布線基板的制作方法
【專利摘要】本發明的布線基板具有：積聚層，層疊有多個絕緣層；溝槽，形成在該多個絕緣層的主面；以及布線導體，填充在該溝槽內，所述布線導體的表面與所述溝槽內填充有布線導體的絕緣層的主面相比位于較低的部位。
【專利說明】
布線基板
技術領域
[0001 ]本發明涉及一種具有高密度的微細布線的布線基板。
【背景技術】
[0002]圖3中示出具有高密度的微細布線的以往的布線基板C的概略剖視圖。布線基板C通過在芯基板41的上下表面層疊積聚(buildup)部42而得到。芯基板41包含芯用的絕緣板43和芯用的布線導體44。積聚部42由積聚用的絕緣層45a?45d、積聚用的布線導體46、以及保護用的阻焊層47構成。在布線基板C的上表面中央部，形成有搭載半導體元件的搭載部48 ο
[0003]芯用的絕緣板43具有從其上表面貫穿至下表面的多個通孔49。芯用的布線導體44在絕緣板43的上下表面以及通孔49內附著。
[0004]積聚用的絕緣層45a?45d在芯基板41的兩面各層疊有2層。各絕緣層45a?45d具有從其上表面貫穿至下表面的多個通孔50。此外，各絕緣層45a?45d在其表面具有多個溝槽51。積聚用的布線導體46在各絕緣層45a?45d的通孔50內以及溝槽51內附著。布線導體46以與各絕緣層45a?45d的表面成為一個面的方式進行填充。
[0005]在上表面側的最表層的絕緣層45b的表面附著的布線導體46的一部分形成了與半導體元件連接的半導體元件連接焊盤52。在下表面側的最表層的絕緣層45d的表面附著的布線導體46的一部分形成了與外部的電路基板連接的外部連接焊盤53。
[0006]阻焊層47形成在最表層的絕緣層45b及45d的表面。上表面側的阻焊層47具有將半導體元件連接焊盤52露出的開口部47a。下表面側的阻焊層47具有將外部連接焊盤53露出的開口部47b。
[0007]通過將半導體元件的電極與半導體元件連接焊盤52連接，并將外部連接焊盤53與外部的電路基板的布線導體連接，從而將半導體元件與外部的電路基板電連接。這樣的以往的布線基板例如記載在日本特開2006-41029號公報中。
[0008]另外，近年來，伴隨由便攜型的通信設備、音樂播放器所代表的電子設備的小型化、高功能化的發展，對這些電子設備中搭載的布線基板也要求小型化、高功能化。因此，在布線基板中的積聚用的布線導體中，例如寬度以及間隔分別在5μπι以下的微細的布線導體以高密度形成。
[0009]但是，在以往的布線基板C中，積聚用的布線導體46以與各絕緣層45a?45d的表面成為一個面的方式形成。因此，布線導體46的表面成為和絕緣層45a、45c與45b、45d的界面、絕緣層45b、45d與阻焊層47的界面一致的高度。這些界面在物理上以及化學上是脆弱的，因此金屬離子容易在該界面移動。其結果，特別是在如上所述微細的高密度布線中，存在彼此相鄰的布線導體間的電氣絕緣可靠性降低的問題。
【發明內容】
[0010]本發明的實施方式的課題是提供一種絕緣可靠性優異的高密度布線基板。
[0011]本發明的實施方式所涉及的布線基板具有:積聚層，層疊有多個絕緣層;溝槽，形成在該多個絕緣層的主面；以及布線導體，填充在該溝槽內，所述布線導體的表面與所述溝槽內填充有布線導體的絕緣層的主面相比位于較低的部位。
[0012]根據本發明的實施方式所涉及的布線基板，在多個絕緣層的主面形成的溝槽的內側，填充有布線導體。并且，該溝槽內填充的布線導體的表面與填充有布線導體的絕緣層的主面相比，位于較低的部位。因此，即使相鄰的布線導體彼此的配置間隔保持不變，也能夠使沿著絕緣層間的界面將布線導體彼此連結的界面距離變長。由此，能夠確保相鄰的布線導體之間的絕緣性。此外，該界面由水平方向的界面和垂直方向的界面構成，通過垂直方向的界面有效地阻止金屬離子的移動。其結果，能夠提供絕緣可靠性優異的、具有高密度的布線的布線基板。
【附圖說明】
[0013]圖1是表示本發明的一個實施方式所涉及的布線基板的概略剖視圖。
[0014]圖2是表示本發明的其他實施方式所涉及的布線基板的概略剖視圖。
[0015]圖3是表示以往的布線基板的概略剖視圖。
【具體實施方式】
[0016]基于圖1對一個實施方式所涉及的布線基板進行說明。圖1所示的布線基板A通過在芯基板I的上下表面對積聚部2進行層疊而得到。芯基板I包含芯用的絕緣板3和芯用的布線導體4。積聚部2由積聚用的絕緣層5a?5d、積聚用的布線導體6、以及保護用的阻焊層7構成。另外，布線基板A在其上表面中央部具有搭載半導體元件的搭載部8。
[0017]芯用的絕緣板3具有從其上表面貫穿至下表面的多個通孔9。在絕緣板3的上下表面、以及通孔9內，附著有芯用的布線導體4。通孔9內的布線導體4取得絕緣板3的上下表面的布線導體4之間的導通。絕緣板3例如由使玻璃布(glass cloth)浸漬環氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂等并使其熱固化而得到的絕緣材料構成。通孔9例如通過鉆孔加工、激光加工、或者噴砂加工形成。
[0018]積聚用的絕緣層5a?5d在芯基板I的兩面分別層疊有2層。各絕緣層5a?5d具有從其上表面貫穿至下表面的多個通孔10。此外，各絕緣層5a?5d在與芯基板I相反側的表面具有溝槽11 ο在通孔10內以及溝槽11內，填充有積聚用的布線導體6。通孔1內的布線導體6取得隔著絕緣層5a?5d位于上下的布線導體6之間的導通、或者取得布線導體6與布線導體4的導通。
[0019]絕緣層5a?5d例如由將雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、聚酰亞胺樹脂等進行熱固化而得到的絕緣材料構成。通孔1或者溝槽11例如通過激光加工形成。
[0020]布線導體6如上所述在絕緣層5a?5d的通孔10內以及溝槽11內填充。在上表面側的最表層的絕緣層5b的表面附著的布線導體6的一部分作為與半導體元件連接的半導體元件連接焊盤12起作用。在下表面側的最表層的絕緣層5d的表面附著的布線導體6的一部分作為與外部的電路基板連接的外部連接焊盤13起作用。布線導體4、6例如由銅箔、鍍銅等良導電性金屬構成，通過眾所周知的減成法、半加成法等形成。
[0021]阻焊層7形成在最表層的絕緣層5b及5d的表面。阻焊層7由聚酰亞胺樹脂等熱固化性樹脂形成。上表面側的阻焊層7具有將半導體元件連接焊盤12露出的開口部7a。下表面側的阻焊層7具有將外部連接焊盤13露出的開口部7b。
[0022]通過將半導體元件的電極與半導體元件連接焊盤12連接，并將外部連接焊盤13與外部的電路基板的布線導體連接，從而將半導體元件與外部的電路基板電連接。
[0023]另外，在圖1所示的布線基板A中，各絕緣層5a?5d的通孔10內以及溝槽11內的布線導體6的表面和層疊的絕緣層5a與5b的界面、絕緣層5c與5d的界面、絕緣層5b與阻焊層7的界面、以及絕緣層5d與阻焊層7的界面相比，位于芯基板I側。即，布線導體6的表面并不和填充有布線導體6的絕緣層5a?5d的主面為一個面，與絕緣層5a?5d的主面相比位于較低的部位。雖然也與絕緣層5a?5d的厚度、布線導體6彼此的間隔有關，但布線導體6的表面與絕緣層5a?5d的主面相比，優選位于低0.5?5μηι左右的部位。
[0024]例如，使布線導體6的表面從邊界面起位于芯基板I側2μπι左右。即，通過使布線導體6的表面低2μπι左右，例如，在彼此相鄰配置的布線導體6之間的間隔為3μπι的情況下，能夠使沿著絕緣性脆弱的界面將相鄰的布線導體彼此連結的界面距離變長至7μπι左右。由此，能夠確保彼此相鄰的布線導體6之間的絕緣性。此外，該界面由水平方向的界面和垂直方向界面構成，由此，通過垂直方向的界面有效地防止金屬離子的移動。其結果，能夠提供絕緣可靠性優異的、具有高密度的布線的布線基板。
[0025]使各絕緣層5a?5d的通孔10內以及溝槽11內的布線導體6的表面和層疊的絕緣層5a與5b的界面、絕緣層5c與5d的界面、絕緣層5b與阻焊層7的界面、以及絕緣層5d與阻焊層7的界面相比位于芯基板I側的方法，沒有特別限定。例如，采用下述方法，即，在各絕緣層5a?5d的表面，在通孔10內以及溝槽11內填充鍍銅等良導電性金屬之后，對其進行蝕刻而使其厚度減少。
[0026]本發明并不限定于上述的一個實施方式，在不脫離本發明的主旨的范圍內能夠進行各種變更。例如，在上述的一個實施方式中，各絕緣層5a?5d具有I層構造。但是，如圖2所示，絕緣層5a?5d也可以分別具有2層構造。在此情況下，使形成溝槽11的部分為無機填料少或不含無機填料的層，使不形成溝槽11的部分為包含較多無機填料的層。
[0027]通過采用這樣的2層構造，形成在溝槽11中形成的微細且高密度的布線導體6的層不易產生無機填料與絕緣樹脂的間隙，能夠成為絕緣性更優異的層。另一方面，不形成溝槽11的層通過調整無機填料的種類、量，能夠對熱膨脹系數等物性值進行控制。如上述所示，通過采用2層構造，得到具有2個優點的布線基板。
[0028]此外，例如，在上述的一個實施方式中，示出了具備芯基板I的布線基板A。但是，也可以應用于不具備芯基板I的無芯基板。
【主權項】
1.一種布線基板，其特征在于，具有: 積聚層，其層疊有多個絕緣層； 溝槽，其形成在該多個絕緣層的主面；以及 布線導體，其填充在該溝槽內， 所述布線導體的表面位于比所述溝槽內填充有布線導體的絕緣層的主面低的部位。2.根據權利要求1所述的布線基板，所述積聚層由2層的絕緣層形成，在任一個絕緣層的主面都形成所述溝槽，填充有所述布線導體。3.根據權利要求1所述的布線基板，所述布線基板還包含芯基板，所述積聚層形成在芯基板的至少一個表面。4.根據權利要求1所述的布線基板，所述多個絕緣層中的至少I層的絕緣層具有2層構造。
【文檔編號】H05K1/02GK105828514SQ201610041081
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年1月21日
【發明人】安田正治
【申請人】京瓷株式會社