單刀多擲開關的制作方法
【專利摘要】一種單刀多擲開關包含選擇開關組。選擇開關組包含主開關組、第一次開關組及第二次開關組。主開關組包含復數個串接的主晶體管用以傳輸射頻訊號。第一次開關組耦接于主開關組，包含復數個串接的第一次晶體管，用以當主晶體管及第一次晶體管被導通時傳輸射頻訊號。第二次開關組耦接于主開關組，包含復數個串接的第二次晶體管，用以當主晶體管及第二次晶體管被導通時傳輸射頻訊號。其中復數個第一次晶體管的總個數及第二次晶體管的總個數皆大于復數個主晶體管的總個數。
【專利說明】
單刀多擲開關
技術領域
[0001]本發明涉及一種單刀多擲開關，特別是一種可減少電路面積的單刀多擲開關。
【背景技術】
[0002]第I圖為先前技術之單刀多擲開關100的示意圖。單刀多擲開關100包含選擇開關組1101至1104，而單刀多擲開關100即可藉由導通選擇開關組1101至1104中的一路選擇開關組以輸出或輸入系統所需的訊號，例如當單刀多擲開關100應用于無線通信系統時，選擇開關組1101至1104會分別耦接至不同的無線通信模塊1301至1304，而單刀多擲開關10gp可用以傳輸射頻訊號至相關的無線通信模塊。
[0003]每一選擇開關組1101至1104包含復數個選擇晶體管120。當系統欲利用單刀多擲開關100傳輸訊號時，僅會有一路選擇開關組被導通，例如當系統欲利用單刀多擲開關100與無線通信模塊1301進行信息傳輸時，選擇開關組1101中的選擇晶體管120皆會被導通，而選擇開關組1102-1104中的選擇晶體管120皆被截止。選擇開關組1102-1104各包含14個選擇晶體管120，若每一選擇晶體管120的等效電容為C，則選擇開關組1102的等效電容即為14個選擇晶體管120串聯后的等效電容，亦即C/14，而選擇開關組110 2-1104的等效電容則為3C/14。亦即，當系統欲利用選擇開關組1101傳輸訊號時，處于截止狀態的選擇開關組1102-1104之晶體管的等效電容即為單刀多擲開關100的寄生電容，而過大的寄生電容會耗損傳輸訊號的強度。此外，選擇開關組1102-1104之晶體管所需的電路面積亦較大，而不利于行動電子裝置的需求。
[0004]再者，當單刀多擲開關包含越多選擇開關組時，所需的電路面積也會隨之增加，例如若根據第I圖之單刀多擲開關100的架構，使單刀多擲開關擴充至具有八組選擇開關組時，則所需的電路面積可能會大幅增加。因此如何減少單刀多擲開關的寄生電容及所需的電路面積即成為一個有待解決的問題。
【發明內容】
[0005]為了克服現有技術中存在的缺陷，本發明提供一種減少寄生電容及所需的電路面積的單刀多擲開關。
[0006]本發明之一實施例提供一種單刀多擲開關。單刀多擲開關包含共同端及選擇開關組。共同端可用以傳輸射頻訊號。選擇開關組包含主開關組、第一次開關組及第二次開關組。主開關組包含復數個串接的主晶體管，耦接于共同端。第一次開關組耦接于主開關組及第一傳輸端，第一次開關組包含復數個串接的第一次晶體管，用以當復數個主晶體管及復數個第一次晶體管被導通時，經由主開關組、第一次開關組與第一傳輸端傳輸射頻訊號。第二次開關組耦接于主開關組及第二傳輸端，第二次開關組包含復數個串接的第二次晶體管，用以當復數個第一主晶體管及復數個第二次晶體管被導通時，經由第一主開關組、第二次開關組與第二傳輸端傳輸射頻訊號。第一次晶體管的總個數及第二次晶體管的總個數皆大于第一主晶體管的總個數。
【附圖說明】
關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的了解。
圖1為先前技術之單刀多擲開關的示意圖；
圖2為本發明一實施例之單刀多擲開關的示意圖；
圖3為本發明又一實施例之單刀多擲開關的示意圖；
圖4為本發明另一實施例之單刀多擲開關的示意圖。
主要圖示說明
100、200、300、400單刀多擲開關
1101、1102、1103、1104選擇開關組
120晶體管
1301、1302、1303、1304無線通信模塊
210、220、310、320選擇開關組
212、222、312、322主開關組
2120、2220、3120、3220主晶體管
214a、214b、224a、224b、314a、314b次開關組 314c、314d、324a、324b、324c、324d
2140a、2140b、2240a、2240b、3140a次晶體管 3140b、3140c、3140d、3240a、3240b 3240c、3240d
210a、210b、220a、220b、310a、3 1b傳輸端 310c、310d、320a、320b、320c、320d
C1、C2、C3、C4、C5、C6無線射頻終端 C7、C8
A天線端
CN共同端
Srf射頻訊號
【具體實施方式】
下面結合附圖詳細說明本發明的具體實施例。
[0007]第2圖為本發明一實施例之單刀多擲開關200的示意圖。單刀多擲開關200包含共同端CN及選擇開關組210。選擇開關組210包含主開關組212、次開關組214a及次開關組214b。共同端CN可用以傳輸射頻訊號SRF，在第2圖的實施例中，單刀多擲開關200可應用于無線通信系統，因此共同端CN可耦接至天線端A，用以接收或傳送射頻訊號SRF，然而本發明并不以此為限。
[0008]主開關組212包含復數個串接的主晶體管2120，耦接于共同端CN。次開關組214a耦接于主開關組212及傳輸端210a。次開關組214a包含復數個串接的次晶體管2140a，用以當復數個主晶體管2120及復數個次晶體管2140a被導通時，經由主開關組212、次開關組214a與傳輸端2 1a傳輸射頻訊號Srf。次開關組214b親接于主開關組212及傳輸端210b。次開關組214b包含復數個串接的次晶體管2140b，用以當復數個主晶體管2120及復數個次晶體管2140b被導通時，經由主開關組212、次開關組214b與傳輸端210b傳輸射頻訊號Srf。在本發明之一實施例中，主晶體管2120、次晶體管2140a及2140b可為P型金氧半晶體管、N型金氧半晶體管或其他類型的晶體管。
[0009]在本發明之一實施例中，傳輸端210a及傳輸端210b可分別耦接至對應的無線射頻終端Cl及C2，因此當系統欲通過天線端A及無線射頻終端Cl來傳輸射頻訊號Srf時，即可導通復數個主晶體管2120及復數個次晶體管2140a，而傳輸端210a即可用以對應地傳送或接收射頻訊號Srf。同樣地，當系統欲通過天線端A及無線射頻終端C2來傳輸射頻訊號Srf時，即可導通復數個主晶體管2120及復數個次晶體管2140b，而傳輸端210b即亦可用以對應地傳送或接收射頻訊號Srf。
[0010]通過共享主晶體管2120，單刀多擲開關200所需的電路面積即可較先前技術之單刀多擲開關(如單刀多擲開關100中的選擇開關組1101與1102)所需的電路面積還小。
[0011]展開而言，復數個次晶體管2140a會接收到相同的控制訊號以同時導通或同時截止，而復數個次晶體管2140b也會接收到相同的控制訊號以同時導通或同時截止。當欲通過傳輸端210a傳輸射頻訊號Srf時，復數個次晶體管2140a會被導通，因此復數個主晶體管2120及復數個次晶體管2140a所承受的電壓即為射頻訊號Srf的電壓擺幅，而復數個次晶體管2140b會被截止，所以復數個次晶體管2140b的總跨壓會與復數個次晶體管2140a所承受的電壓相同。由于射頻訊號Srf通常為高電壓的高頻訊號，為避免當射頻訊號Srf的變化較為激烈時，會意外導通次開關組214b中的復數個次晶體管2140b，因此在本實施例中，次開關組214b中的次晶體管2140b的總個數可大于主開關組212中的主晶體管2120的總個數；同理，次開關組214a中的次晶體管2140a的總個數也可大于主開關組212中的主晶體管2120的總個數。
[0012]第3圖為本發明又一實施例之單刀多擲開關300的示意圖。在本實施例中，單刀多擲開關300與單刀多擲開關200具有相似的架構，差別在于單刀多擲開關300除了包含共同端CN及選擇開關組210以外，還包含選擇開關組220。選擇開關組220包含主開關組222、次開關組224a及次開關組224b。主開關組222包含復數個串接的主晶體管2220，耦接于共同端CN。次開關組224a耦接于主開關組222及傳輸端220a，次開關組224a包含復數個串接的次晶體管2240a，用以當復數個主晶體管2220及復數個次晶體管2240a被導通時，經由主開關組220、次開關組224a與傳輸端220a傳輸射頻訊號Srf。次開關組224b耦接于主開關組222及傳輸端220b，次開關組224b包含復數個串接的次晶體管2240b，用以當復數個主晶體管2220及復數個次晶體管2240b被導通時，經由主開關組222、次開關組224b與傳輸端220b傳輸射頻訊號Srf ο
[0013]由于單刀多擲開關300的晶體管總個數少于單刀多擲開關100的晶體管總個數，因此單刀多擲開關300所需的電路面積亦會小于單刀多擲開關100所需的電路面積。
[0014]在本發明之一實施例中，傳輸端210a、210b、220a及220b可分別耦接至對應的無線射頻終端Cl、C2、C3及C4，因此可通過導通或截止選擇開關組210及220中的晶體管來選擇傳輸射頻訊號的路徑。舉例來說，當欲通過天線端A及無線射頻終端C3來傳輸射頻訊號Srf時，即可導通復數個主晶體管2220及復數個次晶體管2240a，并可截止復數個主晶體管2120、復數個次晶體管2140a、2140b及2240b，而傳輸端220a即可用以對應地傳送或接收射頻訊號Srf。此時復數個次晶體管2240b的總跨壓會與復數個次晶體管2240a所承受的電壓相同，由于射頻訊號Srf通常為高電壓的高頻訊號，為避免當射頻訊號Srf的變化較為激烈時，會意外導通次開關組224b中的次晶體管2240b，因此在本實施例中，次開關組224b中的次晶體管2240b的總個數可大于主開關組222中的主晶體管2220的總個數；同理，次開關組224a中的次晶體管2240a的總個數也可大于主開關組222中的主晶體管2220的總個數。
[0015]在本發明之一實施例中，當單刀多擲開關300導通主晶體管2120及次晶體管2140a，并截止主晶體管2220及次晶體管2140b、2240a及2240b時，單刀多擲開關300的寄生電容可視為次開關組214b之等效電容與選擇開關組220之等效電容并聯的電容值。舉例來說，若每一次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b的等效電容為C，主晶體管2120及2220之等效電容亦為C，次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b的總個數皆各為10，而主晶體管2120及2220的總個數皆各為4，則次開關組214b之等效電容為C/10，且選擇開關組220之等效電容為次開關組224a之等效電容C/10與次開關組224b之等效電容C/10并聯后再與主開關組222之等效電容C/4串聯之等效電容，亦即C/9。因此單刀多擲開關300的寄生電容即為次開關組214b之等效電容C/10與選擇開關組220之等效電容C/9并聯后的電容19C/90。相較于先前技術，單刀多擲開關300的寄生電容19C/90即會小于單刀多擲開關100的寄生電容3C/14。
[0016]雖然在上述實施例中，次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b的總個數皆為10，而主晶體管2120及2220的總個數為4，然而本發明并不以此為限。在本發明的其他實施例中，次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b的總個數及主晶體管2120及2220的總個數亦可為其他數量，然而為使單刀多擲開關300能更有效地減少寄生電容，次晶體管2140a、2140b的總個數可大于主晶體管2120的總個數之兩倍，而次晶體管2240a、2240b的總個數可大于主晶體管2220的總個數之兩倍。
[0017]此外，在上述的實施例中，雖然每一次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b的等效電容為C，且主晶體管2120及2220之等效電容亦為C，亦即次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b的尺寸可與主晶體管2120及2220的尺寸相同，然而本發明并不以此為限。在本發明的其他實施例中，次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b之尺寸可彼此相同，且主晶體管2120及2220之尺寸亦可彼此相同，然而為降低傳輸路徑上晶體管的導通電阻(RDS(cin))，同時避免過度增加所需電路的面積，次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b之尺寸可與主晶體管2120及2220之尺寸相異，例如主晶體管2120及2220之尺寸可大于次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b之尺寸。如此一來，主晶體管2120及2140的導通電阻即可小于次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b的導通電阻，且每一主晶體管2120及2220之等效電容可大于每一次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b之等效電容。
[0018]再者，由于在同一截止路徑上，晶體管的跨壓會與其等效電容成反比，因此，在一實施例中，可使主晶體管2120、2220之等效電容提高，例如使主晶體管2120之等效電容大于次晶體管2140a及2140b之等效電容，并使主晶體管2220之等效電容大于次晶體管2240a及2240b之等效電容，則可降低主晶體管2120、2220所需承受到的跨壓，進而降低主晶體管2120、2220被高壓訊號擊穿(breakdown)的機率，亦可避免當射頻訊號Srf的變化較為激烈時，意外導通主晶體管2120或2220。然而在另一實施例中，亦可使主晶體管2120、2220之等效電容降低，例如使主晶體管2120之等效電容小于次晶體管2140a及2140b之等效電容，并使主晶體管2220之等效電容小于次晶體管2240a及2240b之等效電容，則可以增加主晶體管2120及2220所需承受到的跨壓，并減少次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b所需承受的跨壓，如此一來，即可避免當射頻訊號Srf的變化較為激烈時，意外導通次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b。申言之，單刀多擲開關200可根據系統的需求使主晶體管2120及2220以及次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b具有適當的等效電容及尺寸，以增加系統的穩定性。
[0019]此外，為了避免當主晶體管2120分配到的跨壓較大時，主晶體管2120會被擊穿(breakdown)，在另一實施例中，可使每一主晶體管2120之擊穿電壓(breakdown voltage)大于每一次晶體管2140a及2140b之擊穿電壓；同樣地，亦可使每一主晶體管2220之擊穿電壓大于每一次晶體管2240a及2240b之擊穿電壓。
[0020]然而若主晶體管2120及2220之等效電容過大時，則亦有可能增加單刀多擲開關300的寄生電容及所需之電路面積，因此用戶可根據系統的需要選擇適合的主晶體管尺寸及次晶體管尺寸，以優化單刀多擲開關300的傳輸路徑，且為使單刀多擲開關300的每一傳輸路徑皆可有相同的優化結果，亦可使主晶體管2120的總個數與主晶體管2220的總個數相等，并使次晶體管2140a、2140b、2240a及2240b的總個數相等。
[0021]雖然單刀多擲開關300之選擇開關組210僅包含兩個次開關組214a及214b，然而本發明并不以此為限。在本發明的其他實施例中，亦可根據系統的需要，使單刀多擲開關300具有其他數量的選擇開關組，并可使選擇開關組具有其他數量的次開關組，而皆應屬本發明之范圍。第4圖為本發明另一實施例之單刀多擲開關400的示意圖。單刀多擲開關400包含共同端CN、選擇開關組310及320。選擇開關組310包含主開關組312、次開關組314a、314b、314c及314d，選擇開關組320包含主開關組322、次開關組324a、324b、324c及324d。次開關組314a、314b、314c及314d皆耦接于主開關組312并分別耦接于傳輸端310a、310b、310c及310d，次開關組314a、314b、314c及314d分別包含復數個串接的次晶體管3140a、3140b、3140c及3140d。以次開關組314a為例，當復數個主晶體管3120及復數個次晶體管3140a被導通時，單刀多擲開關400可經由主開關組312、次開關組314a與傳輸端310a傳輸射頻訊號Srf。次開關組314b、314c及314d的構造及操作原理與次開關組314a相同，在此不另贅述。選擇開關組320的構造及操作原理與選擇開關組310相同，在此不另贅述。
[0022]在本發明之一實施例中，傳輸端310a_310d及320a_320d可分別耦接至對應的無線射頻終端Cl至CS，因此可通過導通或截止選擇開關組310及320中的晶體管來選擇單刀多擲開關400中傳輸射頻訊號Srf的路徑。舉例來說，當欲通過天線端A及無線射頻終端C3來傳輸射頻訊號Srf時，即可導通復數個主晶體管3120及復數個次晶體管3140c，并可截止復數個主晶體管3220、復數個次晶體管3140a、3140b、3140d及3240a-3240d，而傳輸端310c即可用以對應地傳送或接收射頻訊號Srf。
[0023]在本發明之一實施例中，當單刀多擲開關400導通復數個主晶體管3120及復數個次晶體管3140a，并截止復數個主晶體管3220及復數個次晶體管3140b-3140d及3240a-3240d時，單刀多擲開關400的寄生電容可視為次開關組314b-314d之等效電容與選擇開關組320之等效電容并聯的電容值。在本發明之一實施例中，單刀多擲開關400之次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d之尺寸相同，且主晶體管3120及主晶體管3220之尺寸相同，因此單刀多擲開關400之次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d彼此之等效電容相同，且主晶體管3120及主晶體管3220彼此之等效電容亦相同，然而主晶體管3120及3220之等效電容可與次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d之等效電容相異。舉例來說，若每一次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d的等效電容為C，而主晶體管3120及3220之等效電容可為2C，在第4圖中，次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d的總個數皆各為10，而主晶體管3120及3220的總個數皆個為4。由于三個次開關組314b-d各別之等效電容C/10于并聯后的總等效電容為3C/10，且選擇開關組320之等效電容為次開關組324a-d之等效電容并聯后的總等效電容4C/10與主開關組322之等效電容C/2串聯之等效電容，亦即2C/9，因此單刀多擲開關400的寄生電容即為次開關組314b-d之總等效電容3C/10與選擇開關組320之等效電容2C/9并聯后的等效電容，亦即為47C/90。相較于先前技術，當單刀多擲開關100包含更多的選擇開關組以供系統八個不同的傳輸路徑時，其寄生電容為7C/14，單刀多擲開關400的寄生電容47C/90約略等于先前技術之單刀多擲開關的寄生電容。但由于主晶體管3120及3220的等效電容及尺寸皆大于次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d的等效電容及尺寸，因此可降低傳輸路徑上晶體管的導通電阻，并可減少主晶體管3120、3220所分配到的跨壓，以避免主晶體管3120、3220被高壓訊號擊穿，亦可避免當射頻訊號Srf的變化較為激烈時，會意外導通主晶體管 3120、3220。
[0024]雖然上述實施例中，主晶體管3120及3220之等效電容為次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d之等效電容的兩倍，然而本發明并不以此為限，在本發明的其他實施例中，則亦可根據系統的需要調整主晶體管之等效電容的大小，例如若系統需要更進一步降低單刀多擲開關的寄生電容及減少所需的電路面積，則可使主晶體管3120及3220之等效電容為次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d之等效電容的1、1.5倍或其他倍數。
[0025]此外，亦可使單刀多擲開關400之主晶體管3120的總個數與主晶體管3220的總個數相等，及使次晶體管3140a-3140d及3240a-3240d的總個數相等，如此一來，單刀多擲開關400的每一傳輸路徑皆可有相同的優化結果。
[0026]為使單刀多擲開關可提供八個不同之傳輸路徑，第4圖之單刀多擲開關400包含兩組選擇開關組310及320，且兩組選擇開關組310及320各包含四組次開關組3140a-3140d及3240a-3240d，然而本發明并不以此為限，在本發明的其他實施例中，亦可根據系統需求，使單刀多擲開關可包含其他數量的選擇開關組搭配其他數量的次開關組，例如單刀多擲開關可包含四組選擇開關組，且每一組選擇開關組可各包含兩組次開關組，如此一來亦可提供八個不同的傳輸路徑。
[0027]綜上所述，本發明之實施例所提供的單刀多擲開關可通過共享主晶體管以減少所需的電路面積、降低其寄生電容以避免傳輸訊號的強度損耗、避免截止路徑上的晶體管被意外導通或擊穿的問題。
本說明書中所述的只是本發明的較佳具體實施例，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對本發明的限制。凡本領域技術人員依本發明的構思通過邏輯分析、推理或者有限的實驗可以得到的技術方案，皆應在本發明的范圍之內。
【主權項】
1.一種單刀多擲開關，其特征在于，包含: 一共同端，用以傳輸一射頻訊號;及 一第一選擇開關組，包含: 一第一主開關組，包含復數個串接的第一主晶體管，耦接于該共同端； 一第一次開關組，耦接于該第一主開關組及一第一傳輸端，包含復數個串接的第一次晶體管，用以當該些第一主晶體管及該些第一次晶體管被導通時，經由該第一主開關組、該第一次開關組與該第一傳輸端傳輸該射頻訊號;及 一第二次開關組，耦接于該第一主開關組及一第二傳輸端，包含復數個串接的第二次晶體管，用以當該些第一主晶體管及該些第二次晶體管被導通時，經由該第一主開關組、該第二次開關組與該第二傳輸端傳輸該射頻訊號； 其中該些第一次晶體管的總個數及該些第二次晶體管的總個數皆大于該些第一主晶體管的總個數。2.如權利要求1所述的單刀多擲開關，其特征在于，該單刀多擲開關另包含一第二選擇開關組，包含: 一第二主開關組，包含復數個串接的第二主晶體管，耦接于該共同端； 一第三次開關組，耦接于該第二主開關組及一第三傳輸端，包含復數個串接的第三次晶體管，用以當該些第二主晶體管及該些第三次晶體管被導通時，經由該第二主開關組、該第三次開關組與該第三傳輸端傳輸該射頻訊號;及 一第四次開關組，耦接于該第二主開關組及一第四端，包含復數個串接的第四次晶體管，用以當該些第二主晶體管及該些第四次晶體管被導通時，經由該第二主開關組、該第四次開關組與該第四端傳輸該射頻訊號； 其中該些第三次晶體管的總個數及該些第四次晶體管的總個數皆大于該些第二主晶體管的總個數。3.如權利要求2所述的單刀多擲開關，其特征在于， 該第一選擇開關組另包含: 一第五次開關組，耦接于該第一主開關組及一第五傳輸端，包含復數個串接的第五次晶體管，用以當該些第一主晶體管及該些第五次晶體管被導通時，經由該第一主開關組、該第五次開關組與該第五傳輸端傳輸該射頻訊號;及 一第六次開關組，耦接于該第一主開關組及一第六端，包含復數個串接的第六次晶體管，用以當該些第一主晶體管及該些第六次晶體管被導通時，經由該第一主開關組、該第六次開關組與該第六端傳輸該射頻訊號；以及該第二選擇開關組另包含: 一第七次開關組，耦接于該第二主開關組及一第七傳輸端，包含復數個串接的第七次晶體管，用以當該些第二主晶體管及該些第七次晶體管被導通時，經由該第二主開關組、該第七次開關組與該第七傳輸端傳輸該射頻訊號;及 一第八次開關組，耦接于該第二主開關組及一第八端，包含復數個串接的第八次晶體管，用以當該些第二主晶體管及該些第八次晶體管被導通時，經由該第二主開關組、該第八次開關組與該第八端傳輸該射頻訊號； 其中該些第五次晶體管的總個數及該些第六次晶體管的總個數皆大于該些第一主晶體管的總個數，且該些第七次晶體管的總個數及該些第八次晶體管的總個數皆大于該些第二主晶體管的總個數。4.如權利要求3所述的單刀多擲開關，其特征在于，該些第一次晶體管?該些第八次晶體管與該些第一主晶體管?該些第二主晶體管的等效電容相同。5.如權利要求3所述的單刀多擲開關，其特征在于，該些第一次晶體管?該些第八次晶體管的等效電容相同，該些第一主晶體管與該些第二主晶體管的等效電容相同，且該些第一主晶體管?該些第二主晶體管的等效電容大于或小于該些第一次晶體管?該些第八次晶體管的等效電容。6.如權利要求3所述的單刀多擲開關，其特征在于，該些第一次晶體管?該些第八次晶體管與該些第一主晶體管?該些第二主晶體管的尺寸相同。7.如權利要求3所述的單刀多擲開關，其特征在于，該些第一次晶體管?該些第八次晶體管的尺寸相同，該些第一主晶體管?該些第二主晶體管的尺寸相同，且該些第一主晶體管?該些第二主晶體管的尺寸大于或小于該些第一次晶體管?該些第八次晶體管的尺寸。8.如權利要求3所述的單刀多擲開關，其特征在于，該些第一主晶體管?該些第二主晶體管的擊穿電壓大于該些第一次晶體管?該些第八次晶體管的擊穿電壓。9.如權利要求3所述的單刀多擲開關，其特征在于，每一次開關組中的該些第一次晶體管?該些第八次晶體管的數量彼此相同，且每一主開關組中的該些第一主晶體管?該些第二主晶體管的數量彼此相同。10.如權利要求1或2或3所述的單刀多擲開關，其特征在于，該共同端系耦接至天線端，用以接收或傳送該射頻訊號，且每一傳輸端系分別耦接至對應的無線射頻終端，用以對應地傳送或接收該射頻訊號。
【文檔編號】H03K17/94GK105897236SQ201610064829
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年1月29日
【發明人】陳智圣, 許瀞文
【申請人】立積電子股份有限公司