專利名稱：Sf1010m24型聲表面波濾波器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種應用于移動通訊領域的帶外抑制度較好、相對帶寬控制精準、適用溫度范圍較大的聲表面波濾波器，屬于聲表面波濾波技術領域。
背景技術：
隨著移動通訊技術的發展進步，對移動通訊基站的要求也越來越高，特別是移動通訊基站需要一種帶外抑制度較好、相對帶寬控制精準、適用溫度范圍較大的濾波器來對信號進行有效地過濾。而現有的濾波設備無法實現在移動通訊領域的帶外抑制度較好、相對帶寬控制精準、適用溫度范圍較大的聲表面波濾波。
發明內容本實用新型的目的是提供一種應用于移動通訊領域的帶外抑制度較好、相對帶寬控制精準、適用溫度范圍較大的聲表面波濾波器。本實用新型的目的是通過以下技術方案實現的一種聲表面波濾波器，包括兩組基片，每組所述基片采用三重模縱向耦合結構設置，所述兩組基片的輸入IDT和輸出IDT通過短路條帶進行耦合。由上述實用新型明提供的技術方案可以看出，本實用新型提供的聲表面波濾波器采用三重模縱向耦合結構設置，兩組基片的輸入IDT和輸出IDT通過短路條帶進行耦合，實現了一種帶外抑制度較好、相對帶寬控制精準、適用溫度范圍較大的聲表面波濾波器。
圖1是本實用新型的具體實施方式
提供的聲表面波濾波器的結構示意圖；圖2是本實用新型的具體實施方式
提供的聲表面濾波器的封裝結構示意圖；圖3是本實用新型的具體實施方式
提供的聲表面濾波器的典型頻響圖。
具體實施方式
本實用新型具體實施方式
提供了 一種聲表面波濾波器，如圖1至圖3所示，包括兩組基片，每組所述基片采用三重模縱向耦合結構設置，所述兩組基片的輸入IDT (叉指換能器)和輸出IDT通過短路條帶進行耦合。具體的，芯片的結構設計上，基片采用采用三重模縱向耦合設計，通過兩組基片的輸入IDT和輸出IDT通過短路條帶進行耦合，確保耦合進程的實現，同時增大了帶寬(相對帶寬2. 4%，矩形度3，帶外抑制大于30Db)，減少設計風險。本具體實施方式
提供的聲表面波濾波器設計結構簡潔明了，工作流程合理可靠。在材料的選取上，基片采用42-LT襯底材料，有效地提高的溫度使用的適用范圍。對基片采用SMD(表面貼裝式)片式封裝，提高了用戶使用的方便性。當具有壓電效應的晶體受到機械作用時，將產生與壓力成正比的電場的現象；具有壓電效應的晶體，在受到電信號的作用時，也會產生彈性形變而發出機械波(聲波)，即可把電信號轉為聲信號。由于這種聲波只在晶體表面傳播，故稱為聲表面波。聲表面波技術的應用之一是聲表面波濾波器，其工作原理是，電信號通過特殊的叉指換能器(IDT)在壓電介質表面轉換成高頻率的聲音信號，聲信號經過一定的傳播后，再通過輸出叉指換能器(IDT)轉換成電信號。其中對聲信號的處理體現為對總體電信號的處理，既對電信號實現了濾波作用。對聲信號的處理是技術關鍵點。聲表面波濾波器(SAWF)具有體積小、重量輕、性能可靠、不需要復雜調整的優點，是無線通信中信號接收處理的關鍵器件。該產品的電性能值指標如下:
權利要求1.一種聲表面波濾波器，其特征在于，包括兩組基片，每組所述基片采用三重模縱向耦合結構設置，所述兩組基片的輸入IDT和輸出IDT通過短路條帶進行耦合。
2.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其特征在于，所述基片采用42LT襯底材料。
3.根據權 要求1所述的聲表面波濾波器，其特征在于，所述基片采用SMD片式封裝。
專利摘要本實用新型提供了一種SF1010M24型聲表面波濾波器，包括兩組基片，每組所述基片采用三重模縱向耦合結構設置，所述兩組基片的輸入IDT和輸出IDT通過短路條帶進行耦合。本實用新型提供的聲表面波濾波器采用三重模縱向耦合結構設置，兩組基片的輸入IDT和輸出IDT通過短路條帶進行耦合，實現了一種帶外抑制度較好、相對帶寬控制精準、適用溫度范圍較大的聲表面波濾波器。
文檔編號H03H9/64GK202918251SQ201220517458
公開日2013年5月1日 申請日期2012年10月10日 優先權日2012年10月10日
發明者董啟明 申請人:河北時碩微芯科技有限公司