振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設備以及移動體的制作方法

振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設備以及移動體的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種能夠與以往相比提高溫度補償型的振蕩器的頻率穩定性的振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設備以及移動體。振蕩器(1)包括：振動元件(3)；振蕩電路(10)，其使振動元件(3)進行振蕩從而輸出振蕩信號；溫度補償電路(40)，其在所需的溫度范圍內對振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償，所述振蕩器(1)的制造方法包括：第一溫度補償調節工序(S51、S52)其在多個溫度下對頻率進行測量，并根據溫度與頻率之間的關系而對第一溫度補償數據進行計算；第二溫度補償調節工序(S53、S54)，其在第一溫度補償調節工序之后，在多個溫度下對通過溫度補償電路(40)并根據第一溫度補償數據而被溫度補償之后的頻率進行測量，并根據溫度與頻率之間的關系而對第二溫度補償數據進行計算。
【專利說明】
振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設備以及移動體
技術領域
[0001]本發明涉及一種振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設備以及移動體。
【背景技術】
[0002]溫度補償型水晶振蕩器(TCXO:TemperatureCompensated Crystal Oscillator)具有水晶振子和用于使該水晶振子進行振蕩的集成電路(IC:1ntegrated Circuit)，該IC通過在預定的溫度范圍內對水晶振子的振蕩頻率與所需的頻率(公稱頻率)的偏差(頻率偏差)進行補償(溫度補償)，從而能夠獲得較高的頻率精度。這樣的溫度補償型水晶振蕩器(TCXO)例如在專利文獻I或專利文獻2中已被公開。
[0003]作為溫度補償型水晶振蕩器(TCXO)的振子，而利用一種AT切割振子。AT切割振子由于頻率溫度特性呈3次曲線，與其他切割振子相比，具有能夠在較大的溫度范圍內獲得穩定的頻率的優點。
[0004]—般而言，在溫度補償調節工序中，在多個溫度下對振蕩器的頻率進行測量，并根據測量所得的頻率而生成減小基準溫度(例如，25°C)下的頻率偏差的溫度補償數據。因此，例如，在將溫度補償范圍設為一40°C至+85°C時，由于作為溫度補償范圍內與溫度補償范圍外的邊界的溫度(溫度補償范圍的一端的溫度)的一40°C以及+85°C與基準溫度之差最大，因此在一40°C以及+85°C中的至少一方的溫度下，頻率將變得容易發生急劇變化。于是，由于在該溫度附近即使溫度稍微變化，溫度補償型振蕩器的頻率也會較大地變動，因此存在頻率穩定性較差的問題。
[0005]專利文獻1:日本特開2014 —107862號公報
[0006]專利文獻2:日本特開2010 —103802號公報

【發明內容】

[0007]本發明是鑒于如上的問題而完成的，根據本發明的幾個方式，能夠提供一種能夠與現有相比提高溫度補償型的振蕩器的頻率穩定性的振蕩器的制造方法。根據本發明的幾個方式，能夠提供一種與以往相比提高頻率穩定性的溫度補償型的振蕩器。另外，根據本發明的幾個方式，能夠提供一種使用了該振蕩器的電子設備以及移動體。
[0008]本發明為用于解決前述課題中的至少一部分而完成的發明，能夠作為以下的方式或應用例而實現。
[0009]應用例I
[0010]本應用例所涉及的振蕩器的制造方法，其中，所述振蕩器包括:振動元件;振蕩電路，其使所述振動元件進行振蕩從而輸出振蕩信號;溫度補償電路，其在所需的溫度范圍內對所述振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償，所述振蕩器的制造方法包括:第一溫度補償調節工序，在多個溫度下對所述頻率進行測量，并根據溫度與所述頻率之間的關系而對第一溫度補償數據進行計算;第二溫度補償調節工序，在所述第一溫度補償調節工序之后，在多個溫度下對通過所述溫度補償電路并根據所述第一溫度補償數據而被溫度補償之后的所述頻率進行測量，并根據溫度與所述頻率之間的關系而對第二溫度補償數據進行計算。[0011 ]通過振動元件和振蕩電路，例如，也可以構成皮爾斯振蕩電路、倒相型振蕩電路、可耳皮茲振蕩電路、哈脫利振蕩電路等的各種振蕩電路。
[0012]根據本應用例所涉及的振蕩器的制造方法，即使在根據第一溫度補償數據而被溫度補償之后的頻率在所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補償范圍的端處的溫度下發生急劇變化的情況下，也能夠在根據第一溫度補償數據而被溫度補償之后的頻率的基礎上對使溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率變化變得較為平緩這樣的第二溫度補償數據進行計算。因此，根據本應用例所涉及的振蕩器的制造方法，能夠與以往相比而提高溫度補償型的振蕩器的頻率穩定性。
[0013]應用例2
[0014]上述應用例所涉及的振蕩器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述第二溫度補償調節工序中，對如下所述第二溫度補償數據進行計算，即，在所述所需的溫度范圍的端處的溫度下，使通過所述溫度補償電路而被補償之后的所述振蕩信號的、頻率偏差相對于溫度的斜率為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的所述第二溫度補償數據。
[0015]根據本實施方式的振蕩器的制造方法，能夠提供一種如下溫度補償型的振蕩器，即，通過與以往相比減小所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率，從而與以往相比而提高頻率穩定性的溫度補償型的振蕩器。
[0016]應用例3
[0017]上述應用例所涉及的振蕩器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述第二溫度補償調節工序中，對如下所述第二溫度補償數據進行計算，即，使所述端處的溫度下的所述頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的所述第二溫度補償數據。
[0018]根據本實施方式的振蕩器的制造方法，能夠提供一種如下的溫度補償型的振蕩器，即，通過進一步減小所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率，從而進一步提高頻率穩定性的溫度補償型的振蕩器。
[0019]應用例4
[0020]上述應用例所涉及的振蕩器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述所需的溫度范圍內，根據所述第二溫度補償數據而進行了溫度補償時的所述振蕩信號的、頻率偏差相對于溫度的斜率的最大值，與根據所述第一溫度補償數據而進行了溫度補償時的所述頻率偏差的斜率的最大值相比而較小。
[0021]根據本實施方式的振蕩器的制造方法，能夠提供一種如下溫度補償型的振蕩器，即，所需的溫度范圍內的各溫度、例如溫度補償范圍內的各溫度下的頻率穩定度均良好的溫度補償型的振蕩器。
[0022]應用例5
[0023]本應用例所涉及的振蕩器，其具有:振動元件;集成電路，其具有使所述振動元件進行振蕩從而輸出振蕩信號的振蕩電路、在所需的溫度范圍內對所述振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償的溫度補償電路、以及第一面，其中，在所述第一面上，配置有與所述振動元件電連接的端子;第一容器，其對所述振動元件進行收納，并且具有對所述振動元件進行覆蓋的第一蓋;第二容器，其對所述第一容器以及所述集成電路進行收納，所述第一容器以與所述第一蓋側相反側的面面對所述第二容器的內表面的方式而配置，所述集成電路與所述第一面相反側的面經由粘合部件而與所述第一蓋相連接，通過所述溫度補償電路而被補償之后的所述振蕩信號的、頻率偏差相對于溫度的斜率，在所述所需的溫度范圍的端處的溫度下為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下。
[0024]通過振動元件和振蕩電路，例如，也可以構成皮爾斯振蕩電路、倒相型振蕩電路、可耳皮茲振蕩電路、哈脫利振蕩電路等的各種振蕩電路。
[0025]根據本實施方式的振蕩器，包括振蕩電路以及溫度補償電路的集成電路經由粘合部件而被連接在對振動元件進行收納的第一容器的金屬制的第一蓋上。由此，本實施方式的振蕩器由于集成電路的發熱會在短時間內傳導至振動元件，因此集成電路與振動元件的溫度差將變小，由溫度補償電路實施的溫度補償的誤差將變小，從而能夠提高頻率穩定性。因此，本實施方式的振蕩器能夠提供一種如下振蕩器，即，在所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率與以往相比而變小從而與以往相比而提高了頻率穩定性的振蕩器。
[0026]應用例6
[0027]上述應用例所涉及的振蕩器也可以采用如下方式，S卩，所述端處的溫度下的所述頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下。
[0028]根據本實施方式的振蕩器，由于使所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率進一步變小，因此能夠進一步提高頻率穩定性。
[0029]應用例7
[0030]上述應用例所涉及的振蕩器也可以采用如下方式，S卩，所述第二容器具有在俯視觀察時與所述第一容器以及所述集成電路重疊的第二蓋，所述內表面具有配置有配線的面和所述第二蓋露出的面，所述第一容器被配置于配置有所述配線的面上。
[0031]根據本實施方式的振蕩器，能夠與以往相比而提高頻率穩定性，并且振動元件與集成電路之間的電連接的自由度提高。
[0032]應用例8
[0033]本應用例所涉及的電子設備具備上述任一個振蕩器。
[0034]應用例9
[0035]本應用例所涉及的移動體具備上述任一個振蕩器。
[0036]根據這些應用例，由于使用與以往相比提高頻率穩定性的溫度補償型的振蕩器，因此例如，還能夠實現可靠性較高的電子設備以及移動體。
【附圖說明】
[0037]圖1為本實施方式的振蕩器的立體圖。
[0038]圖2(A)為本實施方式的振蕩器的剖視圖，圖2(B)為本實施方式的振蕩器的俯視圖，圖2(C)為振蕩器的仰視圖。
[0039]圖3為本實施方式的振蕩器的功能框圖。
[0040]圖4為表示振蕩器的制造方法的步驟的一個示例的流程圖。
[0041]圖5為表示現有的溫度補償型振蕩器的頻率偏差的斜率的一個示例的圖。
[0042]圖6為表示本實施方式的溫度補償調節工序的步驟的一個示例的流程圖。
[0043]圖7為表示本實施方式的振蕩器的頻率偏差的斜率的一個示例的圖。
[0044]圖8為關于振動元件的頻率偏差的說明圖。
[0045]圖9為表不本實施方式的電子設備的結構的一個不例的功能框圖。
[0046]圖10為表不本實施方式的電子設備的外觀的一個不例的圖。
[0047]圖11為表不本實施方式的移動體的一個不例的圖。
【具體實施方式】
[0048]以下，利用附圖來對本發明的優選的實施方式進行詳細說明。并且，以下所說明的實施方式并非對權利要求書所記載的本發明的內容進行不當限定的方式。另外，以下所說明的結構并不一定全部為本發明的必要結構要件。
[0049]1.振蕩器
[0050]振蕩器的結構
[0051]圖1以及圖2為表示本實施方式的振蕩器的構造的一個示例的圖。圖1為振蕩器的立體圖，圖2(A)為圖1的A—A’剖視圖。另外，圖2(B)為振蕩器的俯視圖，圖2(C)為振蕩器的仰視圖。但是，圖2(B)在沒有圖2(A)的蓋5的狀態下進行圖示。
[0052]如圖1以及圖2(A)所示，本實施方式的振蕩器I被構成為，包括作為半導體裝置的集成電路(IC:1ntegrated Circuit)2、振動元件(振動片)3、封裝件4、蓋(蓋)5以及外部端子(夕卜部電極)6。
[°°53] 作為振動元件3，例如，能夠選用水晶振動元件、SAW(Surface Acoustic Wave:表面聲波)共振元件、其他壓電振動元件或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)振動元件等。作為振動元件3的基板材料，能夠使用水晶、鉭酸鋰、鈮酸鋰等壓電單晶、或鋯鈦酸鉛等壓電陶瓷等的壓電材料、或硅半導體材料等。作為振動元件3的激勵方法，既可以利用由壓電效應實施的方法，也可以利用由庫侖力實施的靜電驅動。
[0054]封裝件4將集成電路(IC)2和振動元件3收納于同一空間內。具體而言，在封裝件4內設置有凹部，并通過利用蓋5來對凹部進行覆蓋，從而對集成電路(IC)2和振動元件3進行收納。在封裝件4的內部或凹部的表面上，設置有未圖示的配線，所述未圖示的配線用于分別與集成電路(IC)2的兩個端子(后文所述的圖3的XO端子以及XI端子)和振動元件3的兩個端子(激勵電極3a以及3b)電連接。另外，在封裝件4的內部或凹部的表面上，設置有與各外部端子6電連接的未圖示的配線，各配線和集成電路(IC)2的各端子通過金等接合引線7而被引線接合。
[0055]如圖2(C)所示，振蕩器I在底面(封裝件4的背面)上設置有四個外部端子6，所述四個外部端子6分別為，作為電源端子的外部端子VDD1、作為接地端子的外部端子VSSldtS輸入有頻率控制用的信號的端子的外部端子VCl以及作為輸出端子的外部端子0UT1。電源電壓被供給至外部端子VDDl，外部端子VSSl被接地。
[0056]振動元件3在其表面以及背面處分別具有金屬的激勵電極3a以及3b，并以與包含激勵電極3a以及3b在內的振動元件3的質量相對應的所需的頻率(振蕩器I所要求的頻率)來進行振蕩。
[0057]在本實施方式中，振動元件3被收納于封裝件(容器)8內(振動元件3通過被配置于基座8a上的電極襯墊11和導電性粘合材料等的連接部件12而被固定)。封裝件8包括基座8a和對基座8a進行密封的蓋(Iid)8b，基座8a通過樹脂等的粘合部件9而被接合于封裝件4中。另外，集成電路(IC)2通過粘合部件9而被接合于蓋8b上。
[0058]S卩，如圖2(B)所示，在從上表面俯視觀察振蕩器I時，集成電路(IC)2與封裝件8(振動元件3)重疊。在對振動元件3進行收納的封裝件8的蓋8b上直接安裝有集成電路(IC)2，因此，由于集成電路(IC)2的發熱在短時間內傳導至振動元件3，因此集成電路(IC)2和振動元件3的溫度差將變小，從而由后文所述的溫度補償電路40實施的溫度補償的誤差將變小。因此，為了提高頻率精度，圖2(A)?圖2(C)所示的振蕩器I的構造更為有效。此外，蓋Sb的材料優選為熱傳導率較高的金屬。
[0059]圖3為振蕩器I的功能框圖。如圖3所示，振蕩器I為，包含振動元件3和用于使振動元件3進行振蕩的集成電路(IC)2在內的振蕩器，集成電路(IC)2和振動元件3被收納于封裝件4內。
[0060]集成電路(IC)2設置有作為電源端子的VDD端子、作為接地端子的VSS端子、作為輸出端子的OUT端子、作為輸入有對頻率進行控制的信號的端子的VC端子、作為與振動元件3連接的連接端子的XI端子以及XO端子。VDD端子、VSS端子、OUT端子以及VC端子露出于集成電路(102的表面，并分別與被設置于封裝件4上的外部端子￥001、￥551、01]11、￥(:1相連接。另外，XI端子與振動元件3的一端(一方的端子)相連接，XO端子與振動元件3的另一端(另一方的端子)相連接。
[0061 ]在實施方式中，集成電路(I C) 2被構成為，包括振蕩電路1、輸出電路20、頻率調節電路30、AFC(Automatic Frequency Control，自動頻率控制)電路32、溫度補償電路40、溫度傳感器50、調壓電路60、存儲部70以及串行接口(I/F)電路80。并且，集成電路(IC)2附加也可以采用省略或變更這些要素的一部分、或者附加了其他要素的結構。
[0062]調壓電路60根據從VDD端子被供給的電源電壓VDD(正的電壓)，而生成振蕩電路
1、頻率調節電路30、AFC電路32、溫度補償電路40、輸出電路20的一部分或全部的電源電壓，或生成成為基準電壓的恒定電壓。
[0063]存儲部70具有非易失性存儲器72和寄存器74，并被構成為，能夠從外部端子起經由串行接口電路80而對非易失性存儲器72或寄存器74進行讀取或寫入。在實施方式中，由于與振蕩器I的外部端子相連接的集成電路(IC)2的端子僅為VDD、VSS、0UT、VC這四個端子，因此，串行接口電路80例如在VDD端子的電壓高于閾值時，接收從VC端子輸入的時鐘信號和從OUT端子輸入的數據信號，并對非易失性存儲器72或者寄存器74實施數據的讀取或寫入。
[0064]非易失性存儲器72為用于對各種控制數據進行存儲的存儲部，例如，既可以為EEPROM(Electrically EraSable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲器)或閃存存儲器等的可改寫的各種非易失性存儲器，也可以為如一次性PR0M(0neTime Programmable Read Only Memory,一次性可編程只讀存儲器)的不可改寫的各種非易失性存儲器。
[0065]在非易失性存儲器72中，存儲有用于對頻率調節電路30進行控制的頻率調節數據、或用于對溫度補償電路40進行控制的溫度補償數據(I次補償數據、……、11次補償數據)。而且，在非易失性存儲器72中，還存儲有用于分別對輸出電路20或AFC電路32進行控制的數據(未圖示)。
[0066]頻率調節數據為用于對振蕩器I的頻率進行調節的數據，在振蕩器I的頻率偏離所需的頻率的情況下，通過對頻率調節數據進行改寫，從而能夠以使振蕩器I的頻率接近于所需的頻率的方式進行微調節。
[0067]溫度補償數據(I次補償數據、……、n次補償數據)為，在振蕩器I的溫度補償調節工序中被計算出的、振蕩器I的頻率溫度特性的補正用的數據，例如，也可以為與振動元件3的頻率溫度特性的各次數成分相對應的I次?η次的系數值。在此，作為溫度補償數據的最大次數η，而選擇如下的值，S卩，抵消振動元件3的頻率溫度特性，而且，還能夠對集成電路(IC)2的溫度特性的影響進行補正的值。例如，η也可以為大于振動元件3的頻率溫度特性的主要次元數的整數值。例如，如果振動元件3為AT切割水晶振動元件，則由于頻率溫度特性呈3次曲線，且該主要次元數為3，因此，作為η，也可以選擇大于3的整數值(例如，5或6)。并且，溫度補償數據既可以包括I次?η次的所有次元數的補償數據，也可以僅僅包括I次?η次中的一部分次元數的補償數據。
[0068]被存儲于非易失性存儲器72中的各數據在集成電路(IC)2的電源接通時(VDD端子的電壓從OV起上升至所需的電壓時)從非易失性存儲器72被傳送至寄存器74，并被保持于寄存器74中。而且，在頻率調節電路30中輸入有被保持于寄存器74中的頻率調節數據，在溫度補償電路40中輸入有被保持于寄存器74中的溫度補償數據(I次補償數據、……、n次補償數據)，在輸出電路20或AFC電路32中，也輸入有被保持于寄存器74中的各控制用的數據。
[0069]在非易失性存儲器72為不可改寫的情況下，在振蕩器I的檢查時，從外部端子經由串行接口電路80而將各數據直接寫入寄存器74的各個位中，所述寄存器74中保存有從非易失性存儲器72被傳送的各數據，并以使振蕩器I滿足所需的特性的方式，而對各數據被進行調節或選擇，并將調節或選擇而得的各數據最終寫入非易失性存儲器72中。另外，在非易失性存儲器72為可改寫的情況下，也可以在振蕩器I的檢查時，從外部端子經由串行接口電路80而將各數據寫入非易失性存儲器72中。但是，由于向非易失性存儲器72的寫入一般很費時間，因此，在振蕩器I的檢查時，為了縮短檢查時間，也可以采用如下方式，即，從外部端子經由串行接口電路80而將各數據直接寫入寄存器74的各個位中，并將調節或選擇而得的各數據最終寫入非易失性存儲器72中。
[0070]振蕩電路10通過使振動元件3的輸出信號放大并反饋至振動元件3，從而使振動元件3進行振蕩，并輸出基于振動元件3的振蕩的振蕩信號。例如也可以通過被保存于寄存器74中的控制數據，而對振蕩電路10的振蕩段電流進行控制。
[0071]頻率調節電路30產生與被保持于寄存器74中的頻率調節數據相對應的電壓，并將其施加于作為振蕩電路10的負載電容而發揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，以使預定的溫度(例如，25°C)且VC端子的電壓成為預定的電壓(例如，VDD/2)的條件下的振蕩電路10的振蕩頻率(基準頻率)大致為所需的頻率的方式進行控制(微調節)。
[0072]AFC電路32產生與VC端子的電壓相對應的電壓，并將該電壓施加于作為振蕩電路10的負載電容而發揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，振蕩電路10的振蕩頻率(振動元件3的振蕩頻率)根據VC端子的電壓值而被控制。例如，也可以根據被保持于寄存器74中的控制數據，而對AFC電路32的增益進行控制。
[0073]溫度傳感器50為，輸出與其周圍的溫度相對應的信號(例如，與溫度相對應的電壓)的感溫元件。溫度傳感器50既可以為溫度越高則輸出電壓越高的正極性的傳感器，也可以為溫度越高則輸出電壓越低的負極性的傳感器。并且，作為溫度傳感器50，優選為，在保證了振蕩器I的動作的所需的溫度范圍內，輸出電壓盡可能相對于溫度變化而呈線形變化。
[0074]溫度補償電路40被輸入來自溫度傳感器50的輸出信號，并產生用于對振動元件3的頻率溫度特性進行補償的電壓(溫度補償電壓)，并將該電壓施加于作為振蕩電路10的負載電容而發揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，振蕩電路10的振蕩頻率以不依賴于溫度而幾乎為恒定的方式而被控制。在本實施方式中，溫度補償電路40被構成為，包括I次電壓產生電路41 一 I至η次電壓產生電路41 一 η以及加法運算電路42。
[0075]I次電壓產生電路41 一 I至η次電壓產生電路41 一 η分別被輸入有來自溫度傳感器50的輸出信號，并根據與被保持于寄存器74中的I次補償數據至η次補償數據，而產生用于對頻率溫度特性的I次成分至η次成分進行補償的I次補償電壓至η次補償電壓。
[0076]加法運算電路42對I次電壓產生電路41 一 I至η次電壓產生電路41 一 η分別產生的I次補償電壓至η次補償電壓進行加法運算并輸出。該加法運算電路42的輸出電壓成為溫度補償電路40的輸出電壓(溫度補償電壓)。
[0077]輸出電路20被輸入有振蕩電路10所輸出的振蕩信號，而生成外部輸出用的振蕩信號，并經由OUT端子而向外部輸出。例如，也可以通過被保存于寄存器74中的控制數據，而對輸出電路20中的振蕩信號的分頻比或輸出電平進行控制。
[0078]以該方式構成的振蕩器I在所需的溫度范圍內，不依賴于溫度，作為輸出與外部端子VCl的電壓相對應的恒定的頻率的振蕩信號的電壓控制型的溫度補償型振蕩器(如果振動元件3為水晶振動元件，則為VC—TCX0(Voltage Controlled Temperature CompensatedCrystal OsciIlator:壓控溫補晶體振蕩器))而發揮功能。
[0079]振蕩器的制造方法
[0080]圖4為表示本實施方式的振蕩器I的制造方法的步驟的一個示例的流程圖。也可以省略或變更圖4的工序SlO?S70的一部分，或者附加其他工序。另外，也可以在可能的范圍內對各工序的順序進行適當變更。
[0081]在圖4的示例中，首先，將集成電路(IC)2和振動元件3(對振動元件3進行收納的封裝件8)搭載于封裝件4中(SlO)。通過工序S10，從而使(IC)2和振動元件3成為如下狀態，SP，通過設置于封裝件4的內部或凹部的表面上的配線而被連接，從而在向集成電路(IC)2供給電源時，將使集成電路(I C) 2和振動元件3電連接的狀態。
[0082]接下來，通過蓋5而對封裝件4進行密封，并實施熱處理，從而將蓋5粘合于封裝件4上(S20)。通過該工序S20，從而完成振蕩器I的組裝。
[0083]接下來，對振蕩器I的基準頻率(基準溫度TO (例如，25 °C)的頻率)進行調節(S30)。在該工序S30中，在基準溫度TO下使振蕩器I進行振蕩，從而對頻率進行測量，并以頻率偏差接近于O的方式來確定頻率調節數據，。
[0084]接下來，對振蕩器I的VC靈敏度進行調節(S40)。在該工序S40中，在基準溫度TO下，在對外部端子VCl施加預定的電壓(例如，OV或VDD)的狀態下，使振蕩器I進行振蕩，從而對頻率進行測量，并以獲得所需的VC靈敏度的方式來確定AFC電路32的調節數據。
[0085]接下來，實施振蕩器I的溫度補償調節(S50)。該溫度補償調節工序S50的詳細進行后文敘述。
[0086]接下來，將通過工序S30、S40以及S50而獲得的各數據存儲在存儲部70的非易失性存儲器72中(S60)。
[0087]最后，對振蕩器I的頻率溫度特性進行測量，對是否良好進行判斷(S70)。在該工序S70中，在使溫度逐漸變化的同時對振蕩器I的頻率進行測量，在所需的溫度范圍(例如，一40°C以上且85°C以下)內，對頻率偏差是否在預定范圍內進行評價，如果頻率偏差在預定范圍內，則判斷為合格品，如果頻率偏差不在預定范圍內，則判定非合格品。
[0088]振蕩器的頻率溫度特性
[0089]一般而言，在溫度補償調節工序中，在所需的溫度范圍(例如，一40°C以上且85°C以下)內，于多個溫度下對振蕩器I的頻率進行測量，使用測量結果，并通過以溫度(溫度傳感器的輸出電壓)為變量的η次式來對振蕩器的頻率溫度特性進行擬合，并將基準溫度TO的頻率偏差設為O，且生成減小在所需的溫度范圍內的頻率偏差的幅度這樣的溫度補償數據(I次補償數據、…、η次補償數據)。
[0090]圖5為，針對使用通過一般的溫度補償調節工序而獲得的溫度補償數據進行溫度補償的現有的溫度補償型振蕩器的四個樣本，而對頻率偏差的斜率(頻率偏差相對于溫度的斜率，且為以溫度對頻率偏差進行微分(差分)所得的斜率)的一個示例進行圖示的圖。在圖5中，橫軸為溫度(單位:°C)，縱軸為頻率偏差(單位:ppm)。如圖5所示，在任意一個的樣本中，頻率偏差的斜率(絕對值)在一40 °C處最大，所述一40 0C為溫度補償范圍內(一 40 °C以上且85°C以下)與溫度補償范圍外的邊界的溫度(溫度補償范圍的一端的溫度)，大于土
0.025ppm/°C ( = 土 25ppb/°C )。即，由于將基準溫度TO (例如，25 °C)的頻率偏差設為O，因此在與基準溫度TO之間的差最大的溫度補償范圍的端處的溫度附近，振蕩器相對于溫度變化的頻率變化量將會變得最大。
[0091]因此，即使在溫度補償范圍內振蕩器的頻率偏差處于預定的范圍內，在溫度補償范圍的端處的溫度下相對于溫度變化的頻率變動也較大，從而用作頻率穩定度的評價指標的、ADEV (Al Ian Deviat1n:阿倫方差)、TDEV (Time Deviat1n:時間偏差)、MT IE (MaximumTime Interval Error最大時間間隔誤差)等的特性較差。
[0092]因此，在本實施方式中，在圖4的溫度補償調節工序S50中，生成減小溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率的溫度補償數據。圖6為表示本實施方式的溫度補償調節工序(圖4的S50)的步驟的一個示例的流程圖。此外，在圖6的流程的開始時，在寄存器74中存儲有通過圖4的工序S30以及S40而獲得的各數據。
[0093]在圖6的示例中，首先，在所需的溫度范圍(例如，一40°C以上且85°C以下的溫度范圍)中包含的多個溫度下對振蕩器I的頻率進行測量(S51)，根據通過工序S51測量所得的頻率而生成第一溫度補償數據(I次補償數據、……、n次補償數據)(S52)。在工序S51中，取得未進行溫度補償的振蕩器I的頻率溫度特性。在工序S52中，例如，溫度補償數據的計算程序通過以溫度(溫度傳感器50的輸出電壓)為變量的η次式，而對通過工序S51測量所得的振蕩器I的頻率溫度特性進行擬合，并將基準溫度TO的頻率偏差設為0，且生成減小所需的溫度范圍內的頻率偏差的幅度的第一溫度補償數據。該工序S51以及S52(第一溫度補償調節工序)與上述的一般的溫度補償調節工序相同。
[0094]接下來，在非易失性存儲器72中未存儲通過在多個溫度下對振蕩器I的頻率進行測量而獲得的第一溫度補償數據，而在多個溫度下對根據該第一溫度補償數據并通過溫度補償電路40而被溫度補償之后的振蕩器I的頻率進行測量(S53)，并根據在工序S53中測量所得的頻率來生成第二溫度補償數據(I次補償數據、……、n次補償數據)(S54)。在工序S53中，與工序S51相比，例如在較多的溫度下對根據在工序S52中生成的第一溫度補償數據而進行了溫度補償之后的振蕩器I的頻率進行測量，從而取得振蕩器I的頻率溫度特性。在工序S54中，例如，溫度補償數據的計算程序通過以溫度(溫度傳感器50的輸出電壓)為變量的η次式而對在工序S53中測量所得的振蕩器I的頻率溫度特性進行擬合，從而生成減小溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率的第二溫度補償數據。例如，在工序S54中，溫度補償數據的計算程序也可以生成如下溫度補償數據，即，使溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差接近于0(其結果為，頻率偏差的斜率將變小)，且在所需的溫度范圍內的頻率偏差的幅度處于預定的范圍內的第二溫度補償數據。在該工序S53以及S54(第二溫度補償調節工序)中，也可以以使溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的方式生成第二溫度補償數據。
[0095]而且，在工序S54中獲得的第二溫度補償數據作為上述的溫度補償數據(I次補償數據、……、n次補償數據)，并通過圖6的工序S60而被存儲在非易失性存儲器72中。
[0096]而且，通過根據需要而被存儲在非易失性存儲器72中的數據，而使溫度補償電路40發揮功能從而對振蕩器I的頻率溫度特性進行確認。
[0097]圖7為表示本實施方式的振蕩器I的頻率偏差的斜率(以溫度而對頻率偏差進行微分(差分)所得的斜率)的一個示例的圖。在圖7中，橫軸為溫度(單位:°C)，縱軸為頻率偏差(單位:ppm)。在圖7中，針對如下的各種情況而圖示了頻率偏差的斜率的坐標圖。所述情況為，根據在圖6的工序S51以及S52(第一溫度補償調節工序)中獲得的第一溫度補償數據進行溫度補償的情況和根據在圖6的工序S53以及S54(第二溫度補償調節工序)中獲得的第二溫度補償數據進行溫度補償的情況。
[0098]如圖7所示，雖然在作為溫度補償范圍(一40°C以上且85°C以下)的端處的溫度的一40°C下根據第一溫度補償數據進行了溫度補償的情況下的頻率偏差的斜率大于+
0.03ppm/°C(=+30ppb/°C)，但是根據第二溫度補償數據進行了溫度補償的情況下的頻率偏差的斜率被改善為+0.02ppm/°C(=+20ppb/°C)以下。因此，可以說，根據第二溫度補償數據進行溫度補償的本實施方式的振蕩器I，與根據第一溫度補償數據進行溫度補償的一般的振蕩器進行比較，作為溫度補償范圍(一 40°C以上且85°C以下)的端處的溫度的一 40°C下的頻率穩定度得到提高。
[0099]另外，在圖7的示例中，在根據第二溫度補償數據進行了溫度補償的情況下，與根據第一溫度補償數據進行了溫度補償的情況進行比較，雖然基準溫度(25°C)附近的頻率偏差的斜率變大，但是溫度補償范圍(一 40°C以上且85°C以下)的頻率偏差的斜率的范圍將縮小至一0.025ppm/°C ( = — 25ppb/°C)以上且+0.025ppm/°C ( =+25ppb/°C )以下。即，在溫度補償范圍內，根據第二溫度補償數據而進行了溫度補償時的頻率偏差的斜率的最大值(0.025ppm/°C以下的值)與根據第一溫度補償數據而進行了溫度補償時的頻率偏差的斜率的最大值(0.03ppm/°C以上的值)相比而較小。因此，可以說，使用第二溫度補償數據進行溫度補償的本實施方式的振蕩器I與使用第一溫度補償數據進行溫度補償的一般的振蕩器進行比較，溫度補償范圍(一 40°C以上且85°C以下)的各溫度下的頻率穩定度均較為良好。
[0100]此外，在該工序S53以及S54(第二溫度補償調節工序)中，也可以以使溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的方式生成第二溫度補償數據。在圖7的示例中，由于使用第二溫度補償數據進行了溫度補償時的一40°C下的頻率偏差的斜率為稍微大于+0.01ppm/°C(=+10ppb/°C)的程度，因此，例如，如果稍微增大溫度補償范圍(一40°C以上且85°C以下)內的頻率偏差的斜率的范圍，則還可能為+0.0 lppm/°C ( =+1ppb/°C)以下。
[0101]效果
[0102]如以上所說明的那樣，在本實施方式中，在第二溫度補償調節工序(圖6的S53以及S54)中，在多個溫度下對根據在第一溫度補償調節工序(圖6的S51以及S52)中獲得的第一頻率數據而進行了溫度補償之后的振蕩器I的頻率進行測量，并根據測量所得的頻率來生成第二溫度補償數據。因此，即使根據第一溫度補償數據而進行了溫度補償之后的振蕩器I的頻率在溫度補償范圍的端處的溫度下發生急劇變化的情況下，也能夠生成如下第二溫度補償數據，即，在根據第一溫度補償數據而進行了溫度補償之后的振蕩器I的頻率基礎上，使溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率變化變得更為平緩的第二溫度補償數據。尤其，在第二溫度補償調節工序中，通過以使由溫度補償電路40實施的溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的方式生成第二溫度補償數據，從而能夠提供一種如下溫度補償型的振蕩器I，即，即使不使用能夠實施多次改寫的存儲器，而使用非易失性存儲器72等的所謂僅能夠實施一次數據的改寫的存儲器(單次編程存儲器)，而也使溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率與以往相比而變小(一20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下)、從而與以往相比提高頻率穩定性(ADEV、TDEV、MTIE等的特性)的溫度補償型的振蕩器I。
[0103]另外，通過在第二溫度補償調節工序中，以使由溫度補償電路40實施的溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的方式生成第二溫度補償數據，從而能夠提供一種溫度補償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率進一步變小(一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下)從而進一步提高頻率穩定性的溫度補償型的振蕩器I。
[0104]另外，通過在由溫度補償電路40實施的在溫度補償范圍內，使根據第二溫度補償數據而被溫度補償時的頻率偏差的斜率的最大值，與根據第一溫度補償數據而被溫度補償時的頻率偏差的斜率的最大值相比而較小，從而能夠提供一種在溫度補償范圍的各溫度下的頻率穩定度均良好的溫度補償型的振蕩器I。
[0105]此外，在圖4的溫度補償調節工序S50中，優選為，更加準確地對振蕩器I的頻率溫度特性(包含振動元件3的頻率溫度特性和集成電路(IC) 2的溫度特性在內)進行擬合。在此，由于在振蕩器I的頻率溫度特性中振動元件3的頻率溫度特性為支配性的，因此優選為，更加準確地對振動元件3的頻率溫度特性進行擬合，換言之，相對于振動元件3的頻率溫度特性的擬合式的頻率偏差較小。
[0106]例如，如果振動元件3為AT切割振動元件，則如圖8所示，由于其頻率溫度特性(圖8的實線)呈3次曲線(主要次數為3)，因此優選為，相對于振動元件3的頻率溫度特性的3次以上的擬合式(圖8的虛線)的、振動元件3的頻率偏差DF/F盡可能較小。如此，在溫度補償調節工序S50中，即使考慮集成電路(IC)2的溫度特性的偏差，也容易生成用于在溫度補償范圍(例如，一40°C以上且+85°C以下)內實現頻率偏差較小的振蕩器I的第二溫度補償數據。其結果為，在圖4的工序S70中，由于當對頻率偏差處于預定范圍內進行評價時為合格品的概率將會變大，因此能夠提高成品率。
[0107]由于振動元件3的頻率溫度特性根據激勵電極3a、3b的位置或形狀、振動元件3的形狀或尺寸等的參數而變化，因此，在振動元件3的設計階段中，例如，通過以即使在量產時的特性偏差的上限或下限處，在頻率溫度特性中也不產生傾斜的方式決定參數值，從而能夠實現頻率偏差DF/F較小的振動元件3。
[0108]而且，在溫度補償調節工序S50中，為了使所生成的第二溫度補償數據進一步反映集成電路(IC)2的溫度特性，而通過更高次式來對振蕩器I的頻率溫度特性進行擬合的方式也較為有效。例如，如果振動元件3為AT切割振動元件，則優選為，通過5次以上的式子來對振蕩器I的頻率溫度特性進行擬合。如此，在溫度補償調節工序中，容易生成如下第二溫度補償數據，即，用于實現在集成電路(IC)2的溫度特性的基礎上、溫度補償范圍內的頻率偏差還較小的振蕩器I的第二溫度補償數據。其結果為，能夠進一步提高成品率。
[0109]此外，雖然上述的本實施方式的振蕩器I為，具有溫度補償功能和電壓控制功能(頻率控制功能)的振蕩器(VC — TCXO等)，但是也可以為不具有電壓控制功能(頻率控制功能)的溫度補償型振蕩器(TCX0等)。
[0110]2.電子設備
[0?11 ]圖9為表不本實施方式的電子設備的結構的一個不例的功能框圖。另外，圖10為表示作為本實施方式的電子設備的一個示例的智能電話的外觀的一個示例的圖。
[0112]本實施方式的電子設備300被構成為，包括振蕩器310、CPU(Central ProcessingUnit:中央處理器)320、操作部 330、R0M(Read Only Memory,只讀存儲器)340、RAM (RandomAccess Memory，隨機存取存儲器)350、通信部360、顯示部370。并且，本實施方式的電子設備也可以采用省略或變更圖9的結構要素(各部)的一部分，或者附加了其他結構要素的結構。
[0113]振蕩器310具備集成電路(IC)312和振動元件313。集成電路(IC)312使振動元件313進行振蕩從而產生振蕩信號。該振蕩信號從振蕩器310的外部端子起向CPU320進行輸出。
[0114]0?1]320根據存儲于如1340等中的程序，而將從振蕩器310輸入的振蕩信號作為時鐘信號，來進行各種計算處理或控制處理。具體而言，CPU320實施與來自操作部330的操作信號相對應的各種處理、為了與外部裝置實施數據通信而對通信部360進行控制的處理、發送用于使顯示部370顯示各種信息的顯示信號的處理等。
[0115]操作部330為通過操作鍵或按鈕開關等而被構成的輸入裝置，并將與用戶的操作相對應的操作信號輸出至CPU320。
[0116]R0M340對供CPU320實施各種計算處理或控制處理的程序或數據等進行存儲。
[0117]RAM350對作為CPU320的工作區域而被使用的、從R0M340讀出的程序或數據、從操作部330輸入的數據、CPU320根據各種程序而執行的運算結果等進行臨時存儲。
[0118]通信部360實施用于使CPU320與外部裝置之間的數據通信成立的各種控制。
[ΟΙ19] 顯示部370為，由IXD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)等構成的顯示裝置，根據從CPU320輸入的顯示信號來對各種信息進行顯示。在顯示部370中也可以設置作為操作部330而發揮功能的觸摸屏。
[0120]作為振蕩器310，例如通過應用上述的各實施方式的振蕩器I，從而能夠實現可靠性較高的電子設備。
[0121]作為這種電子設備300而考慮到各種電子設備。例如，可列舉出個人計算機(例如，便攜式個人計算機、膝上型個人計算機、平板型個人計算機)、智能電話或移動電話機等的移動體終端、數碼照相機、噴墨式噴出裝置(例如，噴墨式打印機)，路由器或開關等存儲區域網絡設備、局域網設備、移動體終端基站用設備、電視機、攝像機、錄像機、汽車導航裝置、實時時鐘裝置、尋呼機、電子記事本(也包含附帶通信功能的產品)、電子辭典、臺式電子計算器、電子游戲設備、游戲用控制器、文字處理器、工作站、可視電話、防盜用視頻監視器、電子雙筒望遠鏡、POS(Point of Sale:銷售點)終端、醫療設備(例如電子體溫計、血壓計、血糖儀、心電圖測量裝置、超聲波診斷裝置、電子內窺鏡)、魚群探測器、各種測量設備、計量儀器類(例如，車輛、飛機、船舶的計量儀器類)、飛行模擬器、頭戴式顯示器、動作軌跡、動作跟蹤、運動控制器、PDR(Precis1n Depth Recorder:步行者航位推算)等。
[0122]作為本實施方式的電子設備300的一個示例，可舉出將上述的振蕩器310作為基準信號源或者電壓可變型振蕩器(VCO)等而使用，例如，作為通過有線或無線而與終端之間實施通信的終端基站用裝置等而發揮功能的傳送裝置。作為振蕩器310，例如通過應用上述的本實施方式的振蕩器I，從而能夠以與以往相比而較低的成本來實現例如通信基站等能夠利用的、可期望頻率精度$父尚、尚性能、尚可靠性的電子設備300。
[0123]另外，作為本實施方式的電子設備300的另一個示例，也可以為包括如下頻率控制部的通信裝置，即，通信部360接收外部時鐘信號，CPU320(處理部)根據該外部時鐘信號和振蕩器310的輸出信號(內部時鐘信號)而對振蕩器310的頻率進行控制的頻率控制部。該通信裝置例如也可以為，Stratum 3等的基干網絡設備或飛蜂窩基站(Femto cell)所使用的通信設備。
[0124]網絡設備由于互連著時間同步網絡，因此獲取著準確的時間。越位于時間同步網絡的終端的網絡設備則越容易產生同步切斷或時間波動(時間偏離)。本實施方式的振蕩器310由于能夠實現0.1ppm以下的極高精度的頻率溫度特性，因此對該時間波動進行補正，作為同步切斷時的代替的時鐘源較為合適。例如，通過具備與Stratum3標準相對應的振蕩器310，從而能夠實現如下網絡設備，S卩，能夠實現由對同步以太網的通信方法等進行規定的SyncE(Synchronous Ethernet:同步以太網)標準所規定的干擾、波動以及延遲等條件的網絡設備。
[0125]另外，飛蜂窩基站為，移動電話基站(單元)中的、可設想設置在辦公室或家庭內的極小規模的基站，飛蜂窩基站所覆蓋的電波輸出范圍的半徑為數十米左右。飛蜂窩基站通過寬帶回線而連接至移動電話網。即使是建筑物所包圍的辦公室空間這種的、在現有的結構中無法確保充分的電波狀態的場所，通過設置飛蜂窩基站，也能夠確保通話。另外，從利用固定通信回線而使移動電話與固定電話融合的服務即FMC(Fixed Mobile Convergence:固定網絡與移動網絡融合)的導入變得可能的觀點出發，飛蜂窩基站也將引起廣泛關注。
[0126]3.移動體
[0127]圖11為表不本實施方式的移動體的一個不例的圖(俯視圖)O圖11所不的移動體400被構成為，包括振蕩器410、實施發動機系統、制動系統、無鑰匙進入系統等各種控制的控制器420、430、440、蓄電池450以及備用蓄電池460。并且，本實施方式的移動體也可以采用省略或變更圖11的結構要素(各部分)的一部分或者附加了其他結構要素的結構。
[0128]振蕩器410具備未圖示的集成電路(IC)和振動元件，集成電路(IC)使振動元件進行振蕩從而產生振蕩信號。該振蕩信號從振蕩器410的外部端子向控制器420、430、440進行輸出，例如，作為時鐘信號而被使用。
[0129]蓄電池450向振蕩器410以及控制器420、430、440供給電力。備用蓄電池460在蓄電池450的輸出電壓與閾值相比較低時，向振蕩器410以及控制器420、430、440供給電力。
[0130]作為振蕩器410，例如通過應用上述的各實施方式的振蕩器I，從而能夠實現可靠性較高的移動體。
[0131]作為這樣的移動體400，考慮到各種移動體，例如，汽車(也包含電動汽車)，噴氣式飛機或直升機等飛機、船舶、火箭、人造衛星等。
[0132]本發明并不限于本實施方式，能夠在本發明的主旨的范圍內進行各種變形實施。
[0133]上述的實施方式和改變例為一個示例，但并限定于此。例如，還能夠對各實施方式和各改變例進行適當組合。
[0134]本發明包含與實施方式所說明的結構實質上相同的結構(例如，功能、方法以及結果相同的結構，或者目的以及效果相同的結構)。此外，本發明包含對實施方式所說明的結構的非本質部分進行置換的結構。此外，本發明包含與實施方式所說明的結構起同樣作用效果的結構或者能夠實現相同目的的結構。此外，本發明包含向實施方式所說明的結構中附加了公知技術的結構。
[0135]符號說明
[0136]I振蕩器;2集成電路(IC) ;3振動元件;3a、3b激勵電極;4封裝件；5蓋;6外部端子(外部電極)；7接合引線;8封裝件;8a基座;8b蓋;9粘合部件；1振蕩電路;11電極襯墊；12連接部件;20輸出電路;30頻率調節電路;32AFC電路;40溫度補償電路;41 一I I次電壓產生電路;41 一η η次電壓產生電路;42加法運算電路;50溫度傳感器;60調壓電路;70存儲部;72非易失性存儲器;74寄存器、80串行接口(I/F)電路;300電子設備；310振蕩器;312集成電路(IC); 313振動元件；320CPU ； 330操作部；340R0M ； 350RAM; 360通信部；370顯示部；400移動體;410振蕩器;420、430、440控制器;450蓄電池;460備用蓄電池。
【主權項】
1.一種振蕩器的制造方法，其中，所述振蕩器包括: 振動元件； 振蕩電路，其使所述振動元件進行振蕩從而輸出振蕩信號； 溫度補償電路，其在所需的溫度范圍內對所述振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償， 所述振蕩器的制造方法包括: 第一溫度補償調節工序，在多個溫度下對所述頻率進行測量，并根據溫度與所述頻率之間的關系而對第一溫度補償數據進行計算； 第二溫度補償調節工序，在所述第一溫度補償調節工序之后，在多個溫度下對通過所述溫度補償電路并根據所述第一溫度補償數據而被溫度補償之后的所述頻率進行測量，并根據溫度與所述頻率之間的關系而對第二溫度補償數據進行計算。2.如權利要求1所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述第二溫度補償調節工序中，對如下所述第二溫度補償數據進行計算，即，在所述所需的溫度范圍的端處的溫度下，使通過所述溫度補償電路而被補償之后的所述振蕩信號的、頻率偏差相對于溫度的斜率為一20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的所述第二溫度補償數據。3.如權利要求2所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述第二溫度補償調節工序中，對如下所述第二溫度補償數據進行計算，即，使所述端處的溫度下的所述頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的所述第二溫度補償數據。4.如權利要求1所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述所需的溫度范圍內，根據所述第二溫度補償數據而進行了溫度補償時的所述振蕩信號的、頻率偏差相對于溫度的斜率的最大值，與根據所述第一溫度補償數據而進行了溫度補償時的所述頻率偏差的斜率的最大值相比而較小。5.如權利要求2所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述所需的溫度范圍內，根據所述第二溫度補償數據而進行了溫度補償時的所述頻率偏差的斜率的最大值，與根據所述第一溫度補償數據而進行溫度補償時的所述頻率偏差的斜率的最大值相比而較小。6.如權利要求3所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述所需的溫度范圍內，根據所述第二溫度補償數據而進行了溫度補償時的所述頻率偏差的斜率的最大值，與根據所述第一溫度補償數據而進行了溫度補償時的所述頻率偏差的斜率的最大值相比而較小。7.一種振蕩器，其具有: 振動元件； 集成電路，其具有使所述振動元件進行振蕩從而輸出振蕩信號的振蕩電路、在所需的溫度范圍內對所述振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償的溫度補償電路、以及第一面，其中，在所述第一面上，配置有與所述振動元件電連接的端子； 第一容器，其對所述振動元件進行收納，并且具有對所述振動元件進行覆蓋的第一蓋； 第二容器，其對所述第一容器以及所述集成電路進行收納， 所述第一容器以與所述第一蓋側相反側的面面對所述第二容器的內表面的方式而被配置， 所述集成電路的與所述第一面相反側的面經由粘合部件而與所述第一蓋相連接，通過所述溫度補償電路而被補償之后的所述振蕩信號的、頻率偏差相對于溫度的斜率，在所述所需的溫度范圍的端處的溫度下為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下。8.如權利要求7所述的振蕩器，其中， 所述端處的溫度下的所述頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下。9.如權利要求7所述的振蕩器，其中， 所述第二容器具有在俯視觀察時與所述第一容器以及所述集成電路重疊的第二蓋， 所述內表面具有配置有配線的面和所述第二蓋露出的面， 所述第一容器被配置于配置有所述配線的面上。10.如權利要求8所述的振蕩器，其中， 所述第二容器具有在俯視觀察時與所述第一容器以及所述集成電路重疊的第二蓋， 所述內表面具有配置有配線的面和所述第二蓋露出的面， 所述第一容器被配置于配置有所述配線的面上。11.一種電子設備，其中， 具備權利要求7所述的振蕩器。12.—種電子設備，其中， 具備權利要求8所述的振蕩器。13.—種電子設備，其中， 具備權利要求9所述的振蕩器。14.一種電子設備，其中， 具備權利要求10所述的振蕩器。15.—種移動體，其中， 具備權利要求7所述的振蕩器。16.—種移動體，其中， 具備權利要求8所述的振蕩器。17.—種移動體，其中， 具備權利要求9所述的振蕩器。18.—種移動體，其中， 具備權利要求10所述的振蕩器。
【文檔編號】H03L1/02GK106027036SQ201610173083
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月24日
【發明人】高向真, 大脇卓彌, 小林剛
【申請人】精工愛普生株式會社