電子部件的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種能夠實現小型化的電子部件。本發明所涉及的電子部件的特征在于，第1電感至第n電感分別從與層疊方向垂直的第1正交方向俯視時呈現卷繞的形狀，第n+1電感具有第n+1電感導體層，該第n+1電感導體層是從層疊方向俯視時呈現卷繞形狀的線狀第n+1電感導體層，且從第1正交方向俯視時位于被第1電感所包圍的區域內，第n+1電容具有第n+1電容導體層，該第n+1電容導體層與第1外部電極電連接，且隔著絕緣體層與第1電感導體層相對。
【專利說明】
電子部件
技術領域
[0001]本發明涉及電子部件，更進一步地，涉及具有多個諧振器的電子部件。
【背景技術】
[0002]作為以往的電子部件，例如已知有專利文獻I中所記載的帶通濾波器。該帶通濾波器具有輸入端子、輸出端子、4個LC并聯諧振器、第I陷波諧振器以及第2陷波諧振器。4個LC并聯諧振器通過彼此進行磁場耦合從而構成帶通濾波器。第I陷波諧振器通過將電容與電感進行并聯連接來構成，并設置于輸入端子與LC并聯諧振器之間。第2陷波諧振器通過將電容與電感進行并聯連接來構成，并設置于輸出端子與LC并聯諧振器之間。如上構成的電子部件中，通過設置陷波諧振器，從而使通頻帶的高頻側的截止頻率中的高頻信號的衰減量增大。
[0003]但是，專利文獻I所記載的帶通濾波器中，LC并聯諧振器的小型化很困難。更具體而言，4個LC并聯諧振器、第I陷波諧振器以及第2陷波諧振器的電感分別含有線路電極層以及2根通孔電極。線路電極層形成為在與上下方向正交的第I方向上延伸的直線形狀。2根通孔電極分別從線路電極層的兩端向下方延伸。如此，6個電感形成向下側開口的有棱角的U字形。此外，6個電感配置成在與第I方向正交的第2方向上排列成一列。如此，若多個電感配置成在第2方向上排列成一列，則電子部件的第2方向上的長度會變長。
現有技術文獻專利文獻
[0004]專利文獻I:日本專利特開2013-70288號公報
【發明內容】
發明所要解決的技術問題
[0005]因此，本發明的目的是提供一種能夠實現小型化的電子部件。
解決技術問題所采用的技術方案
[0006]本發明的一個實施方式所涉及的電子部件的特征在于，包括:多個絕緣體層在層疊方向上進行層疊而構成的層疊體;第I外部電極，該第I外部電極設置于所述層疊體的表面;第I諧振器至第n(n為2以上的整數)諧振器，該第I諧振器至第n(n為2以上的整數)諧振器在所述層疊體中在與所述層疊方向正交的第I正交方向上按此順序排列，且在該第I正交方向上相鄰的諧振器之間進行磁場耦合；以及第ILC并聯諧振器，該第ILC并聯諧振器與所述第I外部電極連接，所述第I諧振器至第η諧振器分別包含第I電感至第η電感以及第I電容至第η電容，所述第I電感至所述第η電感分別通過將設置于所述絕緣體層上的第I電感導體層至第η電感導體層和在層疊方向上貫通所述絕緣體層的第I層間連接導體至第η層間連接導體進行連接，從而從與所述層疊方向垂直的第I正交方向俯視時呈現卷繞的形狀，所述第ILC并聯諧振器包含第η+1電感以及第η+1電容，所述第η+1電感具有第η+1電感導體層，該第η+1電感導體層是從所述層疊方向俯視時呈現卷繞形狀的線狀第η+1電感導體層，從所述第I正交方向俯視時位于被所述第I電感所包圍的區域內，且所述第η+1電感與所述第I諧振器連接，所述第η+1電容具有第η+1電容導體層，該第η+1電容導體層與所述第I外部電極電連接，且隔著所述絕緣體層與所述第I電感導體層相對。
發明的技術效果
[0007]根據本發明，能夠實現小型化。
【附圖說明】
[0008]
圖1A是第I實施方式所涉及的電子部件1a的等效電路圖。
圖1B是電子部件1a的外觀立體圖。
圖2是電子部件1a的分解圖。
圖3是電子部件1a的分解圖。
圖4是電子部件1a的分解圖。
圖5是電子部件1a的分解圖。
圖6是表示第I模型的模擬結果的曲線圖。
圖7是表示第2模型的模擬結果的曲線圖。
圖8是電子部件1b的絕緣體層16b、16k、16c的俯視圖。
圖9是電子部件1c的絕緣體層16h、16k、16i的俯視圖。
圖10是電子部件1d的等效電路圖。
圖11是電子部件1e的等效電路圖。
【具體實施方式】
[0009]下面，關于本發明的實施方式所涉及的電子部件，參照附圖進行說明。
[0010]
(第I實施方式)
(電子部件的結構)
首先，關于第I實施方式所涉及的電子部件1a的電路結構，參照附圖進行說明。圖1A是第I實施方式所涉及的電子部件1a的等效電路圖。
[0011]電子部件1a是將低通濾波器與高通濾波器進行組合而成的帶通濾波器，如圖1A所示，具有外部電極14&?14(3、電感1^1?1^6以及電容(:1?06、(:11、(:12工22?024。
[0012]外部電極14a、14b是高頻信號的輸入輸出端子。外部電極14c是與接地電位連接的接地端子。外部電極14a與外部電極14b通過信號路徑SL進行連接。
[0013]電感L5、電容C22?C24以及電感L6設置于信號路徑SL上，從外部電極14a到外部電極14b以此順序進彳丁串聯電連接。
[0014]電容Cll連接于電感L5與電容C22間的點與外部電極14c之間。由此，電感L5與電容Cl I構成低通濾波器LPFl。低通濾波器LPFl的截止頻率是頻率f Cl。
[0015]電容C12連接于電感L6與電容C24間的點與外部電極14c之間。由此，電感L6與電容C12構成低通濾波器LPF2。低通濾波器LPF2的截止頻率是頻率fc2。
[0016]電感LI以及電容Cl通過串聯電連接于信號路徑SL與外部電極14c之間，從而構成LC串聯諧振器LCl。本實施方式中，LC串聯諧振器LCl連接于電感L5與電容C22間的點與外部電極14c之間。LC串聯諧振器LCl的諧振頻率是頻率fal。
[0017]電感L2以及電容C2通過串聯電連接于信號路徑SL與外部電極14c之間，從而構成LC串聯諧振器LC2。本實施方式中，LC串聯諧振器LC2連接于電容C22與電容C23間的點與外部電極14c之間。LC串聯諧振器LC2的諧振頻率是頻率f a2。
[0018]電感L3以及電容C3通過串聯電連接于信號路徑SL與外部電極14c之間，從而構成LC串聯諧振器LC3。本實施方式中，LC串聯諧振器LC3連接于電容C23與電容C24間的點與外部電極14c之間。LC串聯諧振器LC3的諧振頻率是頻率f a3。
[0019]電感L4以及電容C4通過串聯電連接于信號路徑SL與外部電極14c之間，從而構成LC串聯諧振器LC4ο本實施方式中，LC串聯諧振器LC4連接于電容C24與電感L6間的點與外部電極14c之間。LC串聯諧振器LC4的諧振頻率是頻率f a4。
[0020]電容C5與電感L5以及電感LI的一部分進行并聯電連接，構成LC并聯諧振器LC5。本實施方式中，電容C5連接于外部電極14a與電感LI之間。其中，電容C5的一端并不連接于電感LI的端部，而連接于電感LI兩端以外的部分。因而，電感LI的一部分起到作為電容電極的作用。此外，LC并聯諧振器LC5連接于外部電極14a AC并聯諧振器LC5的諧振頻率是頻率fa5。
[0021]電容C6與電感L6以及電感L4的一部分進行并聯電連接，構成LC并聯諧振器LC6。本實施方式中，電容C6連接于外部電極14b與電感L4之間。其中，電容C6的一端并不連接于電感L4的端部，而連接于電感L4兩端以外的部分。因而，電感L6的一部分起到作為電容電極的作用。此外，LC并聯諧振器LC6連接于外部電極14b AC并聯諧振器LC6的諧振頻率是頻率fa6。
[0022]這里，電子部件1a被設計為頻率fcl、fc2比頻率fal?fa4更高。由此，LC串聯諧振器LCl?LC4以及低通濾波器LPFULPF2構成帶通濾波器，該帶通濾波器使頻率fcl、fc2與頻率fal?fa4之間的頻帶的高頻信號從外部電極14a向外部電極14b進行通過。
[0023]此外，電子部件1a被設計為，頻率fa5、fa6與帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率實質上一致。由此，帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率的下降沿變得陡峭。
[0024]此外，電感LI以及電容C22構成高通濾波器HPFl。高通濾波器HPFl的截止頻率是截止頻率fell。其結果是，高通濾波器HPFl使比截止頻率fell高的頻帶的高頻信號通過信號路徑SL。
[0025]電感L2以及電容C22、C23構成高通濾波器HPF2。高通濾波器HPF2的截止頻率是截止頻率fcl2。其結果是，高通濾波器HPF2使比截止頻率fcl2高的頻帶的高頻信號通過信號路徑SL。
[0026]電感L3以及電容C23、C24構成高通濾波器HPF3。高通濾波器HPF3的截止頻率是截止頻率fcl3。其結果是，高通濾波器HPF3使比截止頻率fcl3高的頻帶的高頻信號通過信號路徑SL。
[0027]電感L4以及電容C24構成高通濾波器HPF4。高通濾波器HPF4的截止頻率是截止頻率fcl4。其結果是，高通濾波器HPF4構成使比截止頻率fcl4高的頻帶的高頻信號通過信號路徑SL的高通濾波器HPF4。
[0028]接著，關于電子部件1a的具體結構，參照附圖進行說明。圖1B是電子部件1a的外觀立體圖。圖2至圖5是電子部件1a的分解圖。電子部件1a中，將層疊體12的層疊方向定義為上下方向。此外，從上側俯視電子部件1a時，將電子部件1a的上表面的長邊延伸的方向定義為左右方向，電子部件1a的上表面的短邊延伸的方向定義為前后方向。
[0029]電子部件1a如圖1B至圖5所示，具有:層疊體12;外部電極14a?14c;電感導體層18&、1813、3(^?3(^、423?42(1、1183、11813、13(^?13(^、1423?142(1;連接導體層20、120;電容導體層22、26、32、40&、4013、44、46、50、60、122、126、132、140&、14013、144、150;以及通孔導體(層間連接導體的一例)vl?v9、vll?vl6、v51、vl01?vl09、vlll?vll6。
[0030]層疊體12呈長方體形，通過將絕緣體層16a?16r從上側向下側以此順序層疊來構成。絕緣體層16a?16r從上側俯視時呈左右方向上延伸的長方形，例如由陶瓷等制成。以下，將絕緣體層16a?16r的上表面稱為表面，絕緣體層16a?16r的下表面稱為背面。
[0031]外部電極14a、14b如圖1B所示，分別設置于層疊體12的左表面以及右表面(即層疊體12的表面)，呈上下方向上延伸的帶狀。此外，外部電極14a、14b的上端以及下端彎折至層疊體12的上表面以及下表面。
[0032]外部電極14c如圖1B所示，設置于層疊體12的下表面的中央，呈長方形。外部電極14a?14c例如通過在由銀等組成的基底電極上進行鍍Ni以及鍍Sn而制成。
[0033]電感導體層18a設置于絕緣體層16j的表面上，是以絕緣體層16j的左側的短邊的中央作為起點，以絕緣體16j的左半部分的區域的中央作為終點的線狀導體層。電感導體層18a從上側俯視時，從起點向終點以逆時針進行卷繞。電感導體層18a與外部電極14a連接。
[0034]電感導體層18b設置于絕緣體層16i的表面上，是以絕緣體層16i的左半部分區域的中央作為起點，以絕緣體16i的后側的長邊中央附近作為終點的線狀導體層。電感導體層18b從上側俯視時，從起點向終點以逆時針進行卷繞。
[0035]通孔導體vl在上下方向上貫通絕緣體層16i，將電感導體層18a的終點與電感導體層18b的起點進行連接。由此，電感導體層18a、18b以及通孔導體vl構成螺旋狀的電感L5。
[0036]電容導體層22設置于絕緣體層16ο的表面上，是設置于絕緣體層16ο的后側長邊的中央附近的長方形的導體層。
[0037]電容導體層60設置于絕緣體層16q的表面上，是覆蓋絕緣體層16q的大致整個表面的長方形的導體層。由此，電容導體層60從上側俯視時，與電容導體層22重疊。由此，電容導體層22、60構成電容CU。
[0038]通孔導體v3在上下方向上貫通絕緣體層16j?16η，將電感導體層18b的終點與電容導體層22進行連接。由此，電容Cll與電感L5連接。
[0039]通孔導體v51在上下方向上貫通絕緣體層16q、16r，將電容導體層60與外部電極14c進行連接。由此，電容Cll與外部電極14c連接。
[0040]電感導體層30a設置于絕緣體層161的表面上，是在絕緣體層161的左側的短邊附近沿前后方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層30a的前端以及后端分別向右側彎折。[0041 ] 通孔導體V4在上下方向上貫通絕緣體層16h?16k。通孔導體v4的上端與電感導體層30a的后端連接。
[0042]電感導體層30b設置于絕緣體層16c的表面上，是在絕緣體層16c的左側的短邊附近沿前后方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層30b的前端以及后端分別向右側彎折。電感導體層30b的前端從上側俯視時，與電感導體層30a的前端重疊，電感導體層30b的后端從上側俯視時，位于比電感導體層30a的后端更靠后側。
[0043]通孔導體v5在上下方向上貫通絕緣體層16c?16k，并將電感導體層30a的前端與電感導體層30b的前端進行連接。
[0044]電感導體層30c設置于絕緣體層16m的表面上，是在絕緣體層16m的左側的短邊附近沿前后方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層30c的前端以及后端分別向左側彎折。電感導體層30c的后端從上側俯視時，與電感導體層30b的后端重疊，電感導體層30c的前端從上側俯視時，位于比電感導體層30b的前端更靠前側。
[0045]通孔導體v6在上下方向上貫通絕緣體層16c?161，并將電感導體層30b的后端與電感導體層30c的后端進行連接。
[0046]電感導體層30d設置于絕緣體層16b的表面上，是在絕緣體層16b的左側的短邊附近沿前后方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層30d的前端以及后端分別向左側彎折。電感導體層30d的前端從上側俯視時，與電感導體層30c的前端重疊，電感導體層30d的后端從上側俯視時，位于比電感導體層30c的后端更靠后側。
[0047]通孔導體v7在上下方向上貫通絕緣體層16b?161，并將電感導體層30c的前端與電感導體層30d的前端進行連接。
[0048]電感導體層30e設置于絕緣體層16η的表面上，是在絕緣體層16η的左側的短邊附近沿前后方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層30e的前端以及后端分別向右側彎折。電感導體層30e的后端從上側俯視時，與電感導體層30d的后端重疊，電感導體層30e的前端從上側俯視時，與電感導體層30d的前端重疊。
[0049]通孔導體v8在上下方向上貫通絕緣體層16b?16m，并將電感導體層30d的后端與電感導體層30e的后端進行連接。
[°°50] 如上所述，通過將電感導體層30a?30e以及通孔導體v4?v8彼此進行連接來構成電感LI。由此，電感LI從左側(與層疊方向垂直的正交方向)俯視時，呈漩渦狀。本實施方式中，電感LI從左側俯視時，在逆時針卷繞的同時，從內側朝向外側。
[0051 ] 此外，電感LI中，電感導體層30a?30e從上側俯視時，在上下方向上相鄰的電感導體層彼此不重疊。更詳細而言，電感導體層30b呈向右側開口的U字形，電感導體層30d呈向左側開口的U字形，因此電感導體層30b與電感導體層30d從上側俯視時不重疊。此外，關于電感導體層30a與電感導體層30c之間的關系、以及電感導體層30c與電感導體層30e之間的關系，由于與電感導體層30b和電感導體層30d的關系相同，因此省略說明。
[0052]電感導體層32是設置于絕緣體層16p的表面上的長方形的導體層。電容導體層32設置于絕緣體層16p的左半部分的區域，從上側俯視時與電容導體層60重疊。由此，電容導體層44、60構成電容Cl。
[0053]通孔導體v9在上下方向上貫通絕緣體層16η、16ο。通孔導體v9的上端與電感導體層30e的前端連接，通孔導體v9的下端與電容導體層32連接。因此，電感LI與電容Cl連接。此外，電容導體層60通過通孔導體v51與外部電極14c連接，因此電容Cl與外部電極14c連接。
[0054]連接導體層20設置于絕緣體層16h的表面上，是在絕緣體層16h的左半部分的區域中沿左右方向延伸的線狀導體層。
[0055]通孔導體v2在上下方向上貫通絕緣體層16g、16h，將電感導體層18b的終點附近與連接導體層20的右端進行連接。通孔導體v4的下端與連接導體層20的左端連接。由此，電感LI經由連接導體層20以及通孔導體v2與電感L5連接。
[0056]電容導體層26設置于絕緣體層16g的表面上，是相對于絕緣體層16g的中央(對角線的交點)位于左側的L字形的導體層。
[0057]電容導體層40b設置于絕緣體層16f的表面上，是相對于絕緣體層16f的中央(對角線的交點)位于左側的長方形的導體層。電容導體層40b從上側俯視時，與電容導體層26重疊。由此，電容導體層26、40b構成電容C22。
[0058]電容導體層40a設置于絕緣體層16d的表面上，是相對于絕緣體層16d的中央(對角線的交點)位于左側的長方形的導體層。電容導體層40a從上側俯視時，以與電容導體層40b一致的狀態進行重疊。
[0059]通孔導體vl6在上下方向上貫通絕緣體層16d、16e，并將電容導體層40a與電容導體層40b進行連接。
[0060]電感導體層42a設置于絕緣體層161的表面上，是相對于電感導體層30a位于右側的L字形的線狀導體層。電感導體層42a從絕緣體層161的前側的長邊的中央附近向后側延伸后，向左側彎折。
[0061]通孔導體vl I在上下方向上貫通絕緣體層16f?16k。通孔導體vl I的上端與電感導體層40b連接。通孔導體vll的下端與電感導體層42a的前端連接。
[0062]電感導體層42b設置于絕緣體層16c的表面上，是相對于電感導體層30b在右側沿前后方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層42b的前端以及后端分別向右側彎折。電感導體層42b的后端從上側俯視時，與電感導體層42a的后端重疊。
[0063]通孔導體vl 2在上下方向上貫通絕緣體層16c?16k，并將電感導體層42a的后端與電感導體層42b的后端進行連接。
[0064]電感導體層42c設置于絕緣體層16m的表面上，是相對于電感導體層30c在右側沿前后方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層42c的前端以及后端分別向左側彎折。電感導體層42c的前端從上側俯視時，與電感導體層42b的前端重疊，電感導體層42c的后端從上側俯視時，位于比電感導體層42b的后端更靠后側。
[0065]通孔導體vl3在上下方向上貫通絕緣體層16c?161，并將電感導體層42b的前端與電感導體層42c的前端進行連接。
[0066]電感導體層42d設置于絕緣體層16b的表面上，是相對于電感導體層30d在右側沿前后方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層42d的前端以及后端分別向左側彎折。電感導體層42d的后端從上側俯視時，與電感導體層42c的后端重疊，電感導體層42d的前端從上側俯視時，位于比電感導體層42c的前端更靠前側。
[0067]通孔導體vl4在上下方向上貫通絕緣體層16b?161，并將電感導體層42c的后端與電感導體層42d的后端進行連接。
[0068]通孔導體vl 5在上下方向上貫通絕緣體層16b?16ο。通孔導體vl 5的上端與電感導體層42d的前端連接。
[0069]如上所述，通過將電感導體層42a?42d以及通孔導體vl I?vl5彼此進行連接來構成電感L2。由此，電感L2從左側(與層疊方向垂直的正交方向)俯視時，呈漩渦狀。本實施方式中，電感L2從左側俯視時，在順時針卷繞的同時，從內側朝向外側。即，電感LI的卷繞方向與電感L2的卷繞方向相反。
[0070]此外，電感L2中，上下方向上相鄰的2個電感導體層42a?42d從上側俯視時不重疊。其中，關于電感導體層42a?42d的重疊，由于與電感導體層30a?30e的重疊相同，因此省略說明。
[0071 ]此外，如前所述，通孔導體vl I的上端與電容導體層40b連接。因此，電感L2與電容C22連接。
[0072]這里，電感導體層18a、18b從左側俯視時，位于被電感L1、L2所包圍的區域內。本實施方式中，電感導體層18a、18b在左右方向上穿過呈漩渦狀的L1、L2的中心附近。因此，電感導體層18a、18b的周圍被電感導體層30b、42b、30c、42c以及通孔導體v5、v6、vl 2、vl3所包圍。
[0073]電感導體層44是設置于絕緣體層16p的表面上的長方形的導體層。電容導體層44設置于絕緣體層16p的左半部分的區域，從上側俯視時與電容導體層60重疊。由此，電容導體層44、60構成電容C2。
[0074]通孔導體vl5的下端與電容導體層44連接。因此，電感L2與電容C2連接。此外，電容導體層60通過通孔導體v51與外部電極14c連接，因此電容C2與外部電極14c連接。
[0075]電容導體層50設置于絕緣體層16k的表面上，是與外部電極15a連接的長方形的導體層。電容導體層50從上側俯視時，與電容導體層30a重疊。由此，電容導體層50隔著絕緣體層16k與電感導體層30a相對。其結果是，在電容導體層50與電感導體層30a之間形成有電容C5o
[0076]而且，電容導體層50隔著絕緣體層16j也與電感導體層18a相對。
[0077]電感導體層118a、118b、130a?130e、142a?142d;連接導體層20;電容導體層122、126、132、140a、140b、144、150;以及通孔導體vlOl?109、vlll?vll6從上側俯視時，關于沿前后方向通過層疊體12的上表面的中央的直線，具有與電感導體18a、18b、30a?30e、42a?42(1;連接導體層20;電容導體層22、26、32、4(^、4013、44、46、50;以及通孔導體￥1?￥9、￥11?vl6線對稱的構造。因此，省略電感導體層118a、118b、130a?130e、142a?142d;連接導體層20;電容導體層 122、126、132、140a、140b、144、150;以及通孔導體vlOl?vl09、vl 11 ?vl 16的說明。
[0078]通過如上述那樣構成電感LI?L4以及電容Cl?C4，從而LC的串聯諧振器LCl?LC4從左側向右側以此順序排列。而且，LC串聯諧振器LCl?LC4在相鄰諧振器之間進行磁場耦入口 ο
[0079]此外，電容導體層46設置于絕緣體層16e的表面上，由2個長方形的導體層以及I根線狀導體層構成。一個長方形導體層從上側俯視時，與電容導體層40a、40b重疊。另一個長方形導體層從上側俯視時，與電容導體層140a、140b重疊。線狀導體層連接2個長方形導體層。由此，電容導體層40a、40b、46、140a、140b構成電容C23。
[0080]如上所述的電感導體層、電容導體層、連接導體層以及通孔導體例如由以銀為主要成分的導電性漿料等制成。
[0081](效果)
根據電子部件10a，能夠實現小型化。更詳細而言，電感導體層18a、18b從左側俯視時，位于被電感L1、L2所包圍的區域內。由此，無需將電感L5配置于電感LI的左側。其結果是，電子部件1a的左右方向的長度變短，可實現電子部件1a的小型化。此外，關于電感L6，也可以說與電感L5相同。
[0082]此外，電子部件1a具有與外部電極14a連接的LC并聯諧振器LC5。由此，通過使LC并聯諧振器LC5的頻率fa5與帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率實質上一致，從而帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率的下降沿變得陡峭。
[0083]本申請發明人為了使電子部件1a所起到的效果更加明確，進行了如下說明的計算機模擬。更詳細而言，本申請發明人制成了具有電子部件1a構造的第I模型以及具有從電子部件1a中去除電容C5、C6后的構造的第2模型。而且，使計算機對第I模型以及第2模型的通過特性(S21)以及反射特性(Sll)進行運算。圖6是表示第I模型的模擬結果的曲線圖。圖7是表示第2模型的模擬結果的曲線圖。圖6以及圖7中縱軸表示I Sll|、|S211，橫軸表示頻率。
[0084]對圖6與圖7進行比較可知，相比第2模型，第I模型的帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率的下降沿更為陡峭。這是因為電子部件1a中通過增加電容C5、C6從而設置有LC并聯諧振器LC5、LC6的緣故。
[0085]此外，電子部件1a中，能夠增加電容C5而不使內部構造復雜化。更詳細而言，作為增加電容C5的方法，例如可考慮增加與電感導體層18a、18b連接的通孔導體的同時增加與該通孔導體連接的電容導體層的方法。其中，在這種情況下，存在用于形成電容導體層的通孔導體的走線變得復雜的問題。因此，電子部件1a中，增加了與外部電極14a連接的長方形的電容導體層50。由此，無需通孔導體的走線，可實現內部構造的簡化。
[0086](第2實施方式)
以下，關于第2實施方式所涉及的電子部件10b，參照附圖進行說明。圖8是電子部件1b的絕緣體層16b、16k、16c的俯視圖。
[0087]電子部件1b在設置絕緣體層16k以及電容導體層50、150的位置上與電子部件1a不同。更詳細而言，絕緣體層16k層疊于絕緣體層16b與絕緣體層16c之間。電容導體層50從上側俯視時，與電感導體層30b重疊。此外，在電容導體層50與電感導體層18a、18b之間設置有電感導體層30b。由此，電容導體層50與電感導體層18a、18b不再相對。此外，關于電容導體層150，因為具有與電容導體層50相同的構造因此省略說明。
[0088]根據電子部件10b，可起到與電子部件1a相同的作用效果。
[0089]此外，根據電子部件10b，電容導體層50與電感導體層18a、18b之間不易形成電容。由此，可抑制LC并聯諧振器LC5的諧振頻率fa5偏離期望值。
[0090](第3實施方式)
以下，關于第3實施方式所涉及的電子部件10c，參照附圖進行說明。圖9是電子部件1c的絕緣體層16h、16k、16 i的俯視圖。
[0091]電子部件1c在設置絕緣體層16k以及電容導體層50、150的位置上與電子部件1a不同。更詳細而言，絕緣體層16k層疊于絕緣體層16h與絕緣體層16i之間。電容導體層50從上側俯視時，與電感導體層18b重疊。由此，在電容導體層50與電感導體層18b之間形成電容。此外，關于電容導體層150，因為具有與電容導體層50相同的構造因此省略說明。
[0092]根據電子部件10c，可起到與電子部件1a相同的作用效果。
[0093](第4實施方式)
以下，關于第4實施方式所涉及的電子部件10d，參照附圖進行說明。圖10是電子部件1d的等效電路圖。
[0094]電子部件1d在電感LI?L4以及電容Cl?C4構成LC并聯諧振器LCl I?LC14這一點上，與電子部件1a不同。LC并聯諧振器LCll?LC14構成帶通濾波器。
[0095]根據電子部件10d，可起到與電子部件1a相同的作用效果。
[0096](第5實施方式)
以下，關于第5實施方式所涉及的電子部件10e，參照附圖進行說明。圖11是電子部件1e的等效電路圖。
[0097]電子部件1e在是低通濾波器這一點上與電子部件1a不同。更詳細而言，電容Cl以及電感LI構成LC并聯諧振器LCll。電容C2以及電感L2構成LC并聯諧振器LCW13LC并聯諧振器LCl I與LC并聯諧振器LCl 2進行串聯電連接。
[0098]此外，電感L5連接于外部電極14a與LC并聯諧振器LCl I之間。電感L6連接于外部電極14b與LC并聯諧振器LC12之間。
[0099]此外，電容C5與電感L5—起構成并聯諧振器LC5。電容C6與電感L6—起構成并聯諧振器LC6。
[0100]此外，電容C31連接于外部電極14a與電感L5間的點與外部電極14c之間。電容C32連接于電感L5與電感LI間的點與外部電極14c之間。電容C33連接于電感LI與電感L2間的點與外部電極14c之間。電容C34連接于電感L2與電感L6間的點與外部電極14c之間。電容C35連接于外部電極14b與電感L6間的點與外部電極14c之間。
[0101]根據電子部件1e，可起到與電子部件1a相同的作用效果。
[0102]此外，電子部件1e中優選為，使LC并聯諧振器LC5、LC6的諧振頻率fa5、fa6與低通濾波器的截止頻率實質上相一致。
[0103](其他的實施方式)
本發明所涉及的電子部件不限于電子部件1a?10e，在其要旨范圍內可以進行變更。
[0104]此外，電子部件I Oa?I Oe的結構也可進行任意的組合。
[0105]此外，電容C5、C6也可分別與電感L1、L4的端部連接。如此，通過調整電容C5、C6與L1、L4連接的位置，從而能夠調整與電容C5、C6并聯連接的電感分量的電感值。
[0106]此外，電感LI?L4呈現卷繞數周的漩渦狀，但也可呈現卷繞I周以下的形狀。
[0107]此外，電容導體層50也可不與外部電極14a直接連接，也可以經由通孔導體以及其他的導體層與外部電極14a進行電連接。
[0108]此外，也可僅設置LC并聯諧振器LC5、LC6中的某一個。
工業上的實用性
[0109]如上所述，本發明可用于電子部件，特別是在能夠實現小型化的方面較為優異。
標號說明
[0110]
1a?1e電子部件 12層疊體 14a?14C外部電極 16a?16r絕緣體層
18a，18b，30a?30e，42a?42d，118a，118b，130a?130e，142a?142d 電感導體層22，26，32，40a，40b，44，46，50，60，122，126，132，140a，140b，144，150 電容導體層
Cl?C6，C11、C12，C22?C24，C31 ?C35 電容
LI?L6電感
LCl?LC4 LC串聯諧振器
LC5，LC6，LC11?LC14 LC并聯諧振器
【主權項】
1.一種電子部件，其特征在于，包括: 多個絕緣體層在層疊方向上進行層疊而構成的層疊體； 第I外部電極，該第I外部電極設置于所述層疊體的表面； 第I諧振器至第n(n為2以上的整數)諧振器，該第I諧振器至第n(n為2以上的整數)諧振器在所述層疊體中在與所述層疊方向正交的第I正交方向上按此順序排列，且在該第I正交方向上相鄰的諧振器之間進行磁場耦合；以及 第ILC并聯諧振器，該第ILC并聯諧振器與所述第I外部電極連接， 所述第I諧振器至第η諧振器分別包含第I電感至第η電感以及第I電容至第η電容，所述第I電感至所述第η電感分別通過將設置于所述絕緣體層上的第I電感導體層至第η電感導體層和在層疊方向上貫通所述絕緣體層的第I層間連接導體至第η層間連接導體進行連接，從而從與所述層疊方向垂直的第I正交方向俯視時呈現卷繞的形狀， 所述第ILC并聯諧振器包含第η+1電感以及第η+1電容， 所述第η+1電感具有第η+1電感導體層，該第η+1電感導體層是從所述層疊方向俯視時呈現卷繞形狀的線狀第η+1電感導體層，從所述第I正交方向俯視時位于被所述第I電感所包圍的區域內，且所述第η+1電感與所述第I諧振器連接， 所述第η+1電容具有第η+1電容導體層，該第η+1電容導體層與所述第I外部電極電連接，且隔著所述絕緣體層與所述第I電感導體層相對。2.如權利要求1所述的電子部件，其特征在于， 所述第I諧振器至第η諧振器是LC串聯諧振器。3.如權利要求1所述的電子部件，其特征在于， 所述第I諧振器至第η諧振器是LC并聯諧振器。4.如權利要求1至3的任一項所述的電子部件，其特征在于， 所述第η+1電容導體層隔著所述絕緣體層與所述第η+1電感導體層相對。5.如權利要求1至3的任一項所述的電子部件，其特征在于， 所述第I電感包含多個所述第I電感導體層， 在所述層疊方向上在所述第η+1電容導體層與所述第η+1電感導體層之間設置有所述第I電感導體層。6.如權利要求1至5的任一項所述的電子部件，其特征在于， 所述第I諧振器至第η諧振器構成帶通濾波器，該帶通濾波器使預定頻帶的高頻信號通過， 所述第ILC并聯諧振器的諧振頻率與所述預定頻帶的高頻側的截止頻率實質上一致。
【文檔編號】H03H7/12GK105846790SQ201610051062
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年1月26日
【發明人】渡邊邦廣
【申請人】株式會社村田制作所