一種ltcc內(nèi)埋置電容的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種LTCC內(nèi)埋置電容，包括相對(duì)設(shè)置的、均為圓柱形的第一電極和第二電極，第一電極的中心開(kāi)設(shè)有圓柱形的第一通孔，第二電極上開(kāi)設(shè)有第二通孔，與第一電極電互聯(lián)的第一電極引出端從第一通孔引出，與第二電極電互聯(lián)的第二電極引出端從第二通孔引出。本實(shí)用新型通過(guò)更改電容極板的幾何形狀，改變電極外引線的空間位置，引入對(duì)器件工作有益的寄生效應(yīng)。解決常規(guī)結(jié)構(gòu)內(nèi)埋置電容制作精度差，自諧振頻率低的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】—種LTCC內(nèi)埋置電容
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電容元件【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種LTCC內(nèi)埋置電容。
【背景技術(shù)】
[0002]介紹印制板功能
[0003]LTCC內(nèi)埋置電容和電感是LTCC微波電路系統(tǒng)模塊的基礎(chǔ)元件。現(xiàn)有的LTCC內(nèi)埋置電容，采用的電極形狀是矩形，電極外引線位于電極的任一側(cè)邊，通過(guò)導(dǎo)體和通孔構(gòu)建充、放電通路，兩個(gè)電極的分布方式是平行正對(duì)或平行交叉正對(duì)。
[0004]LTCC內(nèi)埋置電容工作于高頻時(shí)，要求電容有較高的精度和自諧振頻率。內(nèi)埋置電容較小30pF)時(shí)，常規(guī)結(jié)構(gòu)內(nèi)埋置電容的寄生效應(yīng)會(huì)對(duì)電容的精度和自諧振頻率產(chǎn)生很大的影響，使內(nèi)埋置電容在微波電路的使用受到很大的限制。而且常規(guī)結(jié)構(gòu)形式還存在電容的制作精度差，寄生效應(yīng)嚴(yán)重，自諧振頻率低的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種LTCC內(nèi)埋置電容，對(duì)常規(guī)內(nèi)埋置電容結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，克服常規(guī)內(nèi)埋置結(jié)構(gòu)電容存在的精度差，自諧振頻率低的問(wèn)題。
[0006]本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0007]—種LTCC內(nèi)埋置電容,包括相對(duì)設(shè)置的、均為圓柱形的第一電極和第二電極，第一電極的中心開(kāi)設(shè)有圓柱形的第一通孔，第二電極上開(kāi)設(shè)有第二通孔，與第一電極電互聯(lián)的第一電極引出端從第一通孔引出，與第二電極電互聯(lián)的第二電極引出端從第二通孔引出。
[0008]所述的第一電極、第二電極和第一通孔的剖面的圓心在垂直方向的投影重合。
[0009]所述的第一電極、第二電極的半徑一致，在垂直方向的投影重合。
[0010]所述的第二通孔也為圓柱形，第一通孔、第二通孔最近化放置，以產(chǎn)生寄生電容。
[0011]所述的第一電極、第二電極的半徑相等，其半徑在0.4mm?IOmm之間；第一通孔、第二通孔的半徑在0.05mm?0.3mm之間。
[0012]所述的第一通孔、第二通孔間距0.1謹(jǐn)?0.6謹(jǐn)設(shè)置。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益的技術(shù)效果:
[0014]本實(shí)用新型提供的LTCC內(nèi)埋置電容，通過(guò)更改電容極板的幾何形狀，改變電極外引線的空間位置，引入對(duì)器件工作有益的寄生效應(yīng)。解決常規(guī)結(jié)構(gòu)內(nèi)埋置電容制作精度差，自諧振頻率低的問(wèn)題:
[0015]將電極的形狀由矩形改為圓形，減短電極引出端到極板最遠(yuǎn)位置的充電路徑，減小電流充、放電的路徑和電阻，提高內(nèi)埋置電容的Q值；使用通孔取代外引線，通孔置于極板的中心，可以使通孔電流到電極外邊緣的距離最短，減小電容極板自身的寄生電感。
[0016]進(jìn)一步，電極引線由電極側(cè)邊連接的導(dǎo)體改為電極中心位置的通孔，消除了電極側(cè)邊外引線的寄生電容和寄生電感；將兩個(gè)電極的連接通孔最近化放置，產(chǎn)生寄生電容，抵消部分寄生電感。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型的俯視示意圖；
[0019]其中:1為第一電極；2為第二電極；3為第一通孔；4為第二通孔。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)描述，所述是對(duì)本實(shí)用新型的解釋而不是限定。
[0021]本實(shí)用新型針對(duì)常規(guī)結(jié)構(gòu)電容存在的精度差，自諧振頻率低的問(wèn)題，對(duì)常規(guī)電容結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，改進(jìn)的內(nèi)容主要有以下幾點(diǎn):
[0022](I)將電極的形狀由矩形改為圓形；
[0023]將電容電極由矩形改為圓形，減短電極引出端到極板最遠(yuǎn)位置的充電路徑，減小電流充、放電的路徑和電阻，提高內(nèi)埋置電容的Q值；同時(shí)減小電容極板自身的寄生電感，提聞電容的自諧振頻率；
[0024](2)使用通孔取代外引線，通孔置于極板的中心；
[0025]通過(guò)這樣的改進(jìn)能夠消除電容電極側(cè)邊到通孔的外引線，該結(jié)構(gòu)形式的外引線是內(nèi)埋置電容寄生電容和寄生電感的主要來(lái)源。通孔置于極板的中心，可以使通孔電流到電極外邊緣的距離最短，減小電容極板自身的寄生電感。
[0026]以及以下進(jìn)一步的改進(jìn):
[0027](3)兩個(gè)外引電極通孔最近化放置；
[0028]外引電極的尺寸確定后，其寄生效應(yīng)也就確定，兩個(gè)通孔最近化放置，可以增大兩個(gè)電極間的有效寄生電容，進(jìn)一步提聞自諧振頻率。
[0029]( 4 )增大通孔孔徑；
[0030]增大通孔孔徑，能夠減小通孔的寄生電感，同時(shí)增大通孔的寄生電容，可以減小通孔寄生效應(yīng)對(duì)于電容性能的影響。
[0031]參見(jiàn)圖1、圖2，本實(shí)用新型提供的一種LTCC內(nèi)埋置電容，包括相對(duì)設(shè)置的、均為圓柱形的第一電極I和第二電極2,第一電極I的中心開(kāi)設(shè)有圓柱形的第一通孔3,第二電極2上開(kāi)設(shè)有第二通孔4,與第一電極I電互聯(lián)的第一電極引出端從第一通孔引出3,與第二電極電2互聯(lián)的第二電極引出端從第二通孔引出4。
[0032]具體的，所述的第一電極、第二電極的半徑一致，在垂直方向的投影重合。
[0033]所述的第二通孔也為圓柱形，第一通孔、第二通孔最近化放置，以產(chǎn)生寄生電容。
[0034]所述的第一電極、第二電極的半徑相等，其半徑在0.4mm?IOmm之間；第一通孔、第二通孔的半徑在0.05mm?0.3mm之間。
[0035]所述的第一通孔、第二通孔間距0.1謹(jǐn)?0.6謹(jǐn)設(shè)置。
[0036]減小內(nèi)埋置電容的寄生效應(yīng)是提高內(nèi)埋置電容性能的關(guān)鍵，本實(shí)用新型改進(jìn)后的內(nèi)埋置電容寄生效應(yīng)得到極大的減小，自諧振頻率較常規(guī)結(jié)構(gòu)的自諧振頻率提高I倍以上，內(nèi)埋置電容的制作精度由±30%提高到±10%。[0037]四種不同內(nèi)埋置電容的電性能如下表所示:
[0038]表1常規(guī)結(jié)構(gòu)電容與新型結(jié)構(gòu)電容典型參數(shù)對(duì)比。
[0039]
【權(quán)利要求】
1.一種LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的、均為圓柱形的第一電極和第二電極，第一電極的中心開(kāi)設(shè)有圓柱形的第一通孔，第二電極上開(kāi)設(shè)有第二通孔，與第一電極電互聯(lián)的第一電極引出端從第一通孔引出，與第二電極電互聯(lián)的第二電極引出端從第二通孔引出。
2.如權(quán)利要求1所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第一電極、第二電極和第一通孔的剖面的圓心在垂直方向的投影重合。
3.如權(quán)利要求1所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第一電極、第二電極的半徑一致，在垂直方向的投影重合。
4.如權(quán)利要求1所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第二通孔也為圓柱形，第一通孔、第二通孔最近化放置，以產(chǎn)生寄生電容。
5.如權(quán)利要求1?4任何一項(xiàng)所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第一電極、第二電極的半徑相等，其半徑在0.4mm?IOmm之間；第一通孔、第二通孔的半徑在0.05mm ?0.3mm 之間。
6.如權(quán)利要求1?4任何一項(xiàng)所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第一通孔、第二通孔間距0.1謹(jǐn)?0.6謹(jǐn)設(shè)置。
【文檔編號(hào)】H03H1/00GK203775153SQ201420176703
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月11日
【發(fā)明者】石偉, 呂博 申請(qǐng)人:中國(guó)航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所