一種封裝結構及其制造方法
【專利摘要】本申請公開了一種封裝結構，具有器件的襯底倒裝焊接在基板上，金屬凸塊將器件的引腳對外電性引出到基板。第一封裝層緊緊包裹襯底，且與基板結合形成包圍襯底和器件的密封結構，密封結構中有空腔；所述第一封裝層為多層薄膜。本申請兼顧了封裝結構的氣密性和穩定性，同時盡量減小了封裝結構的體積，并且簡化了封裝工序，降低了封裝成本。
【專利說明】
一種封裝結構及其制造方法
技術領域
[0001 ]本申請涉及一種對聲表面波器件或體聲波器件進行氣密保護的封裝結構。
【背景技術】
[0002]射頻濾波器是射頻前端(RFfront end)電路的重要元件，在接收通道上用于過濾由天線輸入的雜散信號，并將需要的信號傳輸到后級功率放大器;在發射通道上用于過濾功率放大器輸出的信號，并將需要的信號傳輸至發射端口通過天線對外發射。
[0003]射頻濾波器主要包括聲表面波(surface acoustic wave，縮寫為SAW)濾波器、體聲波(bulk acoustic wave，縮寫為BAW)濾波器、介質濾波器(dielectric filter)等。由于介質濾波器的體積較大，目前用于移動通信的射頻濾波器主要是前兩種。
[0004]聲表面波濾波器和體聲波濾波器都是基于聲波的原理，在器件的封裝結構中均需要具有空腔。較為常見的具有空腔的封裝結構有如下兩種。
[0005]請參閱圖1，第一種封裝結構主要采用金屬蓋和陶瓷基板封裝，典型代表是日本的太陽誘電株式會社。在襯底101上制造出聲表面波器件或體聲波器件103，每個器件103及其襯底101稱為一個晶粒(die)。在晶粒上通過超聲波焊接金屬凸塊105，例如為金、錫、銀、銅或其合金。再通過倒裝焊接技術將晶粒倒置與陶瓷基板107焊接在一起，金屬凸塊105電性連接器件103的焊墊與陶瓷基板107的焊墊。接著為每顆晶粒單獨加金屬蓋111，金屬蓋111包圍在晶粒外側且與晶粒之間具有一定空隙。然后進行回流焊，使得金屬蓋111通過焊接材料109與陶瓷基板107完全結合，焊接材料例如為金、錫、銀、銅或其合金。此時由金屬蓋111與陶瓷基板107構成了一個包圍器件103的密封結構，其中具有空腔。最后將整條陶瓷基板107按照每個晶粒切開。
[0006]圖1所示的封裝結構也可進行變形，由倒裝焊接改為正裝打線，即將晶粒正向放置在陶瓷基板107上，再采用焊線技術將晶粒的焊墊通過金屬線引到陶瓷基板107上的焊墊。
[0007]上述由金屬蓋和陶瓷基板進行封裝的方案成本極高，一方面陶瓷基板的價格十分昂貴；另一方面每個金屬蓋都需要特別定制，并且每一顆芯片都需要單獨地完成金屬蓋封裝的工序。陶瓷基板和金屬蓋基本完全由日本企業如京瓷、太陽誘電等公司壟斷，目前國內無任何企業實現規模量產。
[0008]請參閱圖2，第二種封裝結構主要采用晶圓級封裝(wafer level package，WLP)技術和樹脂基板，典型代表是美國的安華高科技公司，現更名為博通有限公司。在第一半導體晶圓201上制造出聲表面波器件或體聲波器件203，在第二半導體晶圓251上刻蝕出環形凸起253和連接凸起255，將第二晶圓251具有環形凸起253和連接凸起255的一面與第一晶圓201具有器件203的一面通過鍵合材料257進行鍵合。此時由第一晶圓201、第二晶圓251和環形凸起253構成了一個包圍器件203的密封結構，其中具有空腔。在連接凸起255中刻蝕通孔并填充金屬，形成的接觸孔電極259電性連接器件203的焊墊。切割鍵合后的兩片晶圓，每個器件203及其襯底201(原第一晶圓)、蓋帽251(原第二晶圓)稱為一個晶粒。將晶粒的襯底201通過粘合劑205固定到樹脂基板207上，再通過金屬打線技術由金屬線209連接接觸孔電極259上的焊墊與樹脂基板207上的焊墊，用于對外電性引出器件203的焊墊。最后采用膠體等封裝材料211包裹晶粒，并按照每個晶粒切割樹脂基板207。
[0009]圖2所示的封裝結構也可進行變形，由正裝打線改為倒裝焊接，即將晶粒倒置在樹脂基板207上，再采用倒裝焊接技術將晶粒的焊墊通過金屬凸塊的回流焊連接樹脂基板207上的焊墊。
[0010]上述由晶圓級封裝技術和樹脂基板進行封裝的方案首先需要采用兩片晶圓進行鍵合，并由娃通孔(through silicon via，TSV)技術對外引出電路連接，材料與工藝成本較高。其次，還要通過打線或倒裝焊接的方式將晶粒與樹脂基板進行二次封裝，封裝成本更為曰蟲印貝ο
[0011]—些公開文獻還記載了其他實現具有空腔的封裝結構，簡述如下。
[0012]公開號為CN1692552A、【公開日】為2005年11月2日的中國發明專利申請公開了一種SAW器件的封裝結構。該方案是在SAW芯片的外表面用加熱和軟化的樹脂片覆蓋，樹脂填充到SAW芯片之間從而與基板一起構成了SAW芯片的氣密空間。
[0013]公開號為CN1799194A、【公開日】為2006年7月5日的中國發明專利申請公開了一種SAW器件的封裝結構。其中的說明書第12頁第3段和圖9(a)公開了一種用于阻止樹脂侵入的框架構件。
[0014]公開號為CN1883043A、【公開日】為2006年12月20日的中國發明專利申請公開了一種SAW元件的封裝結構。該方案是在真空減壓條件下用樹脂膜來熱封SAW元件。
[0015]公開號為CN1914800A、【公開日】為2007年2月14日的中國發明專利申請公開了一種SAW元件的封裝結構。該方案是用樹脂來覆蓋SAW元件，填充SAW元件與基板之間的空隙。
[0016]授權公告號為CN202818243U、授權公告日為2013年3月20日的中國實用新型專利公開了一種聲表裸芯片的封裝結構。該方案是由樹脂膜通過熱壓貼合工藝包裹聲表裸芯片。
[0017]上述五份公開文獻都是采用樹脂片、樹脂膜等對聲表面波器件或體聲波器件進行密封，普遍存在如下不足。其一是實現聲波反射層的封裝結構的穩定性較差，在一些惡劣環境下封裝結構的氣密性容易被破壞，而使得整個器件失效。其二是實現聲波反射層的封裝結構的體積較大，不利于使用到輕薄的電子設備中。
【發明內容】
[0018]本申請所要解決的技術問題是提供一種具有空腔的封裝結構，能夠在惡劣環境下仍保持封裝結構的氣密性不被破壞，同時要求此種封裝結構的體積越小越好。
[0019]為解決上述技術問題，本申請的封裝結構是將具有器件的襯底倒裝焊接在基板上，金屬凸塊將器件的引腳對外電性引出到基板。第一封裝層緊緊包裹襯底，且與基板結合形成包圍襯底和器件的密封結構，密封結構中有空腔。所述第一封裝層為多層薄膜。
[0020]進一步地，在第一封裝層外緊緊包裹著第二封裝層或第三封裝層。或者，在第一封裝層外緊緊包裹著第二封裝層，在第二封裝層外緊緊包裹著第三封轉層。此時的第一封裝層可以是單層或多層的環氧樹脂和/或聚酰亞胺薄膜，第二封裝層為樹脂或膠體，第三封裝層為金屬。
[0021]可選地，在前述封裝結構中增加:倒裝的襯底與基板之間具有一圈環形凸塊，環形凸塊的位置對應于倒裝的襯底的邊緣一圈，環形凸塊的高度小于或等于倒裝的襯底與基板之間的空隙高度。在前述封裝結構中修改:第一封裝層、第二封裝層、第三封裝層分別改為第一超薄封裝層、第二超薄封裝層、第三超薄封裝層;超薄是指厚度在1ym至ΙΟΟμπι之間。所述環形凸塊或者在基板上，為金屬材質;所述環形凸塊或者在襯底上，為襯底材質。
[0022]本申請的封裝結構的制造方法包括如下步驟:第I步，在晶粒上的焊墊位置焊接金屬凸塊，所述晶粒是指每個器件及其襯底。第2步，通過倒裝焊接技術將晶粒倒置與基板焊接在一起，金屬凸塊用于將器件引腳對外電性引出到基板。第3步，通過真空壓合方式將第一封裝層緊緊地壓合在襯底和基板上;此時第一封裝層與基板結合并形成一個包圍襯底和器件的密封結構，密封結構中具有空腔;所述第一封裝層為多層薄膜。
[0023]進一步地，還包括第4步:通過注塑方式在第一封裝層外緊緊包裹第二封裝層，第二封裝層也與基板結合。或者還包括第4a步:通過濺射或電鍍的方式在第一封裝層的外側形成一層金屬作為第三封裝層。或者還包括第4步和第5步，第5步:通過濺射或電鍍的方式在第二封裝層的外側形成一層金屬作為第三封裝層。此時所述第3步中，所述第一封裝層為單層或多層薄膜。
[0024]可選地，在前述制造方法中修改，將第2步改為第2a步:通過倒裝焊接技術將晶粒倒置與基板焊接在一起，金屬凸塊用于將器件的引腳對外電性引出到基板;基板或襯底上具有一圈環形凸塊，倒裝后的晶粒的邊緣位置對應于環形凸塊。同時將第一封裝層、第二封裝層、第三封裝層分別改為第一超薄封裝層、第二超薄封裝層、第三超薄封裝層;超薄是指厚度在ΙΟμπι至ΙΟΟμπι之間。
[0025]本申請提供了一種具有空腔的封裝結構，可用于聲表面波器件、體聲波器件、MEMS器件等的封裝。這種封裝結構是以成本低廉的環氧樹脂薄膜和樹脂基板作為主要封裝材料，采用真空壓合方式、注塑方式、濺射和/或電鍍方式完成器件封裝。本申請兼顧了封裝結構的氣密性和穩定性，同時盡量減小了封裝結構的體積，并且簡化了封裝工序，降低了封裝成本。
【附圖說明】
[0026]圖1是第一種實現聲波反射層的現有封裝結構示意圖。
[0027]圖2是第二種實現聲波反射層的現有封裝結構示意圖。
[0028]圖3a至圖3d是本申請的封裝結構第一至第四實施例的結構示意圖。
[0029]圖4a至圖4d是本申請的封裝結構第一至第四實施例的制造方法流程圖。
[0030]圖5a至圖5d是本申請的封裝結構第五至第八實施例的結構示意圖。
[0031]圖6a至圖6d是本申請的封裝結構第五至第八實施例的制造方法流程圖。
[0032]圖中附圖標記說明:101為襯底；103為聲表面波器件或體聲波器件；105為金屬凸塊；107為陶瓷基板；109為焊接材料；111為金屬蓋;201為第一半導體晶圓；203為聲表面波器件或體聲波器件；205為粘合劑;207為樹脂基板;209為金屬線；211為封裝材料;251為第二半導體晶圓；253為環形凸起;255為連接凸起;257為鍵合材料;259為接觸孔電極;301為襯底;303為器件;305為金屬凸塊;307為基板;309為環形凸起;311為第一封裝層;313為第二封裝層;315為第三封裝層;351為第一超薄封裝層;353為第二超薄封裝層;355為第三超薄封裝層。
【具體實施方式】
[0033]請參閱圖3a，這是本申請的封裝結構第一實施例。具有器件303的襯底301倒裝焊接在基板307上，金屬凸塊305用于將器件303的引腳對外電性引出到基板307。所述襯底例如為硅等半導體襯底，或者是鉭酸鋰、鈮酸鋰等壓電晶體襯底。所述器件303例如為聲表面波器件或體聲波器件。所述金屬凸塊305例如為金、錫、銀、銅或其合金材質。所述基板307例如為用于封裝的樹脂基板。第一封裝層311緊緊包裹襯底301，且與基板307結合形成包圍襯底301和器件303的密封結構。密封結構中具有空腔。所述第一封裝層311可以是單層薄膜，例如為環氧樹脂;也可以是多層薄膜，例如內層是聚酰亞胺，外層是環氧樹脂。
[0034]請參閱圖4a，圖3a所示封裝結構第一實施例的制造方法包括如下步驟。
[0035]步驟S401:在晶粒上焊接金屬凸塊305，例如采用超聲波焊接工藝。所述晶粒是指每個器件303及其襯底301。金屬凸塊305被焊接在晶粒上的焊墊位置。
[0036]步驟S403:通過倒裝焊接技術將晶粒倒置與基板307焊接在一起，此時金屬凸塊305電性連接器件303的焊墊與基板307的焊墊，用于將器件303的引腳對外電性引出到基板307。
[0037]步驟S405:通過真空壓合方式，將第一封裝層311緊緊地壓合在襯底301和基板307上。此時第一封裝層311與襯底301之間沒有空隙。并且第一封裝層311與基板307結合(即連為一體)并形成一個包圍襯底301和器件303的密封結構，密封結構中具有空腔。在該步驟中，通過控制壓合過程中的時間、壓力以及溫度等參數，可以控制第一封裝層311溢進倒裝的襯底301與基板307之間空隙的深度。在該步驟中，第一封裝層311可以采用單層環氧樹脂薄膜，或者是聚酰亞胺和環氧樹脂的兩層復合薄膜。
[0038]優選地，還可在基板307上涂覆或以其他方式設置吸氣劑等材料，以提升密封結構中空腔的真空度。
[0039]與現有的封裝結構相比，本申請的封裝結構第一實施例采用單層或多層薄膜以真空壓合工藝形成具有空腔的封裝結構，不僅簡化了封裝工藝，而且降低了封裝成本。
[0040]請參閱圖3b，這是本申請的封裝結構第二實施例。與第一實施例相比，第二實施例在第一封裝層311之外緊緊包裹著第二封裝層313。第二封裝層313例如為樹脂、膠體等封裝材料。
[0041 ]請參閱圖4b，圖3b所示封裝結構第二實施例的制造方法包括步驟S401、步驟S403、步驟S405，并在步驟S405之后增加了步驟S407。
[0042]步驟S407:通過注塑工藝，使第二封裝層313緊緊地包裹住第一封裝層311并在基板307上。此時第二封裝層313與第一封裝層311之間沒有空隙。并且第二封裝層313與基板307結合，在原密封結構之外進一步進行密封。
[0043]與本申請的封裝結構第一實施例相比，本申請的封裝結構第二實施例在第一封裝層之外新增了第二封裝層，第一封裝層采用真空壓合工藝與基板連為一體，第二封裝層采用注塑工藝與基板連為一體，因此增強了封裝結構的氣密性和穩定性。
[0044]請參閱圖3c，這是本申請的封裝結構第三實施例。與第一實施例相比，第三實施例在第一封裝層311之外緊緊包裹著第三封裝層315。第三封裝層315例如為金屬，優選為鈦、銅、鎳、鈀、金或其合金。
[0045]請參閱圖4c，圖3c所示封裝結構第三實施例的制造方法包括步驟S401、步驟S403、步驟S405，并在步驟S405之后增加了步驟S417。
[0046]步驟S417:通過金屬濺射或電鍍方式，在第一封裝層311的外側形成一層金屬作為第三封裝層315。
[0047]與本申請的封裝結構第一實施例相比，本申請的封裝結構第三實施例由于在第一封裝層之外新增了第三封裝層，第一封裝層采用真空壓合工藝與基板連為一體，第三封裝層采用濺射或電鍍工藝形成在第一封裝層的外側，因此增強了封裝結構的氣密性和穩定性。
[0048]請參閱圖3d，這是本申請的封裝結構第四實施例。與第二實施例相比，第四實施例在第二封裝層313的外側具有第三封裝層315。所述第三封裝層315例如為金屬，優選為鈦、銅、鎳、鈀、金或其合金。
[0049]請參閱圖4d，圖3d所示封裝結構第四實施例的制造方法包括包括步驟S401、步驟S403、步驟S405、步驟S407，并在步驟S407之后增加了步驟S409。
[0050]步驟S409:通過濺射或電鍍的方式，在第二封裝層313的外側形成一層金屬作為第三封裝層315。
[0051]與本申請的封裝結構第二或第三實施例相比，本申請的封裝結構第四實施例囊括了薄膜真空壓合、樹脂或膠體注塑、金屬濺射或電鍍工藝，所形成的封裝結構也因此具有至少三層，極大地增強了在惡劣環境中使用的氣密性和穩定性，同時對于體積增加則非常有限。
[0052]請參閱圖5a，這是本申請的封裝結構第五實施例。與第一實施例相比，第五實施例有兩點區別。首先，在倒裝的襯底301與基板307之間具有一圈環形凸塊309，環形凸塊309的位置對應于倒裝的襯底301的邊緣一圈。環形凸塊309例如在基板307上，為金屬材質；或者在襯底301的邊緣，為襯底材質。環形凸塊309的高度小于或等于倒裝的襯底301與基板307之間的空隙高度。其次，第一封裝層311改為了厚度在I Ομπι至IΟΟμπι之間的第一超薄封裝層351。所述第一超薄封裝層351可以是單層薄膜，例如為環氧樹脂;也可以是多層薄膜，例如內層是聚酰亞胺，外層是環氧樹脂。
[0053]請參閱圖6a，圖5a所示封裝結構第五實施例的制造方法包括如下步驟。
[0054]步驟S601:在晶粒上焊接金屬凸塊305，例如采用超聲波焊接工藝。所述晶粒是指每個器件303及其襯底301。金屬凸塊305被焊接在晶粒上的焊墊位置。
[0055]步驟S603:通過倒裝焊接技術將晶粒倒置與基板307焊接在一起，此時金屬凸塊305電性連接器件303的焊墊與基板307的焊墊，用于將器件303的引腳對外電性引出到基板307。基板307上具有一圈環形凸塊309，倒裝后的晶粒的邊緣位置對應于基板307上的環形凸起309的位置。或者是襯底301的邊緣位置具有一圈環形凸塊309，例如通過刻蝕襯底301而得到這一圈環形凸塊309。
[0056]步驟S605:通過真空壓合方式，將第一超薄封裝層351緊緊地壓合在襯底301、環形凸塊309和基板307上。此時第一超薄封裝層351與襯底301之間沒有空隙，第一超薄封裝層351與環形凸塊309的側面之間也沒有空隙。并且第一超薄封裝層351與基板307結合并形成一個包圍襯底301和器件303的密封結構，該密封結構中具有空腔。
[0057]優選地，還可在基板307上涂覆或以其他方式設置吸氣劑等材料，以提升第一密封結構中空腔的真空度。
[0058]與本申請的封裝結構第一至第四實施例相比，本申請的封裝結構第五實施例改為采用厚度在ΙΟμπι至ΙΟΟμπι之間的超薄封裝層。超薄封裝層沿著環形凸塊和襯底的邊緣成臺階狀，這能有效減小封裝結構的體積，使封裝后的器件適用于日趨輕薄的電子設備中。但是超薄封裝層在真空壓合工藝中較容易溢進倒裝的襯底與基板之間的空隙中，為此本申請的封裝結構第五實施例在所述空隙中設置了具有一定高度的環形凸塊，用來阻擋超薄封裝層溢進所述空隙。設置環形凸起還減少了超薄封裝層覆蓋所述空隙的范圍，并增加了超薄封裝層與環形凸塊之間的接觸，因此進一步加強了封裝結構的氣密性與穩定性。
[0059]請參閱圖5b，這是本申請的封裝結構第六實施例。與第五實施例相比，第六實施例有在第一超薄封裝層351之外緊緊包裹著第二超薄封裝層353。第二超薄封裝層353的厚度在I Ομπι至I ΟΟμη!之間，例如為樹脂、膠體等封裝材料。
[0060]請參閱圖6b，圖5b所示封裝結構第六實施例的制造方法包括包括步驟S601、步驟S603、步驟S605，并在步驟S605之后增加了步驟S607。
[0061 ]步驟S607:通過注塑工藝，使第二超薄封裝層353緊緊地包裹住第一超薄封裝層351并在基板307上。此時第二超薄封裝層353與第一超薄封裝層351之間沒有空隙。并且第二超薄封裝層353與基板307結合，在原密封結構之外進一步進行密封。
[0062]與本申請的封裝結構第五實施例相比，本申請的封裝結構第六實施例由于在第一超薄封裝層之外新增了第二超薄封裝層，因此增強了封裝結構的氣密性和穩定性，同時對于體積增加則非常有限。
[0063]請參閱圖5c，這是本申請的封裝結構第七實施例。與第五實施例相比，第七實施例在第一超薄封裝層351之外緊緊包裹著第三超薄封裝層355。第三超薄封裝層355的厚度在I Ομπι至I ΟΟμη!之間，例如為金屬，優選為鈦、銅、鎳、鈀、金或其合金。
[0064]請參閱圖6c，圖5c所示封裝結構第七實施例的制造方法包括步驟S601、步驟S603、步驟S605，并在步驟S605之后增加了步驟S617。
[0065]步驟S617:通過金屬濺射或電鍍方式，在第一超薄封裝層351的外側形成一層金屬作為第三超薄封裝層355。
[0066]與本申請的封裝結構第五實施例相比，本申請的封裝結構第七實施例由于在第一超薄封裝層之外新增了第三超薄封裝層，因此增強了封裝結構的氣密性和穩定性，同時對于體積增加則非常有限。
[0067]請參閱圖5d，這是本申請的封裝結構第八實施例。與第六實施例相比，第八實施例在第二超薄封裝層353的外側具有第三超薄封裝層355。所述第三超薄封裝層355的厚度在I Ομπι至I ΟΟμη!之間，例如為金屬，優選為鈦、銅、鎳、鈀、金或其合金。
[0068]請參閱圖6d，圖5d所示封裝結構第八實施例的制造方法包括包括步驟S601、步驟S603、步驟S605、步驟S607，并在步驟S607之后增加了步驟S609。
[0069]步驟S609:通過濺射或電鍍的方式，在第二超薄封裝層353的外側形成一層金屬作為第三超薄封裝層355。
[0070]與本申請的封裝結構第六或第七實施例相比，本申請的封裝結構第八實施例囊括了薄膜真空壓合、樹脂或膠體注塑、金屬濺射或電鍍工藝，所形成的封裝結構也因此具有至少三層，極大地增強了在惡劣環境中使用的氣密性和穩定性，同時對于體積增加則非常有限。
[0071]以上各個實施例中，本申請的封裝結構兼顧了對于氣密性和穩定性的質量要求以及對于小體積的裝配要求，不僅適用于聲表面波器件或體聲波器件的封裝，也適用于其他有氣密或保護要求的半導體器件的封裝，例如MEMS器件的封裝等。本申請的封裝結構制造方法主要采用真空壓合工藝，兼用樹脂或膠體的注塑工藝、金屬濺射和/或電鍍工藝來實現多層封裝結構，簡化了封裝工序的同時，也降低了封裝成本。
[0072]以上僅為本申請的優選實施例，并不用于限定本申請。對于本領域的技術人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種封裝結構，具有器件的襯底倒裝焊接在基板上，金屬凸塊將器件的引腳對外電性引出到基板;其特征是，第一封裝層緊緊包裹襯底，且與基板結合形成包圍襯底和器件的密閉空腔結構;所述第一封裝層為多層薄膜。2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征是，所述第一封裝層為單層或多層的環氧樹脂和/或聚酰亞胺薄膜;在第一封裝層外緊緊包裹著第二封裝層或第三封裝層;所述第二封裝層為樹脂或膠體;所述第三封裝層為金屬。3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征是，所述第一封裝層為單層或多層的環氧樹脂和/或聚酰亞胺薄膜;在第一封裝層外緊緊包裹著第二封裝層，在第二封裝層外緊緊包裹著第三封轉層;所述第二封裝層為樹脂或膠體;所述第三封裝層為金屬。4.根據權利要求1至3中任一項所述的封裝結構，其特征是，倒裝的襯底與基板之間具有一圈環形凸塊，環形凸塊的位置對應于倒裝的襯底的邊緣一圈，環形凸塊的高度小于或等于倒裝的襯底與基板之間的空隙高度;第一封裝層、第二封裝層、第三封裝層分別改為第一超薄封裝層、第二超薄封裝層、第三超薄封裝層;超薄是指厚度在1ym至10ym之間。5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征是，所述環形凸塊在基板上，為金屬材質;或者所述環形凸塊在襯底上，為襯底材質。6.一種封裝結構的制造方法，其特征是，包括如下步驟: 第I步，在晶粒上的焊墊位置焊接金屬凸塊，所述晶粒是指每個器件及其襯底； 第2步，通過倒裝焊接技術將晶粒倒置與基板焊接在一起，金屬凸塊用于將器件引腳對外電性引出到基板； 第3步，通過真空壓合方式將第一封裝層緊緊地壓合在襯底和基板上;此時第一封裝層與基板結合并形成一個包圍襯底和器件的密閉空腔結構;所述第一封裝層為多層薄膜。7.根據權利要求6所述的封裝結構的制造方法，其特征是，所述第3步中，所述第一封裝層為單層或多層薄膜;還包括第4步:通過注塑方式在第一封裝層外緊緊包裹第二封裝層，第二封裝層也與基板結合。8.根據權利要求6所述的封裝結構的制造方法，其特征是，所述第3步中，所述第一封裝層為單層或多層薄膜;還包括第4a步:通過濺射或電鍍的方式在第一封裝層的外側形成一層金屬作為第三封裝層。9.根據權利要求7所述的封裝結構的制造方法，其特征是，還包括第5步，通過濺射或電鍍的方式在第二封裝層的外側形成一層金屬作為第三封裝層。10.根據權利要求6至9中任一項所述的封裝結構的制造方法，其特征是，將第2步改為第2a步:通過倒裝焊接技術將晶粒倒置與基板焊接在一起，金屬凸塊用于將器件的引腳對外電性引出到基板;基板或襯底上具有一圈環形凸塊，倒裝后的晶粒的邊緣位置對應于環形凸塊； 同時將第一封裝層、第二封裝層、第三封裝層分別改為第一超薄封裝層、第二超薄封裝層、第三超薄封裝層;超薄是指厚度在1mi至10ym之間。
【文檔編號】H03H9/25GK105958963SQ201610316063
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年5月12日
【發明人】祝明國, 李平, 孫成龍, 彭彥豪, 宋博, 胡念楚, 賈斌
【申請人】銳迪科微電子（上海）有限公司