管5之間的電壓，所述MCU電路2和RF射頻電路3之間設置有濾波電路6。
[0019]本實施例的RF射頻電路3對比較運算放大器4和功放管5之間的電壓進行檢測，并生成頻率信號，經過濾波電路6進行濾波傳輸至M⑶電路2，通過MCU電路2傳輸至上位機I，上位機I根據頻率信號生成調控信號，通過MCU電路2、濾波電路6和RF射頻電路3傳輸至比較運算放大器4進行調控，實現對比較運算放大器和功放管之間的電壓進行實時調控，智能化管理，調控精度高、降低了能耗、能承受射頻大功率及產品穩定性好。
[0020]優選的，所述上位機I包括寫頻線、直流電源11和計算機12，所述計算機12通過寫頻線與所述MCU電路2連接，所述直流電源11與所述計算機12連接。
[0021]本實施例的寫頻線將MCU電路2將頻率信號傳輸至計算機12，計算機12根據頻率信號生成調控信號，調控信號經過寫頻線傳輸至M⑶電路2，信號傳輸穩定，調控快;直流電源11為計算機12供電，本裝置運作更加穩定。
[0022]優選的，所述RF射頻電路3為RF射頻芯片RDA1846。
[0023]優選的，如圖2所示，所述RF射頻電路3包括數字模擬轉換器31、壓控振蕩器32、電壓采集單元33和電源管理單元34，所述數字模擬轉換器31、壓控振蕩器32、電壓采集單元33和電源管理單元34依次串聯，所述數字模擬轉換器31與所述MCU電路2連接。
[0024]本實施例的電壓采集單元33用于采集電壓信號，壓控振蕩器32根據電壓信號生成對應關系的頻率信號，數字模擬轉換器31對頻率信號進行模擬信號轉換，提升信號處理效率，保證頻率信號調節精準。
[0025]優選的，所述功放管5為N溝道MOS管功率放大器。
[0026]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置，其特征在于:包括上位機(I)、M⑶電路(2)、RF射頻電路(3)、比較運算放大器(4)和功放管(5)，所述上位機(I)、M⑶電路(2)、RF射頻電路(3)、比較運算放大器(4)和功放管(5)依次連接，所述RF射頻電路(3)采集所述比較運算放大器(4)和功放管(5)之間的電壓，所述MCU電路(2)和RF射頻電路(3)之間設置有濾波電路(6)02.根據權利要求1所述一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置，其特征在于:所述上位機(1)包括寫頻線、直流電源(11)和計算機(12)，所述計算機(12)通過寫頻線與所述M⑶電路(2)連接，所述直流電源(11)與所述計算機(12)連接。3.根據權利要求1所述一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置，其特征在于:所述RF射頻電路(3 )為RF射頻芯片RDAl 846。4.根據權利要求1所述一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置，其特征在于:所述RF射頻電路(3)包括數字模擬轉換器(31)、壓控振蕩器(32)、電壓采集單元(33)和電源管理單元(34)，所述數字模擬轉換器(31)、壓控振蕩器(32)、電壓采集單元(33)和電源管理單元(34)依次串聯，所述數字模擬轉換器(31)與所述MCU電路(2 )連接。5.根據權利要求1至4任一項所述一種基于MCU控制功放偏置電壓裝置，其特征在于:所述功放管(5)為N溝道MOS管功率放大器。
【文檔編號】H03F3/21GK205453642SQ201521109766
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年12月28日
【發明人】劉長源, 楊帆, 徐鑫
【申請人】福建聯拓科技有限公司