一種電磁場屏蔽罩的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種電設備的結構零件或外殼，更具體地說涉及一種電磁場屏蔽罩。
【背景技術】
[0002]很多電子設備是利用交變磁場傳輸信號和能量。這種設備的周圍會出現較強的磁場。這些磁場對人體有害，同時產生感應電流，導致設備的誤動作。因此，電子設備上需要使用磁場屏蔽材料。磁場使屏蔽材料內部產生感應電流從而失去磁能并弓丨起屏蔽體的磁場強度減弱。因此，磁場屏蔽材料一般采用高磁導率和高飽和磁感應強度的金屬軟磁材料，在消除低頻電磁場屏蔽效果明顯。但因這種材料的相對低的電阻和相對大的渦電流損失，在更高頻電磁場屏蔽效果不明顯。
【發明內容】
[0003]本發明的目的是針對現有技術不足之處而提供一種能減少高頻電磁波的渦電流損失、具有在超高頻電磁波區段更好屏蔽效果的電磁場屏蔽罩。
[0004]本發明的目的是通過以下措施來實現:一種電磁場屏蔽罩，其特征在于，屏蔽罩由基材、粘合在基材上的屏蔽層組成；所述基材為粘合膠帶或屏蔽膠帶，屏蔽層為片狀金屬軟磁層，金屬軟磁層的磁導率為5000Hz?150，OOOHz,所述金屬軟磁層包括有若干單兀格子，各單元格子與其相鄰單元格子的鄰邊互相吻合，鄰邊間的間隙為0.00Γ5微米，各單元格子的面積為0.10平方暈米?2平方暈米。
[0005]所述屏蔽層若干單元格子是獨立分割的單元格子。
[0006]所述屏蔽層若干單元格子包含獨立分割的單元格子和鄰邊相連接的單元格子，獨立分割的單元格子數目與鄰邊相連接的單元格子數目之比為4:1。
[0007]所述鄰邊相連接的單元格子之間的連接邊或在屏蔽層一側表層、或屏蔽層另一側表層、或屏蔽層兩側表層均有，連接邊的厚度為低于屏蔽層厚度的1/10。
[0008]所述屏蔽層片狀金屬軟磁層為是鐵基納米晶軟磁材料，材料中至少含有S1、Cu、NcUB中的任意一個元素。
[0009]所述金屬軟磁層的若干單元格子通過輾壓、或蝕刻、或激光直寫、或剪切、或沖壓的方法取得。
[0010]所述片狀金屬軟磁層的左右兩側搭接相圍，相圍的截面為筒狀或矩形柱狀。
[0011]與現有技術相比，本發明提出的一種電磁場屏蔽罩，具有如下優點:按照本發明提出的金屬軟磁層屏蔽罩按一定尺寸分割后能有效地減少高頻電磁波的渦電流損失，從而在高頻段電磁波的區段具有更好的屏蔽效果。同時，還具有良好的可控性:通過調整切割單元格子的大小，能進一步控制金屬軟磁材的磁導率。
【附圖說明】
[0012]圖1是本發明提出的一個實施例單元格子有序排列的示意圖。
[0013]圖2為本發明提出單元格子與鄰邊單元格子的連接示意圖。
[0014]圖3為本發明提出的片狀金屬軟磁層左右兩側搭接相圍，相圍的截面為筒狀的示意圖。
[0015]圖4為頻率的變化引起屏蔽層磁導率的變化的對比圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖對【具體實施方式】作詳細說明:圖1?圖4所示給出了本發明不同的實施例。圖中，一種電磁場屏蔽罩，屏蔽罩由基材1、粘合在基材上的屏蔽層2組成；所述基材I為粘合膠帶或屏蔽膠帶，屏蔽層2為片狀金屬軟磁層，金屬軟磁層的磁導率為5000Hz?150，000Hz，所述金屬軟磁層包括有若干單元格子3，各單元格子與其相鄰單元格子的鄰邊互相吻合，鄰邊間的間隙為0.001飛微米，各單元格子的面積為0.10平方毫米?2平方毫米。所述的單元格子可以是有序排列，如圖1;也可以是無序排列。無論是有序還是無序排列的單元格子均要下列條件:面積的大小均在0.10平方毫米?2平方毫米之內，各單元格子與其相鄰單元格子的鄰邊間隙為0.001飛微米，依據本發明人的實驗效果來看，越小的單元格子越能得到好的效果。本發明的屏蔽層上的單元格子3可以是獨立分割的單兀格子、也可以是獨立分割的單兀格子和鄰邊相連接的單兀格子，獨立分割的單兀格子數目與鄰邊相連接的單元格子數目之比為4:1。依據本發明人的實驗效果來看，獨立分割越多的單元格子越能有效地減少高頻電磁波的渦電流損失、取得更好的防屏蔽效果。鄰邊相連接的單元格子之間的連接邊4或在屏蔽層一側表層、或屏蔽層另一側表層、或屏蔽層兩側表層均有，連接邊4的厚度為低于屏蔽層厚度的1/10，圖2示出了連接邊4在屏蔽層一側表層相連的連接。依據本發明人的實驗效果來看，連接邊的厚度越低于屏蔽層厚度的1/10越能取得好的效果。
[0017]本發明還進一步采取如下措施:
本實施例中屏蔽層片狀金屬軟磁層為鐵基納米晶軟磁材料，Fe basednanocrystalline softmagnetic material，該材料中至少含有 S1、Cu、Nd、B 中的任意一個元素。這些被分割的單元格子使軟磁金屬片電阻增加、減少高頻段渦電流損失，從而在高頻段具有磁場屏蔽效果。
[0018]所述金屬軟磁層的若干單元格子通過輾壓、或蝕刻、或激光直寫、或剪切、或沖壓的方法取得。
[0019]所述片狀金屬軟磁層的左右兩側搭接相圍，相圍的截面為筒狀或矩形柱狀。圖3給出了截面為筒狀的示意圖。本發明的片狀金屬軟磁層可以根據被屏蔽物的形狀圍成相應的形式。
[0020]本發明經大量的試驗結果繪制了頻率的變化引起屏蔽層磁導率的變化的曲線圖4。圖中，橫坐標為頻率、縱坐標為磁導率。1、2、3曲線為其他屏蔽材料層的磁導率變化曲線，4曲線為本發明屏蔽層磁導率變化曲線。由試驗結果顯示本發明的優越性是不言而喻的。
[0021]上面結合附圖描述了本發明的實施方式，實施例給出的結構并不構成對本發明的限制，本領域內熟練的技術人員在所附權利要求的范圍內做出各種變形或修改均在保護范圍內。
【主權項】
1.一種電磁場屏蔽罩，其特征在于，屏蔽罩由基材、粘合在基材上的屏蔽層組成；所述基材為粘合膠帶或屏蔽膠帶，屏蔽層為片狀金屬軟磁層，金屬軟磁層的磁導率為5000HZ?150，000Hz，所述金屬軟磁層包括有若干單元格子，各單元格子與其相鄰單元格子的鄰邊互相吻合，鄰邊間的間隙為0.00Γ5微米，各單元格子的面積為0.10平方毫米?2平方毫米。
2.根據權利要求1所述的電磁場屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽層若干單元格子是獨立分割的單兀格子。
3.根據權利要求1所述的電磁場屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽層若干單元格子包含獨立分割的單元格子和鄰邊相連接的單元格子，獨立分割的單元格子數目與鄰邊相連接的單元格子數目之比為4:1。
4.根據權利要求3所述的電磁場屏蔽罩，其特征在于，所述鄰邊相連接的單元格子之間的連接邊或在屏蔽層一側表層、或屏蔽層另一側表層、或屏蔽層兩側表層均有，連接邊的厚度為低于屏蔽層厚度的1/10。
5.根據權利要求1所述的電磁場屏蔽罩，其特征在于，所述片狀金屬軟磁層為鐵基納米晶軟磁材料，材料中至少含有S1、Cu、Nd、B中的任意一個元素。
6.根據權利要求1所述的電磁場屏蔽罩，其特征在于，所述金屬軟磁層的若干單元格子通過輾壓、或蝕刻、或激光直寫、或剪切、或沖壓的方法取得。
7.根據權利要求1所述的電磁場屏蔽罩，其特征在于，所述片狀金屬軟磁層的左右兩側搭接相圍，相圍的截面為筒狀或矩形柱狀。
【專利摘要】本發明涉及一種電磁場屏蔽罩，屏蔽罩由基材、粘合在基材上的屏蔽層組成；所述基材為粘合膠帶或屏蔽膠帶，屏蔽層為片狀金屬軟磁層，金屬軟磁層的磁導率為5000Hz～150,000Hz，所述金屬軟磁層包括有若干單元格子，各單元格子與其相鄰單元格子的鄰邊互相吻合，鄰邊間的間隙為0.001~5微米，各單元格子的面積為0.10平方毫米～2平方毫米。本發明優點如下：按照本發明提出的金屬軟磁層屏蔽罩按一定尺寸分割后能有效地減少高頻電磁波的渦電流損失，從而在高頻段電磁波的區段具有更好的屏蔽效果。同時，還具有良好的可控性：通過調整切割單元格子的大小，能進一步控制金屬軟磁材的磁導率。
【IPC分類】H05K9-00
【公開號】CN104754927
【申請號】CN201310728026
【發明人】金基范
【申請人】金基范
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年12月25日