專利名稱：一種預放大器通過控制幅度的失調校正方法
技術領域：
本發明涉及模擬電路預放大器，特別是涉及一種預放大器的失調校正方法。
背景技術：
預放大器的電路結構圖如圖1所示，包括第一 PMOS晶體管MPl，第二 PMOS晶體管MP2，第三NMOS晶體管MN3，第四NMOS晶體管MN4和第五NMOS晶體管MN5。其中，第一 PMOS晶體管MPl的柵極連接控制信號CLKP，第一 PMOS晶體管MPl的源極連接電源VDD，第一PMOS晶體管MPl的漏極和第三NMOS晶體管MN3的漏極相連，相連端輸出放大器的反向輸出電壓Voutn ;第二 PMOS晶體管MP2的柵極連接控制信號CLKP，第二 PMOS晶體管MP2的源極連接電源VDD，第二 PMOS晶體管MP2的漏極和第四NMOS晶體管MN4的漏極相連，相連端輸出放大器的正向輸出電壓Voutp ;第三NMOS晶體管麗3的源極與第五NMOS晶體管麗5的漏極相連，第三NMOS晶體管麗3的柵極連接正向輸入電壓Vinp ;第四NMOS晶體管MN4的源極與第五NMOS晶體管麗5的漏極相連，第四NMOS晶體管MN4的柵極連接反向輸入電壓Vinn ;第五NMOS晶體管MN5的源極接地GND，第五NMOS晶體管MN5的柵極連接控制信號CLKP。驅動第一 PMOS晶體管MPl、第二 PMOS晶體管MP2以及第五NMOS晶體管麗5的控制信號CLKP的時序圖如圖2所示，其根據預放大器工作的時鐘信號CLK產生，頻率與時鐘信號CLK的頻率相同，幅度起始值為0，穩態值為電源電壓值VDD。控制信號產生電路中tl時刻輸入時鐘信號CLK，則延遲一小段時間t2時刻后，開始產生控制信號CLKP。該預放大器工作時，預放大器在控制信號CLKP的驅動下，電路中出現電流，完成對輸入信號(正向輸入電壓Vinp減去反向輸入電壓Vinn)的放大。工作時，第一 PMOS晶體管MPl和第二 PMOS晶體管MP2作為負載管，第三NMOS晶體管MN3和第四NMOS晶體管MN4作為輸入管，第五NMOS晶體管MN5作為提供偏置電流的偏置管。電路如果左支路(MP1- MN3支路)與右支路(MP2- MN4支路)兩邊完全對稱，則當輸入相等的正向輸入電壓Vinp和反向輸入電壓Vinn時，電路中左右兩邊流過電流相等，電路中正向輸出電壓Voutp等于反向輸出電壓Voutn，此時電路中不存在失調。然而，實際情形下，電路左右不可能完全對稱，電路中元器件的失配例如第一 PMOS晶體管MPl與第二 PMOS晶體管MP2的尺寸不相等，或者第三NMOS晶體管麗3與第四NMOS晶體管MN4的尺寸不相等，這些因素均會導致放大器中出現失調電壓，當輸入電壓Vinp=Vinn時,左右兩邊流過的電流不相等,輸出電壓中Vinp不等于Vinn。出現失調后會降低預放大器對輸入信號的分辨能力。如預防大器作為動態比較器的一部分，則進而降低了動態比較器對輸入信號的分辨能力。為了校正預防大器中存在的失調電壓，可以在預放大器的輸出節點Voutp和Voutn連接可控電容器陣列，通過調節電容器陣列電容的大小降低失調電壓。也可以在輸入管第三NMOS晶體管麗3和第四NMOS晶體管MN4的兩端并聯MOS管，通過調節MOS管的柵極偏置電壓降低失調電壓。然而這兩種降低失調電壓的方法中，連接在預放大器輸出節點的可控電容器或者并聯在輸入管兩側的MOS管都會對輸出電壓Voutp和Voutn產生負載效應，從而降低預放大器的速度。如預防大器作為動態比較器的一部分，則進而會降低比較器的速度。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是:彌補上述現有技術的不足，提出一種預放大器通過控制幅度的失調校正方法，能對預放大器中的失調電壓進行校正，同時不會對輸入端電壓造成負載效應。本發明的技術問題通過以下的技術方案予以解決:
一種預放大器通過控制幅度的失調校正方法，所述預放大器包括第一 PMOS晶體管，第二 PMOS晶體管，第三NMOS晶體管，第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管，所述第一 PMOS晶體管的源極連接電源，所述第一 PMOS晶體管的漏極和所述第三NMOS晶體管的漏極相連，相連端輸出放大器的反向輸出電壓；所述第二PMOS晶體管的源極連接電源，所述第二PMOS晶體管的漏極和所述第四NMOS晶體管的漏極相連，相連端輸出放大器的正向輸出電壓；所述第三NMOS晶體管的源極與所述第五NMOS晶體管的漏極相連，所述第三NMOS晶體管的柵極連接正向輸入電壓；所述第四NMOS晶體管的源極與所述第五NMOS晶體管的漏極相連，所述第四NMOS晶體管的柵極連接反向輸入電壓；所述第五NMOS晶體管的源極接地，所述第五NMOS晶體管的柵極連接第三控制信號；所述第三控制信號的幅度起始值為0，穩態值為電源電壓值VDD ;所述第一 PMOS晶體管的柵極連接第一控制信號，所述第二 PMOS晶體管的柵極連接第二控制信號；所述調節方法包括以下步驟:調節前，控制所述第一控制信號和所述第二控制信號的幅度起始值均為0，穩態值均為電源電壓值VDD ;控制輸入相等的所述正向輸入電壓和所述反向輸入電源，則調節時:
第一種情形:如果失調為所述正向輸出電壓小于所述反向輸出電壓，則保持所述第二控制信號的幅度不變，按照如下方式調節所述第一控制信號:11)設定調整電壓的初值，所述初值大于0，小于VDD ； 12)更新記錄當前校正次數，控制所述第一控制信號的幅度起始值為所述調整電壓的值，穩態值為所述電源電壓值VDD ;13)判斷當前校正次數的值是否等于設定值，如果否，則進入步驟14);如果是，則結束調節過程；14)判斷此時所述正向輸出電壓與所述反向輸出電壓的大小，如果所述正向輸出電壓仍然小于所述反向輸出電壓，則將所述調整電壓VB調大，返回步驟12);如果所述正向輸出電壓大于所述反向輸出電壓，則將所述調整電壓VB調小，返回步驟12)；
第二種情形:如果失調為所述正向輸出電壓大于所述反向輸出電壓，則保持所述第一控制信號的幅度不變，按照如下方式調節所述第二控制信號:21)設定調整電壓的初值，所述初值大于0，小于VDD ;22)更新記錄當前校正次數，控制所述第二控制信號的幅度起始值為所述調整電壓的值，穩態值為所述電源電壓值VDD ；23)判斷此時校正次數的值是否等于設定值，如果否，則進入步驟24);如果是，則結束調節過程；24)判斷此時所述正向輸出電壓與所述反向輸出電壓的大小，如果所述正向輸出電壓仍然大于所述反向輸出電壓，則將所述調整電壓VB調大，返回步驟22);如果所述正向輸出電壓小于所述反向輸出電壓，則將所述調整電壓VB調小；返回步驟22)。本發明與現有技術對比的有益效果是:
本發明的預放大器通過控制幅度的失調校正方法，通過對負載管第一 PMOS晶體管MPl與第二 PMOS晶體管MP2柵極上的控制信號的幅度進行調節控制，從而調節負載管的導通電阻，進而在電路中出現失調左右兩側支路的電流不等時，也能確保電源到左右兩側輸出端節點處的壓降相等，從而確保輸出端電壓Voutp和Voutn相等，對失調進行校正。本發明的校正方法中，不需要在預放大器電路中增設可控電容或MOS管，因此不會對輸入端電壓造成負載效應。
圖1是現有技術中預放大器的電路結構 圖2是現有技術中預放大器中的控制信號的時序 圖3是本發明具體實施方式
中的預放大器的電路結構 圖4是本發明具體實施方式
中的預放大器中針對第一種失調情形時調節第一控制信號的流程 圖5是本發明具體實施方式
中的預放大器中針對第一種失調情形時的控制信號的時序 圖6是本發明具體實施方式
中的預放大器中針對第二種失調情形時調節第二控制信號的流程 圖7是本發明具體實施方式
中的預放大器中針對第二種失調情形時的控制信號的時序圖。
具體實施例方式下面結合具體實施方式
并對照附圖對本發明做進一步詳細說明。本具體實施方式
中，提出一種預放大器的失調校正方法，用于在預放大器內存在失調，有失調電壓形成時，輸入端正向輸入電壓Vinp等于反向輸入電壓Vinn時,輸出端正向輸出電壓Voutp能盡可能接近等于反向輸出電壓Voutn,減小失調電壓對電路的影響。失調校正方法針對的預放大器的電路結構圖如圖3所示，預放大器包括第一 PMOS晶體管，第二 PMOS晶體管，第三NMOS晶體管，第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管。其中，五個MOS管的彼此連接同現有技術中相同，第一 PMOS晶體管的源極MPl連接電源VDD，第一 PMOS晶體管MPl的漏極和第三NMOS晶體管麗3的漏極相連，相連端輸出放大器的反向輸出電壓Voutn ;第二 PMOS晶體管MP2的源極連接電源VDD，第二 PMOS晶體管MP2的漏極和第四NMOS晶體管MN4的漏極相連，相連端輸出放大器的正向輸出電壓Voutp ；第三NMOS晶體管麗3的源極與第五NMOS晶體管麗5的漏極相連，第三NMOS晶體管麗3的柵極連接正向輸入電壓Vinp ;第四NMOS晶體管MN4的源極與第五NMOS晶體管麗5的漏極相連，第四NMOS晶體管MN4的柵極連接反向輸入電壓Vinn ;第五NMOS晶體管麗5的源極接地，第五NMOS晶體管MN5的柵極連接第三控制信號CLKP。第三控制信號CLKP與現有技術中相同，同樣是由控制信號產生電路根據預放大器工作的時鐘信號CLK產生，頻率與時鐘信號CLK的頻率相同，幅度起始值為0，穩態值為電源電壓值VDD。電路結構與現有技術中連接的不同之處在于:第一 PMOS晶體管的柵極連接第一控制信號CLK1，第二 PMOS晶體管的柵極連接第二控制信號CLK2。失調校正方法是分情形對第一控制信號CLKl和第二控制信號CLK2的其中之一進行不斷的幅度調整，產生幅度不等的兩個控制信號施加在兩個負載MOS管(MPl和MP2)的柵極上，實現對失調電壓的校正，同時不會對輸出端造成負載效應。在校正調節之前，第一控制信號CLKl和第二控制信號CLK2與第三控制信號CLKP相同，其幅度均為(T VDD0控制輸入相等的正向輸入電壓Vinp和反向輸入電源Vinn，此時如果預放大器存在失調，則會出現兩種情形，一是失調使得第三NMOS晶體管MN3流過較小的電流，第四NMOS晶體管MN4流過較大的電流，那么在負載管(MPl和MP2)相同的負載電阻下，MPl上的壓降較小,貝U反向輸出電壓Voutn會較大，即會出現Voutp < Voutn。二是失調使得第三NMOS晶體管MN3流過較大的電流，第四NMOS晶體管MN4流過較小的電流，那么在負載管(MPI和MP2 )相同的負載電阻下，MPI上的壓降較大，則反向輸出電壓Voutn會較小，即會出現Voutp > Voutn。根據這兩種情形,分別采取對應的措施。在第一種情形下，失調為正向輸出電壓Voutp小于反向輸出電壓Voutn，則保持第二控制信號CLK2的幅度不變，按照如下方式調節第一控制信號CLK1，調節時的流程圖如圖4所示。調節過程包括以下步驟:
11)設定調整電壓VB的初值VBl。其中，初值VBl大于0，小于VDD。12)更新記錄當前校正次數，控制第一控制信號CLKl的幅度起始值為調整電壓VB的值，穩態值為電源電壓值VDD。如圖5所示，為此種失調情形下的各控制信號的時序圖。調節第一控制信號CLKl的幅度后，第一控制信號CLKi的電壓變化范圍從之前的(Tvdd改為vb vdd，那么負載管MPl的柵源電壓的絕對值減小，其導通電阻變大。而當前失調情形是使得負載管MPl上流過的電流較小，則負載管MPl的柵極控制信號CLKl調節后使得MPl的導通電阻變大，則中和了電流較小的失調影響，使得MPl上的壓降變大(趨于與MP2上壓降相等)，則使得反向輸出電壓Voutn變小，使兩個輸出端電壓趨于相等，改善失調。第一次校正時，當前校正次數為I，則第一控制信號CLKl的幅度起始值即為初值VBl。第二次校正時，當前校正次數為2，則第一控制信號CLKl的幅度起始值即為后續調整后返回的值VB2。依此類推，直至最后一次校正時，當前校正次數為設定值N，則第一控制信號CLKl的幅度起始值即為后續調整后返回的值VBN，此后結束調整，幅度起始值保持VBN不變。13)判斷當前校正次數的值是否等于設定值，如果否，則進入步驟14);如果是，則結束調節過程。本步驟中，設定校正次數的判斷，當步驟12)中更新記錄的校正次數到達預先設定的設定值N次時，即表示校正調節已達到用戶使用要求，從而結束校正。此后將第一控制信號CLKl的幅度起始值始終保持為最后一次調節時的值VBN。校正次數設定值N則由預放大器的用戶根據失調校正的速度和精度要求自行設定。14)判斷此時正向輸出電壓Voutp與反向輸出電壓Voutn的大小，如果正向輸出電壓Voutp仍然小于反向輸出電壓Voutn,則表示此時失調校正調節還不到位,將調整電壓VB調大，返回步驟12)，從而繼續減小負載管MPl的柵源電壓，繼續增大MPl的導通電阻，進一步中和MPl管側電流較小的失調影響，直至達到設定的校正次數。如果正向輸出電壓Voutp大于反向輸出電壓Voutn，則表示此時失調校正調節過了最佳點，到了另一失調情形，則將調整電壓VB調小，返回步驟12)，以尋找使兩側輸出電壓趨于相等的VB的值，直至達到設定的校正次數。上述控制信號的調節過程中，僅調節第一控制信號CLKl的幅度，頻率是根據所述預放大器的時鐘信號CLK確定，與時鐘信號CLK的頻率一樣。優選地，步驟11)中，調整電壓VB的初值設為待校正失調電壓區間最大值的一半，步驟14)中調大VB或者調小VB時，均取區間的中間值。例如，對于預放大器，電路連接后，其失調校正區間為0 2/3VDD，則可將調整電壓VB的初值設為2/3VDD的一半1/3VDD，在1/3的VDD后需要調大VB,則取VB為區間(1/3VDD，2/3VDD)的中間值1/2的VDD ;在1/2的VDD后需要調小VB,則取VB為區間(1/3VDD，1/2VDD)的中間值5/12的VDD,依次類推。采用取中間值的方法可加快調節過程。通過上述控制，即實現了在第一種失調情形下，輸入管麗3管流過較小電流，在負載管MPl的較大的導通電阻上產生輸出電壓Voutn ;輸入管MN4管流過較大電流，在負載管MP2的較小電阻上產生輸出電壓Voutp，多次調節后使得電源VDD經過負載管MPl后的壓降與經過負載MP2后的壓降趨于相等，達到輸出電壓正向輸出電壓Voutp趨于等于反向輸出電壓Voutn，從而減小甚至消除了預放大器的失調電壓影響。在第二種情形下，失調為正向輸出電壓Voutp大于反向輸出電壓Voutn，則保持第一控制信號CLKl的幅度不變，按照如下方式調節第二控制信號CLK2，調節時的流程圖如圖6所示。調節過程包括以下步驟:
21)設定調整電壓VB的初值VBl。其中，初值VBl大于0，小于VDD。22)更新記錄當前校正次數，控制第二控制信號CLK2的幅度起始值為調整電壓VB的值，穩態值為電源電壓值VDD。如圖7所示，為此種失調情形下的各控制信號的時序圖。調節第二控制信號CLK2的幅度后，第二控制信號CLK2的電壓變化范圍從之前的(TVDD改為VB1DD，那么負載管MP2的柵源電壓的絕對值減小，其導通電阻變大。而當前失調情形是使得負載管MP2上流過的電流較小，則負載管MP2的柵極控制信號CLK2調節后使得MP2的導通電阻變大，則中和了電流較小的失調影響，使得MP2上的壓降變大(趨于與MPl上壓降相等)，則使得正向輸出電壓Voutp變小，使兩個輸出端電壓趨于相等，改善失調。同樣地，第一次校正時，當前校正次數為1，則第二控制信號CLK2的幅度起始值即為初值VB1。第二次校正時，當前校正次數為2，則第二控制信號CLK2的幅度起始值即為后續調整后返回的值VB2。依此類推，直至最后一次校正時，當前校正次數為設定值N，則第二控制信號CLK2的幅度起始值即為后續調整后返回的值VBN，此后結束調整，幅度起始值保持VBN不變。23)判斷當前校正次數的值是否等于設定值，如果否，則進入步驟24);如果是，則結束調節過程。同樣地，校正次數設定值N則由預放大器的用戶根據失調校正的速度和精度要求自行設定。24)判斷此時正向輸出電壓Voutp與反向輸出電壓Voutn的大小，如果正向輸出電壓Voutp仍然大于反向輸出電壓Voutn,則表示此時失調校正調節還不到位,將調整電壓VB調大，返回步驟22)，從而繼續減小負載管MP2的柵源電壓，繼續增大MP2的導通電阻，進一步中和MP2管側電流較小的失調影響，直至達到設定的校正次數。如果正向輸出電壓Voutp小于反向輸出電壓Voutn，則表示此時失調校正調節過了最佳點，到了另一失調情形，則將調整電壓VB調小；返回步驟22)，以尋找使兩側輸出電壓趨于相等的VB的值，直至達到設定的校正次數。同樣地，上述控制信號的調節過程中，僅調節第二控制信號CLK2的幅度，頻率是根據所述預放大器的時鐘信號CLK確定，與時鐘信號CLK的頻率一樣。
同樣優選地，步驟21)中，調整電壓VB的初值設為待校正失調電壓區間最大值的一半，步驟24)中調大VB或者調小VB時，均取區間的中間值，可加快調節過程。通過上述控制，即實現了在第二種失調情形下，輸入管麗3管流過較大電流，在負載管MPl的較小的導通電阻上產生輸出電壓Voutn ;輸入管MN4管流過較小電流，在負載管MP2的較大電阻上產生輸出電壓Voutp，多次調節后使得電源VDD經過負載管MPl后的壓降與經過負載MP2后的壓降趨于相等，達到輸出電壓正向輸出電壓Voutp趨于等于反向輸出電壓Voutn，從而減小甚至消除了預放大器的失調電壓影響。本具體實施方式
的失調校正方法，根據上述調節過程可知:第一，根據校正之前施加相同幅度的第一控制信號和第二控制信號時的比較結果(Voutp和Voutn的大小關系)確定需要調整第一控制信號CLKl還是第二控制信號CLK2。確定后，不需要調整的控制信號則在后面的校正過程中將保持不變，需要調整的控制信號則在后面的校正過程中將繼續調節改變幅度，直至整個校正過程結束。第二，校正過程中不需要調整幅度的信號應該和第三控制信號CLKP相同，其幅度范圍始終為(T VDD,因此可共用一個信號產生電路；需要調整幅度的信號和CLKP信號相比應只有幅度上的變化，例如最終幅度范圍為VB VDD(VB>0)，信號產生電路可在第三控制信號產生電路的基礎上增加幅度控制即可。第三，針對圖3所示的預放大器，為了保證其正常工作，MP3和MP4需要能完全關斷，因此CLKl和CLK2信號的最大值均為VDD。本具體實施方式
的失調校正方法，控制預放大器兩個負載MOS管(MPl和MP2)柵極的控制信號的幅度，使兩個負載MOS管的導通狀態不同，即意味著它們的等效導通阻抗不同，即對輸入管的負載作用不同，從而實現對預放大器輸入失調電壓的校正。失調校正過程中不需要在預放大器電路中增設可控電容或MOS管，因此不會對輸入端電壓造成負載效應，從而失調校正時也可確保放大器的速度。以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明，不能認定本發明的具體實施只局限于這些說明。對于本發明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下做出若干替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應當視為屬于本發明的保護范圍。
權利要求
1.一種預放大器通過控制幅度的失調校正方法，所述預放大器包括第一 PMOS晶體管，第二 PMOS晶體管，第三NMOS晶體管，第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管，所述第一 PMOS晶體管的源極連接電源，所述第一PMOS晶體管的漏極和所述第三NMOS晶體管的漏極相連，相連端輸出放大器的反向輸出電壓(Voutn);所述第二 PMOS晶體管的源極連接電源，所述第二 PMOS晶體管的漏極和所述第四NMOS晶體管的漏極相連，相連端輸出放大器的正向輸出電壓(Voutp);所述第三NMOS晶體管的源極與所述第五NMOS晶體管的漏極相連，所述第三NMOS晶體管的柵極連接正向輸入電壓(Vinp);所述第四NMOS晶體管的源極與所述第五NMOS晶體管的漏極相連，所述第四NMOS晶體管的柵極連接反向輸入電壓(Vinn);所述第五NMOS晶體管的源極接地，所述第五NMOS晶體管的柵極連接第三控制信號(CLKP);所述第三控制信號(CLKP)的幅度起始值為0，穩態值為電源電壓值VDD ； 其特征在于:所述第一 PMOS晶體管的柵極連接第一控制信號(CLK1)，所述第二 PMOS晶體管的柵極連接第二控制信號(CLK2);所述調節方法包括以下步驟:調節前，控制所述第一控制信號(CLKl)和所述第二控制信號(CLK2)的幅度起始值均為0，穩態值均為電源電壓值VDD;控制輸入相等的所述正向輸入電壓(Vinp)和所述反向輸入電源(Vinn)，則調節時: 第一種情形:如果失調為所述正向輸出電壓(Voutp)小于所述反向輸出電壓(Voutn),則保持所述第二控制信號(CLK2)的幅度不變，按照如下方式調節所述第一控制信號(CLKl):11)設定調整電壓(VB)的初值，所述初值大于0，小于VDD ； 12)更新記錄當前校正次數，控制所述第一控制信號(CLKl)的幅度起始值為所述調整電壓(VB)的值，穩態值為所述電源電壓值VDD ;13)判斷當前校正次數的值是否等于設定值，如果否，則進入步驟14)；如果是，則結束調節過程；14)判斷此時所述正向輸出電壓(Voutp)與所述反向輸出電壓(Voutn)的大小，如果所述正向輸出電壓(Voutp)仍然小于所述反向輸出電壓(Voutn),則將所述調整電壓VB調大，返回步驟12);如果所述正向輸出電壓(Voutp)大于所述反向輸出電壓(Voutn)，則將所述調整電壓VB調小，返回步驟12)； 第二種情形:如果失調為所述正向輸出電壓(Voutp)大于所述反向輸出電壓(Voutn),則保持所述第一控制信號(CLKl)的幅度不變，按照如下方式調節所述第二控制信號(CLK2):21)設定調整電壓(VB)的初值，所述初值大于0，小于VDD ;22)更新記錄當前校正次數，控制所述第二控制信號(CLK2)的幅度起始值為所述調整電壓(VB)的值，穩態值為所述電源電壓值VDD ;23)判斷此時校正次數的值是否等于設定值，如果否，則進入步驟24)；如果是，則結束調節過程；24)判斷此時所述正向輸出電壓(Voutp)與所述反向輸出電壓(Voutn)的大小，如果所述正向輸出電壓(Voutp)仍然大于所述反向輸出電壓(Voutn),則將所述調整電壓VB調大，返回步驟22);如果所述正向輸出電壓(Voutp)小于所述反向輸出電壓(Voutn)，則將所述調整電壓VB調小；返回步驟22)。
2.根據權利要求1所述的預放大器通過控制幅度的失調校正方法，其特征在于:所述第一種情形中步驟11)中或所述第二種情形步驟21)中的調整電壓(VB)的初值設為所述預放大器失調校正區間中最大值的一半。
3.根據權利要求1所述的預放大器通過控制幅度的失調校正方法，其特征在于:所述第一種情形中步驟14)中或所述第二種情形步驟24)中調大或者調小所述調整電壓(VB)時均取區間范圍的中間值。
全文摘要
本發明公開了一種預放大器通過控制幅度的失調校正方法，所述預放大器包括第一PMOS晶體管，第二PMOS晶體管，第三NMOS晶體管，第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管，通過對負載管第一PMOS晶體管MP1與第二PMOS晶體管MP2柵極上的控制信號的幅度進行調節控制，從而調節負載管的導通電阻，進而在電路中出現失調左右兩側支路的電流不等時，也能確保電源到左右兩側輸出端節點處的壓降相等，從而確保正向輸出電壓Voutp和反向輸出電壓Voutn相等，對失調進行校正。本發明的預放大器通過控制幅度的失調校正方法中，不需要在預放大器電路中增設可控電容或MOS管，因此不會對輸入端電壓造成負載效應。
文檔編號H03F3/45GK103107786SQ20121056938
公開日2013年5月15日 申請日期2012年12月25日 優先權日2012年12月25日
發明者姜琿, 王自強, 張春, 姜漢鈞, 陳虹, 王志華 申請人:清華大學深圳研究生院