一種射頻放大器電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種射頻放大器電路。
【背景技術】
[0002]目前美國ellman公司生產的電刀功率放大器部分，是采用老式的電子管方式進行功率放大的；它的缺點是由于輸出頻率高，功率輸出不穩定，功率值不準確，高頻漏電大等問題。
【實用新型內容】
[0003]鑒于現有技術中存在的上述問題，本實用新型的主要目的在于解決現有技術的缺陷，本實用新型提供一種輸出功率穩定、功率值準確且高頻漏電流小的射頻放大器電路。
[0004]本實用新型提供了一種射頻放大器電路，包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應管，DE357-102N12A場效應管，濾波電路以及輸出端，所述DECI420 MOSFET場效應管設置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應管之間，所述DE357-102N12A場效應管右端與所述輸出端相連，所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應管的管腳2相連，所述濾波電路與所述DE357-102N12A場效應管的管腳5相連，所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI，所述DE357-102N12A場效應管的管腳5與輸出端之間分別設置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16，所述輸出端左側還設置有一隔離變壓器TI，還包括取樣電路，所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
[0005]可選的，所述電容C19為低通濾波電容。
[0006]可選的，所述電容C3為低通濾波電容。
[0007]本實用新型具有以下優點和有益效果:本實用新型提供一種射頻放大器電路，在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13和所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳3之間連接有電阻Rl可減少因電源帶來干擾；由于輸入的頻率高，要保持輸入信號的絕對干凈，不受寄生電容和磁場的干擾，在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，其中C19為低通濾波；在所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，其中C3為低通濾波；被放大的電流信號直接通過DECI420M0SFET場效應管的管腳5輸入給DE357-102N12A場效應管的管腳2進行功率放大；電容Cl、電容C2和電感LI組成了功率放大電源的濾波；被放大的高頻信號通過電容C8、電容C9、電容ClO和電容16輸出一個穩定的功率信號，再經隔離變壓器Tl輸出，如此使其輸出功率更穩定，功率更準確，高頻漏電流更小。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型提供的一種射頻放大器電路原理圖。
【具體實施方式】
[0009]下面將參照附圖和具體實施例對本實用新型作進一步的說明。
[0010]如圖1所示:本實用新型實施例的一種射頻放大器電路，包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應管，DE357-102N12A場效應管，濾波電路100以及輸出端，所述DECI420 MOSFET場效應管設置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應管之間，所述DE357-102N12A場效應管右端與所述輸出端相連，所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應管的管腳2相連，所述濾波電路100與所述DE357-102N12A場效應管的管腳5相連，所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI，所述DE357-102N12A場效應管的管腳5與輸出端之間分別設置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16，所述輸出端左側還設置有一隔離變壓器Tl，還包括取樣電路200，所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
[0011]作為上述實施例的優選實施方式，所述電容C19為低通濾波電容。
[0012]作為上述實施例的優選實施方式，所述電容C3為低通濾波電容。
[0013]本實用新型的工作原理為:在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13和所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳3之間連接有電阻Rl可減少因電源帶來干擾；由于輸入的頻率高，要保持輸入信號的絕對干凈，不受寄生電容和磁場的干擾，在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，其中C19為低通濾波；在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，其中C3為低通濾波；被放大的電流信號直接通過DECI420 MOSFET場效應管的管腳5輸入給DE357-102N12A場效應管的管腳2進行功率放大；電容Cl、電容C2和電感LI組成了功率放大電源的濾波；被放大的高頻信號通過電容C8、電容C9、電容ClO和電容16輸出一個穩定的功率信號，再經隔離變壓器Tl輸出，如此使其輸出功率更穩定，功率更準確，高頻漏電流更小。
[0014]后應說明的是:以上所述的各實施例僅用于說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或全部技術特征進行等同替換；而這些修改或替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的范圍。
【主權項】
1.一種射頻放大器電路，其特征在于:包括輸入端、DECI420M0SFET場效應管，DE357-102N12A場效應管，濾波電路以及輸出端，所述DECI420M0SFET場效應管設置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應管之間，所述DE357-102N12A場效應管右端與所述輸出端相連，所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，所述DECI420M0SFET場效應管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應管的管腳2相連，所述濾波電路與所述DE357-102N12A場效應管的管腳5相連，所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI，所述DE357-102N12A場效應管的管腳5與輸出端之間分別設置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16，所述輸出端左側還設置有一隔離變壓器TI，還包括取樣電路，所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
2.根據權利要求1所述的射頻放大器電路，其特征在于，所述電容C19為低通濾波電容。
3.根據權利要求1所述的射頻放大器電路，其特征在于，所述電容C3為低通濾波電容。
【專利摘要】本實用新型涉及一種射頻放大器電路，包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應管，DE357-102N12A場效應管，濾波電路以及輸出端，所述DECI420 MOSFET場效應管設置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應管之間，所述DE357-102N12A場效應管右端與所述輸出端相連，所述濾波電路包括電容C1、電容C2和電感L1，所述輸出端左側還設置有一隔離變壓器T1，還包括取樣電路，所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。本實用新型的有益效果在于，本實用新型提供一種輸出功率穩定、功率值準確且高頻漏電流小的射頻放大器電路。
【IPC分類】H03F3-20, H03F3-193
【公開號】CN204481771
【申請號】CN201520098935
【發明人】馬廣軍
【申請人】北京康威電子技術有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年2月11日