濃度的覆銅錐層壓板的制造工序，認為今后會進一 步尋求針對高溫處理的耐氧化性。在此，本申請發明的儀合金層中含有的鋒或鋒氧化物是 具有耐熱氧化性的材料，因此，僅僅通過額外地含有它作為合金元素，就可W提供顯著提高 耐熱氧化、防變色的效果。
[0060] 通過形成厚的儀金屬的單獨層，可W抑制熱氧化的影響，但是，形成厚的儀層本身 存在問題。運意味著在蝕刻后必須除去儀，因此，在形成厚儀層的情況下，該除去工序要花 時間。
[0061] 不過，通過使儀中含有鋒或鋒氧化物，可W顯著提高耐熱性，因此，可W得到能夠 減小儀合金層的厚度的顯著效果。
[0062] 由此，得到通過軟蝕刻可W非常容易地除去儀合金層的效果。
[0063] 可見，儀或儀合金作為蝕刻速度比銅低的金屬層特別有效果，對于一般用于在覆 銅錐層壓板上形成電子電路圖案的蝕刻液(氯化銅水溶液、氯化鐵水溶液等），如果是W儀 為主成分的合金，則蝕刻速度與儀相同程度，或者雖然比儀大但也比銅小，因此具有改善蝕 刻因子的效果。
[0064] 如上所述，鋒是容易被蝕刻的金屬，因此從量上來說需要減小。本申請發明中，原 則上說，使電路的蝕刻寬度均勻從而使得不產生"下彎"是主要目的，因此必須避免鋒等容 易腐蝕的金屬的量多。從該意義上來說，儀合金層中需要W儀為主成分。
[0065] 運樣，作為蝕刻速度比電子電路用的壓延銅錐或電解銅錐低的合金的儀合金中所 含的合金成分，如果是通常已知的合金，則可W使用任意一種。例如，與選自憐、棚、鋼、鶴或 鉆的至少一種W上的合金，其蝕刻速度比銅低，具有改善蝕刻因子的效果。本發明的合金 層，是W儀為主成分的儀鋒合金，如上所述，憐、棚、鋼、鶴或鉆金屬與儀具有類似的效果，因 此可W用運些金屬代替儀的一部分。
[0066] 其量對于憐和棚而言，運些一種成分或兩種成分的合計量根據需要可W含有W儀 換算的儀量(重量％)的5%W下。
[0067] 另外，鋼、鶴或鉆的一種成分或者它們中的兩種成分或者=種成分的合計量根據 需要可W含有W儀換算的儀量(重量％ )的10% W下。
[0068] 但是，本發明的合金層到底屬于W儀為中屯、成分的儀鋒合金，如果可W代替的憐、 棚、鋼、鶴或鉆金屬添加必要量W上(大量），則從合金層的調節和得到上述蝕刻因子的改善 效果來看是不適當的。因此，設定為上述范圍。
[0069] 此時，儀合金中所含的鋒，不僅是金屬鋒，而且包括氨氧化鋒或氧化鋒狀態的鋒。 在所述儀合金層上，可W進一步形成銘層或銘酸鹽層或硅烷處理層。此時，有可能產生對圖 案蝕刻液的蝕刻速度的差異，但是，通過適當選擇其量，同樣地可W抑制儀合金的表面氧 化，因此可W形成穩定的電路寬度的圖案。
[0070] 本發明的電子電路用的壓延銅錐或電解銅錐中所述儀合金層中所含的合計鋒含 量，W金屬鋒換算期望為30蛇/血2~lOOOyg/血 2,并且不超過儀的合計量。
[0071] 低于30yg/dm2時，無耐氧化性(燒灼性改善)效果。另外，超過lOOOiig/dm2時，效果飽 和，并且抵消儀的效果。因此，W金屬鋒換算優選設定為SOiigAlm 2~lOOOiig/血2。
[0072] 另外，電子電路用的壓延銅錐或電解銅錐中所述儀合金層中所含的儀量期望設定 為10化g/dm2~3000yg/dm 2。運是抑制電路蝕刻時產生下彎，進行均勻的電路蝕刻所必需的 量。低于10化g/dm2時，其效果不存在。優選為20化g/dm2w上。另外，上限設定為3000iigAlm 2。 過多的情況下，在進行軟蝕刻時，除去儀或儀合金層的工序的負荷變大，根據情況會產生處 理殘留物，成為銅電路設計上的障礙。因此，需要設定為上述范圍。
[0073] 另外，本發明的電子電路用的壓延銅錐或電解銅錐中，在設計所述銘層或銘酸鹽 層的情況下，W金屬銘換算的銘量設定為10化g/dm 2W下。另外，在形成所述硅烷處理層的 情況下，W娃單質換算期望設定為20yg/dm2W下。運是因為:可W抑制產生對圖案蝕刻液的 蝕刻速度的差異。
[0074] 但是，適度的量對于防止儀或儀合金層的熱氧化是有效的。
[0075] 另外，本發明可W提供一種電子電路的形成方法，通過對包含壓延銅錐或電解銅 錐的覆銅錐層壓板的該銅錐進行蝕刻而形成電子電路，其特征在于，在銅錐的蝕刻面側形 成作為蝕刻速度比銅低的合金的儀合金層，然后，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對該 銅錐進行蝕刻而形成電路。
[0076] 蝕刻液可W使用任意一種，特別是氯化鐵水溶液是有效的。運是因為:細微電路的 蝕刻耗時，氯化鐵水溶液比氯化銅水溶液的蝕刻速度更快。
[0077] 另外，本發明可W提供一種形成電子電路的方法，通過對包含壓延銅錐或電解銅 錐的覆銅錐層壓板的該銅錐進行蝕刻而形成電子電路，其特征在于，使用氯化鐵水溶液或 氯化銅水溶液對上述1~8的電子電路用的壓延銅錐或電解銅錐進行蝕刻，將銅的不需要部 分除去，從而形成銅的電路。該方法中，可W使用上述的電子電路用的壓延銅錐或電解銅錐 中的任意一種。
[0078] 另外，在對包含壓延銅錐或電解銅錐的覆銅錐層壓板的該銅錐進行蝕刻而形成電 子電路的方法中，使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液對上述1~8的電子電路用的壓延銅錐 或電解銅錐進行蝕刻，將銅的不需要部分除去，然后進行抗蝕劑除去，再進行軟蝕刻，由此 也可W除去殘留的儀層。
[0079] W下例示優良的鍛敷條件。
[0080] (鍛儀-鋒合金、其一）
[0081] 此時，基本上得到金屬、合金狀態的鍛膜。
[0082] 化：5~40g/L
[0083] ai:〇.5~25g/L
[0084] 抑:3~3.7
[0085] 溫度:常溫~60°C
[0086] 電流密度 Dk:2~50AAlm2
[0087] 時間：1~4秒
[00則（鍛儀-鋒合金、其二）
[0089] 此時，Zn包括0價的金屬狀態和2價的氧化狀態(氧化物或氨氧化物），該儀-鋒鍛層 中合計鋒中的0價金屬狀態的鋒的比率為50% W下。另外，鍛后通過在浴中保持約1秒~約 20秒來控制化的化學狀態(金屬鋒/氧化鋒比）。
[0090] 化：10~40g/L
[0091] ai:0.5~7g/L
[0092] 出S04:2~20g/L
[0093] 溫度:常溫~60°C
[0094] 電流密度 Dk:10~50AAlm2 [00巧]時間：1~4秒
[0096] (鍛儀-鉆-鋒合金）
[0097] Ni:l~20g/L [009引 Co:l ~20g/L
[0099] 化:0.1 ~lOg/L
[0100] pH:2.5~3.5
[0101] 溫度:常溫~60°C
[0102] 電流密度Dk:l~154/血2
[0103] 時間：1~10秒
[0104] (鍛儀-憐-鋒合金）
[0105] 化：50~lOOg/L
[0106] P:1~25g/L
[0107] 皿 〇3:0 ~30g/L [010 引 化：3 ~20g/L
[0109] 抑:0.5 ~2.5
[0110] 溫度:常溫~95°C
[0111] 電流密度Dk:5~404/血2
[0112] 時間：1~10秒 [011引（鍛儀-鋼-鋒合金）
[0114] Ni:5~25g/L
[0115] Mo:0.01~5g/L
[0116] Na2P2〇7：160g/L
[0117] 化:0.1 ~lOg/L [011 引 pH:8 ~9
[0119] 溫度:常溫~40°C
[0120] 電流密度Dk:l~54/血2
[0121] 時間：1~10秒
[0122] (鍛儀-鶴-鋒合金）
[0123] Ni:l~lOg/L
[0124] W:20 ~50g/L [01巧]巧樣酸:60g/L
[0126] 化:0.1 ~lOg/L
[0127] pH:8 ~9
[012引溫度:常溫~50°C
[0129] 電流密度 Dk:0.1~5AAlm2
[0130] 時間：1~10秒
[0131] (鍛儀-棚-鋒合金）
[0132] 硫酸儀:25 ~35g/L
[0133] ai:〇.5g/L
[0134] 二甲胺棚燒:2~3g/L
[0135] 乙醇酸:25 ~35g/L
[0136] 乙酸：15g/L
[0137] pH:6 ~7
[0138] 溫度：50°C ~70°C
[0139] 電流密度Dk:l~104/血2
[0140] 時間：1~10秒
[0141] (鍛儀）
[0142] 化：1〇~40g/L
[0143] pH:2.5~3.5
[0144] 溫度:常溫~60°C
[0145] 電流密度 Dk:2~50AAlm2
[0146] 時間：1~4秒
[0147] (鍛鋒）
[0148] 化：1 ~20g/L
[0149] 抑:3~3.7
[01加]溫度:常溫~60°C
[0151] 電流密度Dk:l~154/血2
[0152] 時間：1~10秒
[0153] (鍛銘的條件）
[0154] K2Cr2〇7(Na2Cr2〇7 或 Cr〇3)
[01 巧]Cr:40~300g/L
[0156] 出 S04:0.5 ~lO.Og/L
[0157] 浴溫：40 ~60°C
[015引 電流密度Dk:0.01~50A/dm2
[0159] 時間：1~100秒
[0160] 陽極:Pt-Ti板、不誘鋼板、鉛板等
[0161] (銘酸鹽處理條件）
[0162] (a)浸潰銘酸鹽處理例
[0163] Cr〇3 或拉化2〇7:1 ~12g/L
[0164] Zn(0H)2或ZnS〇4 ? 7出0:0(0.05)~10g/L [01 化]Na2S〇4:0(0.05)~20g/L
[0166] pH:2.5~12.5
[0167] 溫度:20 ~60°C
[0168] 時間:0.5~20秒
[0169] (b)電解銘酸鹽處理例
[0170] Cr〇3 或拉化2〇7:1 ~12g/L
[0171] Zn(0H)2或aiS〇4 ? 7出0:0(0.05)~10g/L
[0172] Na2S〇4:0(0.05)~20g/L
[0173] pH:2.5~12.5
[0174] 溫度:20 ~60°C
[0175] 電流密度:0.5~54/血2
[0176] 時間:0.5~20秒
[0177] (硅烷處理條件）
[0178] 從W下各種系列的硅烷中選擇。
[01巧]濃度為0.01重量％~5重量％
[0180] 種類:締控類硅烷、環氧類硅烷、丙締酸類硅烷、氨基硅烷、琉基類硅烷
[0181] 將溶解于醇中的硅烷用水稀釋到規定的濃度，并涂布到銅錐表面。
[0182] (儀的附著量分析方法）
[0183] 為了分析儀、鋒的處理面，用FR-4樹脂壓制制作相反面，進行掩蔽。將該樣品用濃 度30 %的硝酸溶解直到表面處理被膜溶解，將燒杯中的溶解液稀釋到10倍，通過原子吸光 分析進行儀的定量分析。
[0184] (鋒、銘的附著量分析方法）
[0185] 為了分析處理面，用FR-4樹脂壓制制作相反面，進行掩蔽。將該樣品用濃度10%的 鹽酸煮沸3分鐘使處理層溶解，利用原子吸光分析對該溶液進行鋒、銘的定量分析。
[0186] (熱影響的考慮）
[0187] 在覆銅錐層壓板((XL)的制造階段，銅錐受熱。由于該熱量，設置在銅錐表層的蝕 刻改善處