專利名稱：用于改進通帶平坦度的表面聲波濾波器及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種表面聲波濾波器，它形成例如帶通濾波器。本發明尤其涉及表面聲波濾波器(SAW濾波器)的結構，其中連接多個單口表面聲波諧振器(SAW諧振器)以便確定梯形電路，及其制造方法。
傳統地，已經將SAW濾波器廣泛地用作帶通濾波器。例如，在第56-19765號日本已經審查的專利公告中，提供了一種具有如此安排的SAW濾波器，從而多個單口SAW諧振器構成梯形電路。
參照
圖13和14，將給出對上述具有梯形電路結構的SAW濾波器的描述。在圖13和14的SAW濾波器中，提供了用于連接輸入端和輸出端的串聯臂，以及用于連接串聯臂和參考電位的并聯臂。確定串聯臂諧振器的單口SAW諧振器S1連接到串聯臂，確定并聯臂諧振器的單口SAW諧振器P1連接到并聯臂。在圖13中，只示出一個串聯臂諧振器和一個并聯臂諧振器。但是，包含在濾波器中的串聯臂諧振器和并聯臂諧振器的數量由所需的濾波器特性決定。
參照圖14，傳統的單口SAW諧振器具有如此的電極結構，從而交指換能器(IDT)51在其第一側上具有反射器52，在其第二側上具有反射器53，它們都安排在壓電基片上(圖中未示)。
IDT51具有一對母線54和55，它們沿表面聲波傳播的方向延伸。母線54連接到多個電極指65的每一個電極指的一端。電極指56沿垂直于表面聲波傳播的方向延伸，換句話說，沿朝著母線54相對側上的母線55方向延伸。類似地，母線55連接到多個電極指57的每一個電極指的一端。多個電極指57朝母線54延伸。將電極指56和57安排得相互交叉。
將多個上述單口SAW諧振器安排得構成如圖13中所示的梯形電路，以便確定SAW濾波器。圖15示出SAW濾波器的衰減—頻率特性。
由于具有梯形電路結構的SAW濾波器提供小的介入損失并具有寬的通帶，故SAW濾波器在蜂窩電話和其它類似的裝置中被廣泛地用作帶通濾波器。
注意，在第6-232682號日本未審查專利公告中，提供了一種單口SAW諧振器，其中把LiTaO3基片用作壓電基片。在該日本未審查專利公告中，揭示了如果將IDT的電極指交叉長度(孔徑)與母線和連接到另一條母線的電極指頂端之間的隙寬的比值設置為更大的值，則可以抑制發生在諧振頻率和反諧振頻率之間的波動的影響。
雖然具有梯形電路結構(有多個單口SAW諧振器)的傳統的SAW濾波器(如在第56-19765號日本已經審查的專利公告中所揭示的)具有小的介入損失以及寬的通帶，但是通帶中的濾波器特性的平坦度是不充分的。尤其是，介入損失在通帶的中心處比在通帶的頻肩端更小。
另外，在上述SAW濾波器中，由于LiTaO3基片，在諧振頻率和反諧振頻率之間產生的波動造成不理想的濾波器特性。參照圖16，曲線圖示出當傳統單口SAW諧振器安排在LiTaO3基片上時的阻抗—頻率特性。如由箭頭A表示的，在諧振頻率和反諧振頻率之間產生波動。另外，由于傳統的SAW濾波器結合了多個單口SAW諧振器提供濾波器特性，當在單口SAW諧振器中產生波動時，在SAW濾波器的濾波器特性中也發生波動，該波動相應于單口SAW諧振器中波動的頻率。由此，參照示出了上述SAW濾波器的衰減—頻率特性的圖17，在SAW濾波器通帶的低頻肩上出現波動，如箭頭B所示。波動的出現是重要的，因為波動的作用增加了通帶低頻側處的介入損失，從而通帶的平坦度更差。
注意，根據第56-19765號日本已經審查的專利公告的SAW濾波器，通帶中心處的介入損失小于通帶頻肩的介入損失，從而通帶的平坦度需要明顯的改進。但將LiTaO3基片用作壓電基片時，由于由SAW諧振器產生的波動，通帶的平坦度更差。
為了解決上述問題，本發明的較佳實施例提供了一種大大改進了通帶中的濾波器特性的平坦度的SAW濾波器。
根據本發明的較佳實施例，SAW濾波器包含多個安排在壓電基片上的交指換能器，以便確定多個單口SAW諧振器，連接多個單口SAW諧振器，以構成具有串聯臂和至少兩個并聯臂的梯形電路。多個單口SAW諧振器的每一個都包含第一和第二梳形電極。第一和第二梳形電極(每一個都具有多個電極指和連接到多個電極指的第一端的母線)相互交叉，從而第一和第二梳形電極的每一個的多個電極指的第二端朝另一個第一和第二梳形電極的母線延伸，以確定交指終端。在第一梳形電極的母線和連接到連接在至少兩個并聯臂中的一個并聯臂的單口SAW諧振器的第二梳形電極的母線的電極指的第二端之間的隙寬不同于連接在至少兩個并聯臂中的另一個并聯臂處的另一個單口SAW諧振器中的相應的隙寬。
作為這種獨特的結構的結果，在確定了并聯臂諧振器的多個單口SAW諧振器中，在諧振頻率和反諧振頻率之間產生的波動頻率平坦分布。相應地，波動頻率分布在SAW濾波器本身的通帶中，由此，大大改進了通帶的平坦度。
在另一個較佳實施例中，連接到至少兩個并聯臂中的一個并聯臂的單口SAW諧振器的IDT中的隙寬最好是大約0.5λ或更大，其中λ是在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。在這種情況下，SAW濾波器的通帶低頻側的頻肩上不會發生損失，從而通帶低頻側上的濾波器特性的陡度增加。另外，當較好地，將隙寬設置在大約1.0λ到大約5.0λ的范圍內時，單口SAW諧振器中的波動頻率甚至更高，從而波動頻率設置在通帶的中心周圍。
由此，在較佳實施例的SAW濾波器中，介入損失在通帶的中心和兩肩上大約是相同的。由此大大改進了通帶中的濾波器特性的平坦度。另外，當將LiTaO3基片用作壓電基片時，諧振頻率和反諧振頻率之間出現了波動。相應地，本發明的較佳實施例中，最好使用LiTaO3基片作為基片，因為本發明積極利用波動改進通帶中濾波器特性的平坦度。
下面將參照本發明的較佳實施例和附圖，詳細地描述本發明的原理和優點。
從這里給出的詳細的描述和附圖，更為完全地理解本發明，其中這些描述和附圖只是作示例給出，因此不限制本發明，這些附圖是圖1A示出根據本發明的較佳實施例的SAW濾波器的電路圖；圖1B是示出在圖1A所示的較佳實施例的SAW濾波器中使用的單口SAW諧振器的電極結構的平面圖；圖2是示出單口SAW諧振器中的母線和電極指一端之間的隙寬W2與本發明的較佳實施例中諧振頻率和反諧振頻率之間的波動頻率之間的關系的曲線圖3是示出圖1A所示的較佳實施例中單口SAW諧振器P1的阻抗—頻率特性的曲線圖；圖4是示出圖1A所示的較佳實施例中單口SAW諧振器P2的阻抗—頻率特性的曲線圖；圖5是示出本發明較佳實施例的第一試驗例的SAW濾波器的衰減—頻率特性的曲線圖，以及為了比較本發明較佳實施例的SAW濾波器的特性的曲線圖；圖6示出了根據本發明較佳實施例的第二試驗例的SAW濾波器的電路圖；圖7是圖6所示第二試驗例的單口SAW諧振器P1的阻抗—頻率特性；圖8是圖6所示第二試驗例的單口SAW諧振器P2的阻抗—頻率特性；圖9是圖6所示第二試驗例的單口SAW諧振器P3的阻抗—頻率特性；圖10是示出本發明較佳實施例的第二試驗例的SAW濾波器的衰減—頻率特性，以及為了比較本發明較佳實施例的SAW濾波器的特性的曲線圖；圖11是示出根據本發明另一個較佳實施例的雙工器的電路圖；圖12是示出本發明另一個較佳實施例的通信設備的方框圖；圖13是具有梯形電路結構的傳統SAW濾波器的電路圖；圖14是傳統SAW濾波器中使用的單口SAW諧振器的電極結構的平面圖；圖15是示出傳統SAW濾波器的衰減—頻率特性的曲線圖；圖16是傳統單口SAW諧振器的阻抗—頻率特性的曲線圖；圖17是示出傳統SAW濾波器的衰減—頻率特性的曲線圖；圖18是用于描述傳統單口SAW諧振器中電極指的交叉寬度與隙寬之間關系的平面圖。
圖1示出根據本發明較佳實施例的SAW濾波器的電路結構。圖1B是平面圖，示出包含在本較佳實施例中的單口SAW諧振器的電極結構。
參照圖1A，較佳實施例的SAW濾波器具有梯形電路結構。即，并聯臂最好位于輸入端IN和輸出端OUT之間，多個并聯臂最好位于串聯臂和參考電位之間。
單口SAW諧振器S1和S2是連接到串聯臂的串聯臂諧振器。每一個單口SAW諧振器P1和P2是連接到每一個并聯臂的并聯臂諧振器。另外，如圖1A所示，將并聯臂諧振器和串聯臂諧振器從輸入端IN朝輸出端OUT交替安排。但是，本發明的串聯臂諧振器和并聯臂諧振器的數量不應該限于圖1A和1B中所示的較佳實施例的情況，并且可以使用任何數量或組合的串聯臂諧振器和并聯臂諧振器。例如，可以使用這樣一種結構，它只有一個串聯臂諧振器，或有三個或更多串聯臂諧振器。類似地，并聯臂諧振器的數量沒有限制，只要在結構中有至少兩個并聯臂。
參照圖1B，將提供對單口SAW諧振器S1、S2、P1和P2的電極結構的描述。在單口SAW諧振器中，反射器2和3最好沿表面聲波在IDT1中傳播的方向，分別位于IDT1的每一側上。
IDT1最好包含一對梳形電極10和11。梳形電極10包含多個電極指6和連接到電極指6的第一端的母線4。梳形電極11包含多個電極指7和連接到電極指7的第一端的母線5。梳形電極10和11最好相互交叉，從而梳形電極10或11的電極指6或7的第二端分別朝梳形電極11或10的母線5或4延伸。
另外，反射器2和3最好由光柵反射器構成，其中設置在反射器2和3中的多個電極指的兩端最好短路。
在單口SAW諧振器中，當將AC電壓施加在電極指6和7之間時，IDT1被激勵，并產生表面聲波。表面聲波被限定在反射器2和3之間，從而可以取出基于表面聲波的諧振特性。
根據本發明的這個較佳實施例，在單口SAW諧振器的IDT1中(它構成了確定梯形電路的SAW濾波器)，梳形電極10或11的母線4或5與連接到一個并聯單口SAW諧振器的梳形電極11或10的母線5或4的電極指7或6的第二端之間的隙寬W2最好與在連接到另一個并聯臂的另一個單口SAW諧振器中的相應的隙寬W2不同。隙寬W2的差別允許通帶中濾波器特性的陡度大大改進。下面將解釋這是怎么發生的。
在上述第6-232682號日本未審查專利公告中揭示的一種方法，使用由LiTaO3制成的壓電基片減小單口SAW諧振器中的諧振頻率和反諧振頻率之間存在的波動。圖18示出傳統技術中描述的單口SAW諧振器的電極結構。應該指出，在圖18中，示出IDT51一側上所設置的反射器52，但未示出設置在IDT51的另一側上反射器。
在傳統技術中，知道當增加W1/W2的比值時，存在于諧振頻率和反諧振頻率之間的波動的影響可以減小。換句話說，傳統的方法是使隙寬W2小于交叉寬度W1，因為這將減少掠過表面的體波(surface skimming bulk wave)(SSBW)的發生，從而大大減小了上述波動的影響。
在上述傳統技術中，認為發生SSBW是不理想的，因為它破壞了SAW諧振器的特性，從而在傳統技術中希望使隙寬W2盡可能小。
相比之下，本發明的較佳實施例盡可能多地使用波動，從而達到濾波器特性的顯著進步。換句話說，與試圖抑制發生波動的傳統智慧和裝置相比，本發明的較佳實施例以積極的方法利用波動。本發明通過用多個SAW諧振器產生多個波動，以將波動分布在SAW濾波器的通帶中，利用由SAW諧振器產生的波動。這樣，本發明的較佳實施例大大改進了SAW濾波器通帶平坦度。
本發明的較佳實施例提供了經驗證據，即，在單口SAW諧振器中，使交叉寬度W1固定而只改變隙寬W2允許波動頻率被容易地控制。
參照圖2，曲線圖示出單口SAW諧振器中的隙寬W2與在諧振頻率和反諧振頻率之間所產生的波動頻率之間的關系。由豎軸表示的頻率Δf/f0是標準化的值，其中Δf表示發生波動處的頻率和SAW諧振器的諧振頻率f0之間的差。如圖2所示，改變隙寬W2改變了發生波動的頻率。
因此，在具有梯形電路結構的SAW濾波器中，通過組合多個單口SAW諧振器的諧振特性，達到理想的極好的濾波器特性。相應地，通過使SAW濾波器中各諧振器的隙寬W2不同，允許發生波動的頻率散布到通帶中。例如，如果在連接到并聯臂的單口SAW諧振器中的隙寬W2不同于連接到另一并聯臂的單口SAW諧振器中的相應的隙寬，則SAW濾波器的通帶中發生上述波動的頻率得以散布，從而大大改進了通帶的平坦度。
另外，當隙寬W2大約為0.5λ或更大時，波動的頻率更高，從而抑制了通帶低頻側頻肩上的損失，這增加了通帶低頻側上的陡度。
另外，當隙寬W2是大約1.0λ或更大時，波動的頻率更高，從而波動出現在通帶的中心周圍。但是，在具有梯形電路的傳統SAW濾波器中，在通帶中心處的介入損失小于通帶頻肩處的介入損失。因此，通過將波動移到通帶中心的周圍，在通帶中心周圍的介入損失增加，從而本發明的較佳實施例大大改進了通帶中濾波器特性的平滑性。
注意，如果連接到并聯臂的單口SAW諧振器的隙寬W2過大，則在遠離波動頻率的頻率處的介入損失有時會惡化。由此，為了防止增加介入損失，最好將隙寬W2設置為大約5.0λ或更小。由此，最好將隙寬W2設置在大約0.5λ到大約5.0λ的范圍內，更好的是在大約1.0λ到大約5.0λ的范圍內。
下面，將給出本發明較佳實施例的SAW濾波器的試驗例的詳細描述。
1.第一試驗例由36°切X傳播的LitaO3基片用作壓電基片。在基片上設置各個單口SAW諧振器和與之連接的電極。A1用于確定單口SAW諧振器和連接電極。
分別按照如下方式，形成確定串聯臂諧振器的單口SAW諧振器S1和S2，以及確定并聯臂諧振器的單口SAW諧振器P1和P2。
(1)單口SAW諧振器P1(并聯臂諧振器)電極指的對數等于40，電極指的交叉寬度大約80μm(20λ)，IDT中的隙寬W2大約0.25λ，反射器中的電極指數量等于100。
(2)單口SAW諧振器P2(并聯臂諧振器)電極指的對數等于40，電極指的交叉寬度大約160μm(40λ)，隙寬W2大約1.5λ，反射器中電極指的數量等于100。
(3)單口SAW諧振器S1(串聯臂諧振器)電極指的對數是80，電極指的交叉寬度大約40μm(10.5λ)，反射器中電極指的數量是100。
(4)單口SAW諧振器S2(串聯臂諧振器)電極指的對數是80，電極指的交叉寬度是大約80μm(21λ)，反射器中電極指的數量是100。
參照圖3，曲線圖示出了如上所述形成的單口SAW諧振器P1的阻抗—頻率特性。類似地，圖4是曲線圖，示出如上所述形成的單口SAW諧振器P2的阻抗—頻率特性。注意，單口SAW諧振器P1的波動A1(圖3)的頻率不同于單口SAW諧振器P2的波動A2(圖4)的頻率。由此，可以操縱SAW諧振器中波動的發生，從而有利地分布在整個SAW濾波器的通帶上。按照這種方法，本發明的較佳實施例大大改進了SAW濾波器通帶中的平坦度。
參照圖5，曲線圖中的實線示出了第一個試驗例的SAW濾波器的衰減—頻率特性。為了比較，虛線示出了以上述第一試驗例相同的方法形成的SAW濾波器的濾波器特性，不同的是，將單口SAW諧振器P1和P2中的隙寬W2都設置在大約1.0λ。
從圖5中可以清楚地看到，當單口SAW諧振器P1和P2中的隙寬W2不同時，再有，如果將單口SAW諧振器P2的隙寬W2設置在至少大約1.0λ時，大大改進了通帶中的平坦度，并且大大改進了通帶低頻肩處濾波器特性的陡度。注意，即使當LiTaO3基片具有Y切36°之外的其它切角，也可以得到相同的優點。
2.第二試驗例參照圖6，提供了一種具有梯形電路的SAW濾波器，該梯形電路中單口SAW諧振器S1和S2確定了串聯臂諧振器，單口SAW諧振器P1到P3確定了并聯臂諧振器。注意，以和第一試驗例相同的方法生產第二試驗例中的SAW濾波器，每一個都使用36°Y切X傳播的LiTaO3基片。但是，第二試驗例中的SAW諧振器的結構如下。
(1)單口SAW諧振器P1(并聯臂諧振器)電極指的對數為40，電極指的交叉寬度大約80μm(20λ)，隙寬W2大約1.0λ，反射器中電極指數量為100。
(2)單口SAW諧振器P2(并聯臂諧振器)電極指的對數等于80，電極指的交叉寬度大約200μm(50λ)，隙寬W2大約1.5λ，反射器中電極指的數量100。
(3)單口SAW諧振器P3(并聯臂諧振器)電極指的對數是40，電極指的交叉寬度大約80μm(20λ)，隙寬W2大約2.0λ，反射器中的電極指的數量是100。
(4)單口SAW諧振器S1和S2(串聯臂諧振器)電極指的對數是80，電極指的交叉寬度是大約40μm(10.5λ)，反射器中電極指的數量是100。
參照圖7到9，曲線圖分別示出根據第二試驗例的單口SAW諧振器P1到P3的阻抗—頻率特性。如從圖7到9清楚地看出，產生在單口SAW諧振器P1到P3的諧振頻率和反諧振頻率之間的波動A3到A5的頻率都不同。由此，產生波動的位置分布在SAW濾波器的整個通帶。
參照圖10，實線表示根據第二試驗例的SAW濾波器的阻抗—頻率特性。虛線表示用于和第一試驗例中的情況比較而制備的SAW濾波器的阻抗—頻率特性。由圖10可見，第二試驗例的SAW濾波器的濾波器特性在通帶區域中大大改進了平坦度。由于單口SAW諧振器P1到P3的隙寬W2相互都不同，從而由SAW諧振器P1到P3產生的波動分布在SAW濾波器的通帶中，因而改進的平坦度。另外，在第二試驗例中，隙寬W2大于在第一試驗例中的隙寬，從而在通帶中濾波器特性的平坦度更為改進。
注意，即使使用36°Y切割之外的LiTaO3基片，也可以得到和試驗例中相同的好處。另外，在本發明的其它較佳實施例中，可以使用其它壓電材料制成的基片。更具體地說，其它的較佳實施例可以使用由諸如LiNbO3基片等壓電單晶基片制成的壓電基片或由諸如鋯酸鉛或鈦酸鉛之類的壓電陶瓷材料制成的壓電基片。另外，可以使用通過將壓電薄膜沉淀在絕緣基片上而制成的壓電基片。但是，較好地將LiTaO3基片用作壓電基片，因為它可以更好地防止由波動引起的濾波器特性中的平坦度的惡化。
本發明可以適用于利用表面聲波濾波器的各種電子部件或裝置，并且雙工器以及使用雙工器的通信設備也可以是一種應用，其中成功地利用了本發明獨特的特點。
如圖11所示，雙工器40包含SAW濾波器41和SAW濾波器42，它們的通帶的中心頻率不同。圖11所示的SAW濾波器41和42與圖6所示的SAW濾波器相同，不同的是可以使用根據本發明的另一種SAW濾波器。在雙工器40中，SAW濾波器41的輸入端43和SAW濾波器42的輸入端44電連接到雙工器40的第一輸入/輸出端45。將SAW濾波器41和42的接地端連接在一起接地。SAW濾波器41的輸出端46和SAW濾波器42的輸出端47分別連接到雙工器40的第二輸入/輸出端48和第三輸入/輸出端49。
由于SAW濾波器41和42在其通帶的高端具有陡度，故雙工器40具有極好的信號選擇性。另外，由于不需要諸如電容器之類的其它元件，故雙工器40可以具有小的體積。
圖12是具有雙工器40的通信設備50的方框圖。通信設備50可以是例如蜂窩電話，蜂窩電話通常需要窄的通信頻帶，并且小的便攜體適合于享受雙工器40的上述優點。通信設備50包含連接到雙工器40的第一、第二和第三輸入/輸出端的天線51、接受器52和發送器53。如此選擇雙工器40的SAW濾波器41和42的通帶，從而通過天線51接收到的信號通過SAW濾波器41并由SAW濾波器42阻擋，而從發送器53發送的信號通過SAW濾波器42。
雖然已經參照本發明的較佳實施例具體示出和描述了本發明，但是熟悉本領域的人將知道，在不背離本發明的主旨和范圍的情況下可以在形式和細節上作其它變化。
權利要求
1.一種表面聲波濾波器，其特征在于包含壓電基片；在壓電基片上安排多個交指換能器以便確定多個單口SAW諧振器，連接多個單口SAW諧振器以構成具有串聯臂和至少第一并聯臂和第二并聯臂的梯形電路，多個交指換能器中的每一個包含第一和第二梳形電極，每一個梳形電極都具有多個電極指和連接到多個電極指的第一端的母線，第一和第二梳形電極相互交叉，從而第一梳形電極的多個電極指的第二端朝第二梳形電極的母線延伸，以確定各個交指換能器；其中，連接在第一并聯臂處的單口SAW諧振器的交指換能器如此安排，從而第一梳形電極的母線和連接到第二梳形電極的母線的電極指的第二端之間的隙寬不同于連接到第二并聯臂的單口SAW諧振器的交指換能器中相應的隙寬。
2.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于連接在并聯臂處的交指換能器中的隙寬是大約0.5λ或更大，其中λ是在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
3.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于連接在并聯臂處的單口SAW諧振器的交指換能器中的隙寬在大約1.0λ到大約5.0λ的范圍內，其中λ是在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
4.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于在連接在每一個并聯臂處的每一個單口SAW諧振器的交指換能器中的隙寬都不同，其中連接到每一個并聯臂處的每一個單口SAW諧振器的隙寬在大約1.0λ到大約5.0λ之間，其中λ是在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
5.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于連接在每一個并聯臂處的每一個單口SAW諧振器的交指換能器中的隙寬都不同，其中連接在每一個并聯臂處的每一個單口SAW諧振器的隙寬大于大約0.5λ，其中λ是在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
6.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電基片是LiTaO3基片。
7.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電基片是LiNbO3基片。
8.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電基片是由壓電陶瓷材料制成的。
9.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電基片包含絕緣基片上的壓電薄膜。
10.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于至少一個單口SAW諧振器還包含第一和第二反射器，所述反射器安排在壓電基片上，從而第一反射器接近于交指換能器一側的交指換能器，而第二反射器接近于交指換能器另一側的交指換能器。
11.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于梯形電路具有多個串聯臂和并聯臂，從而交替地設置串聯臂和并聯臂。
12.一種制造表面聲波濾波器的方法，其特征在于包含步驟提供壓電基片；形成多個交指換能器并安排在壓電基片上以確定多個單口SAW諧振器，連接多個單口SAW諧振器以構成具有串聯臂和至少第一并聯臂和第二并聯臂的梯形電路，多個交指換能器中的每一個都具有第一和第二梳形電極，每一個梳形電極都具有多個電極指和連接到多個電極指的第一端的母線，第一和第二梳形電極相互交叉，從而第一梳形電極的多個電極指的第二端朝第二梳形電極的母線延伸，以確定各個交指換能器；及在多個交指換能器中的至少一個中形成隙寬，從而在第一梳形電極的母線和連接到第二梳形電極的母線的電極指的第二端之間存在隙寬，其中連接到第一并聯臂的SAW諧振器的交指換能器中的隙寬不同于連接到第二并聯臂的SAW諧振器的交指換能器的相應隙寬。
13.如權利要求12所述的方法，其特征在于壓電基片是LiTaO3基片。
14.如權利要求12所述的方法，其特征在于在連接到并聯臂的交指換能器中的隙寬在大約1.0λ到大約5.0λ的范圍內，其中λ是在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
15.如權利要求12所述的方法，其中在連接到并聯臂的交指換能器中的隙寬大于大約0.5λ，其中λ是在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
16.如權利要求12所述的方法，其特征在于壓電基片是LiNbO3基片。
17.如權利要求12所述的方法，其特征在于壓電基片是壓電陶瓷材料。
18.如權利要求12所述的方法，其特征在于連接到每一個并聯臂的多個SAW諧振器的每一個都產生分布在SAW濾波器的通帶中的波動。
19.如權利要求12所述的方法，其特征在于至少一個單口SAW諧振器還包含安排在壓電基片上的第一和第二反射器，從而第一反射器接近于交指換能器一側的交指換能器，而第二反射器接近于交指換能器另一側的交指換能器。
20.如權利要求12所述的方法，其特征在于梯形電路具有多個串聯臂和并聯臂，從而交替地設置串聯臂和并聯臂。
21.一種雙工器，其特征在于包含一對如權利要求1到11任一條所述的表面聲波濾波器。
22.一種通信設備，其特征在于包含如權利要求21所述的雙工器。
全文摘要
本發明提供了一種表面聲波濾波器,具有多個安排為梯形電路結構的交指換能器,并包含串聯臂和至少兩個并聯臂。每一個交指換能器具有第一梳形電極和第二梳形電極,每一個梳形電極具有多個電極指和連接到多個電極指的第一端的母線。第一和第二梳形電極相互交叉,從而第一梳形電極的多個電極指的第二端朝第二梳形電極的母線延伸。在確定連接到并聯臂的表面聲波諧振器的交指換能器中形成隙寬,以使波動分布在表面聲波濾波器的通帶中,從而波動改進了通帶的平坦度。
文檔編號H03H9/64GK1259797SQ99125820
公開日2000年7月12日 申請日期1999年11月25日 優先權日1998年11月25日
發明者谷口典生 申請人:株式會社村田制作所