一種提高銅基板沉鎳后鎳表面亮度的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于金屬基印制線路板制作技術領域，具體涉及一種提高銅基板沉鎳后鎳表面亮度的制作方法。
【背景技術】
[0002 ]金屬基印制線路板是一種特殊的印制線路板，主要有銅基板、招基板、不鎊鋼基板等不同類型。金屬基面在制作過程中須進行特別保護，以避免擦花、藥水腐蝕、氧化、臟污等，影響最終成品外觀導致客戶投訴。為此，金屬基面需要做一些特殊的工藝處理，例如銅基面可以做沉鎳、沉金、OSP等。現有技術中在對銅基面做沉鎳工藝時，由于缺乏有效的處理方法，導致沉鎳后鎳表面顏色較淺且亮度低無光澤，極其影響美觀，所以需對銅基沉鎳后鎳表面做進一步處理，以提尚其光殼度，改善品質。
【發明內容】
[0003]針對上述現有技術之不足，本發明提供一種可大大提高銅基板沉鎳后鎳表面亮度的制作方法。
[0004]本發明的目的通過以下技術方案予以實現:
[0005 ] 一種提尚銅基板沉銀后銀表面殼度的制作方法，包括如下步驟:
[0006](I)銅基板制作成型后單面進行沉鎳處理；
[0007](2)將銅基板沉鎳面進行化學微蝕；
[0008](3)使用不織布磨刷對經化學微蝕后的銅基板沉鎳面進行打磨；
[0009](4)打磨后，再于銅基板沉鎳面貼一層保護膜。
[0010]進一步的，步驟(I)中所述銅基板的沉鎳處理過程具體為:A、選用光銅板按照要求尺寸開料制作形成銅基板;B、在制作成型的銅基板的四個角各鉆一個3.175mm沉鎳掛孔;C、于銅基板的其中一個面貼上保護膜;D、于銅基板的另一個面沉鎳，鎳厚2 5um。
[0011]進一步的，步驟(2)中銅基板沉鎳面經化學微蝕后，鎳表面變成淺黑色。
[0012]進一步的，步驟(3)中使用不織布磨刷對銅基板沉鎳面進行打磨時，只需輕微打磨一次即可。
[0013]與現有技術相比，本發明具有如下優點:
[0014]本發明經過化學微蝕及不織布磨刷打磨，使得銅基板沉鎳后鎳表面的光亮度比現有技術中銅基板沉鎳后鎳表面亮度提高3倍以上。
【具體實施方式】
[0015]下面結合實施例對本發明作進一步詳細說明。
[00? 0] —種提尚銅基板沉銀后銀表面殼度的制作方法，包括如下步驟:
[0017](I)銅基板制作成型后單面進行沉鎳處理。
[0018](2)將銅基板沉鎳面進行化學微蝕，使鎳表面變成淺黑色。
[0019](3)使用不織布磨刷對經化學微蝕后的銅基板沉鎳面進行打磨。優選的，只需輕微打磨一次，鎳表面即變成光亮鎳層。
[0020](4)打磨后，再于銅基板沉鎳面貼一層保護膜。該保護膜可在后續制程制作時有效保護鎳表面不被破壞，以達到最終銅基面為光亮鎳的產品。
[0021]優選的，步驟(I)中所述銅基板的沉鎳處理過程具體為:A、選用光銅板按照要求尺寸開料制作形成銅基板;B、在制作成型的銅基板的四個角各鉆一個3.175mm沉鎳掛孔;C、于銅基板的其中一個面貼上保護膜;D、于銅基板的另一個面沉鎳，鎳厚2 5um。
[0022]以上所述者，僅為本發明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施的范圍，即大凡依本發明申請專利范圍及發明說明內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的范圍內。
【主權項】
1.一種提高銅基板沉鎳后鎳表面亮度的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)銅基板制作成型后單面進行沉鎳處理； (2)將銅基板沉鎳面進行化學微蝕； (3)使用不織布磨刷對經化學微蝕后的銅基板沉鎳面進行打磨； (4)打磨后，再于銅基板沉鎳面貼一層保護膜。2.根據權利要求1所述一種提高銅基板沉鎳后鎳表面亮度的制作方法，其特征在于，步驟(I)中所述銅基板的沉鎳處理過程具體為:A、選用光銅板按照要求尺寸開料制作形成銅基板;B、在制作成型的銅基板的四個角各鉆一個3.175_沉鎳掛孔;C、于銅基板的其中一個面貼上保護膜;D、于銅基板的另一個面沉鎳，鎳厚2 5um。3.根據權利要求1所述一種提高銅基板沉鎳后鎳表面亮度的制作方法，其特征在于，步驟(2)中銅基板沉鎳面經化學微蝕后，鎳表面變成淺黑色。4.根據權利要求1所述一種提高銅基板沉鎳后鎳表面亮度的制作方法，其特征在于，步驟(3)中使用不織布磨刷對銅基板沉鎳面進行打磨時，只需輕微打磨一次即可。
【專利摘要】本發明涉及一種提高銅基板沉鎳后鎳表面亮度的制作方法，包括如下步驟：(1)銅基板制作成型后單面進行沉鎳處理；(2)將銅基板沉鎳面進行化學微蝕；(3)使用不織布磨刷對經化學微蝕后的銅基板沉鎳面進行打磨；(4)打磨后，再于銅基板沉鎳面貼一層保護膜。本發明通過化學微蝕及不織布磨刷打磨，使得銅基板沉鎳后鎳表面的光亮度比現有技術中銅基板沉鎳后鎳表面亮度提高3倍以上。
【IPC分類】H05K3/26
【公開號】CN105611747
【申請號】CN201510964450
【發明人】李仁榮, 朱紅
【申請人】景旺電子科技(龍川)有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月18日