一種光電耦合器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電子技術領域，具體的，是一種受光器由兩個光敏單向可控硅并聯組成的交流輸出的光電親合器。
【背景技術】
[0002]光電親合器是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉換器件。它由發光源和受光器兩部分組成，發光源和受光器共同封裝在一個密閉的殼體內，彼此間用透明絕緣體隔離。發光源的引腳為輸入端，受光器的引腳為輸出端。將電信號接入輸入端，發光源發出光線，受光器接收到光線后產生光電流，從受光器的輸出端流出。
[0003]參閱圖1所示，為市場上比較常見的交流輸出光電耦合器的電路結構圖，輸入端為砷化鎵發光二極管，輸出端采用光敏雙向可控硅作為輸出器件實現交流開關，并將兩者封裝在一個塑封體內，輸入輸出通過光隔離。該光電耦合器常用做大功率可控硅的光電隔離觸發器，且是即時觸發的。
[0004]由于上述光電耦合器輸出端的光敏雙向可控硅制作在一個晶體上，斷態阻斷電壓一般在600Vdc-900Vdc，但難于達到100Vdc以上。此外，該光電耦合器的dv/dt承受能力較弱，在電磁干擾較強的環境下容易出現誤觸發和擊穿失效的情況。在一些應用場合，為達到更高的斷態阻斷電壓，通常采用2只或多只光電耦合器串聯使用，因不同光電耦合器輸出阻抗的差異及接通關斷時間的差異，易產生電壓分壓不均及接通不同步的問題。
【實用新型內容】
[0005]針對現有交流輸出的光電耦合器斷態阻斷電壓不高和dv/dt承受能力較弱的問題，本實用新型提出了一種光電耦合器，其輸出端采用兩個光敏單向可控硅并聯。
[0006]本實用新型采用如下技術方案:
[0007]—種光電耦合器，它包括至少一個發光二極管、兩個觸發電路和兩個光敏單向可控硅，發光二極管為輸入端，兩個觸發電路和兩個光敏單向可控硅連接為輸出端，且兩個光敏單向可控硅反向并聯，輸入端與輸出端之間光電隔離。
[0008]進一步的，發光二極管是一個，通過發光二極管來觸發這兩個光敏單向可控硅。
[0009]進一步的，發光二極管是兩個，這兩個發光二極管串聯，通過每一個發光二極管來分別觸發每一個光敏單向可控硅。
[0010]進一步的，還包括封裝殼體，整個電路封裝在封裝殼體內。
[0011 ] 更進一步的，封裝殼體為四腳結構或六腳結構。
[0012]更進一步的，封裝殼體為塑料封裝殼體。
[0013]本實用新型提出一種高可靠的交流輸出光電耦合器，該光電耦合器輸入端連接發光二極管，輸出由兩只光敏單向可控硅并聯組成交流開關，并將其封裝在一個塑封體內，輸入輸出通過光隔離。本實用新型可實現高斷態阻斷電壓，高dv/dt耐受能力，還可有效防止輸出端誤觸發，輸入輸出光電隔離，隔離電壓大于2500Vac。
【附圖說明】
[0014]圖1是光電耦合器的電路結構圖；
[0015]圖2是本實用新型光電耦合器的電路結構圖。
【具體實施方式】
[0016]為進一步說明各實施例，本實用新型提供有附圖。這些附圖為本實用新型揭露內容的一部分，其主要用以說明實施例，并可配合說明書的相關描述來解釋實施例的運作原理。配合參考這些內容，本領域普通技術人員應能理解其他可能的實施方式以及本實用新型的優點。圖中的組件并未按比例繪制，而類似的組件符號通常用來表示類似的組件。
[0017]現結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型進一步說明。
[0018]參閱圖2所示，本實用新型優選一實施例的光電耦合器，它包括發光二極管102、觸發電路100和光敏單向可控硅101。其中，觸發電路100與光敏可控硅101電連接。
[0019]該實施例的電路封裝在封裝殼體內，封裝殼體為六腳結構，但只用了四腳，另外兩腳都是懸空的。本領域的技術人員可知，該實施例的封裝殼體還可為四腳結構。該實施例的封裝殼體為塑料封裝殼體。
[0020]該實施例的光電親合器設置有輸入端1、2、3，輸入端為發光二極管102，發光二極管102的兩端分別連接I端和2端，輸入端3懸空。輸出端電路包括兩個光敏單向可控硅101和兩個觸發電路100，光敏單向可控硅101與觸發電路101連接，其中兩個光敏單向可控硅101反向并聯，分別連接輸出端4和輸出端6，輸出端5懸空。
[0021]當輸入端的發光二極管102有正向電流時，Dl發光二極管102被點亮發出光線。輸出端的觸發電路100在光的作用下觸發光敏單向可控硅101，使光敏單向可控硅101導通。由于光敏單向可控硅101的單向導電性，當輸出端4為正、輸出端6為負時，Q2光敏單向可控硅101導通，Ql光敏單向可控硅101截止；當輸出端6為正、輸出端4為負時，Ql光敏單向可控硅101導通，Q2光敏單向可控硅101截止。當輸入端的發光二極管102熄滅時，輸出端的觸發電路100關閉從而使Ql和Q2同時截止，從而實現交流開關。
[0022]該實施例是以一個發光二極管102為例，通過一個發光二極管102來觸發兩個光敏單向可控硅。本實用新型還可采用兩個發光二極管102，兩個發光二極管102串聯，通過每一個發光二極管102來分別觸發每一個光敏單向可控娃101。
[0023]由于采用兩個光敏單向可控硅101并聯作為輸出端，兩個光敏單向可控硅101在兩個獨立的晶片上，其斷態的阻斷電壓可以做的很高，超過100Vdc以上。并且，光敏單向可控硅101的dv/dt承受能力遠遠大于市場上的光敏雙向可控硅。該實施例的輸出端作為交流開關時，因正向和反向的切換時分別通過Ql和Q2來實現的，每個光敏單向可控硅101負責一個方向的通斷，所以消除了切換交流信號時正向和反向的相互影響，提升了切換的dv/dt承受能力。
[0024]為達到更高的斷態阻斷電壓，利用該實施例的高阻斷能力，使用多只光電耦合器組成的串聯電路代替單個光電耦合器，消除了串聯電路產生的分壓不均問題和接通關斷同步性問題，同時能夠減少體積。
[0025]此外，利用該實施例的高dv/dt承受能力特性，應用時可簡化電路設計，如去除并聯在光電親合器兩端的RC電路等。
[0026]盡管結合優選實施方案具體展示和介紹了本實用新型，但所屬領域的技術人員應該明白，在不脫離所附權利要求書所限定的本實用新型的精神和范圍內，在形式上和細節上可以對本實用新型做出各種變化，均為本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種光電耦合器，其特征在于:它包括至少一個發光二極管、兩個觸發電路和兩個光敏單向可控硅，所述發光二極管為輸入端，兩個觸發電路和兩個光敏單向可控硅連接為輸出端，且兩個光敏單向可控硅反向并聯，輸入端與輸出端之間光電隔離。
2.如權利要求1所述的光電耦合器，其特征在于:所述發光二極管是一個，通過所述發光二極管來觸發這兩個光敏單向可控硅。
3.如權利要求1所述的光電耦合器，其特征在于:所述發光二極管是兩個，這兩個發光二極管串聯，通過每一個發光二極管來分別觸發每一個光敏單向可控娃。
4.如權利要求1或2或3所述的光電耦合器，其特征在于:還包括封裝殼體，整個電路封裝在封裝殼體內。
5.如權利要求4所述的光電耦合器，其特征在于:所述封裝殼體為四腳結構或六腳結構。
6.如權利要求4所述的光電耦合器，其特征在于:所述封裝殼體為塑料封裝殼體。
【專利摘要】本實用新型涉及電子技術領域，具體的，是一種受光器由兩個光敏單向可控硅并聯組成的交流輸出的光電耦合器。本實用新型公開了一種光電耦合器，它包括至少一個發光二極管、兩個觸發電路和兩個光敏單向可控硅，發光二極管為輸入端，兩個觸發電路和兩個光敏單向可控硅連接為輸出端，且兩個光敏單向可控硅反向并聯，輸入端與輸出端之間光電隔離。本實用新型可實現高斷態阻斷電壓，高dv/dt耐受能力，還可有效防止輸出端誤觸發，輸入輸出光電隔離，隔離電壓大于2500Vac。
【IPC分類】H03K19-14
【公開號】CN204578516
【申請號】CN201520434574
【發明人】曾志銘
【申請人】庫頓電子科技（廈門）有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年6月24日