一種低噪聲放大器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種低噪聲放大器，包括：匹配放大級電路，包括第一晶體管、第二晶體管、第一輸出節點及第二輸出節點；第一晶體管的源級耦合至天線阻抗，其漏極耦合至第一輸出節點；第二晶體管的柵極耦合至第一晶體管的源級，其漏極耦合至第二輸出節點；增益提升級電路，包括第一對晶體管及耦合至第一對晶體管的第二對晶體管；第一對晶體管分別耦合至第一輸出節點及第二輸出節點。該發明的有益效果為：實現寬帶阻抗匹配的同時確保了第一級噪聲的最小化，從而提升整體LNA的噪聲性能，實現差分端的輸出阻抗平衡，消除了增益提升帶來的非線性。
【專利說明】
一種低噪聲放大器
技術領域
[0001] 本發明涉及無線通信收發器技術領域，尤其涉及一種低噪聲放大器。
【背景技術】
[0002] 隨著技術的發展，集成無線通信芯片被大量應用于作戰系統、大規模應急通信系 統、導航定位、物聯網、傳感器網絡、數字電視廣播、公共安全、智能樓宇家居、無線電臺、移 動終端、玩具電子等多個行業，相應也衍生出了多樣的通信協議標準。為了順應市場的需 求，當前無線通信領域最熱門的研究就是設計一款兼容多協議的收發器芯片，以滿足用戶 日益增長的語音、視頻、數據瀏覽等需求，這就要求作為無線通信收發器信號處理的第一級 放大器(低噪聲放大器，英文簡寫LNA)需要兼具有寬帶、高增益、高線性度、低噪聲、阻抗匹 配等特性指標。同時，為使信號更好的處理，要求LNA可以輸出差分信號。
[0003] LNA是芯片與天線相連的第一級，它起到了對天線信號進行放大的作用。在這個過 程中，通信頻帶內的有用信號被低噪聲放大器放大，而由無線空間信道產生的噪聲被放大 器的增益抑制，同時放大器本身附加的噪聲非常小，使得有用信號被放大的同時并不影響 其質量。無線空間信道傳來的各類干擾將產生信號交調量，這部分干擾將由放大器良好的 線性性能抑制。
[0004] 從結構上來看，目前市場上的LNA主要分為兩類：一類是差分輸入差分輸出型的 LNA，這種結構在與天線進行匹配時，需要外接一個單端轉差分的變壓器，變相提升了成本； 另一類是單端輸入、差分輸出的LNA，這種LNA需要不需要外置的變壓器，同時采用噪聲消除 的結構可以消除輸入端的一個晶體管的噪聲(主要噪聲來源），但是這種結構往往存在輸出 阻抗差分端不平衡的問題。
[0005] 從匹配方式看，目前市場上的LNA主要分為以下兩類:一類是采用片外電感電容進 行阻抗匹配，但這種方案增加了片外無源器件，且往往使LNA的工作在窄帶，應用于單頻點 的無線通信；另一類是利用晶體管的源極輸入阻抗特性，形成共柵極管匹配，這種匹配可以 在數GHz的頻帶內達到良好的效果，但由于對晶體管的跨導要求嚴格，極大的限制了 LNA的 增益性能。
【發明內容】
[0006] 本發明要解決的技術問題在于，針對【背景技術】中LNA的阻抗匹配、低噪聲、高線性 度、阻抗平衡、高增益等特性間的折中難題，提供一種低噪聲放大器。
[0007] 本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:構造一種低噪聲放大器，包括：
[0008] 匹配放大級電路，包括輸入節點、第一晶體管、第二晶體管、第一輸出節點及第二 輸出節點;所述第一晶體管的源級耦合至所述輸入節點，其漏極耦合至所述第一輸出節點， 以將所述輸入節點處的噪聲電流轉換為所述第一輸出節點的第一噪聲電壓;所述第二晶體 管的柵極耦合至所述第一晶體管的源級，其漏極耦合至所述第二輸出節點，以將所述輸入 節點處的噪聲電流轉換為所述第二輸出節點的第二噪聲電壓;通過所述第二噪聲電壓與所 述第一噪聲電壓求和以消去第一晶體管的噪聲；以及
[0009] 增益提升級電路，包括第一對晶體管及耦合至所述第一對晶體管的第二對晶體 管;所述第一對晶體管分別耦合至所述第一輸出節點及所述第二輸出節點，通過設定所述 第一對晶體管與所述第二對晶體管的電流極性以抑制所述第二晶體管的噪聲。
[0010] 在本發明所述的低噪聲放大器中，所述第一對晶體管包括：
[0011] 第三晶體管，其柵極耦合至所述第一輸出節點；以及
[0012] 第四晶體管，其柵極耦合至所述第二輸出節點。
[0013] 在本發明所述的低噪聲放大器中，所述第二對晶體管包括：
[0014]第五晶體管，其柵極耦合至所述第三晶體管的柵極，所述第五晶體管的跨導的二 階導數與所述第三晶體管的跨導的二階導數符號相反；以及
[0015] 第六晶體管，其柵極耦合至所述第四晶體管的柵極，所述第六晶體管的跨導的二 階導數與所述第四晶體管的跨導的二階導數符號相反。
[0016] 在本發明所述的低噪聲放大器中，所述增益提升級電路還包括第一電容及第二電 容;所述第一電容耦合至所述第三晶體管的柵極與所述第五晶體管的柵極之間，所述第二 電容耦合至所述第四晶體管的柵極與所述第六晶體管的柵極之間。
[0017] 在本發明所述的低噪聲放大器中，所述增益提升級電路還包括第一電阻及第二電 阻;所述第一電阻耦合至所述第三晶體管的漏極，所述第二電阻耦合至所述第四晶體管的 漏極。
[0018] 在本發明所述的低噪聲放大器中，所述第一晶體管為共柵晶體管，所述第二晶體 管為共源晶體管。
[0019] 在本發明所述的低噪聲放大器中，所述匹配放大級電路還包括：
[0020] 共柵電阻，其耦合至所述第一晶體管的漏極；以及
[0021] 共源電阻，其耦合至所述第二晶體管的漏極。
[0022] 在本發明所述的低噪聲放大器中，所述匹配放大級電路還包括輸入電容，所述輸 入電容耦合至所述第一晶體管的源級及所述第二晶體管的柵極之間。
[0023] 在本發明所述的低噪聲放大器中，所述匹配放大級電路還包括片外電感，所述片 外電感耦合至所述第一晶體管的源級。
[0024] 上述公開的一種低噪聲放大器具有以下有益效果:通過在靠前級的匹配放大級采 用噪聲消除結構，在實現寬帶阻抗匹配的同時確保了第一級噪聲的最小化，從而提升整體 LNA的噪聲性能;在靠后級的增益提升級，采用了多晶體管復用結構，由于其是一種對稱性 結構，其差分端的輸出阻抗是平衡的。這種結構在提升整體增益的同時，消除了增益提升帶 來的非線性。與此同時，由于弱反型的晶體管處于LNA的后一級，其引入的噪聲是可以忽略 不計的。從整體上看，這樣的技術方案有效的提升了LNA電路的噪聲性能、增益性能，同時并 沒有惡化其線性性能。
【附圖說明】
[0025] 圖1為本發明提供的一種低噪聲放大器的功能框圖；
[0026] 圖2為本發明提供的一種低噪聲放大器的結構示意圖；
[0027]圖3為本發明提供的g%的消除原理示意圖。
【具體實施方式】
[0028] 為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對 本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明，并不 用于限定本發明。
[0029] 本發明提供的本發明提供了一種組合了噪聲消除技術與多場效應復用技術 (Multi-gated Transistor，MGTR)的LNA，在一種噪聲消除結構的后級采用了MGTR形式的緩 沖器，解決了 LNA的阻抗匹配、低噪聲、高線性度、阻抗平衡、高增益等特性間的折中難題。參 見圖1，圖1為本發明提供的一種低噪聲放大器的功能框圖。該低噪聲放大器包括兩級，分別 是匹配放大級與增益提升級。其中，匹配放大級采用了共柵輸入匹配與噪聲消除結構，實現 了 LNA的寬帶匹配、單端到差分的轉換與極低噪聲性能。其引入的輸出阻抗不平衡的問題由 第二級增益提升級解決，同時增益提升級提供正的增益，使整體LNA增益得到提升，解決了 匹配放大級因共柵匹配帶來的增益低的問題。再者，在增益提升級采用了兩個工作在弱反 型區的NM0S晶體管，他們提升的三階非線性電流極性與該級的放大晶體管相反，互相抵消， 從而消除放大晶體管帶來的非線性問題，因此該級同時提供了增益與優良的線性性能。
[0030] 參見圖2,圖2為本發明提供的一種低噪聲放大器100的結構示意圖，該低噪聲放大 器100包括匹配放大級電路1及增益提升級電路2。
[0031] 一、匹配放大級電路1
[0032] 匹配放大級電路1包括輸入節點10、第一晶體管11、第二晶體管12、第一輸出節點 13及第二輸出節點14;所述第一晶體管11的源級耦合至所述輸入節點10(即天線阻抗），其 漏極耦合至所述第一輸出節點13,以將所述輸入節點10處的噪聲電流轉換為所述第一輸出 節點13的第一噪聲電壓;所述第二晶體管12的柵極耦合至所述第一晶體管11的源級，其漏 極耦合至所述第二輸出節點14,以將所述輸入節點10處的噪聲電流轉換為所述第二輸出節 點14的第二噪聲電壓;通過所述第二噪聲電壓與所述第一噪聲電壓形成差分信號以消去第 一晶體管11的噪聲;具體的，所述第一晶體管11為共柵晶體管(Ml)，所述第二晶體管12為共 源晶體管(M2)。所述匹配放大級電路1還包括輸入電容17、片外電感18、共柵電阻15(R CC)及 共源電阻16(RCS)。共柵電阻15耦合至所述第一晶體管11的漏極;共源電阻16耦合至所述第 二晶體管12的漏極。所述輸入電容17耦合至所述第一晶體管11的源級及所述第二晶體管12 的柵極之間。所述片外電感18耦合至所述第一晶體管11的源級。
[0033]匹配放大級電路1中的參數如下：
[0034] iin:由天線信號等效的輸入小信號電流；
[0035] gm,cG:輸入共柵晶體管Ml的跨導；
[0036] gm,CS:輸入共源晶體管M2的跨導；
[0037] Vn,in:由Ml產生的噪聲電壓在其源極的等效；
[0038] Vn,CG:Ml在輸出端(漏極)的等效噪聲電壓；
[0039] Vn, cs: M2在輸出端(漏極)的等效噪聲電壓；
[0040] Αν,α;:Μ1對信號的放大增益；
[0041 ] Av,(；s:M2對信號的放大增益。
[0042]匹配放大級由共柵輸入晶體管Ml與共源輸入晶體管M2組合而成。共柵輸入晶體管 的輸入阻抗可視為其跨導的倒數，即l/gm,cc，視天線阻抗為Rs，則只需二者相等，就可以在相 當寬的頻率范圍內實現阻抗匹配，即
[0043]
[0044]其單端信號轉為差分信號的原理如下：首先，對于從天線阻抗Rs輸入到Ml的源極 的信號，可認為該信號是一個小信號電流iin，該小信號電流將經過Ml，在Ml的負載RCG上流 過，根據基爾霍夫電流定律，對于輸入小信號電流計算為：
[0045]
(1)
[0046] 這意味著共柵晶體管Ml的輸入阻抗可以表示為：
[0047]
(2)
[0048] 從（2)式可以得出，Ml所提供的增益Av,cg為Av,cG = gm,cG · Rcg。而對于M2,其是標準 的共源輸入放大晶體管，因此其增益等于跨導與負載的相乘，同時對信號的相位產生反轉， 即為Av,Cs = -gm,cs · Res。綜合起來，則有：
[0049] Av, CG - - Αν, Cs - gm, CG * RcG - gm, Cs * Res (3)
[0050] 從(3)式可以看到，對于同一個天線信號，Ml與M2對其的放大增益大小相同，但極 性相反，因此在Ml與M2的漏輸出就形成了幅度相同而相位相差180°的差分信號，從而完成 了單端信號至差分信號的轉變過程。
[0051] 其低噪聲原理是利用共源晶體管M2將Ml源端的噪聲Vn放大，產生與Ml漏端也就是 Rcg處相位相同且幅度相同的噪聲，從而在輸出的差分信號中，這個噪聲可以互相抵消，這 樣，從整體上看，Ml產生的噪聲就被消除了。由于Ml是處于第一級的晶體管，對信號有放大 作用，因此這部分噪聲被消除將極大的有利于LNA的低噪聲設計。這個過程需要滿足一些條 件，首先，由Ml產生的噪聲電流從R CC流至天線端的Rs，這個噪聲電流將在Ml的源極和漏極分 別產生噪聲電壓
[0052]
[0053]
[0054] 同時，Vn, in經由M2的柵極被放大，根據式(3)，這個噪聲電壓被放大為：
[0055] Vn,cs = Vn,in · Av,cs = a · in · Rs · (_gm,cs · Res) (4)
[0056] 由式(2)、（3)，式(4)可以被換算為：
[0057] Vn,cs = -a · in · RcG = Vn,CG (5)
[0058] 可以看到，在Ml與M2的漏端，由Ml產生的噪聲電壓是同相位且幅度一至的。由于差 分信號是兩端信號相減得來，因此在差分信號傳輸中，這個噪聲在相減的過程中由于相位 幅度一至而被抵消了，從而Ml的噪聲被完全消除。值得注意的是，由于Ml與M2是處在第一級 的放大晶體管，它們的噪聲對LNA而言影響是最大的，消除掉Ml的噪聲會使LNA的噪聲性能 得到極大的優化。
[0059] 另一方面，M2的噪聲并不能通過這個結構來消除，但由于阻抗匹配的工作主要由 Ml完成，因此M2的尺寸并不一定需要其保持特定的跨導，所以可以通過加大M2的尺寸（即提 高了跨導)來抑制M2的噪聲。為了滿足(3)式，相應需要減小M2的負載電阻RCS，這樣造成了匹 配放大級的輸出阻抗不平衡，這個問題由第二級增益提升級解決。
[0060] 二、增益提升級電路2
[0061] 增益提升級電路2包括第一對晶體管21及耦合至所述第一對晶體管21的第二對晶 體管22;所述第一對晶體管21分別耦合至所述第一輸出節點13及所述第二輸出節點14,通 過設定所述第一對晶體管21與所述第二對晶體管22的電流極性以抑制所述第二晶體管12 的噪聲。具體的，所述第一對晶體管21包括第三晶體管211 (M3)及第四晶體管212 (M4)。第三 晶體管211的柵極耦合至所述第一輸出節點13;第四晶體管212的柵極耦合至所述第二輸出 節點14。所述第二對晶體管22包括第五晶體管221(M5)及第六晶體管222(M6)。第五晶體管 221的柵極耦合至所述第三晶體管211的柵極，所述第五晶體管221的跨導的二階導數與所 述第三晶體管211的跨導的二階導數符號相反;第六晶體管222的柵極耦合至所述第四晶體 管212的柵極，所述第六晶體管222的跨導的二階導數與所述第四晶體管212的跨導的二階 導數符號相反。所述增益提升級電路2還包括第一電阻25(Rout)、第二電阻26(Rout)、第一 電容23及第二電容24;所述第一電容23耦合至所述第三晶體管211的柵極與所述第五晶體 管221的柵極之間，所述第二電容24耦合至所述第四晶體管212的柵極與所述第六晶體管 222的柵極之間。所述第一電阻25耦合至所述第三晶體管211的漏極，所述第二電阻26耦合 至所述第四晶體管212的漏極。
[0062]增益提升級電路2中的參數如下：
[0063] gm:晶體管的跨導；
[0064] g%:晶體管跨導的二階導數。
[0065] IIP3: Input Third Intercept Point輸入三階交調點，表征電路線性性能，越大 越好。
[0066]在匹配放大級，雖然圖2中的M2可以改變尺寸提升跨導來抑制噪聲，但其增益由于 要保持與Ml大小一致，因此仍受到Ml的限制。而Ml為了實現阻抗匹配需要滿足
[0067]
[0068] 也就限制了其跨導gm,〇;的值，從而對增益有很大的限制。如果過于通過提升其負 載電阻R CC來尋求增益的提升，則又會因為電源電壓的限制導致輸出動態范圍下降，甚至導 致Ml因漏端電壓不足難以正常工作。因此，在匹配放大級是難以做到高增益性能的。
[0069] 本技術在增益提升級尋求了增益的提升，同時解決了匹配放大級輸出阻抗不平衡 的問題。而不同于一般的技術，在增益提升時帶來嚴重的非線性問題，本發明在增益提升級 引入了多晶體管復用技術(MGTR)，使用額外的弱反型晶體管消除放大晶體管的非線性電 流，從而去除因增益提升帶來的非線性問題。
[0070] M3及M4為工作在飽和區的放大晶體管，而M5與M6為工作在弱反型區的附加晶體管 (對信號放大功能微弱）。對于一個晶體管而言，其三階交調點ΠΡ 3的計算為：
[0071]
(6)
[0072] 從式(6)可以看出，為了使ΙΙΡ3盡可能取得最大值，晶體管的二階導數跨導g〃m需要 接近于0。然而，對于一個工作在飽和區（從而取得優良的放大效果）的晶體管而言，其g%為 負值，從而產生三階非線性，導致IIP3指標下降。與工作在飽和區的晶體管不同的是，工作 在弱反型區的晶體管的g%為正值。在本發明所使用的增益提升級中，通過引入工作于弱反 型區的M5及M6,提供了正向的g〃 m，與放大晶體管M3及M4的負向g〃m互相抵消，消除了三階非 線性，使得式(6)根式內的分母趨近于0,極大的提升了 IIP3的指標水平，其原理如圖3所示。 [0073]如圖3所示，對M3~M6進行輸入電壓掃描，測量其在不同輸入電壓情況下的二階導 數跨導g%。圖中顯示，工作在飽和區的放大晶體管M3及M4的g〃 m為負值，而工作在弱反型區 的晶體管M5及M6則產生了一個正值的g%，二者共同作用后，組合起來的等效g〃 m在小信號范 圍內貼近于〇(圖中靠近正中間部分的曲線），由此，根據式(6)，本結構可以提升極大的IIP3 值。本結構同時解決了增益設計的難題，由于M3及M4工作于飽和區，起到信號的放大作用， 其對信號的增益為：
[0074] Av=-gm · Rout (7)
[0075] 這個增益可以有效的彌補前面的匹配放大級因共柵匹配結構而產生的增益限制 的問題。
[0076] 綜上所述，本技術方案創造性地結合了噪聲消除結構與多晶體管復用結構的優 勢。因為在射頻無線通信模塊中，存在這樣的定律：1、越是靠前級的模塊，其噪聲對整體通 信鏈路影響越大，而對鏈路的線性性能影響程度越小;2、越是靠后級的模塊，其線性性能對 整體通信鏈路影響越大，而對鏈路的噪聲性能影響程度越小;3、增益的提升帶來噪聲性能 的優化與線性性能的惡化。所以在靠前級的匹配放大級，采用噪聲消除結構，在實現寬帶阻 抗匹配的同時確保了第一級噪聲的最小化，從而提升整體LNA的噪聲性能;在靠后級的增益 提升級，采用了多晶體管復用結構，由于其是一種對稱性結構，其差分端的輸出阻抗是平衡 的。這種結構在提升整體增益的同時，消除了增益提升帶來的非線性。與此同時，由于弱反 型的晶體管處于LNA的后一級，其引入的噪聲是可以忽略不計的。從整體上看，這樣的技術 方案有效的提升了 LNA電路的噪聲性能、增益性能，同時并沒有惡化其線性性能。
[0077] 總而言之，本技術方案同時解決了 LNA電路的阻抗匹配、阻抗平衡、噪聲性能、增益 性能、線性性能的設計難題。
[0078] 針對【背景技術】中提出的現有技術在提升LNA的線性性能時采用低增益設計或者如 技術方案一中的補償性設計。但由于該技術方案在第一級就引入了兩個工作在弱反型區的 PM0S晶體管，它們產生的噪聲將對LNA產生巨大的影響。
[0079] 針對【背景技術】中提出的現有技術在提升LNA的噪聲性能時采用噪聲消除技術。這 種技術同時可以實現寬帶匹配，但其負面影響是增益設計受到天線阻抗的牽制，導致LNA很 難達到較高的增益，而且為了達到輸出差分阻抗平衡，必須引入緩沖級。如果在緩沖級添加 增益，則會因為該級處于靠后級，產生大量非線性的影響。而如果在緩沖級使用無增益或負 增益的結構，則無助于提升本來就不高的電路增益。
[0080] 本方案在LNA的第一級采用現有技術中聲消除技術類似的結構，確保對噪聲影響 最大的第一級能擁有最小的噪聲，同時實現了寬帶匹配。而在LNA的第二級，引入多晶體管 復用結構，同時實現了輸出阻抗平衡、高增益、高線性度等性能，同時引入的晶體管的噪聲 由于處在第二級，對整體噪聲影響可以忽略。
[0081] 本文提供了實施例的各種操作。在一個實施例中，所述的一個或多個操作可以構 成一個或多個計算機可讀介質上存儲的計算機可讀指令，其在被電子設備執行時將使得計 算設備執行所述操作。描述一些或所有操作的順序不應當被解釋為暗示這些操作必需是順 序相關的。本領域技術人員將理解具有本說明書的益處的可替代的排序。而且，應當理解， 不是所有操作必需在本文所提供的每個實施例中存在。
[0082] 而且，本文所使用的詞語"優選的"意指用作實例、示例或例證。本文描述為"優選 的"任意方面或設計不必被解釋為比其他方面或設計更有利。相反，詞語"優選的"的使用旨 在以具體方式提出概念。如本申請中所使用的術語"或"旨在意指包含的"或"而非排除的 "或"。即，除非另外指定或從上下文中清楚，"X使用A或B"意指自然包括排列的任意一個。 即，如果X使用A;X使用B;或X使用A和B二者，則"X使用A或B"在前述任一示例中得到滿足。
[0083] 而且，盡管已經相對于一個或多個實現方式示出并描述了本公開，但是本領域技 術人員基于對本說明書和附圖的閱讀和理解將會想到等價變型和修改。本公開包括所有這 樣的修改和變型，并且僅由所附權利要求的范圍限制。特別地關于由上述組件(例如元件、 資源等)執行的各種功能，用于描述這樣的組件的術語旨在對應于執行所述組件的指定功 能(例如其在功能上是等價的）的任意組件(除非另外指示），即使在結構上與執行本文所示 的本公開的示范性實現方式中的功能的公開結構不等同。此外，盡管本公開的特定特征已 經相對于若干實現方式中的僅一個被公開，但是這種特征可以與如可以對給定或特定應用 而言是期望和有利的其他實現方式的一個或多個其他特征組合。而且，就術語"包括"、"具 有"、"含有"或其變形被用在【具體實施方式】或權利要求中而言，這樣的術語旨在以與術語 "包含"相似的方式包括。
[0084] 本發明實施例中的各功能單元可以集成在一個處理模塊中，也可以是各個單元單 獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用 硬件的形式實現，也可以采用軟件功能模塊的形式實現。所述集成的模塊如果以軟件功能 模塊的形式實現并作為獨立的產品銷售或使用時，也可以存儲在一個計算機可讀取存儲介 質中。上述提到的存儲介質可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。上述的各裝置或系統，可以 執行相應方法實施例中的方法。
[0085] 綜上所述，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限 制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤 飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。
【主權項】
1. 一種低噪聲放大器，其特征在于，包括： 匹配放大級電路，包括輸入節點、第一晶體管、第二晶體管、第一輸出節點及第二輸出 節點;所述第一晶體管的源級耦合至所述輸入節點，其漏極耦合至所述第一輸出節點，以將 所述輸入節點處的噪聲電流轉換為所述第一輸出節點的第一噪聲電壓;所述第二晶體管的 柵極耦合至所述第一晶體管的源級，其漏極耦合至所述第二輸出節點，以將所述輸入節點 處的噪聲電流轉換為所述第二輸出節點的第二噪聲電壓;通過所述第二噪聲電壓與所述第 一噪聲電壓求和以消去第一晶體管的噪聲；以及 增益提升級電路，包括第一對晶體管及耦合至所述第一對晶體管的第二對晶體管;所 述第一對晶體管分別耦合至所述第一輸出節點及所述第二輸出節點，通過設定所述第一對 晶體管與所述第二對晶體管的電流極性以抑制所述第二晶體管的噪聲。2. 根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一對晶體管包括： 第三晶體管，其柵極耦合至所述第一輸出節點；以及 第四晶體管，其柵極耦合至所述第二輸出節點。3. 根據權利要求2所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第二對晶體管包括： 第五晶體管，其柵極耦合至所述第三晶體管的柵極，所述第五晶體管的跨導的二階導 數與所述第三晶體管的跨導的二階導數符號相反；以及 第六晶體管，其柵極耦合至所述第四晶體管的柵極，所述第六晶體管的跨導的二階導 數與所述第四晶體管的跨導的二階導數符號相反。4. 根據權利要求3所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述增益提升級電路還包括第一 電容及第二電容;所述第一電容耦合至所述第三晶體管的柵極與所述第五晶體管的柵極之 間，所述第二電容耦合至所述第四晶體管的柵極與所述第六晶體管的柵極之間。5. 根據權利要求3所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述增益提升級電路還包括第一 電阻及第二電阻;所述第一電阻耦合至所述第三晶體管的漏極，所述第二電阻耦合至所述 第四晶體管的漏極。6. 根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一晶體管為共柵晶體管， 所述第二晶體管為共源晶體管。7. 根據權利要求1或6所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述匹配放大級電路還包括： 共柵電阻，其耦合至所述第一晶體管的漏極；以及 共源電阻，其耦合至所述第二晶體管的漏極。8. 根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述匹配放大級電路還包括輸入 電容，所述輸入電容耦合至所述第一晶體管的源級及所述第二晶體管的柵極之間。9. 根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述匹配放大級電路還包括片外 電感，所述片外電感耦合至所述第一晶體管的源級。
【文檔編號】H03G3/30GK105897184SQ201610192381
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年3月30日
【發明人】張科峰, 劉覽琦
【申請人】武漢芯泰科技有限公司