專利名稱：一種tdr中階躍脈沖產生器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種TDR中階躍脈沖產生器，是基于TDR原理的印制線路板特性阻抗測試儀中階躍脈沖的產生器。
背景技術：
時域反射法(TDR)是一種典型的印制線路板特性阻抗的測試方法。典型的TDR系統需要一個幅度較高、畸變較小、超快上升時間的階躍脈沖。階躍脈沖的上升時間決定了分辯印制線路板特性阻抗不連續性的能力即特性阻抗變化位置的準確度。設階躍脈沖信號在印制線路板上的傳送速度為150m/us，若要求印制線路板特性阻抗變化位置的分辨率為
2.5cm，則階躍脈沖的上升沿時間應彡170ps,即處理帶寬高達6GHz。本實用新型提出的一種階躍脈沖產生器，系利用普通的晶體振蕩器產生某一固定 頻率的普通方波脈沖信號，由超高速開關對該普通方波脈沖信號進行整形，從而獲得超高速上升時間的階躍脈沖，再經寬帶放大器將該階躍脈沖放大到滿足印制線路板特性阻抗測試所需要的電平。
發明內容本實用新型的目的在于針對基于TDR原理的印制線路板特性阻抗測試要求，提供一種超快上升時間的TDR階躍脈沖的產生器，其上升時間彡170ps、幅度=3. 6V、無過沖，以實現對印制線路板特性阻抗的低成本測試。為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案如下一種TDR中階躍脈沖產生器，包括晶體振蕩器、射頻變壓器、超高速開關和寬帶放大器，所述晶體振蕩器、射頻變壓器、超高速開關和寬帶放大器依次連接。所述晶體振蕩器為型號為R3306的晶體振蕩器。所述射頻變壓器為型號為ADTl-I的射頻變壓器。所述超高速開關為型號為NBSG72A的超高速開關。所述寬帶放大器為型號為ERA-2+的寬帶放大器。其他晶體振蕩器或者與晶體振蕩器起相同作用的元件只要能實現說明書中所述晶體振蕩器所述功能的也可應用于本實用新型。其他射頻變壓器、超高速開關、寬帶放大器，或者與射頻變壓器、超高速開關、寬帶放大器起相同作用的元件只要能實現說明書中所述功能的也可應用于本實用新型。所述寬帶放大器的輸出的階躍脈沖上升時間< 170ps，幅度=3. 6v，無過沖。本實用新型的TDR中階躍脈沖產生器系采用超高速開關對普通方波脈沖信號進行整形獲得超快上升時間的階躍脈沖。為滿足超高速開關對輸入信號的極性和幅度要求，本實用新型的TDR中階躍脈沖產生器采用射頻變壓器將普通方波脈沖信號由LVTTL(LowVoltageTransistor-TransistorLogic)電平信號變換為 LVDS (LowVoltageDifferentialSignaling)差分電平信號。[0015]為保證印制線路板特性阻抗測試對所述階躍脈沖電平的要求，本實用新型的TDR中階躍脈沖產生器采用寬帶放大器將所述階躍脈沖放大到一定的電平且滿足其對上升時間的要求。本實用新型用普通的晶體振蕩器產生某一固定頻率的普通方波脈沖信號，由超高速開關對該普通方波脈沖信號進行整形，整形后從超高速開關輸出的即為階躍脈沖，其上升時間小于55ps，再用寬帶放大器將該階躍脈沖信號放大到滿足印制線路板特性阻抗測試所需要的上升時間彡170ps、幅度=3. 6V的電平。本實用新型的有益效果是本實用新型的一種TDR中階躍脈沖產生器，即采用超高速開關對普通方波脈沖信號進行整形，再經寬帶放大獲得滿足基于TDR原理的印制線路板特性阻抗測試的階躍脈 沖。輸出的階躍脈沖上升時間< 170ps，幅度=3.6v，無過沖。
圖I為本實用新型的原理框圖。圖2a是圖I中a節點的波形示意圖。圖2b是圖I中b節點的波形示意圖。圖2c是圖I中c節點的波形示意圖。圖2d是圖I中d節點的波形示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進一步描述如圖1，一種TDR中階躍脈沖產生器，包括晶體振蕩器、射頻變壓器、超高速開關和寬帶放大器。所述晶體振蕩器、射頻變壓器、超高速開關和寬帶放大器依次連接。晶體振蕩器為型號為R3306的晶體振蕩器。射頻變壓器為型號為ADTl-I的射頻變壓器。超高速開關為型號為NBSG72A的超高速開關。寬帶放大器為型號為ERA-2+的寬帶放大器。寬帶放大器的輸出的階躍脈沖上升時間< 170ps，幅度=3. 6v，無過沖。如圖2a至圖2d，用普通的晶體振蕩器R3306產生4. 096MHz頻率的LVTTL電平方波脈沖信號(附圖波形如圖2a)，將該LVTTL電平方波脈沖信號經射頻變壓器ADTl-I轉換為LVDS電平的差分信號，(波形如圖2b)，由超高速開關NBSG72A對LVDS電平的差分信號進行整形，整形后從超高速開關輸出的即為階躍脈沖，其上升沿小于55ps，幅度400mv(波形如圖2c),再用寬帶放大器ERA-2+將該階躍脈沖信號放大，輸出的階躍脈沖上升時間< 170ps，幅度=3.6v (波形如圖2d)，滿足印制線路板特性阻抗測試所需要的上升時間和電平要求。綜上所述，本實用新型所公開的一種TDR中階躍脈沖產生器，即采用超高速開關對普通方波脈沖整形，再用寬帶放大器放大，從而得到滿足印制線路板特性阻抗測試要求的階躍脈沖。需要說明的是，以上所述的具體實施方法僅為本實用新型較佳的一種方法，不能理解為對本實用新型保護范圍的限制，在未脫離本實用新型構思前提下，對本實用新型所做的任何均等變化與修飾均屬于本實用新型的保護范圍。上面所述的實施例僅僅是對本實用新型的優選實施方式進行描述，并非對本實用新型的構思和范圍進行限定，在不脫離本實用新型設計構思前提下，本領域中普通工程 技術人員對本實用新型的技術方案作出的各種變型和改進，均應落入本實用新型的保護范圍，本實用新型請求保護的技術內容已經全部記載在權利要求書中。
權利要求1.一種TDR中階躍脈沖產生器，其特征是包括晶體振蕩器、射頻變壓器、超高速開關和寬帶放大器，所述晶體振蕩器、射頻變壓器、超高速開關和寬帶放大器依次連接。
2.根據權利要求I所述的TDR中階躍脈沖產生器，其特征在于所述晶體振蕩器為型號為R3306的晶體振蕩器。
3.根據權利要求I所述的TDR中階躍脈沖產生器，其特征在于所述射頻變壓器為型號為ADTl-I的射頻變壓器。
4.根據權利要求I所述的TDR中階躍脈沖產生器，其特征在于所述超高速開關為型號為NBSG72A的超高速開關。
5.根據權利要求I所述的TDR中階躍脈沖產生器，其特征在于所述寬帶放大器為型號為ERA-2+的寬帶放大器。
6.根據權利要求I所述的TDR中階躍脈沖產生器，其特征在于所述寬帶放大器的輸出的階躍脈沖上升時間< 170ps，幅度=3. 6v，無過沖。
專利摘要一種TDR中階躍脈沖產生器，其特征是包括晶體振蕩器、射頻變壓器、超高速開關和寬帶放大器。所述晶體振蕩器、射頻變壓器、超高速開關和寬帶放大器依次連接。本實用新型的一種TDR中階躍脈沖產生器，即采用超高速開關對普通方波脈沖信號進行整形，再經寬帶放大器獲得滿足基于TDR原理的印制線路板特性阻抗測試的階躍脈沖。輸出的階躍脈沖上升時間≤170ps，幅度=3.6v，無過沖。
文檔編號H03K3/02GK202772855SQ20122047029
公開日2013年3月6日 申請日期2012年9月14日 優先權日2012年9月14日
發明者汪立森 申請人:南京協力電子科技集團有限公司