一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器，其特征在于，主要由處理芯片U1，二極管整流器U，正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負極則與二極管整流器U的負極輸出端相連接的電容C1，與電容C1的正極相連接的浪涌保護電路，與電容C1的負極相連接的電磁濾波電路，一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2等組成。本發明可以對電壓進行限壓，當出現瞬時高電壓時其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內，從而保護本發明使本發明不被瞬時高電壓損壞。本發明還可以滿足大功率日光燈的工作需求。
【專利說明】
一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器
技術領域
[0001]本發明涉及一種鎮流器，具體是指一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器。
【背景技術】
[0002]隨著社會的發展，鎮流器已被廣泛的應用于日光燈上，鎮流器可以使輸入電流穩定在燈管的額定電流范圍內，而燈管兩端的電壓也被穩定在額定的工作電壓范圍內，起到降壓限流的作用，不僅保護了日光燈，而且使日光燈的照明效果更好。然而，傳統的鎮流器容易受到電磁干擾信號的影響，導致其穩定性低，這嚴重的影響了日光燈的使用壽命。
【發明內容】
[0003]本發明的目的在于克服傳統的鎮流器容易受到電磁干擾信號影響的缺陷，提供一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器。
[0004]本發明的目的通過下述技術方案實現:一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器，主要由處理芯片Ul，二極管整流器U，正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負極則與二極管整流器U的負極輸出端相連接的電容Cl，與電容Cl的正極相連接的浪涌保護電路，與電容Cl的負極相連接的電磁濾波電路，一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2，串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4，分別與處理芯片Ul和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路，N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3;以及與電磁濾波電路相連接的功率放大電路組成;所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。
[0005]進一步的，所述功率放大電路由三極管VT6，放大器Pl，放大器P2，三極管VT7，一端與三極管VT6的基極相連接、另一端作為該功率放大電路的輸入端的電阻R14，串接在三極管VT6的集電極和放大器PI的正極之間的電阻Rl 5，串接在放大器PI的正極和輸出端之間的電阻R16，正極與三極管VT6的發射極相連接、負極與放大器P2的正極相連接的電容C9，P極與三極管VT6的發射極相連接、N極與放大器P2的負極相連接的二極管D6，正極與放大器P2的負極相連接、負極經電阻R18后與放大器Pl的輸出端相連接的電容ClO，串接在放大器P2的輸出端和三極管VT7的發射極之間的電阻Rl 7，P極與放大器P2的正極相連接、N極與三極管VT7的基極相連接的二極管D7，正極與放大器Pl的輸出端相連接、負極與三極管VT7的集電極相連接的電容Cl I，以及P極與三極管VT7的集電極相連接、N極作為該功率放大電路的輸出端的二極管D8組成;所述放大器P2的負極和放大器Pl的負極均接地;所述功率放大電路的輸入端與電容Cl的負極相連接。
[0006]所述浪涌保護電路由三極管VT4，三極管VT5，場效應管M0S1，場效應管M0S2，一端與場效應管MOSl的漏極相連接、另一端作為該浪涌保護電路的輸入端的電阻R9，串接在場效應管MOSl的源極和柵極之間的電阻R10，正極與場效應管MOSl的源極相連接、負極經電阻R12后與場效應管M0S2的柵極相連接的電容C8，N極與場效應管M0S2的漏極相連接、P極經電阻R13后接地的二極管D5，串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間的電阻Rll，以及P極與三極管VT4的發射極相連接、N極則與三極管VT5的基極相連接的二極管D4組成;所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場效應管MOSl的柵極相連接;所述三極管VT5的集電極與場效應管MOSl的柵極相連接、其發射極則與二極管D5的P極相連接;所述場效應管M0S2的源極與場效應管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護電路的輸出端;所述浪涌保護電路的輸入端與電容Cl的正極相連接、其輸出端則與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。
[0007]所述電磁濾波電路由場效應管M0S，三極管VTl，串接在場效應管MOS的漏極和柵極之間的電阻Rl，P極與場效應管MOS的漏極相連接、N極則與三極管VTl的發射極相連接的二極管Dl，正極與場效應管MOS的源極相連接、負極則與三極管VTl的基極相連接的電容C2，負極與三極管VTl的集電極相連接、正極則與變壓輸出電路相連接的電容C3，P極與三極管VTl的發射極相連接、N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接的二極管D2，以及正極與三極管VTl的發射極相連接、負極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時接地的電容C4組成;所述電容Cl的負極與場效應管MOS的柵極相連接;所述場效應管MOS的柵極還經電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。
[0008]所述變壓輸出電路由變壓器T，三極管VT2，三極管VT3，串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間的電阻R5，正極與三極管VT2的集電極相連接、負極經電阻R6后與三極管VT3的基極相連接的電容C5，正極與三極管VT2的發射極相連接、負極經電阻R8后與三極管VT3的發射極相連接的電容C6，正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、負極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時接地的電容C7，以及串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間的電阻R7組成;所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發射極接地;所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。
[0009]所述處理芯片Ul為GR6953集成芯片。
[0010]本發明較現有技術相比，具有以下優點及有益效果:
[0011](I)本發明可以把工作中產生的電磁干擾信號進行抑制，降低電磁干擾信號對本發明的影響，極大的提高了本發明的穩定性，使日光燈可以穩定的工作，從而延長了日光燈的工作壽命。
[0012](2)本發明可以對電壓進行限壓，當出現瞬時高電壓時其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內，從而保護本發明使本發明不被瞬時高電壓損壞。
[0013](3)本發明可以放大其輸出功率，從而可以滿足大功率日光燈的工作需求，擴大了本發明的適用范圍。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發明的整體結構示意圖。
[0015]圖2為本發明的浪涌保護電路的結構圖。
[0016]圖3為本發明的功率放大電路的結構圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合實施例對本發明作進一步地詳細說明，但本發明的實施方式不限于此。
[0018]實施例
[0019]如圖1所示，本發明主要由處理芯片Ul，二極管整流器U，正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負極則與二極管整流器U的負極輸出端相連接的電容Cl，與電容Cl的正極相連接的浪涌保護電路，與電容Cl的負極相連接的電磁濾波電路，一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2，串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4，分別與處理芯片UI和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路，N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3;以及與電磁濾波電路相連接的功率放大電路組成。
[0020]所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。為了更好的實施本發明，所述處理芯片Ul優選GR6953集成芯片來實現。
[0021 ] 進一步的，該電磁濾波電路由場效應管MOS，三極管VTl，電阻Rl，電容C2，電容C3，電容C4，二極管Dl以及二極管D2組成。
[0022]連接時，電阻Rl串接在場效應管MOS的漏極和柵極之間。二極管Dl的P極與場效應管MOS的漏極相連接、其N極則與三極管VTl的發射極相連接。電容C2的正極與場效應管MOS的源極相連接、其負極則與三極管VTI的基極相連接。電容C3的負極與三極管VTI的集電極相連接、其正極則與變壓輸出電路相連接。二極管D2的P極與三極管VTl的發射極相連接、其N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接。電容C4的正極與三極管VTl的發射極相連接、其負極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時接地。
[0023]同時，所述電容Cl的負極分別與場效應管MOS的柵極和功率放大電路的輸入端相連接。所述場效應管MOS的柵極還經電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。
[0024]另外，所述變壓輸出電路由變壓器T，三極管VT2，三極管VT3，電阻R5，電阻R6，電阻R7，電阻R8，電容C5，電容C6以及電容C7組成。
[0025]連接時，電阻R5串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間。電容C5的正極與三極管VT2的集電極相連接、其負極經電阻R6后與三極管VT3的基極相連接。電容C6的正極與三極管VT2的發射極相連接、其負極經電阻R8后與三極管VT3的發射極相連接。電容C7的正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、其負極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時接地。電阻R7串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間。所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發射極接地。所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。
[0026]如圖2所示，該浪涌保護電路由三極管VT4，三極管VT5，場效應管MOSl，場效應管M0S2，電阻R9，電阻RlO，電阻RlI，電阻R12，電阻R13，電容C8，二極管D4以及二極管D5組成。
[0027]連接時，電阻R9的一端與場效應管MOSl的漏極相連接、其另一端作為該浪涌保護電路的輸入端并與電容Cl的正極相連接。電阻RlO串接在場效應管MOSl的源極和柵極之間。電容C8的正極與場效應管MOSl的源極相連接、其負極經電阻R12后與場效應管M0S2的柵極相連接。二極管D5的N極與場效應管M0S2的漏極相連接、其P極經電阻Rl 3后接地。電阻Rl I串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間。二極管D4的P極與三極管VT4的發射極相連接、其N極則與三極管VT5的基極相連接。
[0028]同時，所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場效應管MOSl的柵極相連接。所述三極管VT5的集電極與場效應管MOSl的柵極相連接、其發射極則與二極管D5的P極相連接。所述場效應管M0S2的源極與場效應管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護電路的輸出端并與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。
[0029]如圖3所示，該功率放大電路由三極管VT6，放大器PI，放大器P2，三極管VT7，電阻尺14，電阻1?15，電阻1?16，電阻1?17，電阻1?18，電容09，電容(:10，電容(:11，二極管06，二極管07以及二極管D8組成。
[0030]連接時，電阻R14的一端與三極管VT6的基極相連接、其另一端作為該功率放大電路的輸入端并與電容Cl的負極相連接。電阻R15串接在三極管VT6的集電極和放大器Pl的正極之間。電阻Rl6串接在放大器Pl的正極和輸出端之間。電容C9的正極與三極管VT6的發射極相連接、其負極與放大器P2的正極相連接。二極管D6的P極與三極管VT6的發射極相連接、其N極與放大器P2的負極相連接。電容ClO的正極與放大器P2的負極相連接、其負極經電阻Rl 8后與放大器Pl的輸出端相連接。電阻Rl 7串接在放大器P2的輸出端和三極管VT7的發射極之間。二極管D7的P極與放大器P2的正極相連接、其N極與三極管VT7的基極相連接。電容Cll的正極與放大器Pl的輸出端相連接、其負極與三極管VT7的集電極相連接。二極管D8的P極與三極管VT7的集電極相連接、其N極作為該功率放大電路的輸出端。所述放大器P2的負極和放大器Pl的負極均接地。所述功率放大電路的輸入端與電容Cl的負極相連接。日光燈則串接在變壓器T的副邊電感線圈的同名端和功率放大電路的輸出端之間。
[0031]工作時，本發明對工頻電源全波整流和功率因素校正后，使工頻電源變為直流電源，直流電源經過變換后，輸出20K-1OOKHZ的高頻交流電源，從而保證日光燈獲得正常工作所需的電壓和電流。本發明可以把工作中產生的電磁干擾信號進行抑制，降低電磁干擾信號對本發明的影響，極大的提高了本發明的穩定性，使日光燈可以穩定的工作，從而延長了曰光燈的工作壽命。同時，本發明可以對電壓進行限壓，當出現瞬時高電壓時其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內，從而保護本發明使本發明不被瞬時高電壓損壞。本發明還可以滿足大功率日光燈的工作需求。
[0032]如上所述，便可以很好的實現本發明。
【主權項】
1.一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器，其特征在于，主要由處理芯片Ul，二極管整流器U，正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負極則與二極管整流器U的負極輸出端相連接的電容Cl，與電容Cl的正極相連接的浪涌保護電路，與電容Cl的負極相連接的電磁濾波電路，一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2，串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4，分別與處理芯片Ul和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路，N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3;以及與電磁濾波電路相連接的功率放大電路組成;所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。2.根據權利要求1所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器，其特征在于，所述功率放大電路由三極管VT6，放大器Pl，放大器P2，三極管VT7，一端與三極管VT6的基極相連接、另一端作為該功率放大電路的輸入端的電阻Rl4，串接在三極管VT6的集電極和放大器PI的正極之間的電阻Rl 5，串接在放大器Pl的正極和輸出端之間的電阻R16，正極與三極管VT6的發射極相連接、負極與放大器P2的正極相連接的電容C9，P極與三極管VT6的發射極相連接、N極與放大器P2的負極相連接的二極管D6，正極與放大器P2的負極相連接、負極經電阻R18后與放大器Pl的輸出端相連接的電容C10，串接在放大器P2的輸出端和三極管VT7的發射極之間的電阻R17，P極與放大器P2的正極相連接、N極與三極管VT7的基極相連接的二極管D7，正極與放大器Pl的輸出端相連接、負極與三極管VT7的集電極相連接的電容Cl I，以及P極與三極管VT7的集電極相連接、N極作為該功率放大電路的輸出端的二極管D8組成;所述放大器P2的負極和放大器Pl的負極均接地;所述功率放大電路的輸入端與電容Cl的負極相連接。3.根據權利要求2所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器，其特征在于，所述浪涌保護電路由三極管VT4，三極管VT5，場效應管MOSl，場效應管M0S2，一端與場效應管MOSl的漏極相連接、另一端作為該浪涌保護電路的輸入端的電阻R9，串接在場效應管MOSl的源極和柵極之間的電阻R10，正極與場效應管MOSl的源極相連接、負極經電阻R12后與場效應管M0S2的柵極相連接的電容C8，N極與場效應管M0S2的漏極相連接、P極經電阻R13后接地的二極管D5，串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間的電阻R11，以及P極與三極管VT4的發射極相連接、N極則與三極管VT5的基極相連接的二極管D4組成;所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場效應管MOSI的柵極相連接;所述三極管VT5的集電極與場效應管MOSl的柵極相連接、其發射極則與二極管D5的P極相連接;所述場效應管M0S2的源極與場效應管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護電路的輸出端;所述浪涌保護電路的輸入端與電容Cl的正極相連接、其輸出端則與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。4.根據權利要求3所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器，其特征在于，所述電磁濾波電路由場效應管M0S，三極管VTl，串接在場效應管MOS的漏極和柵極之間的電阻Rl，P極與場效應管MOS的漏極相連接、N極則與三極管VTI的發射極相連接的二極管Dl，正極與場效應管MOS的源極相連接、負極則與三極管VTl的基極相連接的電容C2，負極與三極管VTl的集電極相連接、正極則與變壓輸出電路相連接的電容C3，P極與三極管VTl的發射極相連接、N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接的二極管D2，以及正極與三極管VTl的發射極相連接、負極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時接地的電容C4組成;所述電容Cl的負極與場效應管MOS的柵極相連接;所述場效應管MOS的柵極還經電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。5.根據權利要求4所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器，其特征在于，所述變壓輸出電路由變壓器T，三極管VT2，三極管VT3，串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間的電阻R5，正極與三極管VT2的集電極相連接、負極經電阻R6后與三極管VT3的基極相連接的電容C5，正極與三極管VT2的發射極相連接、負極經電阻R8后與三極管VT3的發射極相連接的電容C6，正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、負極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時接地的電容C7，以及串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間的電阻R7組成;所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發射極接地;所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。6.根據權利要求5所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮流器，其特征在于，所述處理芯片Ul為GR6953集成芯片。
【文檔編號】H05B41/285GK105934060SQ201610412216
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年6月12日
【發明人】不公告發明人
【申請人】成都卡諾源科技有限公司