膜層結構、膜層結構的制備方法和顯示基板與流程

本申請涉及半導體，并且更具體地，涉及膜層結構、膜層結構的制備方法和顯示基板。

背景技術：

1、現階段，在以有機發光二極管(organic?light-emitting?diode，oled)作為發光器件的顯示基板中，oled多采用頂發射結構，在該頂發射結構中，oled陽極的膜層結構為氧化銦錫(indium?tin?oxide，ito)層、銀(ag)層和ito層依次堆疊的復合結構。

2、但是，在上述膜層結構的制備過程中，需要進行ito晶化處理，該處理通常會造成膜層結構中的ito層出現一些孔洞，或稱針孔(pin?hole)。由于ito層孔洞的存在，會使oled陽極的膜層結構外部的雜質進入到膜層結構內部，與ag層發生反應，使得陽極發生異常，最終導致顯示器的畫面存在暗點。

技術實現思路

1、本申請提供一種膜層結構、膜層結構的制備方法和顯示基板，能夠進一步降低膜層結構內部或者外部的雜質通過ito層的針孔接觸到金屬層的概率，以進一步增加ito層對金屬層的保護能力，以避免應用該膜層結構的顯示器畫面存在暗點。

2、第一方面，提供了一種膜層結構，該膜層結構包括：平坦(planarization?layer，pln)層；第一ito層，第一ito層位于pln層之上，第一ito層包括n層第一ito子層，n層第一ito子層的膜質互不相同，n大于1；金屬層，金屬層位于第一ito層之上；第二ito層，第二ito層位于金屬層之上，第二ito層包括m層第二ito子層，m層第二ito子層的膜質互不相同，m大于1。

3、結合第一方面，在第一方面的某些實現方式中，第一ito層還包括：第一阻隔層，第一阻隔層位于兩層第一ito子層之間，或者位于n層第一ito子層之上，或者位于n層第一ito子層之下；和/或，第二ito層還包括：第二阻隔層，第二阻隔層位于兩層第二ito子層之間，或者位于m層第二ito子層之上，或者位于m層第二ito子層之下。

4、結合第一方面，在第一方面的某些實現方式中，金屬層的材料為ag，第一阻隔層和/或第二阻隔層的材料為ag、鉬(mo)或者鋁(al)，第一阻隔層和第二阻隔層的厚度小于或者等于10nm。

5、結合第一方面，在第一方面的某些實現方式中，上述n等于2，上述m等于2，第一ito子層和第二ito子層的厚度在[1nm,4.5nm]內。

6、第二方面，提供了一種膜層結構的制備方法，該方法包括：沉積pln層；在pln之上沉積第一ito層，第一ito層包括n層第一ito子層，n層第一ito子層的膜質互不相同，n大于1；在第一ito層之上沉積金屬層；在金屬層之上沉積第二ito層，第二ito層包括m層第二ito子層，m層第二ito子層的膜質互不相同，m大于1。

7、結合第二方面，在第二方面的某些實現方式中，在pln層之上至少沉積n層第一ito子層，n層第一ito子層對應的工藝參數互不相同；在金屬層之上至少沉積m層第二ito子層，m層第二ito子層對應的工藝參數互不相同。

8、結合第二方面，在第二方面的某些實現方式中，在pln層之上沉積第一阻隔層，或者在第n-i層第一ito子層之上沉積第一阻隔層，i大于或者等于0且小于n；和/或，在金屬層之上沉積第二阻隔層，或者在第m-j層第二ito子層之上沉積第二阻隔層，j大于或者等于0且小于m。

9、結合第二方面，在第二方面的某些實現方式中，金屬層的材料為ag，第一阻隔層或第二阻隔層的材料為ag、mo或者al，第一阻隔層和第二阻隔層的厚度小于或者等于10nm。

10、結合第二方面，在第二方面的某些實現方式中，上述n等于2，上述m等于2，第一ito子層和第二ito子層的厚度在[1nm,4.5nm]內。

11、結合第二方面，在第二方面的某些實現方式中，在完成在金屬層之上沉積第二ito層的操作時，得到第一膜層結構，在第一膜層結構之上涂覆光刻膠；對第一膜層結構進行刻蝕；去除殘留在第一膜層結構之上的光刻膠；對第一膜層結構進行ito晶化處理，得到第二膜層結構。

12、第三方面，提供了一種顯示基板，包括發光器件，該發光器件包括上述第一方面的膜層結構設計中任意一種可能的實現方式中的膜層結構。

13、結合第三方面，在第三方面的某些實現方式中，發光器件為oled。

14、第四方面，提供了一種膜層結構的制備裝置，包括處理器和存儲器，其中，處理器和存儲器相連，其中，存儲器用于存儲程序代碼，處理器用于調用程序代碼，以執行上述第二方面的方法設計中任意一種可能的實現方式中的方法。

15、第五方面，提供了一種計算機可讀存儲介質，存儲有計算機程序，該計算機程序被處理器執行以實現上述第二方面的方法設計中任意一種可能的實現方式中的方法。

16、第六方面，提供了一種計算機程序產品，包括指令，當該指令被處理器運行時，使得計算機執行上述第二方面的方法設計中任意一種可能的實現方式中的方法。

技術特征：

1.一種膜層結構，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的膜層結構，其特征在于，所述第一ito層(320)還包括：第一阻隔層(322)，所述第一阻隔層(322)位于兩層所述第一ito子層(321)之間，或者位于所述n層第一ito子層(321)之上，或者位于所述n層第一ito子層(321)之下；和/或，

3.根據權利要求2所述的膜層結構，其特征在于，所述金屬層(330)的材料為銀ag，所述第一阻隔層(322)和/或所述第二阻隔層(342)的材料為ag、鉬mo或者鋁al，所述第一阻隔層(322)和所述第二阻隔層(342)的厚度小于或者等于10nm。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的膜層結構，其特征在于，所述n等于2，所述m等于2，所述第一ito子層(321)和所述第二ito子層(341)的厚度在[1nm,4.5nm]內。

5.一種膜層結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述pln之上沉積第一ito層包括：在所述pln層之上至少沉積所述n層第一ito子層，所述n層第一ito子層對應的工藝參數互不相同；

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述pln層之上至少沉積所述n層第一ito子層包括：在所述pln層之上沉積第一阻隔層，或者在第(n-i)層所述第一ito子層之上沉積所述第一阻隔層，所述i大于或者等于0且小于所述n；和/或，

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬層的材料為銀ag，所述第一阻隔層或所述第二阻隔層的材料為ag、鉬mo或者鋁al，所述第一阻隔層和所述第二阻隔層的厚度小于或者等于10nm。

9.根據權利要求5至8中任一項所述的方法，其特征在于，所述n等于2，所述m等于2，所述第一ito子層和所述第二ito子層的厚度在[1nm,4.5nm]內。

10.根據權利要求5至9中任一項所述的方法，其特征在于，在完成所述在所述金屬層之上沉積第二ito層的操作時，得到第一膜層結構，所述方法還包括：

11.一種顯示基板，其特征在于，包括發光器件，所述發光器件包括如權利要求1至4中任一項所述的膜層結構。

12.根據權利要求11所述的顯示基板，其特征在于，所述發光器件為有機發光二極管oled。

13.一種膜層結構的制備裝置，其特征在于，包括處理器和存儲器，其中，所述處理器和存儲器相連，其中，所述存儲器用于存儲程序代碼，所述處理器用于調用所述程序代碼，以執行如權利要求5至10中任一項所述的方法。

技術總結
本申請提供了膜層結構、膜層結構的制備方法和顯示基板，涉及半導體技術領域，該膜層結構包括：PLN層；第一ITO層，第一ITO層位于PLN層之上，第一ITO層包括N層第一ITO子層，N層第一ITO子層的膜質互不相同，N大于1；金屬層，金屬層位于第一ITO層之上；第二ITO層，第二ITO層位于金屬層之上，第二ITO層包括M層第二ITO子層，M層第二ITO子層的膜質互不相同，M大于1。基于該方案，能夠進一步降低膜層結構內部或者外部的雜質通過ITO層的針孔接觸到金屬層的概率，以進一步增加ITO層對金屬層的保護能力，以避免應用該膜層結構的顯示器畫面存在暗點。

技術研發人員：張健,魏小丹,姜偉,胥立
受保護的技術使用者：京東方科技集團股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/12/23