本申請涉及智能檢測領域,且更為具體地,涉及一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝。
背景技術:
1、隨著電子產品朝著更小、更薄、更輕的方向發展,對電路板的設計和制造提出了更高的要求。超薄基板是實現電子設備輕薄化的關鍵技術之一,它不僅有助于減少設備的整體體積和重量,還能提高電子產品的集成度和性能。在超薄基板生產中通常采用鐳鉆(激光鉆孔)工藝來形成通孔,但由于基板厚度極薄,通常只有幾十微米,加上孔徑也越來越小,這種高密集的孔徑通常在幾十微米到幾百微米之間,這使得通孔位置很容易發生偏移。這種偏移會導致導通不良等嚴重的質量問題,不僅影響了產品的可靠性,還大大降低了生產良品率。因此,孔偏的識別對于確保產品質量和性能至關重要。
2、傳統的孔偏識別方法在超薄基板鐳鉆高密集通孔工藝中通常依賴于人工檢測或簡單的自動化機器視覺系統。然而,人工檢測容易受到操作者疲勞、注意力不集中等因素的影響,這會導致檢測結果的一致性和準確性下降,并且也無法滿足現代高密度電路板制造對速度和精度的雙重需求。此外,傳統的機器視覺系統在超薄基板鐳鉆高密集通孔工藝中可能缺乏足夠的分辨率和算法支持,難以準確識別微小的孔偏。也就是,這類系統通常依賴于普通的光學成像設備,其分辨率有限,不足以捕捉超薄基板上微小孔徑的細節,特別是在孔間距極小的情況下,從而導致檢測結果不夠準確。
3、因此,期望一種優化的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝。
技術實現思路
1、本申請針對現有技術中的缺點,提供了一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝。
2、根據本申請的一個方面,提供了一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其包括:
3、提供超薄基板材料;
4、對所述超薄基板材料進行表面清潔以得到清潔后的超薄基板材料;
5、將所述清潔后的超薄基板材料固定在加工臺上,并使用視覺系統對所述清潔后的超薄基板材料進行精確定位;
6、采用高精度激光設備對所述清潔后的超薄基板材料進行激光鉆孔以得到鉆孔后的超薄基板材料;
7、使用光學檢測設備對所述鉆孔后的超薄基板材料進行孔偏識別以得到孔偏識別結果,所述孔偏識別結果用于表示是否存在孔偏。
8、結合本申請的第一方面,在本申請第一方面的一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝中,使用光學檢測設備對所述鉆孔后的超薄基板材料進行孔偏識別以得到孔偏識別結果,所述孔偏識別結果用于表示是否存在孔偏,包括:獲取由所述光學檢測設備采集的所述鉆孔后的超薄基板材料的鉆孔分布檢測圖像;從數據庫提取鉆孔分布設計圖像;將所述鉆孔分布檢測圖像和所述鉆孔分布設計圖像輸入鉆孔分布特征提取器以得到鉆孔分布檢測特征圖和鉆孔分布設計特征圖;將所述鉆孔分布檢測特征圖和所述鉆孔分布設計特征圖輸入基于網格能量顯著性引導的特征門控增強模塊以得到網格粒度鉆孔分布檢測增強特征圖和網格粒度鉆孔分布設計增強特征圖;計算所述網格粒度鉆孔分布檢測增強特征圖和所述網格粒度鉆孔分布設計增強特征圖之間的鉆孔分布差分特征圖;基于所述鉆孔分布差分特征圖,得到所述孔偏識別結果。
9、本申請由于采用了以上的技術方案,具有顯著的技術效果:
10、本申請提供的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其采用基于計算機視覺的圖像識別和處理技術來進行鉆孔分布檢測圖像和鉆孔分布設計圖像的鉆孔分布特征提取和網格顯著特征增強,以此根據所述鉆孔分布檢測圖像和所述鉆孔分布設計圖像增強后的特征之間的鉆孔分布差分來智能地得到孔偏識別結果。這樣,能夠捕捉到更細小的孔徑細節,提高了高密集通孔孔偏識別的準確性和精度,并且減少了人為因素的影響,確保了檢測的一致性和可靠性,使得識別過程更加自動化和高效。
1.一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,使用光學檢測設備對所述鉆孔后的超薄基板材料進行孔偏識別以得到孔偏識別結果,所述孔偏識別結果用于表示是否存在孔偏,包括:
3.根據權利要求2所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,將所述鉆孔分布檢測圖像和所述鉆孔分布設計圖像輸入鉆孔分布特征提取器以得到鉆孔分布檢測特征圖和鉆孔分布設計特征圖,包括:將所述鉆孔分布檢測圖像和所述鉆孔分布設計圖像輸入基于深度神經網絡模型的鉆孔分布特征提取器以得到所述鉆孔分布檢測特征圖和所述鉆孔分布設計特征圖。
4.根據權利要求3所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,所述基于深度神經網絡模型的鉆孔分布特征提取器為基于空洞卷積神經網絡模型的鉆孔分布特征提取器。
5.根據權利要求4所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,將所述鉆孔分布檢測特征圖和所述鉆孔分布設計特征圖輸入基于網格能量顯著性引導的特征門控增強模塊以得到網格粒度鉆孔分布檢測增強特征圖和網格粒度鉆孔分布設計增強特征圖,包括:
6.根據權利要求5所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,計算所述鉆孔分布檢測局部特征圖的集合中的各個鉆孔分布檢測局部特征圖的能量顯著性描述因子以得到鉆孔分布檢測局部能量顯著性描述因子的集合,包括:
7.根據權利要求6所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,將所述鉆孔分布檢測局部能量顯著性描述因子的集合輸入基于門控函數的局部特征自適應選擇器以得到鉆孔分布檢測局部顯著調制權重的集合,包括:
8.根據權利要求7所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,對所述鉆孔分布檢測局部能量顯著性描述因子的集合進行歸一化處理以得到歸一化鉆孔分布檢測局部能量顯著性描述因子的集合,包括:
9.根據權利要求8所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,計算所述網格粒度鉆孔分布檢測增強特征圖和所述網格粒度鉆孔分布設計增強特征圖之間的鉆孔分布差分特征圖,包括:計算所述網格粒度鉆孔分布檢測增強特征圖和所述網格粒度鉆孔分布設計增強特征圖之間的按位置差分以得到所述鉆孔分布差分特征圖。
10.根據權利要求9所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,基于所述鉆孔分布差分特征圖,得到所述孔偏識別結果,包括:將所述鉆孔分布差分特征圖輸入基于分類器的孔偏識別器以得到所述孔偏識別結果。