專利名稱：自動增益控制電壓校正電路的制作方法
技術領域：
本發明涉及自動增益控制(AGC)電壓校正電路，該電路適合用于手提電話(如編碼劃分多路(CDMA)型)的射頻放大級或中頻放大級。
通常，CDMA手提電話具有可變增益放大電路(此后稱為可變放大電路)，該電路包含于接收單元或發射單元之中，可以改變增益80dB以上，用于保持接收信號和到達基站的信號強度均勻。圖9給出了具有微分放大電路的典型可變放大電路，它由放大晶體管Q17和Q18、電流源晶體管Q19、以及分別與晶體管Q17和Q18相連的負載電阻R8和R9組成。圖中還描述了輸入端IN、輸出端OUT、AGC(增益控制)電壓VAGC和源電壓VCC。
在上述電路中增益PG[dB]具有如下關系PG ∝ 20 log(I1*q/kT) (1)下面的關系亦成立I1 ∝ Is*exp{VAGC*q/(kT)}(2)其中q表示單位電子電荷，k表示波爾茲曼常數，T表示絕對溫度，而Is表示反向飽和電流。
式(1)與晶體管Q17和Q18有關，它指出當控制恒流源電流(晶體管Q19的集電極電流)指數變化時，功率增益PG[dB]線性變化。圖10給出了說明不同頻率下圖9所示電路中電流I1與增益PG[dB]之間關系的實驗值。根據式(1)，當集電極電流I1變大10倍時，增益PG變化20dB。實驗也給出了與式(1)相同的結果，當電流I1從0.1mA變為1mA時，增益PG大約變化20dB。在此所使用的晶體管Q19在其截止頻率Ft處給出20mA的電流最大值。式(1)對于該截止頻率Ft處最大電流之1/10的電流成立。
式(2)指出集電極電流I1相對于線性變化的AGC電壓VAGC而指數變化。圖9所示可變放大電路的功率增益PG[dB]相對于線性變化的AGC電壓VAGC同樣按線性而變化，其中所具有的電流為該截止頻率Ft處最大電流的1/10或更小，即2mA或更小。
下面將說明依賴于溫度的變化。根據式(1)，當溫度從25℃(T＝298)變至75℃(T＝348)時，即使電流源晶體管Q19的集電極電流I1保持恒定，但增益卻下降了約1.4dB(原因之一)。另外，增益隨溫度的負向變化而增加。為了在普通CDMA型手提電話所使用的可變放大電路中實現80dB以上的增益，通常采用三或四級各自與圖9中電路相同的可變放大電路級聯而形成的電路。對于25℃至75℃的溫度變化，增益改變4至5dB(級數*每50℃1.4dB)。
考慮到反向飽和電流Is具有溫度特性這一事實，利用SPICE進行了模擬，且利用式(2)計算了標準雙極晶體管集電極電流I1相對于AGC電壓VAGC的變化。其結果如圖11所示。由圖11可見，集電極電流I1隨溫度變化顯著。例如，即便當AGC電壓VAGC保持恒定時，如果溫度從25℃變化到75℃，則集電極電流I1將改變10倍或更大。因此，晶體管Q17和Q18的增益將變化20dB或更大(原因之二)。這種現象將導致三級可變放大電路的增益變化60dB(3*每50℃20dB)。
另外，集電極電流I1相對于AGC電壓VAGC的變化率(或者說增益變化率，即增益斜率)隨溫度而變化(原因之三)。
當利用雙極晶體管構成可在80dB或更大的范圍內改變其增益的可變放大電路時(這對于CDMA型手提電話是必需的)，將出現以下問題。
1.可變放大電路的增益PG隨溫度變化顯著，這是由于放大晶體管Q17和Q18增益的溫度依賴性(原因之一)及電流源晶體管Q19的溫度依賴性(原因之二)所致。
2.增益變化率(增益斜率)相對于AGC電壓VAGC的改變與溫度密切相關，這是由于電流源晶體管Q19的溫度依賴性所致(原因之三)。
3.如圖10所示，在相對于較大集電極電流I1的區域內，增益斜率的刻度間隔很窄，且在該區域內增益斜率的線性變壞。另外，在相對于較小集電極電流I1的刻度區域內，由于截止頻率Ft的頻率特性(即截止頻率Ft正比于集電極電流I1)，增益急劇衰減，且增益斜率的線性變壞。
4. 當利用三或四級可變放大電路實現80dB或更大增益時，由于晶體管和電阻之間的差別，各級的增益變得相互不同。為了校正這個差別，如果在輸入級或輸出級中包含可變電阻或其它調整裝置，則射頻電路元件的隔離變得無效。最終，增益可變范圍將變窄，或增益斜率的線性將變壞。
因此，本發明的目的在于提供一種AGC電壓校正電路，該電路可使可變放大電路在不受溫度變化的影響下實現AGC操作。
為實現上述目的，根據本發明，產生隨溫度變化的第一參考電流以便抵消構成可變放大電路之一對放大晶體管和一個電流源晶體管的溫度依賴性，且與該第一參考電流有關的校正AGC電壓施加于電流源晶體管上。
為線性化與可變放大器有關的增益斜率，產生隨溫度變化的第二參考電流，且與該第二參考電流有關的校正AGC電壓施加于電流源晶體管上。
根據本發明，構成可變放大電路之一對晶體管和一個電流源晶體管的溫度依賴性主要由第一參考電流的溫度依賴性校正。另外，關于可變放大電路的增益斜率由第二參考電流的溫度依賴性進行線性化校正。因此，可以實現能夠不受任何溫度變化影響進行AGC操作的AGC電壓校正電路。
實現本發明之一種模式的特征在于其中包括了用于產生具有溫度依賴性之第一參考電流的第一參考電流源、用于產生具有溫度依賴性之第二參考電流的第二參考電流源、工作在正比于第二參考電流下并輸出與所施加AGC電壓有關的調整電流的AGC電壓控制單元、以及用于輸出與第一參考電流和調整電流之和有關的校正AGC電壓的AGC電壓發生器。
實現本發明之另一種模式的特征在于其中包括了由一個或多個二極管連接晶體管與電阻串聯而成且用于產生具有溫度依賴性之第二參考電流的第二參考電流源、一個輸入端加有AGC電壓而另一輸入端加有參考電壓的微分放大級，其中有正比于第二參考電流之第一恒定電流且用以利用第一恒定電流驅動微分放大級的第一恒定電流源、其中可流動正比于第二參考電流且等于第一恒定電流一半之第二恒定電流的第二恒定電流源、用于輸出對應于微分放大級輸出電流與第二恒定電流之間差異之調整電流的AGC電壓控制單元、以及用以基于調整電流產生校正AGC電壓的AGC電壓發生器。
在實現本發明的這些模式中，AGC電壓校正電路包括由一個或多個二極管連接晶體管與電阻并聯而成且用于產生具有溫度依賴性之第一參考電流的第一參考電流源、以及用于產生正比于第一參考電流與調整電流之和之校正AGC電壓的電流電壓變換級。
另外，AGC電壓校正電路的特征在于其中第二參考電流源與第一恒定電流源和第二恒定電流源之間的連接方式為電流鏡像電路。
再有，AGC電壓校正電路的特征在于其中AGC電壓發生器包括二極管連接輸出晶體管，且該輸出晶體管與恒定電流源晶體管以電流鏡像電路形式相連以便向信號放大晶體管微分放大器提供恒定電流。
另外，AGC電壓校正電路的特征在于該輸出晶體管的發射極通過電阻接地。
還有，AGC電壓校正電路的特征在于恒定電流源晶體管集電極與發射極之間接有電阻。
圖1為描述根據本發明AGC電壓校正電路一種方案的框圖；圖2詳細給出了圖1所示AGC電壓校正電路的電路圖；圖3的曲線說明了圖2所示電流合成電路中晶體管基射極電壓與集電極電流之間相對于溫度的變化關系；圖4的曲線說明了構成圖2所示電路之一部分的微分放大電路中AGC電壓與集電極電流相對于溫度的變化關系；圖5的電路圖給出了圖1和圖2所示AGC電壓校正電路中主要部分的一種變形；圖6的曲線給出了圖5所示電路所確定的增益斜率；圖7的曲線給出了由構成圖1和圖2所示電路之一部分的衰減電路所確定的增益斜率；圖8的框圖給出了構成圖1和圖2所示電路之一部分的可變放大電路多級相接的基本結構；圖9為具有微分放大器之典型可變放大電路的電路圖；圖10的曲線給出了圖9所示恒定電流源晶體管集電極電流與增益之間的關系；圖11的曲線說明了AGC電壓與圖9所示恒定電流源晶體管集電極電流之間的關系。
以下將參考
本發明的一種方案。
圖1為說明根據本發明AGC電壓校正電路之一種方案的框圖，圖2詳細給出了圖1所示AGC電壓校正電路的電路圖，而圖3的曲線說明了圖2所示電流合成電路8中晶體管Q13基射極電壓與集電極電流相對于溫度的變化關系。圖4的曲線說明了構成圖2所示電路之一部分的微分放大電路5中AGC電壓與集電極電流相對于溫度的變化關系，圖5的電路圖給出了圖1和圖2所示AGC電壓校正電路中主要部分的一種變形，圖6的曲線給出了由圖5所示電路確定的增益斜率，圖7的曲線給出了由構成圖1和圖2所示電路之一部分的衰減電路1所確定的增益斜率，而圖8的框圖說明了構成圖1和圖2所示電路之一部分的可變放大電路(IFAGC放大器)多級相接的基本結構。
在圖1中，可變放大電路(IFAGC放大器)11對具有中頻的輸入信號IN通過可變增益進行放大并將信號OUT輸出。可變放大電路11的增益利用電路1至10基于AGC電壓VAGC進行控制。AGC電壓VAGC經衰減電路(ATT)1衰減之后施加于微分放大電路(放大器)5。微分放大電路5再輸出正比于AGC電壓VAGC的電流I5。第二參考電流源2產生依賴溫度變化以便使可變放大電路11的增益斜率線性化的第二參考電流I2并將該第二參考電流送到電流鏡像電路3和4。
電流鏡像電路3將與第二參考電流I2相關的第一恒定電流I3送至微分放大電路5。微分放大電路5的輸出電流I5利用AGC電壓VAGC和第一恒定電流I3進行控制。電流鏡像電路4輸出與第二參考電流I2相關的第二恒定電流I6。輸出電流I5與第二恒定電流I6在節點6處疊加。第一參考電流源7產生依賴于溫度的第一參考電流I9以便抵消可變放大電路11的溫度依賴性。節點6處疊加產生的電流I7和第一參考電流I9由電流合成電路8進行合成。由電流合成電路8合成而產生的電流I12通過電流鏡像電路9和10送至可變放大電路11中的電流源晶體管，從而產生集電極電流I1。
參考圖2，將說明電路結構。在圖2中，畫出了圖1所示各元件的相應電路并賦予了相同的參考數字。
源電壓VCC施加于以下各端電阻R1的一端、PNP晶體管Q7的發射極、NPN晶體管Q4的集電極、PNP晶體管Q8、Q9、Q11、Q14和Q15的發射極、以及電阻R8和R9的一端。電阻R1的另一端(電流I2)與二極管連接NPN晶體管Q1的集電極和基極相接。晶體管Q1的發射極與二極管連接NPN晶體管Q2的集電極和基極相接。晶體管Q2的基極與NPN晶體管Q5和Q6的基極相接，其發射極接地。上述電阻R1與晶體管Q1和Q2構成第一參考電流源2，用以補償相對于溫度的增益斜率。其中晶體管Q1可以省卻。
AGC電壓VAGC施加于電阻R2的一端。電阻R2的另一端與NPN晶體管Q3的基極和電阻R3的一端相接。電阻R2和R3構成用于衰減AGC電壓VAGC的衰減電路(ATT)1，以便根據溫度變化而優化增益斜率。電阻R3的另一端與晶體管Q4的基極相接并通過產生偏壓E1的偏壓源接地。
二極管連接晶體管Q7的基極與集電極相連，且其基極與晶體管Q8的基極和晶體管Q3的集電極(輸出電流I4)相接。晶體管Q3和Q4的發射極與晶體管Q5的集電極(第一恒定電流源I3)相接。晶體管Q8的集電極(電流I5)與晶體管Q6的集電極(第二恒定電流I6)通過節點6相接。晶體管Q5和Q6的發射極接地。節點6與晶體管Q12的發射極和電阻R7之間的節點相接。調整電流I7通過節點6輸出。
晶體管Q3和Q4以及偏壓源構成了用于補償增益斜率的微分放大電路5。晶體管Q2和Q5構成了作為微分放大電路5電流源的電流鏡像電路3，而晶體管Q2和Q6構成了電流鏡像電路4。晶體管Q7和Q8也構成了電流鏡像電路。
晶體管Q9的基極與集電極相連，且其基極與PNP晶體管Q10的發射極和晶體管Q11的基極相接。晶體管Q9和Q11構成了電流鏡像電路。晶體管Q10的基極與集電極相連，且其基極與限流電阻R6的一端(第一參考電流I9)相接。電阻R6的另一端接地。晶體管Q9和Q10以及電阻R6構成了第一參考電流源7，用以補償相對于溫度的晶體管增益。晶體管Q10可以省卻。
晶體管Q11的集電極(電流I10)與二極管連接NPN晶體管Q12的基極和集電極以及NPN晶體管Q13的基極相接。晶體管Q12的發射極通過電阻R7(電流I11＝I7+I10)和用于產生偏壓E2的偏壓源接地。晶體管Q11、Q12和Q13以及電阻R7構成了電流合成電路8，用于合成來自節點6的調整電流I7和來自第一參考電流源7的第一參考電流I9。晶體管Q12和Q13構成了電流鏡像電路。
晶體管Q14和Q15的基極共同與晶體管Q14的集電極和晶體管Q13的集電極(電流I12)相接。晶體管Q13的發射極接于電阻R7與產生偏壓E2的偏壓源之間的節點處。晶體管Q11和Q15構成作為電流源的電流鏡像電路9。晶體管Q15的集電極(電流I13)與NPN輸出晶體管Q16的集電極和基極以及NPN電流源晶體管Q19的基極相接。輸出晶體管Q16的發射極接地。輸出晶體管Q16和電流源晶體管Q19構成電流鏡像電路10。
電阻R8和R9的另一端與NPN晶體管Q17和Q18的集電極相接。晶體管Q17和Q18的發射極共同與電流源晶體管Q19的集電極(電流I1)相接。輸入信號In施加于晶體管Q17和Q18的基極，而輸出信號OUT由晶體管Q17和Q18的集電極取出。上述電阻R8和R9及晶體管Q17、Q18和Q19構成進行增益改變的可變放大電路11。
在上述電路中，輸出晶體管Q16的發射極電流由晶體管Q15的集電極電流I13進行控制。晶體管Q14的發射極電流由晶體管Q13的集電極電流I12進行控制。晶體管Q12的發射極電流由晶體管Q11的集電極電流I10進行控制。在本方案中，電阻R7兩端的電壓V7設置為大于0.7V。晶體管Q12的發射極電流依賴于第一參考電流源7輸出的第一參考電流I9。因而，正比于第一參考電流I9的電流流入構成可變放大電路11的晶體管Q17和Q18之中。
在此電路中，利用構成第一參考電流源7之晶體管Q9和Q10基射極電壓VBE的溫度依賴性，使得第一參考電流I9在高溫時變大而在低溫時變小。具體而言，設置第一參考電流I9，使之在75℃時約為其在25℃時的1.18倍，而在-25℃時約為其在25℃時的0.85倍。電流合成電路8中晶體管Q13的集電極電流(I12)取如圖3所示A點(25℃)、B點(75℃)和C點(-25℃)處的值。
因此，晶體管Q17和Q18的增益每50℃校正1.4dB，也就是說，在75℃時校正+1.4dB而在-25℃時校正約-1.4dB。從而抵消了依賴于溫度變化的晶體管Q17和Q18的增益改變。這樣，由于第一參考電流源7具有溫度依賴性，則可使晶體管Q17和Q18之增益隨溫度的變化降低至最小。由原因之一所引起的前述問題可以得到解決。
下面將說明增益的變化。通過利用AGC電壓VAGC改變電阻R7兩端的電壓V7可以改變增益。在此，由于以下關系成立，則當改變通過節點6所提供的調整電流I7時，電壓V7就發生改變V7＝I11*R7＝(I7+I10)*R7另外，由于對應晶體管Q12基射極電壓VBE與電壓V7之和的電壓施加于晶體管Q13的基射極之間，從而晶體管Q13的集電極電流I12利用調整電流I7得到了控制。具體而言，如圖3所示，當施加于晶體管Q13基射之間的電壓VBE變化±100mV時，晶體管Q13的集電極電流I12約變大10倍或變為原來的1/10。因此，晶體管Q17和Q18的增益改變±20dB。
下面將說明調整電流I7。包含元件1至5的電路部分作為AGC電壓控制單元，用于補償相對于溫度變化的AGC電壓VAGC并校正隨溫度變化的增益斜率。首先，AGC電壓VAGC經衰減電路1衰減以便優化增益斜率。隨后，所產生的電壓施加于構成微分放大電路5之晶體管Q3和Q4的基極。從而，晶體管Q3的集電極電流I4依賴于AGC電壓VAGC而改變。
晶體管Q5產生微分放大電路5賴以工作的第一恒定電流I3。第一恒定電流I3由包含晶體管Q2的電流鏡像電路3而確定。由晶體管Q1和Q2及電阻R1組成的第二參考電流源2決定了第二參考電流I2。另外，由于晶體管Q7和Q8構成電流鏡像電路，則對應于晶體管Q3集電極電流(輸出電流)I4的電流I5(I4＝I5)流入晶體管Q8的集電極。再有，由于晶體管Q6和Q2構成電流鏡像電路，則利用來自第一參考電流源2之第一參考電流I2所決定的集電極電流(第二恒定電流)I6流入晶體管Q6。
晶體管Q6的管尺寸設置為晶體管Q5的一半。從而以下關系式成立I6＝I3/2當AGC電壓VAGC等于偏壓E1時，下列關系式成立I4＝I3/2另外，由于I5＝I4，所以I5＝I6。
另外，由于I7＝I5-I6，則以下關系式成立若VAGC＝E1，則I5＝I6，所以I7＝0；若VAGC＞E1，則I4＞I3/2，I5＞I6，所以I7＞0；若VAGC＜E1，則I7＜0。調整電流I7在流入電阻R7之后依次傳輸給晶體管Q13、Q14、Q15、Q16和Q19。這樣，晶體管Q17和Q18的增益便利用調整電流I7得到了控制。
參考圖4，將對構成微分放大電路5之晶體管Q3的集電極電流I14進行說明。圖4中曲線13、14和15分別表示晶體管Q3相對于25℃、75℃和-25℃時AGC電壓VAGC的集電極電流(輸出電流)I4。當溫度升高時，集電極電流I4增加。如前所述，這是由于當溫度升高時，第一恒定電流I3增加的緣故。集電極電流I4隨AGC電壓改變的變化率(各曲線的斜率)依賴溫度而變化。當溫度高時，即當第一恒定電流I3大時，該變化率大。當溫度低時，也就是當第一恒定電流I3小時，該變化率小。這種趨向與如圖11所示集電極電流隨AGC電壓改變的變化率趨向相反。
因此，在上述方案中，由于來自第二參考電流源2的第二參考電流I2具有溫度依賴性，所以第一恒定電流I3在高溫時較大而在低溫時較小。另外，由于第一恒定電流I3的溫度依賴性對電壓V7的影響，則可以在各個溫度下保持電流合成電路8中晶體管Q13集電極電流I12的變化率不變。
由于電流源晶體管Q19的集電極電流I1等于晶體管Q13的集電極電流I2，所以電流源晶體管Q19集電極電流的變化率也可以在各個溫度下保持不變。
根據上述方案，a)由于第一參考電流源7具有溫度依賴性，則晶體管Q17和Q18的增益隨溫度的變化可以降至最小，因此，由原因之一而產生的問題可以得到解決；b)由于放大AGC電壓VAGC之微分放大電路5中的第一恒定電流I3因第二參考電流源2而具有溫度依賴性，則可以改善增益斜率的溫度特性，因此，由原因之二而產生的問題可以得到解決。
根據上述方案，可以產生如下優點。
c)如圖5所示，當電阻R10與由輸出晶體管Q16和電流源晶體管Q19組成之電流鏡像電路10中輸出晶體管Q18的發射極串聯相接時，如圖6所示，由于電阻R10的存在，晶體管Q19的集電極電流I1相對于與較大AGC電壓VAGC有關的點域而變大。因此，可以改善代表最大增益點附近增益斜率部分的線性。
d)如圖5所示，當電阻R11接于電流源晶體管Q19的集電極與地之間時，晶體管Q17和Q18中總有電流流過。因此，如圖6所示，可以改善關于小AGC電壓VAGC各點增益中代表最高增益點附近增益斜率部分的線性。
e)當第一參考電流源7中的電阻R6使用可變電阻之類的元件以改變第一參考電流I9時，相對于AGC電壓VAGC的增益可如圖7所示得到改變。因此，除可變放大電路以外任何電路(如手提電話接收單元中的低噪聲放大器、混頻器或帶通濾波器等)的增益與參考增益之間的差異可以被吸收。特別地，由于這種調整涉及直流電路，所以它將不會影響射頻信號的放大。
f)另外，由于微分放大電路2的前級中的衰減電阻R2和R3，可以任意改變并設定增益斜率。根據這一點，這種方案可適用于要求接收單元AGC特性與發射單元一致的CDMA型手提電話。
g)當適當設定包含構成電流鏡像電路之輸出晶體管Q16和電流源晶體管Q19的單元尺寸外，可任意設定射頻晶體管Q17和Q18的工作電流。當如圖1和2所示的可變放大電路11多級相連時，可方便地將失真情形設置成最佳狀態。
h)當衰減電路ATT與多級可變放大電路(IFAGC放大器)11如圖8所示相連，且來自第一參考電流源7的第一參考電流I9可通過電阻R6和R12及開關SW進行切換時，如果衰減電路ATT響應于第一參考電流I9的切換而切換，則可變放大電路由于第一參考電流I9切換而產生的增益變化可與由衰減電路ATT所獲得的衰減幅度相符。因此，可以改善電路的失真特性而不會影響整個電路的增益。可以得到抗干擾的接收機。另外，衰減電路ATT可以包含在接收機的輸入級之中。即便在這種情況下，也可獲得同樣的優點。
如上所述，根據本發明的AGC電壓校正電路，構成可變放大電路之一對晶體管和電流源晶體管的溫度依賴性可以由第一參考電流加以校正。另外，增益斜率可利用第二參考電流進行線性校正。這使得可變放大電路的放大效率不受溫度變化的影響。
權利要求
1.AGC電壓校正電路包括第一參考電流源，用于產生具有溫度依賴性的第一參考電流；第二參考電流源，用于產生具有溫度依賴性的第二參考電流；AGC電壓控制單元，工作于與第二參考電流成正比的電流下且輸出與所提供之AGC電壓相關的調整電流；AGC電壓發生器，用于輸出與第一參考電流和調整電流之和有關的校正AGC電壓。
2.根據權利要求1的AGC電壓校正電路，其中該AGC電壓發生器包含二極管連接輸出晶體管，且該輸出晶體管與恒定電流源晶體管相接，用于以電流鏡像電路形式向信號放大晶體管微分放大器提供恒定電流。
3.根據權利要求2的AGC電壓校正電路，其中該輸出晶體管的發射極通過電阻接地。
4.根據權利要求2的AGC電壓校正電路，其中在該恒定電流源晶體管的集電極與發射極之間接有電阻。
5.AGC電壓校正電路包括第二參考電流源，由一個或多個二極管連接晶體管及電阻串聯而構成，用于產生具有溫度依賴性的第二參考電流；微分放大級，其中AGC電壓施加于輸入端之一，而參考電壓施加于另一輸入端；第一恒定電流源，其中流有正比于第二參考電流的第一恒定電流，用以驅動該微分放大級；第二恒定電流源，其中流有正比于第二參考電流并等于該第一恒定電流一半的第二恒定電流；AGC電壓控制單元，用于輸出對應于該微分放大級輸出電流與該第二恒定電流之差的調整電流；AGC電壓發生器，用以產生基于該調整電流的校正AGC電壓。
6.根據權利要求5的AGC電壓校正電路，其中還包括第一參考電流源，由一個或多個二極管連接晶體管及電阻串聯而構成，用于產生具有溫度依賴性的第一參考電流；電流電壓變換級，用于產生與第一參考電流和調整電流之和成正比的校正AGC電壓。
7.根據權利要求5的AGC電壓校正電路，其中該第二參考電流源與該第一恒定電流源和第二恒定電流源之間以電流鏡像電路形式連接。
8.根據權利要求7的AGC電壓校正電路，其中在該電流源晶體管的集電極與發射極之間接有電阻。
9.根據權利要求5的AGC電壓校正電路，其中該第二參考電流源與該第一恒定電流源和第二恒定電流源之間以電流鏡像電路形式連接。
10.根據權利要求9的AGC電壓校正電路，其中在該電流源晶體管的集電極與發射極之間接有電阻。
11.根據權利要求5的AGC電壓校正電路，其中該AGC電壓發生器包括二極管連接輸出晶體管，且該輸出晶體管與恒定電流源晶體管相連，用于以電流鏡像電路形式向信號放大晶體管微分放大器提供恒定電流。
12.根據權利要求11的AGC電壓校正電路，其中該輸出晶體管的發射極通過電阻接地。
13.根據權利要求11的AGC電壓校正電路，其中該恒定電流源晶體管的集電極與發射極之間接有電阻。
全文摘要
本發明目的在于提供不受溫度變化影響的AGC電壓校正電路。由于構成第一參考電流源之晶體管的基射極電壓具有溫度依賴性,從而可減小放大晶體管增益隨溫度的變化。由于構成第二參考電流源的晶體管具有溫度依賴性,從而可對放大晶體管相對于溫度的增益斜率進行線性校正。
文檔編號H03F3/45GK1176529SQ9710421
公開日1998年3月18日 申請日期1997年4月23日 優先權日1996年4月23日
發明者五十嵐貞男, 青木一晴, 卜部悟 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社