本發明涉及一種電路板結構的鉆孔方法,特別是涉及一種高精度的電路板結構的鉆孔方法。
背景技術:
1、現有的電路板結構的鉆孔方法中,是先于電路基板形成通孔后,再對電路基板形成有該通孔的位置進行鉆孔以形成機鉆孔。然而,如此的做法會使得機鉆孔的孔徑遠大于通孔的孔徑,從而導致電路板結構有精準度不夠高的問題。如此一來,在進行鉆孔以形成機鉆孔時需要于電路基板上保留更大的安全距離,從而導致后續形成的電路板結構的整體面積過大。
2、故,如何改良現有的電路板結構的鉆孔方法,來克服上述的缺陷,已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
技術實現思路
1、本發明所要解決的技術問題在于,針對現有技術的不足提供一種電路板結構的鉆孔方法,以有效改善現有的電路板結構的鉆孔方法有精準度不夠高的問題。
2、為了解決上述的技術問題,本發明所采用的其中一技術方案是提供一種一種電路板結構的鉆孔方法,其包括:一前置步驟,提供一電路基板,其包含彼此相反的一第一表面及一第二表面;一第一鉆孔步驟,對所述電路基板進行鉆孔以形成貫穿所述電路基板的一通孔,并且所述通孔具有一第一孔徑;一第二鉆孔步驟,于所述第一表面形成有所述通孔的位置進行鉆孔,以形成連通于所述通孔的一對位孔,并且所述通孔的所述第一孔徑小于所述對位孔的一第二孔徑;一電鍍步驟,對所述電路基板進行電鍍,以于所述通孔及所述對位孔中形成一電鍍層;一樹脂填充步驟,于所述電鍍層的內側填充一樹脂材料以形成一樹脂結構;以及一第三鉆孔步驟,于所述第二表面形成有所述通孔的位置進行鉆孔以移除所述通孔中部分的所述電鍍層及部分的所述樹脂結構,從而于所述電路基板的所述第二表面形成一盲孔結構且形成一電路板結構。
3、優選地,所述通孔的所述第一孔徑介于0.15毫米至0.25毫米之間。
4、優選地,所述對位孔的所述第二孔徑與所述通孔的所述第一孔徑之間的差值的絕對值介于0.025毫米至0.075毫米之間。
5、優選地,所述對位孔包含有一恒定段及連接于所述恒定段的一漸縮段,并且所述恒定段是開設于所述電路基板的所述第一表面;其中,所述漸縮段的孔徑沿所述第一表面向所述第二表面的方向漸縮且所述恒定段的孔徑沿所述第一表面向所述第二表面的方向無變化。
6、優選地,所述電鍍層的一鍍層厚度介于700微米至1,100微米之間。
7、優選地,所述電鍍層包含形成于所述通孔的一電鍍瓶頸部及形成于所述對位孔的一電鍍瓶身部,并且所述樹脂結構包含形成于所述通孔的一樹脂瓶頸部及形成于所述對位孔的一樹脂瓶身部。
8、優選地,于所述第三鉆孔步驟中,移除部分的所述電鍍瓶頸部及部分的所述樹脂瓶身部。
9、優選地,所述盲孔結構包含一側部及一底部,所述電路基板的所述通孔的孔壁定義為所述盲孔結構的所述側部,并且所述盲孔結構的所述底部包含一環電鍍區及位于所述環電鍍區內側一中心樹脂區。
10、優選地,于所述第三鉆孔步驟后,所述電鍍層的頂部及所述樹脂結構的頂部分別形成為所述盲孔結構的所述底部的所述環電鍍區及所述中心樹脂區。
11、優選地,所述盲孔結構的深度從所述環電鍍區向所述底部的中心逐漸增加。
12、本發明的其中一有益效果在于,本發明所提供的電路板結構的鉆孔方法,其能通過“第二鉆孔步驟,于所述第一表面形成有所述通孔的位置進行鉆孔,以形成連通于所述通孔的一對位孔,并且所述通孔的所述第一孔徑小于所述對位孔的一第二孔徑”以及“第三鉆孔步驟,于所述第二表面形成有所述通孔的位置進行鉆孔以移除所述通孔中部分的所述電鍍層及部分的所述樹脂結構,從而于所述電路基板的所述第二表面形成一盲孔結構且形成一電路板結構”的技術方案,以有效改善現有的電路板結構的鉆孔方法有精準度不夠高的問題。
13、為使能更進一步了解本發明的特征及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用于提供參考與說明,并非用來對本發明加以限制。
1.一種電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,所述電路板結構的鉆孔方法包括:
2.根據權利要求1所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,所述通孔的所述第一孔徑介于0.15毫米至0.25毫米之間。
3.根據權利要求1所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,所述對位孔的所述第二孔徑與所述通孔的所述第一孔徑之間的差值的絕對值介于0.025毫米至0.075毫米之間。
4.根據權利要求1所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,所述對位孔包含有一恒定段及連接于所述恒定段的一漸縮段,并且所述恒定段是開設于所述電路基板的所述第一表面;其中,所述漸縮段的孔徑沿所述第一表面向所述第二表面的方向漸縮且所述恒定段的孔徑沿所述第一表面向所述第二表面的方向無變化。
5.根據權利要求1所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,所述電鍍層的一鍍層厚度介于700微米至1,100微米之間。
6.根據權利要求1所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,所述電鍍層包含形成于所述通孔的一電鍍瓶頸部及形成于所述對位孔的一電鍍瓶身部,并且所述樹脂結構包含形成于所述通孔的一樹脂瓶頸部及形成于所述對位孔的一樹脂瓶身部。
7.根據權利要求6所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,于所述第三鉆孔步驟中,移除部分的所述電鍍瓶頸部及部分的所述樹脂瓶身部。
8.根據權利要求1所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,所述盲孔結構包含一側部及一底部,所述電路基板的所述通孔的孔壁定義為所述盲孔結構的所述側部,并且所述盲孔結構的所述底部包含一環電鍍區及位于所述環電鍍區內側一中心樹脂區。
9.根據權利要求8所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,于所述第三鉆孔步驟后,所述電鍍層的頂部及所述樹脂結構的頂部分別形成為所述盲孔結構的所述底部的所述環電鍍區及所述中心樹脂區。
10.根據權利要求8所述的電路板結構的鉆孔方法,其特征在于,所述盲孔結構的深度從所述環電鍍區向所述底部的中心逐漸增加。