本公開涉及半導體裝置、半導體裝置的制造方法以及包括半導體裝置的電子系統。
背景技術:
1、在實現數據存儲的電子系統中,高容量數據可存儲在半導體裝置中。因此,正在研究增加半導體裝置的數據存儲容量的方法。例如,作為用于增加半導體裝置的數據存儲容量的方法之一,已提出包括三維地布置的存儲器單元而非二維地布置的存儲器單元的半導體裝置。
技術實現思路
1、根據實施例的半導體裝置包括電路區和接合到電路區的單元區。單元區可包括襯底、基底存儲器部和接合存儲器部。這里,基底存儲器部包括:位于襯底上并且具有面對襯底的一個表面和與所述一個表面相對的另一表面的第一柵極堆疊結構、穿透第一柵極堆疊結構的第一溝道結構、以及位于第一柵極堆疊結構的另一表面上并且連接到第一溝道結構的基底接合焊盤。接合存儲器部包括:具有接合到基底存儲器部的第一表面和接合到電路區的第二表面的第二柵極堆疊結構、穿透第二柵極堆疊結構的第二溝道結構、在第一表面中連接到第二溝道結構并接合到基底接合焊盤的第一接合焊盤、以及在第二表面中連接到第二溝道結構并接合到電路區的第二接合焊盤。
2、根據實施例的半導體裝置的制造方法包括:形成存儲器襯底、形成單元區、以及將單元區接合到電路區。在形成存儲器襯底的步驟中,通過在襯底上形成基底存儲器部來制造基底存儲器襯底,并且通過在載體襯底上形成接合存儲器部來制造接合存儲器襯底。在形成單元區的步驟中,將接合存儲器襯底的接合存儲器部的第一表面接合到基底存儲器襯底的基底存儲器部,并去除載體襯底。在將單元區接合到電路區的步驟中,將單元區的接合存儲器部的第二表面接合到電路區。
3、根據實施例的電子系統包括主襯底、主襯底上的半導體裝置以及與主襯底上的半導體裝置電連接的控制器。
1.一種半導體裝置,包括:
2.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
3.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
4.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
5.如權利要求1所述的半導體裝置,其中,所述基底接合焊盤、所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤中的一個的至少一部分由位線形成。
6.如權利要求5所述的半導體裝置,其中,所述基底接合焊盤、所述第一接合焊盤、所述第二接合焊盤或所述位線包括銅。
7.如權利要求1所述的半導體裝置,其中,所述基底存儲器部和所述接合存儲器部中的每一個包括柵極感應漏極泄漏晶體管。
8.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
9.如權利要求8所述的半導體裝置,其中:
10.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
11.如權利要求1所述的半導體裝置,其中,所述接合存儲器部的結構沿豎直方向相對于所述基底存儲器部的結構被反轉。
12.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
13.如權利要求1所述的半導體裝置,其中,所述第一柵極堆疊結構與所述第二柵極堆疊結構中的至少一個包括多個堆疊結構。
14.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
15.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
16.如權利要求1所述的半導體裝置,其中:
17.一種半導體裝置的制造方法,所述方法包括:
18.如權利要求17所述的半導體裝置的制造方法,其中:
19.如權利要求17所述的半導體裝置的制造方法,其中,形成所述單元區包括將一個或多個接合存儲器部接合到所述基底存儲器部上。
20.一種電子系統,包括: