一種防止非接觸ic卡受到接力攻擊的裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，包括電源、控制電路和非接觸IC卡，其中，所述電源與所述控制電路連接；所述控制電路包括控制輸入端、第一輸入端和第二輸入端，所述控制輸入端與控制電路連接，所述第一輸入端和第二輸入端分別與所述非接觸IC卡的兩端連接；所述非接觸IC卡包括IC卡和線圈，所述IC卡與所述線圈并聯(lián)連接。本實(shí)用新型提供的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置能夠防止非接觸IC卡受到接力攻擊，減少了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度并且降低了制作難度。
【專利說明】一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種防接力攻擊裝置，具體涉及一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]非接觸IC卡是最近幾年發(fā)展起來的一項(xiàng)新技術(shù)，能夠在近距離內(nèi)與讀卡器通過無線電磁信號(hào)通信，其簡(jiǎn)易的操作方式使其廣泛應(yīng)用于日常生活中。
[0003]由于非接觸IC卡進(jìn)行信息讀寫操作時(shí)不需要與非接觸IC卡持有者之間直接接觸，不能與卡片持有者進(jìn)行認(rèn)證，因此可能在非接觸IC卡持有者完全不知情的情況下使用。非接觸IC卡受到某種接拉力操作后自行使用的工作方式被稱為接力攻擊。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，常采用物理開關(guān)防止非接觸IC卡受到接力攻擊，當(dāng)需要使用非接觸IC卡時(shí)，閉合物理開關(guān)，使得線圈與非接觸IC卡觸點(diǎn)接通，當(dāng)不需要使用非接觸IC卡時(shí)，斷開物理開關(guān)，使得線圈與非接觸IC卡觸點(diǎn)斷開，這種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置雖然能夠防止非接觸IC卡受到接力攻擊，但是由于開關(guān)是物理實(shí)現(xiàn)的，因此結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)復(fù)雜、制作難度大。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，以解決防止非接觸IC卡受到接力攻擊裝置中結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)復(fù)雜和制作難度大的問題。
[0006]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，所述裝置包括電源、控制電路和非接觸IC卡，
[0007]其中，所述電源與所述控制電路連接，用于為所述裝置供電；
[0008]所述控制電路包括控制輸入端、第一輸入端和第二輸入端，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)，所述第一輸入端和第二輸入端分別與所述非接觸IC卡的兩端連接，用于接收所述非接觸IC卡感應(yīng)出來的信號(hào)；
[0009]所述非接觸IC卡包括IC卡和線圈，所述IC卡與所述線圈并聯(lián)連接，所述線圈用于產(chǎn)生電流，所述IC卡用于產(chǎn)生信號(hào)。
[0010]進(jìn)一步地，所述控制電路包括:第一晶體管、第二晶體管和電阻，
[0011]其中，所述第一晶體管的第一端與所述第一輸入端連接，所述第一晶體管的第二端接地，所述第一晶體管的第三端與所述第二晶體管的第三端連接，所述第二晶體管的第一端與所述第二輸入端連接，所述第二晶體管的第二端接地，所述第二晶體管的第三端與所述第一晶體管的第三端連接，同時(shí)，所述第二晶體管的第三端通過所述電阻與所述電源的正極連接。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一晶體管和第二晶體管為N溝道MOS管，所述第一晶體管和第二晶體管的第一端為所述N溝道MOS管的漏極，所述第一晶體管和第二晶體管的第二端為所述N溝道MOS管的源極，所述第一晶體管和第二晶體管的第三端為所述N溝道MOS管的柵極。
[0013]進(jìn)一步地，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)具體為:
[0014]當(dāng)所述控制輸入端輸入高電平時(shí)，所述非接觸IC卡斷開非接觸式通信；
[0015]當(dāng)所述控制輸入端輸入低電平時(shí)，所述非接觸IC卡開通非接觸式通信。
[0016]進(jìn)一步地，所述第一晶體管和第二晶體管為P溝道MOS管，所述第一晶體管和第二晶體管的第一端為所述N溝道MOS管的漏極，所述第一晶體管和第二晶體管的第二端為所述N溝道MOS管的源極，所述第一晶體管和第二晶體管的第三端為所述N溝道MOS管的柵極。
[0017]進(jìn)一步地，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)具體為:
[0018]當(dāng)所述控制輸入端輸入低電平時(shí)，所述非接觸IC卡斷開非接觸式通信；
[0019]當(dāng)所述控制輸入端輸入高電平時(shí)，所述非接觸IC卡開通非接觸式通信。
[0020]進(jìn)一步地，所述第一晶體管和第二晶體管為NPN型三極管，所述第一晶體管和第二晶體管的第一端為所述NPN型三極管的集電極，所述第一晶體管和第二晶體管的第二端為所述NPN型三極管的發(fā)射極，所述第一晶體管和第二晶體管的第三端為所述NPN型三極管的基極。
[0021]進(jìn)一步地，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)具體為:
[0022]當(dāng)所述控制輸入端輸入高電平時(shí)，所述非接觸IC卡斷開非接觸式通信；
[0023]當(dāng)所述控制輸入端輸入低電平時(shí)，所述非接觸IC卡開通非接觸式通信。
[0024]進(jìn)一步地，所述第一晶體管和第二晶體管為PNP型三極管，所述第一晶體管和第二晶體管的第一端為所述PNP型三極管的集電極，所述第一晶體管和第二晶體管的第二端為所述PNP型三極管的發(fā)射極，所述第一晶體管和第二晶體管的第三端為PNP型三極管的基極。
[0025]進(jìn)一步地，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)具體為:
[0026]當(dāng)所述控制輸入端輸入低電平時(shí)，所述非接觸IC卡斷開非接觸式通信；
[0027]當(dāng)所述控制輸入端輸入高電平時(shí)，所述非接觸IC卡開通非接觸式通信。
[0028]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，通過控制電路控制非接觸IC卡的線圈中能否產(chǎn)生感應(yīng)電流，實(shí)現(xiàn)了非接觸IC卡的非接觸式通信的開通和斷開，防止非接觸IC卡受到接力攻擊，減少了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度并且降低了制作難度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置結(jié)構(gòu)圖；
[0030]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置結(jié)構(gòu)圖；
[0031]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置結(jié)構(gòu)圖；
[0033]圖5是根據(jù)本實(shí)用新型第五實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖6是根據(jù)本實(shí)用新型第六實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型，而非對(duì)本實(shí)用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0036]在圖1中示出了本實(shí)用新型的第一實(shí)施例。
[0037]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置的結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，所述一種防止雙界面SIM卡受到接力攻擊的裝置包括電源11、控制電路12和非接觸IC卡13，其中，所述非接觸IC卡13包括IC卡131和線圈132。
[0038]所述電源11與所述控制電路12連接，用于為所述防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置供電。
[0039]所述非接觸IC卡13可以是射頻加密卡、射頻存儲(chǔ)卡、射頻CPU卡以及雙界面客戶識(shí)別模塊卡(Subscriber Identity Module,簡(jiǎn)稱SIM)等中的任意一種。
[0040]所述控制電路12包括控制輸入端、第一輸入端和第二輸入端，所述控制輸入端與所述控制電路12連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)，所述第一輸入端和第二輸入端分別與所述非接觸IC卡13的兩端連接，用于接收所述非接觸IC卡13感應(yīng)出來的信號(hào)。
[0041]所述非接觸IC卡13包括IC卡131和線圈132，所述IC卡131與所述線圈132并聯(lián)連接，所述線圈132用于產(chǎn)生電流，所述IC卡用于產(chǎn)生信號(hào)。
[0042]非接觸IC卡13在使用時(shí)，讀卡器不斷向周圍發(fā)出一組固定的電磁波，當(dāng)非接觸IC卡13靠近讀寫器時(shí)，所述線圈132切割讀寫器發(fā)出來的磁場(chǎng)的磁力線，從而產(chǎn)生電流，通過所述IC卡131產(chǎn)生信號(hào)。
[0043]當(dāng)所述控制電路12的控制輸入端輸入的控制非接觸IC卡斷開非接觸式通信的控制信號(hào)時(shí)，非接觸IC卡13周圍的磁場(chǎng)無法在線圈132中感應(yīng)出足夠強(qiáng)的電流，非接觸IC卡的非接觸式通信不可用；當(dāng)所述控制電路12的控制輸入端輸入的控制非接觸IC卡開通非接觸式通信的控制信號(hào)時(shí)，非接觸IC卡13周圍的磁場(chǎng)可以在線圈中感應(yīng)出足夠強(qiáng)的電流，非接觸IC卡的非接觸式通信可以使用。
[0044]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，通過控制電路控制非接觸IC卡的線圈中能否產(chǎn)生感應(yīng)電流，由此，實(shí)現(xiàn)了非接觸IC卡的非接觸式通信的開通和斷開，防止非接觸IC卡受到接力攻擊，減少了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度并且降低了制作難度。
[0045]在圖2中示出了本實(shí)用新型的第二實(shí)施例。
[0046]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置的結(jié)構(gòu)圖，該實(shí)施例以上述實(shí)施例為基礎(chǔ)，如圖2所示，所述一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置包括電源21、控制電路22和非接觸IC卡23，其中，所述非接觸IC卡23包括IC卡231和線圈232。
[0047]具體地，所述控制電路22優(yōu)選可包括第一晶體管221、第二晶體管222和電阻223，其中，所述第一晶體管221的第一端與所述第一輸入端INl連接，所述第一晶體管221的第二端接地，所述第一晶體管221的第三端與所述第二晶體管222的第三端連接，所述第二晶體管222的第一端與所述第二輸入端IN2連接，所述第二晶體管222的第二端接地，所述第二晶體管222的第三端與所述第一晶體管221的第三端連接，同時(shí)，所述第二晶體管222的第三端通過所述電阻223與所述電源21的正極連接，所述控制信號(hào)輸入端連接于所述第二晶體管222的第三端與所述電阻223的中點(diǎn)之間。
[0048]當(dāng)所述控制電路22的控制輸入端輸入的控制非接觸IC卡斷開非接觸式通信的控制信號(hào)時(shí)，線圈232與地接通，IC卡231被短路，非接觸IC卡的非接觸式通信不可用；當(dāng)所述控制電路22的控制輸入端輸入的控制非接觸IC卡開通非接觸式通信的控制信號(hào)時(shí)，線圈232與地?cái)嚅_連接，所述線圈232切割讀寫器發(fā)出來的磁場(chǎng)的磁力線，從而產(chǎn)生電流，通過所述IC卡231產(chǎn)生信號(hào)，非接觸IC卡的非接觸式通信可以使用。
[0049]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，通過控制電路控制非接觸IC卡的線圈中能否產(chǎn)生感應(yīng)電流，由此，實(shí)現(xiàn)了非接觸IC卡的非接觸式通信的開通和斷開，防止非接觸IC卡受到接力攻擊，減少了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，由電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)，并且不影響非接觸IC卡的通信。
[0050]在圖3中示出了本實(shí)用新型的第三實(shí)施例。
[0051]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置的結(jié)構(gòu)圖，該實(shí)施例以上述實(shí)施例為基礎(chǔ)，如圖3所示，所述一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置包括電源31、控制電路32和非接觸IC卡33，其中，所述非接觸IC卡33包括IC卡331和線圈332。
[0052]具體地，所述控制電路32優(yōu)選可包括第一 N溝道MOS管321和第二 N溝道MOS管322和電阻323，其中，所述第一晶體管321的漏極D與所述第一輸入端INl連接，所述第一晶體管321的源極S接地，所述第一晶體管321的柵極G與所述第二晶體管322的柵極G連接，所述第二晶體管322的漏極D與所述第二輸入端IN2連接，所述第二晶體管322的源極S接地，所述第二晶體管322的柵極G與所述第一晶體管321的柵極G連接，同時(shí)，所述第二晶體管322的柵極G通過所述電阻323與所述電源31的正極連接。所述電阻323的阻值可以在1K Ω-1M Ω的范圍內(nèi)選擇，使得所述第一晶體管321和第二晶體管322處于穩(wěn)定狀態(tài)，所述控制信號(hào)輸入端與所述第二晶體管322的漏極D與電阻323的中點(diǎn)連接。
[0053]對(duì)于N溝道MOS管，當(dāng)柵極G的電勢(shì)大于源極S的電勢(shì)時(shí)，MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，即非接觸IC卡33的線圈332的兩端與地連通，所述IC卡331被短路；當(dāng)柵極G的電勢(shì)小于源極S的電勢(shì)時(shí)，MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，即非接觸IC卡33的線圈332與地不連通，所述線圈332切割讀寫器發(fā)出來的磁場(chǎng)的磁力線，從而產(chǎn)生電流，通過所述IC卡331產(chǎn)生信號(hào)。
[0054]在本實(shí)施例中，當(dāng)在控制電路32的控制輸入端輸入高電平時(shí)，第一 N溝道MOS管321和第二 N溝道MOS管322的柵極G的電勢(shì)不小于源極S電勢(shì)，第一 N溝道MOS管321和第二 N溝道MOS管322導(dǎo)通，非接觸IC卡33的線圈332的兩端與地連通，IC卡331被短路，非接觸IC卡33無法完成非接觸式通信功能；當(dāng)在控制電路32的控制輸入端輸入低電平時(shí)，第一 N溝道MOS管321和第二 N溝道MOS管322的柵極G電勢(shì)小于源極S電勢(shì)，第一N溝道MOS管321和第二 N溝道MOS管322斷開，非接觸IC卡33的線圈332的兩端與地不相連，所述線圈332和IC卡331形成回路，所述線圈332切割讀寫器發(fā)出來的磁場(chǎng)的磁力線，從而產(chǎn)生電流，通過所述IC卡331產(chǎn)生信號(hào)，非接觸IC卡可以完成非接觸式通信功能。
[0055]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，通過控制電路的輸入端輸入控制線圈狀態(tài)的信號(hào)，實(shí)現(xiàn)非接觸IC卡的非接觸式通信的開通和斷開，解決了非接觸IC卡的接力攻擊問題，不會(huì)增加結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，完全由電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)，且不影響非接觸IC卡的通信。
[0056]在圖4中示出了本實(shí)用新型的第四實(shí)施例。
[0057]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置的結(jié)構(gòu)圖，該實(shí)施例以上述實(shí)施例為基礎(chǔ)，如圖4所示，所述一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置包括電源41、控制電路42和非接觸IC卡43，所述非接觸IC卡43包括IC卡431和線圈432。
[0058]具體地，所述控制電路42優(yōu)選可包括第一 P溝道MOS管421和第二 P溝道MOS管422和電阻423，其中，所述第一晶體管421的漏極D與所述第一輸入端INl連接，所述第一晶體管421的源極S接地，所述第一晶體管421的柵極G與所述第二晶體管422的柵極G連接，所述第二晶體管422的漏極D與所述第二輸入端IN2連接，所述第二晶體管422的源極S接地，所述第二晶體管422的柵極G與所述第一晶體管421的柵極G連接，同時(shí)，所述第二晶體管422的柵極G通過所述電阻423與所述電源41的正極連接。所述電阻423的阻值可以在1K Ω-1M Ω的范圍內(nèi)選擇，使得所述第一晶體管421和第二晶體管422處于穩(wěn)定狀態(tài)，所述控制信號(hào)輸入端與第二晶體管422的柵極G和電阻423的中點(diǎn)連接。
[0059]對(duì)于P溝道MOS管，當(dāng)柵極G的電勢(shì)小于源極S的電勢(shì)時(shí)，MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，即非接觸IC卡43的線圈432的兩端與地連通，所述IC卡431被短路；當(dāng)柵極G的電勢(shì)大于源極S的電勢(shì)時(shí)，MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，即非接觸IC卡43的線圈432與地不連通，所述線圈432切割讀寫器發(fā)出來的磁場(chǎng)的磁力線，從而產(chǎn)生電流，通過所述IC卡431產(chǎn)生信號(hào)。
[0060]在本實(shí)施例中，當(dāng)在控制電路42的控制輸入端輸入低電平時(shí)，第一 P溝道MOS管421和第二 P溝道MOS管422的柵極G的電勢(shì)不大于源極S的電勢(shì)，第一 P溝道MOS管421和第二 P溝道MOS管422導(dǎo)通，非接觸IC卡43的線圈432的兩端與地連通，IC卡431被短路，非接觸IC卡43無法完成非接觸式通信功能；當(dāng)在控制電路42的控制輸入端輸入高電平時(shí)，第一 P溝道MOS管421和第二 N溝道MOS管422的柵極G的電勢(shì)大于源極S的電勢(shì)，第一 P溝道MOS管421和第二 N溝道MOS管422斷開，非接觸IC卡43的線圈432的兩端與地不相連，所述線圈432切割讀寫器發(fā)出來的磁場(chǎng)的磁力線，從而產(chǎn)生電流，通過所述IC卡431產(chǎn)生信號(hào)，非接觸IC卡可以完成非接觸式通信功能。
[0061]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，通過控制電路的輸入端輸入控制線圈狀態(tài)的信號(hào)，實(shí)現(xiàn)非接觸IC卡的非接觸式通信的開通和斷開，解決了非接觸IC卡的接力攻擊問題，不會(huì)增加結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，完全由電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)，且不影響非接觸IC卡的非接觸通信。
[0062]在圖5中示出了本實(shí)用新型的第五實(shí)施例。
[0063]圖5是根據(jù)本實(shí)用新型第五實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置的結(jié)構(gòu)圖，該實(shí)施例以上述實(shí)施例為基礎(chǔ)，如圖5所示，所述一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置包括電源51、控制電路52和非接觸IC卡53，其中，所述非接觸IC卡53包括IC卡531和線圈532。
[0064]具體地，所述控制電路52優(yōu)選可包括第一 NPN型三極管521和第二 NPN型三極管522和電阻523，其中，所述第一 NPN型三極管521的集電極C與所述第一輸入端INl連接，所述第一 NPN型三極管521的發(fā)射極E接地，所述第一 NPN型三極管521的基極B與所述第二 NPN型三極管522的基極B連接，所述第二 NPN型三極管522的集電極C與所述第二輸入端IN2連接，所述第二 NPN型三極管522的發(fā)射極E接地，所述第二 NPN型三極管522的基極B與所述第一 NPN型三極管521的基極B連接，同時(shí)，所述第二 NPN型三極管522的基極B通過所述電阻523與所述電源51的正極連接。所述電阻523的阻值可以在10ΚΩ-1ΜΩ的范圍內(nèi)選擇，使得所述第一 NPN型三極管521和第二 NPN型三極管522處于穩(wěn)定狀態(tài)，所述控制信號(hào)輸入端與所述第二 NPN型三極管522的基極B和電阻523的中點(diǎn)連接。
[0065]在本實(shí)施例中，當(dāng)在控制電路52的控制輸入端輸入高電平時(shí)，第一 NPN型三極管521和第二 NPN型三極管522導(dǎo)通，非接觸IC卡53的線圈532的兩端與地連通，IC卡531被短路，非接觸IC卡53無法完成非接觸式通信功能；當(dāng)在控制電路52的控制輸入端輸入低電平時(shí)，第一 NPN型三極管521和第二 NPN型三極管522斷開，非接觸IC卡53的線圈532的兩端與地不相連，所述線圈532切割讀寫器發(fā)出來的磁場(chǎng)的磁力線，從而產(chǎn)生電流，通過所述IC卡531產(chǎn)生信號(hào)，非接觸IC卡53可以完成非接觸式通信功能。
[0066]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，通過控制電路的輸入端輸入控制線圈狀態(tài)的信號(hào)，實(shí)現(xiàn)非接觸IC卡的非接觸式通信的開通和斷開，解決了非接觸IC卡的接力攻擊問題，不會(huì)增加結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，完全由電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)，且不影響非接觸IC卡的非接觸通信。
[0067]在圖6中示出了本實(shí)用新型的第六實(shí)施例。
[0068]圖6是根據(jù)本實(shí)用新型第六實(shí)施例的一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置的結(jié)構(gòu)圖，該實(shí)施例以上述實(shí)施例為基礎(chǔ)，如圖6所示，所述一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置包括電源61、控制電路62和非接觸IC卡63，其中，所述非接觸IC卡63包括IC卡631和線圈632。
[0069]具體地，所述控制電路62優(yōu)選可包括第一 PNP型三極管621和第二 PNP型三極管622和電阻623，其中，所述第一 PNP型三極管621的集電極C與所述第一輸入端INl連接，所述第一 PNP型三極管621的發(fā)射極E接地，所述第一 PNP型三極管621的基極B與所述第二 PNP型三極管622的基極B連接，所述第二 PNP型三極管622的集電極C與所述第二輸入端IN2連接，所述第二 PNP型三極管622的發(fā)射極E接地，所述第二 PNP型三極管622的基極B與所述第一 PNP型三極管621的基極B連接，同時(shí)，所述第二 PNP型三極管622的基極B通過所述電阻623與所述電源61的正極連接。所述電阻623的阻值可以在1K Ω-1M Ω的范圍內(nèi)選擇，使得所述第一 PNP型三極管621和第二 PNP型三極管622處于穩(wěn)定狀態(tài)，所述控制信號(hào)輸入端與所述第二 PNP型三極管622的基極B和電阻623的中點(diǎn)連接。
[0070]在本實(shí)施例中，當(dāng)在控制電路62的控制輸入端輸入低電平時(shí)，第一 PNP型三極管621和第二 PNP型三極管622導(dǎo)通，非接觸IC卡63的線圈632的兩端與地連通，IC卡631被短路，非接觸IC卡63無法完成非接觸式通信功能；當(dāng)在控制電路62的控制輸入端輸入高電平時(shí)，第一 PNP型三極管621和第二 PNP型三極管622斷開，非接觸IC卡63的線圈632的兩端與地不相連，所述線圈632切割讀寫器發(fā)出來的磁場(chǎng)的磁力線，從而產(chǎn)生電流，通過所述IC卡631產(chǎn)生信號(hào)，非接觸IC卡可以完成非接觸式通信功能。
[0071]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，通過控制電路的輸入端輸入控制線圈狀態(tài)的信號(hào)，實(shí)現(xiàn)非接觸IC卡的非接觸式通信的開通和斷開，解決了非接觸IC卡的接力攻擊問題，不會(huì)增加結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，完全由電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)，且不影響非接觸IC卡的非接觸通信。
[0072]注意，上述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本實(shí)用新型不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本實(shí)用新型不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本實(shí)用新型的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述裝置包括電源、控制電路和非接觸IC卡， 其中，所述電源與所述控制電路連接，用于為所述裝置供電； 所述控制電路包括控制輸入端、第一輸入端和第二輸入端，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)，所述第一輸入端和第二輸入端分別與所述非接觸IC卡的兩端連接，用于接收所述非接觸IC卡感應(yīng)出來的信號(hào)； 所述非接觸IC卡包括IC卡和線圈，所述IC卡與所述線圈并聯(lián)連接，所述線圈用于產(chǎn)生電流，所述IC卡用于產(chǎn)生信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述控制電路包括:第一晶體管、第二晶體管和電阻， 其中，所述第一晶體管的第一端與所述第一輸入端連接，所述第一晶體管的第二端接地，所述第一晶體管的第三端與所述第二晶體管的第三端連接，所述第二晶體管的第一端與所述第二輸入端連接，所述第二晶體管的第二端接地，所述第二晶體管的第三端與所述第一晶體管的第三端連接，同時(shí)，所述第二晶體管的第三端通過所述電阻與所述電源的正極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述第一晶體管和第二晶體管為N溝道MOS管，所述第一晶體管和第二晶體管的第一端為所述N溝道MOS管的漏極，所述第一晶體管和第二晶體管的第二端為所述N溝道MOS管的源極，所述第一晶體管和第二晶體管的第三端為所述N溝道MOS管的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)具體為: 當(dāng)所述控制輸入端輸入高電平時(shí)，所述非接觸IC卡斷開非接觸式通信； 當(dāng)所述控制輸入端輸入低電平時(shí)，所述非接觸IC卡開通非接觸式通信。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述第一晶體管和第二晶體管為P溝道MOS管，所述第一晶體管和第二晶體管的第一端為所述N溝道MOS管的漏極，所述第一晶體管和第二晶體管的第二端為所述N溝道MOS管的源極，所述第一晶體管和第二晶體管的第三端為所述N溝道MOS管的柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)具體為: 當(dāng)所述控制輸入端輸入低電平時(shí)，所述非接觸IC卡斷開非接觸式通信； 當(dāng)所述控制輸入端輸入高電平時(shí)，所述非接觸IC卡開通非接觸式通信。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述第一晶體管和第二晶體管為NPN型三極管，所述第一晶體管和第二晶體管的第一端為所述NPN型三極管的集電極，所述第一晶體管和第二晶體管的第二端為所述NPN型三極管的發(fā)射極，所述第一晶體管和第二晶體管的第三端為所述NPN型三極管的基極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)具體為: 當(dāng)所述控制輸入端輸入高電平時(shí)，所述非接觸IC卡斷開非接觸式通信； 當(dāng)所述控制輸入端輸入低電平時(shí)，所述非接觸IC卡開通非接觸式通信。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述第一晶體管和第二晶體管為PNP型三極管，所述第一晶體管和第二晶體管的第一端為所述PNP型三極管的集電極，所述第一晶體管和第二晶體管的第二端為所述PNP型三極管的發(fā)射極，所述第一晶體管和第二晶體管的第三端為PNP型三極管的基極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的防止非接觸IC卡受到接力攻擊的裝置，其特征在于，所述控制輸入端與所述控制電路連接，用于接收輸入的控制非接觸IC卡開通和斷開非接觸式通信的控制信號(hào)具體為: 當(dāng)所述控制輸入端輸入低電平時(shí)，所述非接觸IC卡斷開非接觸式通信； 當(dāng)所述控制輸入端輸入高電平時(shí)，所述非接觸IC卡開通非接觸式通信。
【文檔編號(hào)】H03K17/687GK204013454SQ201420175393
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月11日
【發(fā)明者】田若征 申請(qǐng)人:杭州信雅達(dá)科技有限公司