一種鈣鈦礦四端疊層組件及制備方法與流程

本發(fā)明涉及新能源，尤其涉及一種鈣鈦礦四端疊層組件的制備方法，以及一種鈣鈦礦四端疊層組件。

背景技術(shù)：

1、鈣鈦礦太陽能電池，采用具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的有機(jī)無機(jī)雜化的金屬鹵化物作為吸光層，其中，單結(jié)鈣鈦礦電池理論最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)31％，而多結(jié)電池理論效率可以達(dá)到45％。除此之外，相較于晶硅電池及第二代gaas薄膜太陽能電池的工藝，鈣鈦礦實(shí)現(xiàn)相同產(chǎn)能需要的投資較小且前驅(qū)液的配制不涉及任何復(fù)雜工藝。

2、早期四端組件的封裝結(jié)構(gòu)中，組件內(nèi)部鈣鈦礦與晶硅中間用膠膜作為絕緣材料。由于膠膜的耐溫只有80℃～90℃，因此通常在結(jié)構(gòu)中增加一層膠膜和絕緣層，用于提升膠膜的耐溫性能。然而，該結(jié)構(gòu)的制備工序中，整體需要鋪設(shè)三層膠膜及一層絕緣層，不但鋪設(shè)難度大，生產(chǎn)流程復(fù)雜，而且極易造成尺寸偏差，在封裝所用的丁基膠與其相鄰結(jié)構(gòu)之間形成氣泡，導(dǎo)致產(chǎn)品不良率普遍較高。

3、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本領(lǐng)域亟需一種鈣鈦礦四端疊層組件技術(shù)，用于降低絕緣膜和膠膜的鋪設(shè)難度，從而降低生產(chǎn)復(fù)雜性及產(chǎn)品不良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以下給出一個(gè)或多個(gè)方面的簡要概述以提供對(duì)這些方面的基本理解。此概述不是所有構(gòu)想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認(rèn)出所有方面的關(guān)鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個(gè)或多個(gè)方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細(xì)的描述之前序。

2、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本發(fā)明提供一種鈣鈦礦四端疊層組件的制備方法，以及一種鈣鈦礦四端疊層組件，用于降低絕緣膜和膠膜的鋪設(shè)難度，從而降低生產(chǎn)復(fù)雜性及產(chǎn)品不良率。

3、具體來說，根據(jù)本發(fā)明第一方面提供的鈣鈦礦四端疊層組件的制備方法包括以下步驟：準(zhǔn)備帶有鈣鈦礦發(fā)電層的基底，其中，所述鈣鈦礦發(fā)電層的兩端分別設(shè)有電極結(jié)構(gòu)；將穿有多個(gè)第一電極匯流條的復(fù)合絕緣膠膜層的第一表面鋪設(shè)到所述鈣鈦礦發(fā)電層，并將各所述第一電極匯流條分別連接到對(duì)應(yīng)的電極結(jié)構(gòu)，其中，所述復(fù)合絕緣膠膜層中集成有絕緣層，以及分別附著于所述絕緣層的兩個(gè)表面的膠膜層；以及將晶硅電池層鋪設(shè)到所述復(fù)合絕緣膠膜層的第二表面。

4、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基底選用fto玻璃，所述準(zhǔn)備帶有鈣鈦礦發(fā)電層的基底的步驟包括：準(zhǔn)備fto玻璃基底；在所述fto玻璃基底的第一表面，沉積所述鈣鈦礦發(fā)電層；以及在所述鈣鈦礦發(fā)電層的兩端，分別設(shè)置電極結(jié)構(gòu)。

5、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述絕緣層選自透明pet、透明聚烯烴類材料、透明聚酯類材料、透明烯烴共聚物類材料、透明氟樹脂類材料、透明聚酰胺類材料中的至少一者，所述膠膜層選用poe材料。

6、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述絕緣層選用透明pet，集成所述復(fù)合絕緣膠膜層的步驟包括：準(zhǔn)備所述絕緣層；將透明涂層涂覆于所述絕緣層的第一表面和第二表面，其中，所述透明涂層選自氟碳類材料、丙烯酸類材料、環(huán)氧類材料、聚酯類材料中的至少一者；將所述poe材料分別涂覆于所述絕緣層的各所述表面的透明涂層，以分別在各所述透明涂層上形成對(duì)應(yīng)的膠膜層；以及將所述多個(gè)第一電極匯流條分別穿過所述復(fù)合絕緣膠膜層上對(duì)應(yīng)各所述電極結(jié)構(gòu)的目標(biāo)位置。

7、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述將透明涂層涂覆于所述絕緣層的第一表面和第二表面的步驟包括：對(duì)放卷的絕緣層的第一表面實(shí)施第一涂覆工藝，以在所述第一表面涂覆透明涂層材料；對(duì)涂覆所述透明涂層材料的第一表面實(shí)施第一烘烤工藝，以在所述第一表面生成第一透明涂層；對(duì)所述放卷的絕緣層的第二表面實(shí)施第二涂覆工藝，以在所述第二表面涂覆所述透明涂層材料；對(duì)涂覆所述透明涂層材料的第二表面實(shí)施第二烘烤工藝，以在所述第二表面生成第二透明涂層；以及收卷帶有所述第一透明涂層及所述第二透明涂層的絕緣層。

8、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述將所述poe材料分別涂覆于所述絕緣層的各所述表面的透明涂層，以分別在各所述透明涂層上形成對(duì)應(yīng)的膠膜層的步驟包括：對(duì)放卷的絕緣層的第一表面的第一透明涂層實(shí)施第一淋膜工藝，并對(duì)所述絕緣層的第二表面的第二透明涂層實(shí)施第二淋膜工藝，以將所述poe材料分別涂覆到第一透明涂層及所述第二透明涂層的表面，并在其上形成對(duì)應(yīng)的膠膜層；以及收卷第一表面及第二表面分別帶有所述膠膜層的復(fù)合絕緣膠膜。

9、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第一烘烤工藝和/或所述第二烘烤工藝的烘烤溫度為50℃～300℃，烘烤時(shí)間為1min～60min，所述第一淋膜工藝和/或所述第二淋膜工藝的膠膜擠出過程的螺桿溫度為50℃～80℃，模頭溫度為90℃～110℃。

10、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述絕緣層的厚度為30μm～200μm，所述透明涂層的厚度為1μm～20μm，所述膠膜層的面密度為100g/m2～250g/m2。

11、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述將晶硅電池層鋪設(shè)到所述復(fù)合絕緣膠膜層的第二表面的步驟包括：將所述晶硅電池層的第一表面，鋪設(shè)于所述復(fù)合絕緣膠膜層的第二表面；將穿有多個(gè)第二電極匯流條的第二膠膜的第一表面，鋪設(shè)于所述晶硅電池層的第二表面，并將所述多個(gè)第二電極匯流條分別連接到對(duì)應(yīng)的第一電極匯流條；以及將鋼化玻璃粘貼到所述第二膠膜的第二表面。

12、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在將所述晶硅電池層鋪設(shè)到所述復(fù)合絕緣膠膜層的第二表面之后，所述制備方法還包括以下步驟：對(duì)逐層鋪設(shè)的所述鈣鈦礦四端疊層組件進(jìn)行層壓；對(duì)層壓后的所述鈣鈦礦四端疊層組件進(jìn)行修邊及邊框安裝；以及將接線盒安裝于設(shè)有邊框的所述鈣鈦礦四端疊層組件，并對(duì)其進(jìn)行流水線傳輸、固化以及組件清洗。

13、此外，根據(jù)本發(fā)明第二方面提供的所述鈣鈦礦四端疊層組件是由如本發(fā)明第一方面中任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦四端疊層組件的制備方法所制備。

技術(shù)特征：

1.一種鈣鈦礦四端疊層組件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述基底選用fto玻璃，所述準(zhǔn)備帶有鈣鈦礦發(fā)電層的基底的步驟包括：

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層選自透明pet、透明聚烯烴類材料、透明聚酯類材料、透明烯烴共聚物類材料、透明氟樹脂類材料、透明聚酰胺類材料中的至少一者，所述膠膜層選用poe材料。

4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層選用透明pet，集成所述復(fù)合絕緣膠膜層的步驟包括：

5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述將透明涂層涂覆于所述絕緣層的第一表面和第二表面的步驟包括：

6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述將所述poe材料分別涂覆于所述絕緣層的各所述表面的透明涂層，以分別在各所述透明涂層上形成對(duì)應(yīng)的膠膜層的步驟包括：

7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一烘烤工藝和/或所述第二烘烤工藝的烘烤溫度為50℃～300℃，烘烤時(shí)間為1min～60min，所述第一淋膜工藝和/或所述第二淋膜工藝的膠膜擠出過程的螺桿溫度為50℃～80℃，模頭溫度為90℃～110℃。

8.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為30μm～200μm，所述透明涂層的厚度為1μm～20μm，所述膠膜層的面密度為100g/m2～250g/m2。

9.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述將晶硅電池層鋪設(shè)到所述復(fù)合絕緣膠膜層的第二表面的步驟包括：

10.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在將所述晶硅電池層鋪設(shè)到所述復(fù)合絕緣膠膜層的第二表面之后，所述制備方法還包括以下步驟：

11.一種鈣鈦礦四端疊層組件，其特征在于，所述鈣鈦礦四端疊層組件是由如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦四端疊層組件的制備方法所制備。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦四端疊層組件及制備方法。所述鈣鈦礦四端疊層組件的制備方法包括以下步驟：準(zhǔn)備帶有鈣鈦礦發(fā)電層的基底，其中，所述鈣鈦礦發(fā)電層的兩端分別設(shè)有電極結(jié)構(gòu)；將穿有多個(gè)第一電極匯流條的復(fù)合絕緣膠膜層的第一表面鋪設(shè)到所述鈣鈦礦發(fā)電層，并將各所述第一電極匯流條分別連接到對(duì)應(yīng)的電極結(jié)構(gòu)，其中，所述復(fù)合絕緣膠膜層中集成有絕緣層，以及分別附著于所述絕緣層的兩個(gè)表面的膠膜層；以及將晶硅電池層鋪設(shè)到所述復(fù)合絕緣膠膜層的第二表面。

技術(shù)研發(fā)人員：崔標(biāo),張春風(fēng),陳蘭芬,徐業(yè),張學(xué)玲,陳奕峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/14