一種寬帶壓控振蕩器及頻率合成器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種寬帶壓控振蕩器及頻率合成器。該寬帶壓控振蕩器包括：電流源模塊(1)、諧振模塊(2)和峰值檢測模塊(3)；所述電流源模塊(1)連接至所述諧振模塊(2)，用于為所述諧振模塊(2)提供可調電流源；所述諧振模塊(2)用于產生諧振并輸出諧振頻率；峰值檢測模塊(3)分別連接至所述諧振模塊(2)和所述電流源模塊(1)，用于檢測所述諧振模塊(2)的峰值電壓并反饋至所述電流源模塊(1)以調節所述電流源模塊(1)的輸出電流，進而調整所述諧振模塊(2)的峰值電壓。該寬帶壓控振蕩器輸出頻帶寬且噪聲小，使用該寬帶壓控振蕩器的頻率合成器輸出頻帶寬、面積小且功耗低。
【專利說明】
一種寬帶壓控振蕩器及頻率合成器
技術領域
[0001]本發明涉及頻率合成器技術領域，尤其涉及一種寬帶壓控振蕩器及頻率合成器。
【背景技術】
[0002]在無線通信領域，為了滿足用戶日益增長的語音、視頻和數據瀏覽等通信需求，需要設計出一款能兼容多種協議的芯片。目前，市面上雖然出現了一些支持多協議的通信芯片，但那些都只是簡單地將符合各通信協議的射頻芯片堆疊在一個PCB(印制電路板)上面，屬于簡單的板級集成，具有面積大、成本高的缺陷。
[0003]在通信系統中，一個很重要的模塊就是頻率合成器(FS)。為了使一塊芯片能兼容多種協議，就需要一個寬帶頻率合成器。在現有技術中，主要通過以下三種方式來實現寬帶頻率合成器。
[0004]方式一:在頻率合成器中使用多個鎖相環(PLL)，每個鎖相環覆蓋一定頻率范圍。這一技術方案的缺陷就是面積和功耗大，每增加一個鎖相環，面積和功耗就將增加一倍。
[0005]方式二:在頻率合成器中使用多個壓控振蕩器(VCO)，每個壓控振蕩器覆蓋一定頻率范圍。這一技術方案的缺陷是面積和功耗大，而且需要對多個壓控振蕩器進行隔離，否則耦合效應非常嚴重。
[0006]方式三:在頻率合成器中同時使用壓控振蕩器和混頻器。這一技術方案的缺陷是頻譜的雜散和諧波非常大，嚴重惡化輸出的頻譜的純度。另外，由于使用混頻器，需要再使用至少一個電感，這樣就大大增加了面積。
[0007]因此，現有技術中的寬帶頻率合成器存在面積大、功耗高的技術缺陷。
【發明內容】
[0008]針對現有技術中寬帶頻率合成器面積大、功耗高的缺陷，本發明提供一種可顯著減少頻率合成器的面積和功耗的寬帶壓控振蕩器及面積小、功耗低的寬帶頻率合成器。
[0009]本發明就上述技術問題而提出的技術方案如下:
[0010]一方面，提供了一種寬帶壓控振蕩器，包括:電流源模塊、諧振模塊和峰值檢測模塊；
[0011 ]所述電流源模塊連接至所述諧振模塊，用于為所述諧振模塊提供可調電流源;所述諧振模塊，用于產生諧振并輸出諧振頻率;峰值檢測模塊，分別連接至所述諧振模塊和所述電流源模塊，用于檢測所述諧振模塊的峰值電壓并反饋至所述電流源模塊以調節所述電流源模塊的輸出電流，進而調整所述諧振模塊的峰值電壓。
[0012]優選地，所述峰值檢測模塊包括第一 PMOS管和第二 PMOS管；所述第一 PMOS管的柵極連接至所述第二 PMOS管的漏極，形成第一檢測端;所述第一 PMOS管的漏極連接至所述第二PMOS管的柵極，形成第二檢測端;所述第一檢測端和所述第二檢測端分別連接至所述諧振模塊的兩端;所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管的源極分別連接至所述電流源模塊的兩端。
[0013]優選地，所述諧振模塊包括:負阻電路，電容單元和與所述電容單元并聯連接的電感;所述第一檢測端和所述第二檢測端分別連接至所述電感的兩端。
[0014]優選地，所述電感的形狀為具有一縫隙的圓形，所述縫隙的寬度為所述電感的兩端的距離。
[0015]優選地，所述電感包括兩個并聯的線圈，所述兩個并聯的線圈的形狀均為具有一縫隙的圓形。
[0016]優選地，所述電容單元包括開關電容陣列和模擬調諧電容，所述開關電容陣列與所述模擬調諧電容并聯；
[0017]所述開關電容陣列包括η條并列支路，每條支路包括兩個電容和一個開關，開關串聯在兩個電容之間，兩個電容未連接開關的一端分別連接至所述第一檢測端和所述第二檢測端;所述模擬調諧電容包括兩個可變電容，所述兩個可變電容背靠背對接，對接端連接至外部調諧電壓。
[0018]優選地，所述電流源模塊包括電源、模擬電流源和開關電流源陣列，所述模擬電流源和開關電流源陣列并聯；
[0019]所述模擬電流源包括第三PMOS管和第四PMOS管；所述電源分別連接至所述第三PMOS管的源極，第四PMOS管的源極和開關電流源陣列的一端;所述第三PMOS管的漏極，第四PMOS管的漏極和所述開關電流源陣列的另一端相連接，進而連接至所述諧振模塊;所述第三PMOS管的柵極連接至所述第一 PMOS管的源極，所述第四PMOS管的柵極連接至所述第二PMOS管的源極；
[0020]所述開關電流源陣列包括η條并列支路，每條支路包括一個直流源和一個開關，直流源與開關串聯;每條支路的一端連接至所述電源，另一端連接至所述第三PMOS管的漏極和第四PMOS管的漏極，進而連接至所述諧振模塊。
[0021]優選地，所述η條并列支路中，從第一條到第η條支路，直流源的電流值以第一條支路的電流源的電流值為基數，按2的倍數增長，直至第η條支路的電流源的電流值為第一支路的電流源的電流值的2η—1倍。
[0022]優選地，所述負阻電路包括第五PMOS管，第六PMOS管，第一 NMOS管和第二 NMOS管；
[0023]所述第五PMOS管的源極連接至所述第三PMOS管的漏極;所述第五PMOS管的柵極分別連接至所述第六PMOS管的漏極、所述第一 NMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的漏極，形成所述諧振模塊的第一輸出端;第五PMOS管的漏極分別連接至所述第六PMOS管的柵極、第一NMOS管的漏極和所述第二 NMOS管的柵極，形成所述諧振模塊的第二輸出端；
[0024]所述第一檢測端與所述第一輸出端相連，所述第二檢測端與所述第二輸出端相連;所述電容單元和所述電感并聯在所述第一輸出端和第二輸出端之間；
[0025]所述第一NMOS管的源極和所述第二 NMOS管的源極接地。
[0026]另一方面，還提供了一種寬帶頻率合成器，包括:鑒頻鑒相器、電荷栗、濾波器、小數分頻器和上述寬帶壓控振蕩器。
[0027]實施本發明實施例，具有如下有益效果:通過峰值檢測模塊檢測諧振模塊的峰值電壓并反饋至電流源模塊，使得峰值檢測模塊與電流源模塊形成負反饋，可有效調整諧振模塊的幅值，進而降低相位噪聲。這樣，在確保諧振模塊輸出寬頻的同時，可有效降低壓控振蕩器的噪聲。再者，通過將諧振模塊的電感的結構設計成圓形，使得電感的介質損耗最小，進一步降低了相位噪聲，保證了諧振模塊的寬頻帶輸出。另外，電流源模塊還包括開關電流源陣列，可通過外部控制信號控制開關電流源陣列的開啟與關閉，使得電流源的電流隨著頻率的變化而變化，這樣就可避免壓控振蕩器工作在電壓受限區，有效控制壓控振蕩器的功耗和相位噪聲。使用該寬帶壓控振蕩器的寬帶頻率合成器，只需要使用一個壓控振蕩器，具有輸出頻帶寬、面積小、功耗低且噪聲小的特點。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1是本發明提供的寬帶壓控振蕩器結構方框圖；
[0030]圖2是本發明提供的寬帶壓控振蕩器電路結構示意圖；
[0031]圖3是圖2中所示的電容單元結構示意圖；
[0032I圖4是圖2中所示的電感結構示意圖；
[0033]圖5是圖2所示的電感的測試結果圖；
[0034]圖6是圖2中所示的開關電流陣列結構示意圖；
[0035]圖7是本發明提供的頻率合成器結構示意圖。
【具體實施方式】
[0036]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0037]實施例一寬帶壓控振蕩器
[0038]本實施例提供了一種寬帶壓控振蕩器，參見圖1?6，該寬帶壓控振蕩器包括:電流源模塊1、諧振模塊2和峰值檢測模塊3。
[0039]電流源模塊I，連接至諧振模塊2，用于為所述諧振模塊2提供可調電流源。諧振模塊2，用于產生諧振并輸出諧振頻率。峰值檢測模塊3，分別連接至諧振模塊2和電流源模塊I，用于檢測諧振模塊2的峰值電壓并反饋至電流源模塊I以調節所述電流源模塊I的輸出電流，進而調整所述諧振模塊2的峰值電壓。
[0040]在本實施例中，寬帶壓控振蕩器的工作原理如下:
[0041]諧振模塊2為RLC或LC振蕩電路，用于產生振蕩頻率。電流源模塊I用于為諧振模塊2提供電流源。峰值檢測模塊3與電流源模塊I構成負反饋回路，當峰值檢測模塊3檢測到諧振模塊2的峰值電壓偏大或偏小時，將檢測結果反饋到電流源模塊I，進而相應地減小或增大電流源模塊I的電流值，從而達到調節諧振模塊2的峰值電壓的目的。因此，寬帶壓控振蕩器的相位噪聲可得到有效調整。
[0042]進一步地，如圖2所示，峰值檢測模塊3包括第一 PMOS管PMl和第二 PMOS管PM2。第一PMOS管PMl的柵極連接至第二 PMOS管PM2的漏極，形成第一檢測端Dl。第一 PMOS管PMl的漏極連接至第二 PMOS管PM2的柵極，形成第二檢測端D2。第一檢測端Dl和第二檢測端D2分別連接至諧振模塊2的兩端。第一 PMOS管PMl和第二 PMOS管PM2的源極分別連接至電流源模塊I的兩端。應理解，本實施例雖然只給出了峰值檢測模塊3的一個具體實施例，但是本領域技術人員在本實施例的教導下，還可以變換出很多其他的實施例來，比如將PMOS管改成匪OS管并相應改變連接方式。
[0043]應理解，在本發明中，“第一”、“第二”和“第三”等等術語只是為了將相同的器件的名稱區別開來，并不是用來表示元器件的先后順序，更不是用來限制本發明。
[0044]進一步地，如圖1、2和6所示，電流源模塊I包括電源VDD、模擬電流源和開關電流源陣列11。模擬電流源和開關電流源陣列11并聯。
[0045]具體地，模擬電流源包括第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4。電源Vdd分別連接至第三PMOS管PM3的源極，第四PMOS管PM4的源極以及開關電流源陣列11的一端，從而為它們提供工作電壓。第三PMOS管PM3的漏極，第四PMOS管PM4的漏極和開關電流源陣列11的另一端相連接，進而連接至諧振模塊2，從而為諧振模塊2提供工作電流。第三PMOS管PM3的柵極連接至第一 PMOS管PMl的源極，第四PMOS管PM4的柵極連接至第二 PMOS管PM2的源極，從而接收來自峰值檢測模塊3的反饋信號。
[0046]峰值檢測模塊3與電流源I的反饋回路工作原理為:第一和第二 PMOS管PMl和PM2強檢測到的峰值電壓輸出到第三和第四PMOS管PM3和PM4的柵極，當峰值電壓偏大時，第三和第四PMOS管PM3和PM4的柵源電壓(Vcs)減小，輸出電流降低，進而使諧振模塊3的輸出擺幅減小。當峰值電壓偏小時，第三和第四PMOS管PM3和PM4的柵源電壓(Vgs)增大，輸出電流升高，進而使諧振模塊2的輸出擺幅增大。
[0047]具體地，如圖6所示，開關電流源陣列11包括η條并列支路，每條支路包括一個直流源和一個開關，直流源與開關串聯。每條支路的一端連接至電源Vdd，另一端連接至第三PMOS管PM3的漏極和第四PMOS管PM4的漏極，進而連接至諧振模塊2。可通過外部控制信號控制開關電流源陣列的開啟與關閉，使得電流源的電流隨著頻率的變化而變化，這樣就可避免壓控振蕩器工作在電壓受限區，有效控制壓控振蕩器的功耗和相位噪聲。如果不設置開關電流源陣列，那么電流源的電流將不會隨著頻率的變化而變化。在整個頻率范圍內，幅度變化很大，那么電路就可能工作在電壓受限區。電壓受限區的相位噪聲性能是隨著擺幅增大而變差的。同時，電壓受限區還會消耗一些不必要的功耗，加大整體電路的功耗。
[0048]在開關電流源陣列11的η條并列支路中，從第一條到第η條支路，直流源的電流值以第一條支路的電流源的電流值I1為基數，按2的倍數增長，直至第η條支路的電流源的電流值In為第一支路的電流源的電流值!!的〗11—1倍。如圖5所示，本實施例采用了一個由5位二進制開關控制的電流源陣列。第一至第五個直流源的電流分別為1、21、41、8I和161。
[0049]進一步地，如圖2所示，諧振模塊2包括負阻電路21、電容單元22和與電容單元22并聯連接的電感LI。第一檢測端Dl和第二檢測端D2分別連接至電感LI的兩端。
[0050]進一步地，如圖4所示，電感LI的形狀為具有一縫隙231的圓形，縫隙231的寬度為電感LI的兩端的距離。該電感LI的結構是經過優化設計的，從而進一確保壓控振蕩器的相位噪聲很低。圓形結構相比于其他形狀，如方形、六邊形、八邊形，具有最小的介質損耗。另夕卜，該電感LI包括兩個并聯的同心圓線圈232和233，這兩個并聯的線圈的形狀均為具有一縫隙231的圓形。通過這種結構，不但可以保持圓形電感的低介質損耗，而且可以以更小的面積獲得更大的電感值。因此，在本實施例的教導下，本領域技術人員可以根據實際需要，改變同心圓線圈的數量，從而最大程度地提高單位面積的電感量。此形狀的電感具有非常好的性能，如圖5所示，質量因子在頻率到達2.8GHz時達到峰值24.4。而且當頻率在2.5?5GHz頻段時，質量因子保持在20.7?24.4之間。如此高質量因子的電感非常有利于壓控振蕩器在輸出寬頻帶的同時獲得低的相位噪聲。
[0051]進一步地，如圖3所示，電容單元22包括開關電容陣列221和模擬調諧電容222。開關電容陣列221與模擬調諧電容222并聯。
[0052]具體地，如圖2和3所示，開關電容陣列221包括η條并列支路，每條支路包括兩個電容和一個開關，開關串聯在兩個電容之間，兩個電容未連接開關的一端分別連接至第一檢測端Dl和第二檢測端D2。
[0053]模擬調諧電容222包括兩個可變電容Cv，兩個可變電容Cv背靠背對接，對接端連接至外部調諧電壓Vctr。
[0054]進一步地，如圖2所示，負阻電路模塊21包括:第五PMOS管PM5，第六PMOS管PM6，第一 NMOS 管 NMl 和第二 NMOS 管 NM2。
[0055]具體地，第五PMOS管PM5的源極連接至第三PMOS管PM3的漏極。第五PMOS管PM5的柵極分別連接至第六PMOS管PM6的漏極、第一 NMOS管匪I的柵極和第二 NMOS管的漏極，形成諧振模塊2的第一輸出端Tl。第五PMOS管PM5的漏極分別連接至第六PMOS管PM6的柵極、第一NMOS管匪I的漏極和第二 NMOS管匪2的柵極，形成諧振模塊2的第二輸出端T2。
[0056]第一檢測端Dl與第一輸出端Tl相連，第二檢測端D2與第二輸出端T2相連。電容單元22和電感LI并聯在第一輸出端Tl和第二輸出端T2之間。第一匪OS管匪I的源極和第二NMOS管NM2的源極接地。
[0057]在本實施例中，第一和第二NMOS管匪I和匪2與第五和第六PMOS管PM5和PM5構成了負阻對，保證了振蕩電路的起振。
[0058]實施例二寬帶頻率合成器
[0059]本實施例提供了一種相寬帶頻率合成器，如圖7所示，該寬帶頻率合成器包括:鑒頻鑒相器100、電荷栗200、濾波器300、小數分頻器400以及上述實施例一中的寬帶壓控振蕩器500 ο鑒頻鑒相器100、電荷栗200、濾波器300、寬帶壓控振蕩器500和小數分頻器400依次連接形成一個環路。
[0060]具體地，如圖7所示，XIN用于提供參考時鐘信號，該參考時鐘信號可來自晶振，也可以來自外部時鐘，這樣有利于參考時鐘信號的便利化和靈活化。環路工作時，鑒頻鑒相器100比較輸入的參考時鐘信號和小數分頻器400反饋的分頻信號的頻率和相位，同時鑒頻鑒相器100輸出控制信號控制電荷栗200的輸出電流。如果參考時鐘信號超前小數分頻器400反饋的分頻信號，那么電荷栗200給濾波器300充電，反之則放電。濾波器300對輸出電流進行濾波后得到一個直流控制電壓Vctr，來調整寬帶壓控振蕩器500的振蕩頻率，以調整寬帶壓控振蕩器500輸入至鑒頻鑒相器100的信號的頻率和相位，從而使小數分頻器400反饋的分頻信號和參考時鐘信號同頻同相。
[0061]本實施例提供的頻率合成器，只需要使用一個壓控振蕩器，只有一個環路，且無需使用混頻器，就可以獲得非常寬的頻帶輸出。因此，相比于現有技術中使用多個壓控振蕩器或者多個環路的頻率合成器，本發明中的寬帶頻率合成器具有輸出頻帶寬、面積小、功耗低且噪聲小的特點。相比于現有技術中使用混頻器的頻率合成器，本發明中的寬帶頻率合成器具有雜散低、面積小的特點。
[0062]進一步地，如圖7所示，寬帶頻率合成器還可包括整數分頻器600。整數分頻器600對寬帶壓控振蕩器500輸出的頻率進行N分頻，N的取值可為2、4、8、16、32、64和128中的任何一個。通過整數分頻器600可以將寬帶壓控振蕩器600的寬頻帶輸出變換成其他需要的頻帶。
[0063]進一步地，寬帶頻率合成器還可包括輸出級700，用于將分頻器600的輸出進行轉換，形成I相和Q相輸出。
[0064]以上所揭露的僅為本發明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利范圍，本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分流程，并依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬于發明所涵蓋的范圍。
【主權項】
1.一種寬帶壓控振蕩器，其特征在于，包括:電流源模塊(I)、諧振模塊(2)和峰值檢測豐旲塊(3)； 所述電流源模塊(I)連接至所述諧振模塊(2)，用于為所述諧振模塊(2)提供可調電流源； 所述諧振模塊(2)用于產生諧振并輸出諧振頻率； 峰值檢測模塊(3)分別連接至所述諧振模塊(2)和所述電流源模塊(I)，用于檢測所述諧振模塊(2)的峰值電壓并反饋至所述電流源模塊(I)以調節所述電流源模塊(I)的輸出電流，進而調整所述諧振模塊(2)的峰值電壓。2.根據權利要求1所述的寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述峰值檢測模塊(3)包括第一PMOS管(PMl)和第二 PMOS管(PM2);所述第一 PMOS管(PMl)的柵極連接至所述第二 PMOS管(PM2)的漏極，形成第一檢測端(Dl);所述第一 PMOS管(PMl)的漏極連接至所述第二 PMOS管(PM2)的柵極，形成第二檢測端(D2);所述第一檢測端(Dl)和所述第二檢測端(D2)分別連接至所述諧振模塊(2)的兩端;所述第一 PMOS管(PMl)和所述第二 PMOS管(PM2)的源極分別連接至所述電流源模塊(I)的兩端。3.根據權利要求2所述的寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述諧振模塊(2)包括:負阻電路(21)，電容單元(22)和與所述電容單元(22)并聯連接的電感(LI);所述第一檢測端(Dl)和所述第二檢測端(D2)分別連接至所述電感(LI)的兩端。4.根據權利要求3所述的寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述電感(LI)的形狀為具有一縫隙(231)的圓形，所述縫隙的寬度為所述電感(LI)的兩端的距離。5.根據權利要求4所述的寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述電感(LI)包括兩個并聯的線圈(232，233)，所述兩個并聯的線圈(232，233)的形狀均為具有一縫隙(231)的圓形。6.根據權利要求3所述的寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述電容單元(22)包括開關電容陣列(221)和模擬調諧電容(222)，所述開關電容陣列(221)與所述模擬調諧電容(222)并聯； 所述開關電容陣列(221)包括η條并列支路，每條支路包括兩個電容和一個開關，開關串聯在兩個電容之間，兩個電容未連接開關的一端分別連接至所述第一檢測端(Dl)和所述第二檢測端(D2); 所述模擬調諧電容(222)包括兩個可變電容(Cv)，所述兩個可變電容(Cv)背靠背對接，對接端連接至外部調諧電壓(Vctr)。7.根據權利要求3所述的寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述電流源模塊(I)包括電源(VDD)、模擬電流源和開關電流源陣列(11)，所述模擬電流源和開關電流源陣列(11)并聯； 所述模擬電流源包括第三PMOS管(PM3)和第四PMOS管(PM4);所述電源(Vdd )分別連接至所述第三PMOS管(PM3)的源極，第四PMOS管(PM4)的源極和開關電流源陣列(11)的一端;所述第三PMOS管(PM3)的漏極，第四PMOS管(PM4)的漏極和所述開關電流源陣列(11)的另一端相連接，進而連接至所述諧振模塊(2);所述第三PMOS管(PM3)的柵極連接至所述第一PMOS管(PMl)的源極，所述第四PMOS管(PM4)的柵極連接至所述第二 PMOS管(PM2)的源極； 所述開關電流源陣列(11)包括η條并列支路，每條支路包括一個直流源和一個開關，直流源與開關串聯；每條支路的一端連接至所述電源(Vdd)，另一端連接至所述第三PMOS管(ΡΜ3)的漏極和第四PMOS管(ΡΜ4)的漏極，進而連接至所述諧振模塊(2)。8.根據權利要求7所述的寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述η條并列支路中，從第一條到第η條支路，直流源的電流值以第一條支路的電流源的電流值(11)為基數，按2的倍數增長，直至第η條支路的電流源的電流值(In)為第一支路的電流源的電流值(I1)的2η—1倍。9.根據權利要求7所述的寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述負阻電路(21)包括第五PMOS管(ΡΜ5)，第六PMOS管(ΡΜ6)，第一NMOS管(NMl)和第二NMOS管(ΝΜ2)； 所述第五PMOS管(ΡΜ5)的源極連接至所述第三PMOS管(ΡΜ3)的漏極；所述第五PMOS管(ΡΜ5)的柵極分別連接至所述第六PMOS管(ΡΜ6)的漏極、所述第一NMOS管(Wl)的柵極和所述第二 NMOS管的漏極，形成所述諧振模塊(2)的第一輸出端(Tl);第五PMOS管(ΡΜ5)的漏極分別連接至所述第六PMOS管(ΡΜ6)的柵極、第一 NMOS管(匪I)的漏極和所述第二匪OS管(ΝΜ2)的柵極，形成所述諧振模塊(2)的第二輸出端(T2); 所述第一檢測端(Dl)與所述第一輸出端(Tl)相連，所述第二檢測端(D2)與所述第二輸出端(Τ2)相連;所述電容單元(22)和所述電感(LI)并聯在所述第一輸出端(Tl)和第二輸出端(Τ2)之間； 所述第一 NMOS管(NMl)的源極和所述第二 NMOS管(ΝΜ2)的源極接地。10.—種寬帶頻率合成器，包括鑒頻鑒相器、電荷栗、濾波器和小數分頻器，其特征在于，還包括如權利要求1-9任意一項所述的壓控振蕩器。
【文檔編號】H03L7/099GK105897263SQ201610185895
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年3月29日
【發明人】張科峰, 胡昂
【申請人】武漢芯泰科技有限公司