一種精細線路封裝基板及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及印制線路板技術領域，特別是涉及一種精細線路封裝基板及其制備方法。
【背景技術】
[0002]隨著芯片封裝產業的不斷發展及智能化設備功能逐漸強大，其體積逐漸變小的影響，對于芯片中的封裝基板的尺寸及排線密集度也有了更高的要求。根據行業內對于基板中線路的要求，由普通的設計的35/35um演變為一般的25/25um以及正在使用的18/18um等的精細線路。
[0003]目前，普通的MSAP (Modified Sem1-Additive Process，改良后的半加成法)流程能制作密集度為25/25um的線路，但對于更精細的線路在制作過程中存在一定的難度，針對超精細的線路行業內通用的流程為SAP (Sem1-Additive Process，加成法)流程，SAP流程的主要特點是利用化學銅作為底銅，用作SAP的基材材料主要有兩種:ABF(ajin0m0t0build-up film，專用的干膜型材料)和PCF(primer coated copper foil，涂層為銅的樹脂材料)。現在SAP材料用的較為廣泛的以ABF居多，其極限能力可達L/S(線寬/線距)=8/8um，但是采用該方法需要配備不同的沉銅藥水、光成像退膜藥水、蝕刻藥水及特殊板材，對生產成本要求較高。
【發明內容】
[0004]基于此，有必要針對SAP流程中需要配備不同的沉銅藥水、光成像退膜藥水、蝕刻藥水及特殊板材，使生產成本增加，而提供一種精細線路封裝基板及其制備方法。
[0005]本發明實施例是這樣實現的，一種精細線路封裝基板的制備方法，所述方法包括:
[0006]將線路制作后的線路板，進行第一次膠渣去除處理并沉銅；
[0007]對所述沉銅的線路板，進行貼干膜、曝光和顯影處理；
[0008]進行顯影處理后，將所述線路板電鍍銅；
[0009]將所述電鍍銅線路板第一次退膜后，進行第二次膠渣去除處理，再第二次退膜；
[0010]將所述第二次退膜后的線路板，烘板、閃蝕形成線路。
[0011]在其中一個實施例中，所述第二次膠渣去除使用的藥水成分包含:
[0012]160 ?200mL/L 的 Sweller E，40 ?55g/L 的 MnO4，O ?20g/L 的 MnO42，30 ?45g/L 的 NaOH，60 ?80g/L 的 H2SO4,10 ?20ml/l 的 H2O2和 O ?20g/L Cu 2+。
[0013]在其中一個實施例中，所述第二次退膜的參數具體為:
[0014]剝膜劑ν/ν8.0%?12.0% (濃度)，剝膜促進劑ν/ν0.6%?1.0% (濃度)，溫度在48。。?52°C之間，噴壓在0.14MPa?0.16MPa之間，H2S04v/v 3?7% (濃度)。
[0015]在其中一個實施例中，所述貼干膜具體為:
[0016]所述貼附干膜在真空環境下進行，且所述干膜的厚度為25 μπι。
[0017]在其中一個實施例中，所述真空環境的具體參數為:
[0018]真空壓膜溫度為60_90°C，抽真空時間為30?50s，壓力為0.4?0.6MPa，加壓時間為20?50s。
[0019]本發明的另一目的是提供上述制備方法制備得到的精細線路封裝基板
[0020]上述無引線鍍金板退膜方法具有以下有益效果:
[0021]通過在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能夠完成制作L/S (線寬/線距)=20/20um甚至L/S (線寬/線距)=18/18um的精細線路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉銅線藥水、光成像的退膜藥水及蝕刻藥水以及特殊的板材所帶來的成本，進而大大降低投資和生產成本。
【附圖說明】
[0022]圖1為本發明實施例提供的精細線路封裝基板的制備方法的實現流程圖；
[0023]圖2為本發明實施例提供的精細線路封裝基板第一次膠渣去除和沉銅的狀態圖；
[0024]圖3為本發明實施例提供的精細線路封裝基板貼膜曝光顯影的狀態圖；
[0025]圖4為本發明實施例提供的精細線路封裝基板電鍍的狀態圖；
[0026]圖5為本發明實施例提供的精細線路封裝基板第一次退膜的狀態圖；
[0027]圖6為本發明實施例提供的精細線路封裝基板第二次膠渣去除的狀態圖；
[0028]圖7為本發明實施例提供的精細線路封裝基板第二次退膜和烘板的狀態圖；
[0029]圖8為本發明實施例提供的精細線路封裝基板閃蝕的狀態圖。
【具體實施方式】
[0030]為了使本發明的上述特征及有益效果能夠更加明顯易懂，下面結合實施例對本發明做詳細的闡述，需要說明的是，本文所使用的術語“第一”、“第二”、“第三”、“垂直”、“水平”、“上方”、“下方”以及類似的表述只是為了起說明目的，并不表示是唯一的實施方式。
[0031]為了說明本發明所述的技術方案，下面通過具體實施例來進行說明。
[0032]圖1示出了本發明實施例提供的精細線路封裝基板制備方法的實現流程，具體詳述如下:
[0033]在步驟SlOl中，將線路制作后的線路板，進行第一次膠渣去除處理并沉銅；
[0034]在本發明實施例中，采用載銅的板材或者銅箔進行線路制作。其中，載銅的板材厚度為2 μπι，在當線路板為四層板時，需使用銅箔進行線路制作。第一次膠渣去除(Desmear)可以為將線路板上的膠渣，通過化學藥水去除附著于孔壁的膠渣，保持線路板清潔，方便整版沉銅處理，以實現內層銅環與孔壁的導通，沉銅的厚度為0.5?I ym之間，即確保電路導通，又不會對板面的線路造成影響(參見圖2)。
[0035]在步驟S102中，對沉銅后的線路板，進行貼干膜、曝光和顯影處理；
[0036]參見圖3，在本發明實施例中，在線路板上貼附干膜需要在真空環境下進行。真空壓膜溫度為60?90°C，抽真空時間控制為30?50s，壓力為0.4?0.6MPa，加壓時間為20?50s。通過該溫度和壓力的作用，真空貼膜使該干膜具有較強的流動性，使該干膜充分填充線路間隙。真空貼膜廣泛應用于封裝基板，通過抽真空、熱壓的方式使該干膜充分填充線路間隙，同時也填入微通孔內，干膜將在抗蝕過程中起保護作用。
[0037]作為本發明的一個優選實施例，干膜的厚度可以為25 μπι。曝光能量通常為70mj (毫焦)，此處采用曝光能量范圍為30?40mj。在此范圍內進行曝光，為通孔內干膜與退膜藥水反應創造有利的條件，使退膜效果較好。
[0038]在步驟S103中，進行顯影處理后，將線路板電鍍銅；
[0039]參見圖4，對線路板電鍍銅或者金屬涂敷可以確保焊接性和保護電路避免侵蝕的標準操作，在單面、雙面和多層印制電路板的制造中，電鍍銅能夠抗氧化。
[0040]在步驟S104中，將電鍍銅線路板第一退膜后，進行第二次膠渣去除處理，再第二次退膜；
[0041]參見圖5、6、7，將干膜進行化學分解并去除后，在精細線路之間還殘留有少量的干膜，需要通過第二次膠渣去除(Desmear)處理，將少量的干膜進行溶解。然后通過第二次退膜將第二次膠渣去除處理中溶解的干膜，進行化學分解和沖擊，確保超精細線路中干膜的完全去除。
[0042]在本發明實施例中，Desmear的藥水效果直接決定第二次退膜的結果，進而Desmear 段藥水成分包含:160 ?200mL/L 的 Sweller E, 40 ?55g/L 的 MnO4，0 ?20g/L 的MnO廣，30 ?45g/L 的 NaOH，60 ?80g/L 的 H2SO4,10 ?20ml/l 的 H2O2和 O ?20g/L Cu 2+。
[0043]退膜參數可以為:剝膜主劑v/v8.0%?12.0% (濃度)，剝膜促進劑v/v0.6%?1.0% (濃度)，溫度在48°C?52°C之間，噴壓在0.14MPa?0.16MPa之間，H2S04v/v3?7%(濃度)。
[0044]在步驟S105中，將第二次退膜后的線路板，烘板、閃蝕形成線路。
[0045]參見圖8，由于需要蝕刻掉的沉銅層較薄，閃蝕操作與現有的蝕刻操作相同，區別僅在于蝕刻的時間相對較短。
[0046]在本發明實施例中，提供的精細線路封裝基板及其制備方法，通過在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能夠完成制作L/S(線寬/線距)=20/20um甚至L/S(線寬/線距)=lO/lOum的精細線路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉銅線藥水、光成像的退膜藥水及蝕刻藥水以及特殊的板材所帶來的成本，進而大大降低投資和生產成本。
[0047]以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1.一種精細線路封裝基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括: 將線路制作后的線路板，進行第一次膠渣去除處理并沉銅； 對所述沉銅的線路板，進行貼干膜、曝光和顯影處理； 進行顯影處理后，將所述線路板電鍍銅； 將所述電鍍銅線路板第一次退膜后，進行第二次膠渣去除處理，再第二次退膜； 將所述第二次退膜后的線路板，烘板、閃蝕形成線路。
2.如權利要求1所述的精細線路封裝基板的制備方法，其特征在于，所述第二次膠渣去除使用的藥水成分包含:160 ?200mL/L 的 Sweller E，40 ?55g/L 的 MnO4，O ?20g/L 的 MnO42，30 ?45g/L 的NaOH, 60 ?80g/L 的 H2SO4,10 ?20ml/l 的 H2O2和 O ?20g/L Cu 2+。
3.如權利要求1所述的無引線鍍金板退膜方法，其特征在于，所述第二次退膜的參數具體為: 剝膜劑ν/ν8.0 %?12.0 % (濃度)，剝膜促進劑ν/ν0.6 %?1.0 % (濃度)，溫度在48。。?52°C之間，噴壓在 0.14MPa ?0.16MPa 之間，H2S04v/v 3 ?7% (濃度)。
4.如權利要求1所述的精細線路封裝基板的制備方法，其特征在于，所述貼干膜具體為: 所述貼附干膜在真空環境下進行，且所述干膜的厚度為25 μπι。
5.如權利要求4所述的精細線路封裝基板的制備方法，其特征在于，所述真空環境的具體參數為: 真空壓膜溫度為60-90°C，抽真空時間為30?50s，壓力為0.4?0.6MPa，加壓時間為20 ?50s。
6.權利要求1?5任一項所述制備方法制備得到的精細線路封裝基板。
【專利摘要】一種精細線路封裝基板的制備方法，所述方法包括：將線路制作后的線路板，進行第一次膠渣去除處理并沉銅；對所述沉銅的線路板，進行貼干膜、曝光和顯影處理；進行顯影處理后，將所述線路板電鍍銅；將所述電鍍銅線路板第一次退膜后，進行第二次膠渣去除處理，再第二次退膜；將所述第二次退膜后的線路板，烘板、閃蝕形成線路。在本發明實施例中，通過在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能夠完成制作L/S(線寬/線距)＝20/20um甚至L/S(線寬/線距)＝18/18um的精細線路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉銅線藥水、光成像的退膜藥水及蝕刻藥水以及特殊的板材所帶來的成本，進而大大降低投資和生產成本。
【IPC分類】H05K3-46
【公開號】CN104582332
【申請號】CN201510031873
【發明人】崔永濤, 謝添華, 李志東
【申請人】廣州興森快捷電路科技有限公司, 宜興硅谷電子科技有限公司, 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2015年1月21日