抗拉伸散熱石墨貼片的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種抗拉伸散熱石墨貼片，屬于石墨片技術領域。
【背景技術】
[0002] 隨著現代微電子技術高速發展，電子設備巧日筆記本電腦、手機、平板電腦等）日益 變得超薄、輕便，該種結構使得電子設備內部功率密度明顯提高，運行中所產生的熱量不易 排出、易于迅速積累而形成高溫。另一方面，高溫會降低電子設備的性能、可靠性和使用壽 命。因此，當前電子行業對于作為熱控系統核也部件的散熱材料提出越來越高的要求，迫切 需要一種高效導熱、輕便的材料迅速將熱量傳遞出去，保障電子設備正常運行。
[0003] 現有技術中聚醜亞胺薄膜大多用于柔性電路板，雖然有采用聚醜亞胺薄膜燒結獲 得石墨散熱片，從而貼覆在熱源上，但是受限于聚醜亞胺薄膜的產品質量和性能的良莽不 齊，影響到了散熱雙面貼膜散熱性能的發揮，存在W下技術問題：散熱不均勻，易出現膠帶 局部過熱，提高了產品的散熱性能不穩定、可靠性性能差，不利于產品質量管控，影響產品 的競爭力。
【發明內容】
[0004] 本發明發明目的是提供一種抗拉伸散熱石墨貼片，該抗拉伸散熱石墨貼片在垂直 方向和水平方向均提高了導熱性能，避免局部過熱，實現了導熱性能的均勻性的同時，提高 了產品的散熱性能穩定性、可靠性，大大降低了產品的成本。
[0005] 為達到上述發明目的，本發明采用的技術方案是：一種抗拉伸散熱石墨貼片，所述 抗拉伸散熱石墨貼片貼合于發熱部件表面，所述抗拉伸散熱石墨貼片包括石墨層、位于石 墨層表面的導熱膠粘層和離型材料層，此離型材料層貼合于導熱膠粘層與石墨層相背的表 面；所述石墨層通過W下工藝方法獲得，此工藝方法包括W下步驟： 步驟一、在聚醜亞胺薄膜的上、下表面均涂覆一層石墨改性劑獲得處理后的聚醜亞胺 薄膜，所述石墨改性劑的粘度為3000(T48000CP; 所述石墨改性劑由W下重量份的組分組成： 二苯甲麗四酸二酢 20~25份， 均苯四甲酸二酢 12^18份， 二氨基二苯甲焼 2(T28份， 二甲基甲醜胺 20~25份， N-甲基化咯焼麗 8~10份， 己二醇 1. 5~2. 5份， 聚二甲基娃氧焼 2^3份； 步驟二、將處理后的聚醜亞胺薄膜從室溫升至240~26(TC，保溫后升溫至480~52(TC，保溫后升溫至79(T81(rC，再升溫至118(Tl25(rC后冷卻，從而獲得預燒制的碳化膜； 步驟H、采用壓延機壓延所述步驟四的預燒制的碳化膜； 步驟四、升溫至235(T245(rC，保溫后升溫至285(T295(rC，保溫后冷卻，從而獲得主燒 制的石墨膜； 步驟五、然后步驟四所得的主燒制的石墨膜進行壓延從而獲得所述石墨層。
[0006] 上述技術方案中進一步改進的方案如下： 1、上述方案中，所述石墨層通過W下工藝方法獲得，此工藝方法包括W下步驟： 步驟一、在聚醜亞胺薄膜的上、下表面均涂覆一層石墨改性劑獲得處理后的聚醜亞胺 薄膜； 步驟二、將處理后的聚醜亞胺薄膜在惰性氣體保護下，W4^6度/min速度從室溫升 至25(TC，保持0. 9~1. 1小時，然后W2. 5~3. 5度/min,升至50(TC，保持1小時；然后W4~6 度/min的速度升至80(TC，保持0. 9^1. 1小時；再W9^11度/min的速度升至120(TC，保存 0. 1小時后冷卻，從而獲得預燒制的碳化膜； 步驟H、采用壓延機壓延所述步驟四的預燒制的碳化膜； 步驟四、W19^21度/min的速度升至240(TC，保持0. 1小時，再W19^21度/min 的速度升至290(TC，保持1.擴2. 2小時后冷卻，從而獲得主燒制的石墨膜； 步驟五、然后步驟四所得的主燒制的石墨膜進行壓延從而獲得所述石墨層。
[0007] 2、上述方案中，將所述步驟四獲得石墨層進行壓延處理。
[0008] 由于上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點和效果： 1、本發明抗拉伸散熱石墨貼片，其結構中石墨層由上、下表面均涂覆一層石墨改性劑 的聚醜亞胺薄膜制備而成，提高了在垂直方向和水平方向的導熱性能，避免膠帶局部過熱， 實現了膠帶導熱性能的均勻性；其次，其位于聚醜亞胺薄膜表面的石墨改性劑由二苯甲麗 四酸二酢2(T25份、均苯四甲酸二酢12^18份、二氨基二苯甲焼20~28份、二甲基甲醜胺 3(T35份、己二醇1. 5^2. 5份、聚二甲基娃氧焼2^3份組成，涂覆于聚醜亞胺薄膜上，填充了 加熱過程中的針孔，提高了結晶度同時，也克服了熱收縮過大導致的不均勻，提高了石墨層 雙向拉伸性能。
[0009] 2、本發明抗拉伸散熱石墨貼片，其位于聚醜亞胺薄膜表面的石墨改性劑由二苯甲 麗四酸二酢2(T25份、均苯四甲酸二酢12^18份、二氨基二苯甲焼20~28份、二甲基甲醜胺 20~25份、N-甲基化咯焼麗8~10份、己二醇1. 5~2. 5份、聚二甲基娃氧焼2~3份組成，采用 二甲基甲醜胺2(T25份、N-甲基化咯焼麗擴10份降低了共沸點并且平滑的沸點區，改善了 最終產品成膜的平坦性和柔初性；其次，聚醜亞胺薄膜表面具有石墨改性劑，改善了雙面貼 膜中石墨層與導熱膠粘層導熱性能。
[0010] 3、本發明抗拉伸散熱石墨貼片，在預燒制的碳化膜和石墨化之間增加壓延步驟， W及再形成導熱石墨貼片后再次壓延，避免了權皺和石墨化燒結過程中的體積收縮，提高 了致密性和結晶度，進一步提高了在垂直方向和水平方向的導熱性能。
【附圖說明】
[0011] 附圖1為本發明抗拉伸散熱石墨貼片結構示意圖； 附圖2為本發明抗拉伸散熱石墨貼片應用示意圖。
[0012] W上附圖中：1、發熱部件；2、石墨層；3、導熱膠粘層；4、離型材料層。
【具體實施方式】
[0013] 下面結合實施例對本發明作進一步描述： 實施例；一種抗拉伸散熱石墨貼片，所述抗拉伸散熱石墨貼片貼合于發熱部件1表面， 所述抗拉伸散熱石墨貼片包括石墨層2、位于石墨層2表面的導熱膠粘層3和離型材料層 4,此離型材料層4貼合于導熱膠粘層3與石墨層2相背的表面；所述石墨層2通過W下工 藝方法獲得，此工藝方法包括W下步驟： 步驟一、在聚醜亞胺薄膜的上、下表面均涂覆一層石墨改性劑獲得處理后的聚醜亞胺 薄膜，所述石墨改性劑的粘度為3000(T48000CP; 所述石墨改性劑由W下重量份的組分組成，如表1所示： 表1 _
【主權項】
1. 一種抗拉伸散熱石墨貼片，所述抗拉伸散熱石墨貼片貼合于發熱部件（1)表面，所 述抗拉伸散熱石墨貼片包括石墨層（2)、位于石墨層（2)表面的導熱膠粘層（3)和離型材料 層（4)，此離型材料層（4)貼合于導熱膠粘層（3)與石墨層（2)相背的表面；其特征在于：所 述石墨層（2)通過以下工藝方法獲得，此工藝方法包括以下步驟： 步驟一、在聚酰亞胺薄膜的上、下表面均涂覆一層石墨改性劑獲得處理后的聚酰亞胺 薄膜，所述石墨改性劑的粘度為3000(T48000CP ; 所述石墨改性劑由以下重量份的組分組成： 二苯甲酮四酸二酐 2(T25份， 均苯四甲酸二酐 12~18份， 二氨基二苯甲烷 20~28份， 二甲基甲酰胺 20~25份， N-甲基吡咯烷酮 8~10份， 乙二醇 L 5~2. 5份， 聚二甲基硅氧烷 2~3份； 步驟二、將處理后的聚酰亞胺薄膜從室溫升至24(T260°C，保溫后升溫至48(T520°C， 保溫后升溫至79(T810°C，再升溫至118(T125(TC后冷卻，從而獲得預燒制的碳化膜； 步驟三、采用壓延機壓延所述步驟四的預燒制的碳化膜； 步驟四、升溫至235(T2450°C，保溫后升溫至285(T2950°C，保溫后冷卻，從而獲得主燒 制的石墨月吳； 步驟五、然后步驟四所得的主燒制的石墨膜進行壓延從而獲得所述石墨層4。
2. 根據權利要求1所述的抗拉伸散熱石墨貼片，其特征在于：所述石墨層（2)通過以下 工藝方法獲得，此工藝方法包括以下步驟： 步驟一、在聚酰亞胺薄膜的上、下表面均涂覆一層石墨改性劑獲得處理后的聚酰亞胺 薄膜； 步驟二、將處理后的聚酰亞胺薄膜在惰性氣體保護下，以4飛度/min速度從室溫升 至250°C，保持0. 9~I. 1小時，然后以2. 5~3. 5度/min，升至500°C，保持1小時；然后以4~6 度/min的速度升至800°C，保持0. 9~I. 1小時；再以9~11度/min的速度升至1200°C，保存 0. 9~1. 1小時后冷卻，從而獲得預燒制的碳化膜； 步驟三、采用壓延機壓延所述步驟四的預燒制的碳化膜； 步驟四、以19~21度/min的速度升至2400°C，保持0. 9~I. 1小時，再以19~21度/min 的速度升至2900°C，保持I. 8~2. 2小時后冷卻，從而獲得主燒制的石墨膜； 步驟五、然后步驟四所得的主燒制的石墨膜進行壓延從而獲得所述石墨層（2)。
3. 根據權利要求1所述的抗拉伸散熱石墨貼片，其特征在于：將所述步驟五獲得石墨 層進行壓延處理。
【專利摘要】本發明公開一種抗拉伸散熱石墨貼片，此離型材料層貼合于導熱膠粘層與石墨層相背的表面；石墨層通過以下工藝方法獲得：在聚酰亞胺薄膜的上、下表面均涂覆一層石墨改性劑獲得處理后的聚酰亞胺薄膜，所述石墨改性劑的粘度為30000~48000CP；將處理后的聚酰亞胺薄膜從室溫升至1180~1250℃后冷卻，從而獲得預燒制的碳化膜；采用壓延機壓延所述步驟四的預燒制的碳化膜；升溫至2850~2950℃從而獲得主燒制的石墨膜；然后步驟四所得的主燒制的石墨膜進行壓延從而獲得所述石墨層。本發明實現了導熱性能的均勻性的同時，提高了產品的散熱性能穩定性、可靠性，大大降低了產品的成本。
【IPC分類】H05K7-20, B32B9-04
【公開號】CN104812205
【申請號】CN201410036660
【發明人】金闖, 楊曉明
【申請人】蘇州斯迪克新材料科技股份有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2014年1月26日