一種高抗擾性的自舉驅動電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高抗擾性的自舉驅動電路，包括晶體管驅動芯片U1、第一晶體三極管Q1和第二晶體三極管Q2，所述U1的輸出端H0通過驅動電阻R1和Q1的基極相連，所述U1的輸出端L0通過驅動電阻R3和Q2的基極相連，所述Q1的集電極通過電感LD1和電壓信號Vbus相連，發射極通過電感LS1、電感LD2和Q2的集電極相連，所述Q2的發射極通過電感LS2接地，其中，所述晶體管驅動芯片U1的箝位電壓輸出端Vs通過分壓電阻R2連接在電感LS1和電感LD2之間，所述U1的接地端COM和Vs端之間設有二極管D1，并通過限流電阻R4接地。本實用新型能夠很好地解決Vs端負壓造成芯片損壞及驅動器故障。
【專利說明】一種高抗擾性的自舉驅動電路
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種驅動電路，尤其涉及一種高抗擾性的自舉驅動電路。
【背景技術】
[0002]目前，在伺服的應用上為了節省成本，IGBT/M0SFET通常采用自舉驅動方式，如圖1所示。由于電感LD1，LD2，LS1和LS2上存在分布參數，在Ql關斷的瞬間，在Vs上會瞬間產生負壓，負壓大小跟負載電流和分布參數有關系。現有驅動芯片廠商生產的芯片對這個Vs 一般只有-4V左右，IGBT/M0SFET浮動驅動產生的負壓很容易導致驅動芯片壞掉。
實用新型內容
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種高抗擾性的自舉驅動電路，能夠很好地解決Vs端的負壓造成芯片損壞及驅動器故障，保證可靠驅動，大大提高產品可靠性。
[0004]本實用新型為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種高抗擾性的自舉驅動電路，包括晶體管驅動芯片U1、第一晶體三極管Ql和第二晶體三極管Q2，所述晶體管驅動芯片Ul的高電壓輸出端HO通過驅動電阻Rl和第一晶體三極管Ql的基極相連，所述晶體管驅動芯片Ul的低電壓輸出端LO通過驅動電阻R3和第二晶體三極管Q2的基極相連，所述第一晶體三極管Ql的集電極通過電感LDl和電壓信號Vbus相連，發射極通過電感LS1、電感LD2和第二晶體三極管Q2的集電極相連，所述第二晶體三極管Q2的發射極通過電感LS2接地，其中，所述晶體管驅動芯片Ul的箝位電壓輸出端Vs通過分壓電阻R2連接在電感LSl和電感LD2之間，所述晶體管驅動芯片Ul的接地端COM和箝位電壓輸出端Vs之間設有快恢復或肖特基二極管Dl，所述晶體管驅動芯片Ul的接地端COM通過限流電阻R4接地。
[0005]上述的高抗擾性的自舉驅動電路，其中，所述晶體管驅動芯片Ul為IGBT或MOSFET驅動芯片。
[0006]上述的高抗擾性的自舉驅動電路，其中，所述驅動電阻Rl和驅動電阻R3的阻值為10歐姆。
[0007]上述的高抗擾性的自舉驅動電路，其中，所述分壓電阻R2的阻值范圍為I?5歐姆，所述限流電阻R4的阻值為I歐姆。
[0008]本實用新型對比現有技術有如下的有益效果:本實用新型提供的高抗擾性的自舉驅動電路，通過增加限流R4和分壓電阻R2，并設置快恢復或肖特基二極管Dl對Vs進行限壓，保證Vs對Com產生的負電位在一個二極管的管壓降之內，從而能夠很好地解決Vs端的負壓造成芯片損壞及驅動器故障，保證可靠驅動，大大提高產品可靠性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1為現有的晶體管驅動芯片的自舉驅動電路結構不意圖；
[0010]圖2為本實用新型高抗擾性的自舉驅動電路結構示意圖。
【具體實施方式】
[0011]下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的描述。
[0012]圖2為本實用新型高抗擾性的自舉驅動電路結構示意圖。
[0013]請參見圖2，本實用新型提供的高抗擾性的自舉驅動電路包括晶體管驅動芯片U1、第一晶體三極管Ql和第二晶體三極管Q2，所述晶體管驅動芯片Ul的高電壓輸出端HO通過驅動電阻Rl和第一晶體三極管Ql的基極相連，所述晶體管驅動芯片Ul的低電壓輸出端LO通過驅動電阻R3和第二晶體三極管Q2的基極相連，所述第一晶體三極管Ql的集電極通過電感LDl和電壓信號Vbus相連，發射極通過電感LS1、電感LD2和第二晶體三極管Q2的集電極相連，所述第二晶體三極管Q2的發射極通過電感LS2接地，其中，所述晶體管驅動芯片Ul的箝位電壓輸出端Vs通過分壓電阻R2連接在電感LSl和電感LD2之間，所述晶體管驅動芯片Ul的接地端COM和箝位電壓輸出端Vs之間設有快恢復或肖特基二極管Dl，所述晶體管驅動芯片Ul的接地端COM通過限流電阻R4接地。
[0014]本實用新型提供的高抗擾性的自舉驅動電路，其中，所述第一晶體三極管Ql和第二晶體三極管Q2可選用IPP60R125C6 ;所述晶體管驅動芯片Ul為IGBT或MOSFET驅動芯片，如IR2110。所述驅動電阻Rl和驅動電阻R3的阻值一般為10歐姆。所述分壓電阻R2的阻值范圍為I?5歐姆，優選為3歐姆，所述限流電阻R4的阻值為I歐姆。
[0015]綜上所述，本實用新型提供的高抗擾性的自舉驅動電路，通過增加限流R4和分壓電阻R2，并設置快恢復或肖特基二極管Dl對Vs進行限壓，保證Vs對Com產生的負電位在一個二極管的管壓降之內(一般在0.7V以內)，從而能夠很好地解決Vs端的負壓造成芯片損壞及驅動器故障，保證可靠驅動，大大提高產品可靠性。
[0016]雖然本實用新型已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本實用新型，任何本領域技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，當可作些許的修改和完善，因此本實用新型的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。
【權利要求】
1.一種高抗擾性的自舉驅動電路，包括晶體管驅動芯片U1、第一晶體三極管Ql和第二晶體三極管Q2，所述晶體管驅動芯片Ul的高電壓輸出端HO通過驅動電阻Rl和第一晶體三極管Ql的基極相連，所述晶體管驅動芯片Ul的低電壓輸出端LO通過驅動電阻R3和第二晶體三極管Q2的基極相連，所述第一晶體三極管Ql的集電極通過電感LDl和電壓信號Vbus相連，發射極通過電感LS1、電感LD2和第二晶體三極管Q2的集電極相連，所述第二晶體三極管Q2的發射極通過電感LS2接地，其特征在于，所述晶體管驅動芯片Ul的箝位電壓輸出端Vs通過分壓電阻R2連接在電感LSl和電感LD2之間，所述晶體管驅動芯片Ul的接地端COM和箝位電壓輸出端Vs之間設有快恢復或肖特基二極管D1，所述晶體管驅動芯片Ul的接地端COM通過限流電阻R4接地。
2.如權利要求1所述的高抗擾性的自舉驅動電路，其特征在于，所述晶體管驅動芯片Ul為IGBT或MOSFET驅動芯片。
3.如權利要求1所述的高抗擾性的自舉驅動電路，其特征在于，所述驅動電阻Rl和驅動電阻R3的阻值為10歐姆。
4.如權利要求1所述的高抗擾性的自舉驅動電路，其特征在于，所述分壓電阻R2的阻值范圍為I?5歐姆，所述限流電阻R4的阻值為I歐姆。
【文檔編號】H03K19/003GK204206150SQ201420599066
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年10月16日 優先權日:2014年10月16日
【發明者】鄒勇, 謝偉 申請人:上海坤地機電科技有限公司