專利名稱：電子器件封裝體用密封部件、電子器件封裝體、以及電子器件封裝體用密封部件的制造方法
技術領域：
本發明涉及一種電子器件封裝體用密封部件、采用了該電子器件封裝體用密封部件的電子器件封裝體、以及該電子器件封裝體用密封部件的制造方法，其中，該電子器件封裝體用密封部件被用作為，電子器件元件的電極被面對面配置的第一密封部件和第二密封部件密封的電子器件封裝體的第一密封部件。
背景技術：
電子器件封裝體的內部空間實施氣密密封，以防止該內部空間中裝載的電子器件元件的電極的特性劣化。作為這種內部空間實施了氣密密封的電子器件封裝體，例如有晶·體諧振器等壓電振動裝置。作為這種電子器件封裝體，存在由底座和蓋這兩個密封部件組成、且殼體為長方體構造的封裝體。在這樣的封裝體的內部空間中，壓電振動片等電子器件元件被接合保持在底座上。并且，通過底座與蓋之間的接合，封裝體內部空間的電子器件元件的電極被氣密密封(例如，參照專利文獻I)。在專利文獻I中所示的晶體諧振器封裝體(即，電子器件封裝體)的底座上，設有貫穿該底座的基材的通孔。并且，底座的兩個主面上設置的電極之間通過該通孔而電連接。上述在底座上開設的通孔中填充有導電構件，該導電構件與在底座的兩個主面上設置的電極相連接，從而使兩個主面上設置的電極之間導通，并保持了封裝體的內部空間的氣密性。在此，作為導電構件，專利文獻I中公開了銀漿以及嵌合于通孔的金屬構件。然而，近年來，對壓電振動裝置等電子器件封裝體要求小型化，隨之，上述那樣的底座等的密封部件上開設的通孔也趨向于微小化。但是，如專利文獻I中公開的銀漿那樣的導電漿料一般具有較高的粘性，所以難于填充微小的通孔。另外，在將金屬構件作為導電構件來填充微小的通孔的情況下，難于制造能與微小的通孔緊密接合的微小金屬構件。為此，用導電漿料或金屬構件來填充微小的通孔時，會發生填充不良的情況。由于這樣的填充不良，通孔不能被完全封住，其結果，封裝體的內部空間的氣密性降低。專利文獻I日本特開2002-124845號公報
發明內容
鑒于上述情況，本發明的目的在于，提供一種作為電子器件封裝體的密封部件使用則能使該電子器件封裝體的內部具有充分的氣密性的、電子器件封裝體用密封部件。另外，本發明的另一個目的在于，提供一種能充分保持封裝體內部的氣密性的電子器件封裝體。另外，本發明的目的還在于，提供一種電子器件封裝體用密封部件的制造方法，所制造的電子器件封裝體用密封部件作為電子器件封裝體的密封部件使用則能使該電子器件封裝體的內部具有充分的氣密性。為了達到上述目的，本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件被用作為，用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進行氣密密封的電子器件封裝體的所述第一密封部件，其特征在于，該電子器件封裝體用密封部件包括貫穿該電子器件封裝體用密封部件的基材的通孔；在所述基材的、與所述第二密封部件相向的相向面上形成的內部電極；在所述基材的、與所述相向面相反的面上形成的外部電極；以及在所述通孔的內側面上形成的、使所述內部電極與所述外部電極電連接的貫通電極，所述通孔的至少一側的開口面被樹脂材料密封。基于上述結構，通過沿著通孔的內側面形成的貫通電極，內部電極與外部電極之間能實現電連接，且該通孔中的導通狀態穩定。另外，通孔的至少一側的開口面被樹脂材料密封，所以能夠使采用了該電子器件封裝體用密封部件的電子器件封裝體的內部具有充分的氣密性。另外，本發明中所說的在該電子器件封裝體用密封部件的基材上形成電極(內部電極、外部電極以及貫通電極)是指，除了在基材表面上直接形成電極之外，還包括在基材表面上隔著某種物質形成電極這樣的廣義概念。 另外，也可以是，本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述樹脂材料具有感光性，所述通孔的至少一側的開口面被配置于該開口面的所述樹脂材料構成的樹脂圖樣密封。基于上述結構，通孔的至少一側的開口面能被配置在該開口面上的具有感光性的樹脂材料構成的樹脂圖樣切實地密封。這樣的樹脂圖樣例如可以采用使用具有感光性的樹脂材料的光刻(Photolithography)法等來簡單且高精度地形成，以使設置了該電子器件封裝體用密封部件的電子器件封裝體的內部具有充分的氣密性。另外，也可以是，本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述通孔的內部填充有樹脂材料。基于上述結構，通孔能夠被填充在該通孔中的樹脂材料切實地密封，因而，能夠確保采用了該電子器件封裝體用密封部件的電子器件封裝體的內部具有充分的氣密性。另外，也可以是，本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述內部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋。基于上述結構，內部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋，所以在被樹脂材料覆蓋部分的內部電極的電極表面是由Cu等易氧化金屬構成的情況下，能夠防止電極表面的氧化。另外，也可以是，本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述外部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋。基于上述結構，外部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋，所以在被樹脂材料覆蓋部分的外部電極的電極表面是由Cu等易氧化金屬構成的情況下，能夠防止電極表面的氧化。另外，也可以是，本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述基材與所述內部電極之間、所述基材與所述外部電極之間、所述基材與所述貫通電極之間，分別設置有樹脂材料。基于上述結構，該電子器件封裝體用密封部件的基材與內部電極、外部電極、貫通電極之間分別設置有樹脂材料，所以構成內部電極、外部電極、以及貫通電極的各個金屬與該電子器件封裝體用密封部件的基材之間不會發生反應，因而不會出現因與構成內部電極、外部電極、以及貫通電極的各個金屬發生反應而導致該電子器件封裝體用密封部件的基材劣化的情況。另外，也可以是，本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，在所述內部電極和所述外部電極的至少一方之上，隔著樹脂材料形成有其它的電極。基于上述結構，在該電子器件封裝體用密封部件的厚度方向上能夠有多個布線圖樣(pattern)。另外，本發明所涉及的電子器件封裝體是用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進行氣密密封的電子器件封裝體，其特征在于，所述第一密封部件是上述本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件。 基于上述結構，由于采用上述本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件作為第一密封部件，所以通過該電子器件封裝體用密封部件，能夠充分保持封裝體內部的氣密性。并且，在該電子器件封裝體用密封部件上開設的通孔中，能確保穩定的導通狀態。另外，本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件的制造方法用于制造一種電子器件封裝體用密封部件，該電子器件封裝體用密封部件被用作為，用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進行氣密密封的電子器件封裝體的所述第一密封部件，其特征在于，該制造方法包括通孔形成工序，形成貫穿該電子器件封裝體用密封部件的基材的通孔；電極形成工序，形成內部電極、外部電極以及貫通電極，其中，所述內部電極位于所述基材的、與所述第二密封部件相向的相向面上，所述外部電極位于與所述相向面相反的面上，所述貫通電極沿所述通孔的內側面配置；以及封孔工序，用樹脂材料密封所述通孔的至少一側的開口面。基于該制造方法，由于在電極形成工序中，形成沿著通孔的內側面配置的貫通電極，所以通過該貫通電極，能夠實現內部電極與外部電極之間的電連接，并且，能夠制造通孔內部的導通狀態穩定的電子器件封裝體用密封部件。另外，由于有用樹脂材料密封通孔的至少一側的開口面的封孔工序，所以能夠制造出在被用作電子器件封裝體的第一密封部件時，能使電子器件封裝體的內部具有充分的氣密性的電子器件封裝體用密封部件。另外，也可以是，在本發明所涉及的電子器件封裝體用密封部件的制造方法中，所述封孔工序包括圖樣形成工序，用于利用使用具有感光性的所述樹脂材料的光刻法，來進行用于密封所述通孔的至少一側的開口面的樹脂圖樣的圖樣形成。基于該制造方法，能夠利用使用具有感光性的樹脂材料的光刻法，簡單且高精度地形成樹脂圖樣，其結果，能夠用樹脂圖樣切實地密封通孔的至少一側的開口面。發明的效果基于本發明的電子器件封裝體用密封部件，能夠提供一種在被用作為電子器件封裝體的密封部件時，能使該電子器件封裝體的內部具有充分的氣密性的電子器件封裝體用密封部件。另外，基于本發明的電子器件封裝體，能夠提供一種能充分確保封裝體內部的氣密性的電子器件封裝體。另外，基于本發明的電子器件封裝體用密封部件的制造方法，能夠制造出一種被用作為電子器件封裝體的密封部件時，能使該電子器件封裝體的內部具有充分的氣密性的
電子器件封裝體用密封部件。
圖I是示出實施方式一所涉及的晶體諧振器的內部空間的示意剖視圖。圖2A是實施方式一所涉及的底座的示意俯視圖。圖2B是實施方式一所涉及的底座的示意剖視圖。圖2C是實施方式一所涉及的底座的示意仰視圖。圖3A是實施方式一所涉及的蓋的示意剖視圖。圖3B是實施方式一所涉及的蓋的示意仰視圖。圖4是實施方式一所涉及的水晶振動片的示意仰視圖。圖5A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。
圖5B是圖5A所示的晶片的示意剖視圖。圖6A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖6B是圖6A所示的晶片的示意剖視圖。圖7A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖7B是圖7A所示的晶片的示意剖視圖。圖8A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖8B是圖8A所示的晶片的示意剖視圖。圖9A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖9B是圖9A所示的晶片的示意剖視圖。圖IOA是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖IOB是圖IOA所示的晶片的示意剖視圖。圖IlA是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖IlB是圖IlA所示的晶片的示意剖視圖。圖12A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖12B是圖12A所示的晶片的示意剖視圖。圖13A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖13B是圖13A所示的晶片的示意剖視圖。圖14A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖14B是圖14A所示的晶片的示意剖視圖。圖15A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖15B是圖15A所示的晶片的示意剖視圖。圖16A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖16B是圖16A所示的晶片的示意剖視圖。圖17A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖17B是圖17A所示的晶片的示意剖視圖。圖18A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖18B是圖18A所示的晶片的示意剖視圖。圖19A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖19B是圖19A所示的晶片的示意剖視圖。圖20A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖20B是圖20A所示的晶片的示意剖視圖。圖21A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖21B是圖21A所示的晶片的示意剖視圖。圖22A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖22B是圖22k所示的晶片的示意剖視圖。圖23A是表不實施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個工序的晶片的局部不意俯視圖。圖23B是圖23A所示的晶片的示意剖視圖。圖24A是實施方式二所涉及的底座的示意俯視圖。圖24B是實施方式二所涉及的底座的示意剖視圖。圖24C是實施方式二所涉及的底座的示意仰視圖。圖25A是實施方式三所涉及的底座的示意俯視圖。圖25B是實施方式三所涉及的底座的示意剖視圖。圖25C是實施方式三所涉及的底座的示意仰視圖。圖26A是實施方式四所涉及的底座的示意俯視圖。圖26B是實施方式四所涉及的底座的示意剖視圖。圖26C是實施方式四所涉及的底座的示意仰視圖。圖27是示出實施方式五所涉及的晶體振蕩器的內部空間的示意側視圖。
圖28A是實施方式五所涉及的底座的不意俯視圖。圖28B是實施方式五所涉及的底座的示意仰視圖。圖29A是實施方式TK所涉及的底座的不意俯視圖。圖29B是實施方式六所涉及的底座的示意剖視圖。圖29C是實施方式六所涉及的底座的示意仰視圖。<附圖標記說明>
I晶體諧振器
1I內部空間
2水晶振動片 2 I 基板
2 2,23 主面24短邊的中間部分
2 6振動部
27接合部
3I、3 2 激發電極
33 , 3 4 端電極
35 , 3 6 引出電極4底座(作為第一密封部件的電子器件封裝體用密封部件)
4 I底部
4 11、4 12 基座部 4 2主面(相向面)
4 3主面
4 4壁部
4 5 , 4 5 A第I接合層 4 5 1、4 5 3 濺射薄膜 4 5 2、4 5 4 鍍膜 4 6腔部 4 6 1底面
4 7 , 4 8 雉堞墻
47A、47B、48A、4 8 B 雉堞墻
49通孔
49 I內側面
49 2、4 9 3 開口面
51,52 電極墊
5 3 , 5 4 外部端電極
53 A、53 B、54 A、5 4 B 外部端電極
55內部電極
5 6外部電極
5 6 I 濺射薄膜
56 2 鍍膜
56 3 第二鍍膜
57貫通電極
58樹脂圖樣
59樹脂材料
6蓋(第二密封部件)
6I第二接合層611M ο 膜
6I 2Au膜
7I接合材料
711An / S η膜
712Au膜
8晶片
81、8 2 主面
9I保護層9 2金屬層9 3電鍍層
9 4正光阻層
9 5樹脂層
1O晶體振蕩器(電子器件封裝體)
2OIC芯片(電子器件元件)
4O I基座部
5O I第一布線圖樣
50 2第二布線圖樣
5O 3第三布線圖樣 9 0 6、9 O 7 導電凸點
L I短邊方向上的邊L 2、L 3 長邊方向上的邊
具體實施例方式以下，結合附圖，對本發明的實施方式一至六進行說明。在以下所示的實施方式一至四、及六中，示出將本發明的電子器件封裝體用作壓電振動裝置即晶體諧振器的封裝體，并采用壓電振動片即AT截面晶體振動片作為電子器件元件的情況。另外，在實施方式五中，示出將本發明的電子器件封裝體用作壓電振動裝置即晶體振蕩器的封裝體，并采用壓電振動片即AT截面晶體振動片、及IC芯片作為電子器件元件的情況。〈實施方式一〉圖I是示出實施方式一所涉及的晶體諧振器的內部空間的示意剖視圖。另外，圖2Α 圖2C是表示實施方式一所涉及的底座的概要結構的示意圖。其中，圖2Α是示意俯視圖；圖2Β是表示沿圖2Α中的虛線切斷底座之后的斷面狀態的示意剖視圖；圖2C是示意仰視圖。另外，圖3Α及圖3Β是表示實施方式一所涉及的蓋的概要結構的示意圖。其中，圖3A是不意首I]視圖；圖3B是不意仰視圖。另外，圖4是實施方式一所涉及的水晶振動片的不意仰視圖。如圖I所示，在實施方式一所涉及的晶體諧振器I中，設置有水晶振動片2(本發明所說的電子器件元件)、底座4(本發明所說的作為第一密封部件的電子器件封裝體用密封部件)、及蓋6 (本發明所說的第二密封部件)，其中，水晶振動片2由AT截面晶體構成；底座4用于保持該水晶振動片2，并對水晶振動片2進行氣密密封；蓋6用于對相向于底座4配置并由底座4保持的水晶振動片2的激發電極31、32(本發明所說的電子器件元件的電極)進行氣密密封。在晶體諧振器I中，底座4與蓋6構成封裝體(本發明所說的電子器件封裝體)，底座4與蓋6通過Au與Sn的合金所構成的接合材料71而接合在一起,并形成被氣密密封的內部空間11。該內部空間11中，水晶振動片2采用使用金凸點等導電凸點(未圖示)的FCB法(Flip Chip Bonding，倒裝芯片安裝)，通過超聲波接合而機電性地接合在底座4上。另外，底座4與水晶振動片2之間也可以通過導電性樹脂接合材料而接合在一起。 下面，對該晶體諧振器I的各構成進行說明。底座4由硼硅酸鹽玻璃等玻璃材料構成。如圖I及圖2A 圖2C所示那樣，底座4被形成為由底部41和壁部44構成的箱狀體，壁部44沿著底座4的一主面42的外周從底部41向上方延出。底座4是通過用光刻法對長方體實心板進行蝕刻而成形的。底座4的壁部44的頂面是與蓋6接合的接合面，該接合面上設置有用于與蓋6接合的第I接合層45。如圖2B所示那樣，第I接合層45由在濺射薄膜451上形成了鍍膜452的多層疊層結構構成。濺射薄膜451是通過在用濺射法濺射形成的、Mo構成的Mo膜上，用濺射法濺射形成Au構成的Au膜而得到的。另外，鍍膜452是通過在濺射薄膜451上施鍍形成Au構成的Au膜而得到的。在底座4上形成有，由底部41和壁部44圍成的腔部46。該腔部46被形成為，如圖I所示那樣，俯視時呈矩形，腔部46的壁面呈錐形。但在實施方式一中，腔部46被形成為俯視時呈長方形。另外，兩個基座部411、412在腔部46的短邊方向上相對應地設置在腔部46的底面461上。這兩個基座部411、412被設置為，分別與腔部46的底面461的短邊方向上的邊LI相接，并與鄰接該短邊方向上的邊LI的、底面461的長邊方向上的邊L2、L3相接。另外，在底座4的、俯視時呈長方形的殼體的背面(另一主面43)上，形成有兩個雉堞墻(castellati0n)47、48(參照圖I、圖2B及圖2C)。雉堞墻47被形成于殼體側面，并且是沿著另一主面43的短邊方向上的一個側邊的整體及與該一側邊相鄰的另一主面43的長邊方向上的兩個側邊的一部分而形成。雉堞墻48被形成于殼體側面，并且是沿著另一主面43的短邊方向上的另一側邊的整體及與該另一側邊相鄰的另一主面43的長邊方向上的兩個側邊的一部分而形成的。另外，在實施方式一中，兩個雉堞墻47、48被形成為，壁面相對于底座4的另一主面43而傾斜。另外，如圖I及圖2A 圖2C所示那樣，在底座4上形成有貫穿底座4的基材的通孔49。該通孔49的內側面491被形成為，相對于底座4的一主面42以及另一主面43而傾斜的維形。通孔49的直徑在底座4的另一主面43側的端部為最大；在底座4的一主面42側的端部為最小。
另外，在底座4的基材上形成有分別與水晶振動片2的激發電極31、32進行機電接合的一對電極墊51、52 ;與外部部件、外部器件電連接的外部端電極53、54 ;以及使電極墊51與外部端電極53及電極墊52與外部端電極54電連接的布線圖樣(圖示省略)。通過這些電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣而構成底座4的電極55、56、57。電極墊51、52形成在基座部411、412的表面；外部端電極53、54形成在雉堞墻47、48上。布線圖樣被形成為，經由通孔49的內側面491，從底座4的一主面42的電極墊51、52延伸至另一主面43的外部端電極53、54。另外，在底座4的基材上形成的電極55、56、57中，將底座4的基材的一主面42 (通孔49的開口面492除外)上形成的電極55稱為內部電極(以下，在有必要與其它的電極56、57區別時，記載為內部電極55);將底座4的基材的另一主面43 (通孔49的開口面493除外)上形成的電極56稱為外部電極(以下，在有必要與其它的電極55、57區別時，記載為外部電極56);將被形成為從通孔49的內側面491延伸至通孔49的開口面492、493的電極57稱為貫通電極(以下，在有必要與其它的電極55、56區別時，記載為貫通電極57)。換言之，在本實施方式一中，貫通電極57被形成在通孔49的內側面491的整體、以及貫通 孔49的開口面492和493的周邊部。包括電極墊51、52在內的內部電極55、包括外部端電極53、54在內的外部電極56、以及貫通電極57由與第I接合層45相同的材料構成，并與第I接合層45同時被形成。另外，在底座4的一主面42上的腔部46的底面461的一半以上部分的區域，全都配置有樹脂圖樣58 (樹脂材料)，通過樹脂圖樣58，位于底座4的一主面42側的開口面 492被密封，并且，除電極墊51、52之外的內部電極55的一部分表面被樹脂覆蓋。在此，作為構成樹脂圖樣58的樹脂材料，可以采用任何與構成底座4的材料(例如，玻璃材料)之間有良好的附著性的樹脂材料，可以適當使用苯環丁烯(BCB)、聚苯并惡唑、環氧樹脂、聚酰亞胺、或氟系樹脂構成的樹脂材料。另外，在實施方式一中，用光刻法將樹脂圖樣58形成在腔部46的底面461上，作為構成樹脂圖樣58的樹脂材料，可以采用具有感光性的樹脂材料。另外，本發明所說的具有感光性的樹脂材料是指，除了由具有感光性的樹脂構成的樹脂材料之外，還包括含有光增敏劑和樹脂的感光性樹脂組合物這樣的廣義概念。如圖I、圖3A及圖3B所示，蓋6由硼硅酸鹽玻璃等玻璃材料構成，并被形成為長方體實心板。在該蓋6上，沿著內面的外周形成有第二接合層61。如圖3A所示，蓋6的第二接合層61是由在形成了由Mo構成的Mo膜611上形成由Au構成的Au膜612而得到的多層疊層結構構成的。Mo膜611是通過濺射法而濺射形成的。Au膜612是通過濺射法而濺射形成的。另外，在蓋6的第二接合層61上，在與底座4接合之前，如圖3A及圖3B所示那樣疊層著接合材料71。接合材料71由在第二接合層61上疊層的Au/Sn膜711、和在八11/511膜711上疊層而形成的Au膜712構成。在此，Au/Sn膜711由在第二接合層61上疊層并施鍍而形成的Au膜、和在該Au膜上施鍍而形成的Sn膜構成。Au膜712由在Au/Sn膜711上疊層并施鍍而形成的Au觸擊電鍍膜i、和在Au觸擊電鍍膜上疊層并施鍍而形成的Au鍍膜構成。在這樣的接合材料71中,Au/Sn膜711通過加熱而融化成為AuSn合金膜。另外，也可以通過在蓋6的第二接合層61上鍍AuSn合金來構成接合材料71。水晶振動片2由AT截面晶體片的基板21構成，其外形如圖I及圖4所示那樣，是兩主面22、23被形成為大致矩形的長方體實心板。該水晶振動片2上設置有構成振動區域的振動部26、以及與底座4的電極墊51、52相接合的接合部27。振動部26與接合部27形成為一體而構成基板21。另外，在接合部27中，基板21的俯視圖中的短邊的中間部分24被切出。該水晶振動片2上形成有進行激發的一對激發電極31、32 ;與底座4的電極墊51、52機電接合的一對端電極33、34 ;將一對激發電極31、32引到一對端電極33、34的引出電極35、36。一對激發電極31、32通過引出電極35、36引接而分別與一對端電極33、34電連接。一對激發電極31、32背對背地形成在基板21的兩個主面22、23即振動部26的中央(俯視圖的中央)。這一對激發電極31、32例如由從基板21側開始按Cr、Au的順序疊層而形成的Cr-Au膜構成。 一對端電極33、34形成在接合部27的另一主面23上。一對端電極33、34中的一個端電極33被形成在,基板21的長邊方向上的一側邊的一端部附近；另一端電極34被形成在，基板21的長邊方向上的另一側邊的一端部附近。這一對端電極33、34例如與激發電極31、32 —樣，由從基板21側開始按Cr、Au的順序疊層而形成的Cr-Au膜構成。另外,一對端電極33、34如圖4所示那樣，具有由上層和下層組成的二層結構，上層由Au構成；下層由Cr-Au構成。下層的主面(俯視時的面)的面積比上層的主面(俯視時的面)的面積大。引出電極35、36被形成在振動部26和接合部27上，即，從振動部26跨越到接合部27，且相互非對應地被形成在基板21的兩個主面22、23上。該引出電極35、36例如與激發電極31、32 —樣，由從基板21側開始按Cr、Au的順序疊層而形成的Cr-Au膜構成。在由上述結構構成的晶體諧振器I中，如圖I所示那樣，底座4與水晶振動片2之間通過導電凸點(未圖示)，利用FCB法實現了機電上的超聲波接合。通過該接合，水晶振動片2的激發電極31、32經由引出電極35、36、端電極33、34以及導電凸點而與底座4的電極墊51、52機電接合，從而在底座4上裝載水晶振動片2。然后，在裝載了水晶振動片2的底座4上，用FCB法暫時將蓋6接合，其后，通過在氮氣氛圍下加熱，接合材料71、第I接合層45及第二接合層61融化，使得底座4的第I接合層45通過接合材料71而與蓋6的第二接合層61接合，從而制造出將水晶振動片2氣密密封的晶體諧振器I。作為導電凸點，可采用為非流動性構件的電鍍凸點(plating bump)。下面，結合圖5A 圖23B，對該晶體諧振器I及底座4的制造方法進行說明。其中，在圖5A 圖23B的各圖中，附圖的圖號中含有A的圖(以下，稱為A圖)是底座4的制造工序中的一個工序中的晶片的局部示意俯視圖，附圖的圖號中含有B的圖是表示將A圖所示的晶片沿A圖中的虛線切斷后的斷面的狀態的示意剖視圖。首先，對形成多個底座4的玻璃材料所構成的晶片8的兩個主面進行清洗(參照圖5A及圖5B)。晶片8的清洗完畢之后，如圖6A及圖6B所示那樣，在其兩個主面81、82上形成保護層91。具體而言，在晶片8的兩個主面81、82上用濺射法濺射形成由Mo構成的Mo層之后，在Mo層上用濺射法濺射形成Au層，從而形成由Mo層和Au層構成的保護層91。在晶片8的兩個主面81、82上形成了保護層91之后，如圖7A及圖7B所示那樣，用旋涂法在保護層91上涂布光阻劑(resist)，以形成正光阻層94。然后，在保護層91上形成了正光阻層94之后，對形成圖2A 圖2C所示的底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的正光阻層94進行曝光及顯影。接著，對通過曝光及顯影而露出的、形成底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的保護層91進行蝕刻。對形成底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的保護層91進行了蝕刻之后，用旋涂法在晶片8上涂布光阻劑，以形成新的正光阻層94。
在形成了新的正光阻層94之后，對形成底座4的外形、腔部46的底面(包含形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的正光阻層94進行曝光及顯影，從而如圖8A及圖SB所示那樣，使形成底座的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的部分的晶片8露出，并使形成基座部411、412的位置上的保護層91露出。然后，如圖9A及圖9B所示那樣，將保護層91及正光阻層94作為防護罩(mask)，采用使用蝕刻液的濕蝕刻法，進行蝕刻而形成底座4的外形的一部分、腔部46的一部分、及通孔49的一部分(內側面491的一部分)。晶片8的蝕刻完畢之后，如圖IOA及圖IOB所示那樣，對形成基座部411、412的位置上存在(露出)的保護層91進行金屬蝕刻。對形成基座部411、412的位置上存在的保護層91進行了金屬蝕刻之后，如圖IlA及圖IlB所示那樣，將保護層91及正光阻層94作為防護罩，采用使用蝕刻液的濕蝕刻法，進行蝕刻而形成底座4的外形的整體、腔部46的整體(包含基座部411、412)、及通孔49的整體(內側面491的整體)。晶片8的蝕刻完畢之后，如圖12A及圖12B所示那樣，將正光阻層94剝離去除。將正光阻層94剝離去除之后，如圖13A及圖13B所示那樣，對露出的保護層91進行金屬蝕刻，以將其去除，使晶片8的兩個主面81、82全部露出。對保護層91進行了金屬蝕刻之后，如圖14A及圖14B所示那樣，在晶片8(兩主面81、82及通孔49的內側面491)上形成金屬層92。具體而言，用濺射法在晶片8 (兩主面81、82以及通孔49的內側面491)上濺射形成由Mo構成的Mo層之后，用濺射法在Mo層上濺射形成并疊層由Au構成的Au層，從而形成由Mo層和Au層構成的金屬層92。在此形成的金屬層92便成為構成第I接合層45的濺射薄膜451 (參照圖2B)。在晶片8的兩個主面81、82上形成了金屬層92之后，用浸潰涂布法在金屬層92上涂布光阻劑，以形成新的正光阻層94。在金屬層92上形成了正光阻層94之后，對形成底座4的第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的位置上的正光阻層94進行曝光及顯影，從而如圖15A及圖15B所示那樣，使形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的位置上的金屬層92露出。然后，如圖16A及圖16B所示那樣，在通過曝光及顯影而露出的金屬層92上鍍Au而形成電鍍層93,并形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的外層膜。在此形成的電鍍層93便成為第I接合層45的鍍膜452(參照圖2B)。在形成了第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣之后，如圖17A及圖17B所示那樣，將正光阻層94剝離去除。然后，如圖18A及圖18B所示那樣，用浸潰涂布法在晶片8上涂布光阻劑，以形成新的正光阻層94。在晶片8上形成了正光阻層94之后，為了形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣，而對形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的位置以外的晶片8上的正光阻層94進行曝光及顯影，從而如圖19A及圖19B所示那樣，使形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的位置以外的金
屬層92露出。然后，如圖20A及圖20B所示那樣，對通過曝光及顯影而露出的金屬層92進行金屬蝕刻，以將其去除，便形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣。形成了第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣之后，如圖2IA 及圖21B所示那樣，將正光阻層94剝離去除。從晶片8上剝離去除了正光阻層94之后，如圖22A及圖22B所示那樣，用浸潰涂布法或噴涂法在晶片8的兩個主面81、82及通孔49的開口面492、493上涂布具有感光性的樹脂材料，以形成樹脂層95。在晶片8上形成了樹脂層95之后，如圖23A及圖23B所示那樣，對形成樹脂圖樣58的位置以外的位置上的樹脂層95進行曝光及顯影，以形成樹脂圖樣58。通過該樹脂圖樣58，晶片8的一主面81側存在的通孔49的開口面492被樹脂密封，并且，在晶片8的一主面81上形成的布線圖樣(內部電極55的一部分)的表面被覆蓋。在形成了樹脂圖樣58之后，將在晶片8上大量形成的底座4 一個一個地分割成單片，從而制造出多個圖2A 圖2C所示的底座4。在圖2A 圖2C所示的底座4上，放置圖4所示的水晶振動片2，用FCB法通過導電凸點實現水晶振動片2與底座4之間的機電上的超聲波接合，從而在底座4上裝載固定水晶振動片2。另外，在別的工序中，在蓋6的第二接合層61上進行接合材料71的疊層(參照圖3A及圖3B)。其后，通過FCB法，將蓋6暫時接合在裝載固定了水晶振動片2的底座4上，然后，在氮氣氛圍下加熱，使接合材料71、第I接合層45及第二接合層61融化，以通過接合材料71將底座4的第I接合層45與蓋6的第二接合層61正式接合，從而制造出圖I所示的晶體諧振器I。另外，在上述底座4的制造工序中，將蝕刻晶片8而在底座4的基材上形成通孔49的工序稱為通孔形成工序。另外，將利用通過上述光刻法而形成的金屬層92及電鍍層93，來在底座4的基材上形成電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣(S卩，內部電極55、外部電極56和貫通電極57)的工序稱為電極形成工序。并且，將通過光刻法形成樹脂圖樣58，并用樹脂材料(樹脂圖樣58)來密封通孔49的開口面492、493的至少一方的工序稱為封孔工序。在本實施方式一所涉及的晶體諧振器I中，由于在通孔49的整個內側面491形成有貫通電極57，所以通過該貫通電極57，底座4的一主面42上形成的內部電極55與底座4的另一主面43上形成的外部電極56實現了電連接，通孔49中的導通狀態穩定。另外，由于位于底座4的一主面42側的通孔49的開口面492被樹脂圖樣58 (樹脂材料)密封，所以外氣不會通過通孔49而進入晶體諧振器I的封裝體內部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內部的氣密性。進一步，由于腔部46的底面461的一半以上形成有樹脂圖樣58，所以通過該樹脂圖樣58，底座4的面方向上的強度得到加強。另外，在本實施方式一所涉及的晶體諧振器I中，由于在位于底座4的一主面42側的通孔49的開口面492、及該開口面492的周圍廣泛(具體而言，腔部46的底面461的一半以上的區域)形成了樹脂圖樣58，所以能夠充分確保樹脂圖樣58與構成底座4的基材(玻璃材料)之間直接接觸的接觸面積。因此，能夠充分確保樹脂圖樣58與構成底座4的基材之間的接合強度，從而能夠充分確保晶體諧振器I的封裝體的氣密穩定性。〈實施方式二〉實施方式二所涉及的晶體諧振器I的構成與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的構成基本相同。因此，以下只對不同于實施方式一所涉及的晶體諧振器I之處進行說明。實施方式二所涉及的晶體諧振器I的底座4的構成與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的構成不同。圖24A 圖24C是表示實施方式二所涉及的底座4的概要結構的示意圖，圖24A是示意俯視圖，圖24B是表示沿圖24A的虛線切斷底座4之后的切斷面的狀態的示意剖視圖，圖24C是意仰視圖。在實施方式二所涉及的晶體諧振器I的底座4中，在俯視時為長方形的殼體背面(另一主面43)上，如圖24B及圖24C所示那樣，設置有四個雉堞墻47A、47B、48A、48B。具體而言，雉堞墻47A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側邊的一端部而設置的；雉堞墻47B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側邊的另一端部而設置的。另夕卜，雉堞墻48A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側邊的一端部而設置的；雉堞墻48B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側邊的另一端部而設置的。并且，在這四個雉堞墻47A、47B、48A、48B上分別形成有外部端電極53A、53B、54A、54B。其中，外部端電極53A與電極墊51之間通過布線圖樣而實現電連接；外部端電極54B與電極墊52之間通過布線圖樣而實現電連接。另外，如圖24A 圖24C所示那樣，樹脂圖樣58不是形成在構成腔部46的底面461的、底座4的一主面42，而是形成在構成殼體背面的、底座4的另一主面43。具體而言，在底座4的另一主面43上，背對著腔部46底面的位置上設置樹脂圖樣58，通過該樹脂圖樣58，位于另一主面43的通孔49的開口面493被密封。除了在圖23A及圖23B所示的制造工序中，不是將樹脂圖樣58形成在晶片8的一主面81，而是將樹脂圖樣58形成在晶片8的另一主面82，上述實施方式二所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法相同。在本實施方式二所涉及的晶體諧振器I中，由于通孔49的整個內側面491形成有貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內部電極55與在底 座4的另一主面43上形成的外部電極56之間實現了電連接，通孔49內部的導通狀態穩定。另外,位于底座4的另一主面43側的通孔49的開口面493被樹脂圖樣58 (樹脂材料)密封，所以外氣不會通過通孔49而進入到晶體諧振器I的封裝體內部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內部的氣密性。進一步，在底座4的另一主面43上，背對腔部46底面的位置上形成有樹脂圖樣58，所以通過該樹脂圖樣58，底座4的面方向上的強度得到加強。另外，在本實施方式二所涉及的晶體諧振器I中，由于在位于底座4的另一主面43側的通孔49的開口面493及該開口面493的周圍廣泛(具體而言，底座4的另一主面43上的、與腔部46的底面相對應的部分的一半以上區域)形成了樹脂圖樣58，所以能夠充分確保樹脂圖樣58與構成底座4的基材(玻璃材料)之間直接接觸的接觸面積。因此，能夠充分確保樹脂圖樣58與構成底座4的基材之間的接合強度，從而充分確保晶體諧振器I的封裝體的氣密穩定性。在本實施方式二所涉及的晶體諧振器I的構成中，除上述說明過的構成之外，其它構成與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的相同，因此，實施方式二所涉及的晶體諧振器I能產生與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。 〈實施方式三〉實施方式三所涉及的晶體諧振器I具有與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的結構基本相同的結構，因此，能夠產生與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。以下，只對不同于實施方式一所涉及的晶體諧振器I的部分進行說明。實施方式三所涉及的晶體諧振器I的底座4的構成與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的構成不同。圖25A 圖25C是表示實施方式三所涉及的底座4的概要結構的示意圖，圖25A是示意俯視圖，圖25B是表示沿圖25A的虛線切斷底座4之后的切斷面的狀態的示意剖視圖，圖25C是示意仰視圖。在實施方式三所涉及的晶體諧振器I的底座4中，如圖25A 圖25C所示那樣，在構成腔部46的底面461的、底座4的一主面42上存在的通孔49的開口面492及該開口面492的附近，以及構成殼體背面的、底座4的另一主面43上存在的通孔49的開口面493及該開口面493附近形成有樹脂圖樣58。換言之，在本實施方式三中，通孔49的兩側的開口面492、493被樹脂圖樣58密封。進一步，在本實施方式三中，通孔49的內部填充了用于形成樹脂圖樣58的樹脂材料59。除了在圖22A及圖22B所示的制造工序中，用浸潰涂布法在晶片8的兩個主面81、82及通孔49的開口面492、493上涂布含有光增敏劑的樹脂以形成樹脂層95，同時將樹脂材料59填充到通孔49中，以及在圖23A及圖23B所示的制造工序中，只在位于晶片8的一主面81上的通孔49的開口面492及該開口面492的附近、及位于晶片8的另一主面82上的通孔49的開口面493及該開口面493的附近形成樹脂圖樣58以外，上述實施方式三所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法相同。在本實施方式三所涉及的晶體諧振器I中，由于通孔49的整個內側面491形成了貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內部電極55與在底座4的另一主面43上形成的外部電極56之間實現了電連接，通孔49的內部的導通狀態穩定。另外，通孔49的兩側的開口面492、493被樹脂圖樣58 (樹脂材料)密封，而且通孔49的內部填充了樹脂材料59，所以外氣不會通過通孔49而進入晶體諧振器I的封裝體內部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內部的氣密性。另外，在實施方式三中，作為填充到通孔49內部的樹脂材料59，使用了與構成樹脂圖樣58的樹脂材料相同的、不含導電性物質的材料，但不局限于此，例如，也可以使用與構成樹脂圖樣58的樹脂材料不同的、含導電性物質的材料，來作為填充到通孔49內部的樹脂材料59。若通孔49的內部填充有含導電性物質的樹脂材料，則通孔49中的導通狀態更加穩定。在本實施方式三所涉及的晶體諧振器I的構成中，除了上述說明過的構成之外，其它構成與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的構成相同，因此，本實施方式三所涉及的晶體諧振器I能產生與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。〈實施方式四〉
實施方式四所涉及的晶體諧振器I具有與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的結構基本相同的結構，因此，能夠產生與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。以下，只對不同于實施方式一所涉及的晶體諧振器I的部分進行說明。實施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的構成與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的構成不同。圖26A 圖26C是表示實施方式四所涉及的底座4的概要結構的示意圖，圖26A是示意俯視圖，圖26B是表示沿圖26A的虛線切斷底座4之后的切斷面的狀態的示意剖視圖，圖26C是示意仰視圖。在實施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4中，在俯視時為長方形的殼體背面(另一主面43)上，如圖26B及圖26C所示那樣，設置了四個雉堞墻47A、47B、48A、48B。具體而言，雉堞墻47A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側邊的一端部而設置的；雉堞墻47B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側邊的另一端部而設置的。另夕卜，雉堞墻48A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側邊的一端部而設置的；雉堞墻48B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側邊的另一端部而設置的。并且，在這四個雉堞墻47A、47B、48A、48B上分別形成有外部端電極53A、53B、54A、54B。其中，外部端電極53A與電極墊51之間通過布線圖樣而實現電連接，外部端電極54B與電極墊52之間通過布線圖樣而實現電連接。另外，在底座4的一主面上形成的第I接合層45A如圖26A 圖26C所示那樣，與實施方式一相同，是通過在濺射薄膜453上進行鍍膜454的疊層而構成的。不過，濺射薄膜453和鍍膜454的構成與實施方式一不同。S卩，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的第I接合層45A中，濺射薄膜453是通過在用濺射法形成的由Ti構成的Ti膜上，用濺射法濺射形成由Cu構成的Cu膜而構成的。另外，鍍膜454是通過在濺射薄膜453上施鍍形成由Ni構成的Ni膜，再在該Ni膜上施鍍形成由Au構成的Au膜而構成的。另外，構成底座4的電極55、56、57的金屬層92是由與構成上述第I接合層45A的濺射薄膜453的材料相同的材料構成的。因而，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序中，是通過用濺射法在晶片8的兩個主面81、82上濺射形成由Ti構成的Ti層以形成Ti層之后，在Ti層上用濺射法濺射形成Cu層，來形成保護層91及金屬層92的(參照圖6A、圖6B、圖14A及圖14B)。另外，在實施方式四中，內部電極55中的、與水晶振動片的激發電極相連接的電極墊51、52部分的內部電極55由金屬層92和電鍍層93構成，電極墊51、52以外的內部電極55如圖26A 圖26C所示那樣，只由金屬層92構成。另外，包括外部端電極53A、53B、54A、54B的整個外部電極56由金屬層92和電鍍層93構成。另外，在實施方式四中，構成電極55、56、57的電鍍層93是由與構成上述第I接合層45A的鍍膜454的材料相同的材料構成的。因而，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序中，是通過在金屬層92上施鍍形成由Ni構成的Ni層以形成Ni層之 后，在Ni層上施鍍形成Au層，來形成電鍍層93的(參照圖16A及圖16B)。另外，在實施方式四中，如圖26A 圖26C所示那樣，樹脂圖樣58被形成在底座4的兩個主面42、43上。具體而言，在腔部46底面461、及殼體背面的背對著腔部46底面461的部分形成了樹脂圖樣58。因此，通孔49的兩側的開口面492、493被樹脂材料密封，并且內部電極55的電極墊51、52以外的部分，即只由電鍍層93構成的部分的內部電極55表面被樹脂覆蓋。此外，外部電極56的一部分的表面被樹脂覆蓋。因而，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序中，是將樹脂圖樣58形成在晶片8的兩個主面81、82上。除了上述之處以外，本實施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序相同。在本實施方式四所涉及的晶體諧振器I中，與實施方式一所涉及的晶體諧振器I一樣，由于通孔49的整個內側面491上形成了貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內部電極55與在底座4的另一主面43上形成的外部電極56實現了電連接，通孔49的內部的導通狀態穩定。另外，由于通孔49的兩側的開口面492、493被樹脂圖樣58(樹脂材料)密封，所以外氣不會通過通孔49而進入晶體諧振器I的封裝體內部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內部的氣密性。進一步，由于底座4的兩個主面42、43，具體而言是腔部46的底面461、及殼體背面的背對著腔部46底面461的部分形成了樹脂圖樣58，所以通過該樹脂圖樣58，底座4的面方向的強度得到加強。另外，在本實施方式四所涉及的晶體諧振器I中，由于在位于底座4的兩個主面42,43側的通孔49的開口面492、493和該開口面493的周圍(具體而言是在腔部46的底面461的一半以上的區域，以及另一主面43上的與腔部46的底面相對應的部分的一半以上的區域)廣泛形成了樹脂圖樣58，所以能夠充分確保樹脂圖樣58與構成底座4的基材(玻璃材料)直接接觸的接觸面積。因此，能夠確保樹脂圖樣58與構成底座4的基材之間的接合強度，從而能夠充分確保晶體諧振器I的封裝體的氣密穩定性。另外，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I中，由于電極墊51、52以外的內部電極55被樹脂圖樣58覆蓋了表面，所以電極墊51、52以外的內部電極55的電極表面(Cu層)不會被氧化。另外，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I中，由于在電極墊51、52以外的內部電極55，具體而言是被樹脂圖樣58覆蓋的部分的內部電極55上使用了 Au，所以與實施方式一相比，形成電極所必需的Au的使用量較少，能夠降低生產成本。
另外，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I中，在蓋(未圖示)的內面上形成的第二接合層是通過從蓋一側開始依次疊層由Ti構成的Ti膜、由Cu構成的Cu膜、由Ni構成的Ni膜而構成的。Ti膜是用濺射法濺射形成的，在該Ti膜上用濺射法濺射形成了 Cu膜。另外，Ni膜是通過在Cu膜上進行施鍍處理而形成的。另外，與底座4接合之前，在蓋的第二接合層上疊層了接合材料。接合材料由在第二接合層上疊層的Au/Sn膜、和在Au/Sn膜上疊層而形成的Au膜構成。在此，Au/Sn膜由在第二接合層上疊層并施鍍形成的Au膜、和在該Au膜上施鍍形成的Sn膜構成。另外，Au膜由在Au/Sn膜上疊層并施鍍形成的Au觸擊電鍍膜、和在Au觸擊電鍍膜上疊層并施鍍形成的Au鍍膜構成。在這樣的接合材料中，Au/Sn膜被加熱而融化成為AuSn合金膜。此外，也可以通過在蓋的第二接合層上鍍AuSn合金來形成接合材料。在本實施方式四所涉及的晶體諧振器I的構成中，除上述之外的構成，與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的構成相同，因此，實施方式四所涉及的晶體諧振器I能夠產生與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。另外，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4中，外部電極56中，表面被樹脂圖樣58覆蓋的部分的外部電極56也可以只用由Ti層和Cu層構成的金屬層92來構成。基于上述構成，電極的形成所必需的Au的使用量可進一步減少，能進一步降低生產成本。、另外，在實施方式四所涉及的晶體諧振器I中，構成第I接合層45的金屬膜的Ti膜、構成金屬層92及保護層91的基底的Ti層、以及構成第二接合層的基底的Ti膜也可以由，與構成晶片8的材料(例如，玻璃材料)及構成Cu層的Cu有良好的接合性的金屬層(金屬膜)，例如，W、Cr、或Mo所構成的接觸型金屬層(接觸型金屬膜,contact metal film)來代替。〈實施方式五〉圖27是不出實施方式五所涉及的晶體振蕩器的內部空間的不意側視圖。另外，圖28A及圖28B是表不實施方式五所涉及的晶體振蕩器的底座的概要結構的圖。圖28A是不意俯視圖，圖28B是意仰視圖。如圖27所示，實施方式五所涉及的晶體振蕩器10中設置有IC芯片20(本發明所說的電子器件元件)；*AT截面晶體構成的水晶振動片2(本發明所說的電子器件元件)；用于保持IC芯片20和水晶振動片2，并對水晶振動片2進行氣密密封的底座4 (作為本發明所說的第一密封部件的電子器件封裝體用密封部件)；面對底座4配置、用于對保持在底座4上的水晶振動片2的激發電極31、32(本發明所說的電子器件元件的電極)進行氣密密封的蓋6 (本發明所說的第二密封部件)。在該晶體振蕩器10中，與實施方式一所涉及的晶體諧振器I 一樣，由底座4和蓋6構成封裝體(本發明所說的電子器件封裝體)，底座4與蓋6通過由Au和Sn的合金構成的接合材料71而接合，形成被氣密密封的內部空間11。在該內部空間11中，水晶振動片2通過使用了金凸點等導電凸點906的FCB法而與底座4之間實現機電上的超聲波接合。并且，如圖27所示那樣，IC芯片20與內部空間11的底座4之間，通過使用金凸點等導電凸點907的FCB法而實現超聲波接合及電連接。下面，對該晶體振蕩器10的各構成進行說明。其中，有關蓋6和水晶振動片2的構成，由于與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的蓋6和水晶振動片2的構成相同，所以省略其說明。IC芯片20與內部空間11的底座4之間，通過使用了金凸點等導電凸點907的FCB法而實現了超聲波接合及電連接。更具體而言，IC芯片20具備六個端電極(未圖示)，這六個端電極中的兩個端電極經由后述的電極墊51、52及第一布線圖樣501與水晶振動片2的激發電極31、32電連接，剩余的四個端電極經由底座4的后述第二布線圖樣502或第三布線圖樣503而與底座4的殼體背面設置的外部端電極53A、53B、54A、54B電連接。晶體振蕩器10的底座4與實施方式一的底座4 一樣，由玻璃材料構成，并如圖27所示那樣，被形成為由底部41、和沿底座4的一主面42的外周從底部41向上方延出的壁部44構成的箱狀體。底座4是通過用光刻法對長方體實心板進行蝕刻而成形的。 底座4的壁部44的頂面是與蓋6接合的接合面，在該接合面上設置有用于與蓋6接合的第I接合層45。第I接合層45的構成與實施方式一的底座4上的第I接合層45的構成相同，由在濺射薄膜上形成了鍍膜的多層疊層結構構成。換言之，濺射薄膜是通過在用濺射法濺射形成的由Mo構成的Mo膜上，用濺射法濺射形成由Au構成的Au膜而得到的。另夕卜，鍍膜是通過在濺射薄膜上施鍍形成由Au構成的Au膜而得到的。與實施方式一的底座4 一樣,在晶體振蕩器10的底座4上形成了由底部41和壁部44圍成的腔部46。該腔部46被形成為，如圖27、圖28A及圖28B所示那樣，俯視時為長方形，且腔部46的壁面為錐形。在該腔部46的底面461上設置有I個基座部401，該基座部401只與短邊方向上的邊LI的中間部分相接。另外，在底座4的俯視時為長方形的殼體背面(另一主面43)上形成了四個雉堞墻47A、47B、48A、48B。具體而言，雉堞墻47A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側邊的一端部而設置的；雉堞墻47B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側邊的另一端部而設置的。另外，雉堞墻48A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側邊的一端部而設置的；雉堞墻48B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側邊的另一端部而設置的。另外，如圖27、圖28A及圖28B所示那樣，在底座4中，腔部46的底面461的四個角落上分別形成了貫穿底座4的基材的通孔49。該通孔49的內側面491被形成為相對于底座4的一主面42及另一主面43傾斜的錐形。通孔49的直徑在底座4的另一主面43側的端部為最大，在底座4的一主面42側的端部為最小。另外，在底座4的基材上形成有分別與水晶振動片2的激發電極31、32機電接合的一對電極墊51、52 ;與外部部件、外部器件電連接的外部端電極53A、53B、54A、54B ;使電極墊51、52與IC芯片20的電極(未圖示)之間電連接的第一布線圖樣501 ;使外部端電極53A、53B與IC芯片20的電極(未圖示)之間電連接的第二布線圖樣502 ;使外部端電極54A、54B與IC芯片20的電極(未圖示)之間電連接的第三布線圖樣503。這些電極墊51、52、外部端電極53A、53B、54A、54B、第一布線圖樣501、第二布線圖樣502及第三布線圖樣503構成了底座4的電極55、56、57。電極墊51、52被形成在基座部401的表面。并且，在電極墊51、52上設置了用于使水晶振動片2接合的導電凸點906。另外，外部端電極53A、53B、54A、54B被形成在雉堞墻47A、47B、48A、48B上。另外，第一布線圖樣501被形成為，從底座4的一主面42的電極墊51、52延伸到IC芯片20被接合的接合部。并且，第二布線圖樣502及第三布線圖樣503被形成為，從底座4的一主面42的IC芯片20被接合的接合部經由通孔49的內側面491而延伸到另一主面43的外部端電極53A、53B、54A、54B。在此，電極墊51、52、外部端電極53A、53B、54A、54B、第一布線圖樣501、第二布線圖樣502以及第三布線圖樣503由與第I接合層45的材料相同的材料構成。另外，在開設有腔部46的底面461 (底座4的一主面42)的通孔49的四個角落；底座4的殼體背面(另一主面43)的各通孔49的開口面493 ;以及這些開口面493的附近，配置有樹脂圖樣58(樹脂材料)。即，通過樹脂圖樣58，位于底座4的一主面42側的各通孔49的開口面492與位于底座4的另一主面43側的各通孔49的開口面493被密封，并且，第二布線圖樣502及第三布線圖樣503的一部分的表面被樹脂覆蓋。進一步，通孔49的內部被樹脂材料填充。在此，構成樹脂圖樣58的樹脂材料及填充在通孔49內部的樹脂材料可以采用與實施方式一的底座4中構成樹脂圖樣58的樹脂材料相同的樹脂材料。并且，如圖27、圖28A及圖28B所示那樣，第一布線圖樣501和第二布線圖樣502被形成為相互交差，在其交差部分，在第一布線圖樣501與第二布線圖樣502之間隔著樹脂圖樣58。換言之，在構成一部分第二布線圖樣502的內部電極55上，隔著樹脂圖樣58而形成了構成一部分第一布線圖樣501的電極(本發明所說的其它的電極)。在上述本實施方式五所涉及的晶體振蕩器10中，由于在通孔49的整個內側面491 形成了貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內部電極55與在底座4的另一主面43上形成的外部電極56之間電連接，通孔49中的導通狀態穩定。另外，位于底座4的一主面42側的各通孔49的開口面492與位于底座4的另一主面43側的各通孔49的開口面493被樹脂圖樣58 (樹脂材料)密封，且各通孔49的內部被樹脂材料填充，所以外氣完全不會通過通孔49而進入晶體振蕩器10的封裝體內部，能夠充分保持晶體振蕩器10的封裝體內部的氣密性。并且，在構成一部分第二布線圖樣502的內部電極55上，隔著樹脂圖樣58形成了構成一部分第一布線圖樣501的電極,所以，底座4被構成為，在底座4的厚度方向上具有多個布線圖樣。除了具備在樹脂圖樣58形成之后，進一步在樹脂圖樣58上形成電極的工序之外，上述本實施方式五所涉及的晶體振蕩器10的底座4的制造方法與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法相同。另外，在本實施方式五所涉及的晶體振蕩器10的構成中，除了上述構成以外的構成，與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的構成相同，因此，實施方式五所涉及的晶體振蕩器10能產生與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。〈實施方式六〉實施方式六所涉及的晶體諧振器I的構成與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的構成基本相同。因此，以下只對與實施方式一所涉及的晶體諧振器I不同之處進行說明。實施方式六所涉及的晶體諧振器I的底座4的結構與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的結構不同。圖29A 圖29C是表示實施方式六所涉及的底座4的概要結構的示意圖，圖29A是示意俯視圖；圖29B是表示沿圖29A的虛線將底座4切斷之后的切斷面的狀態的示意剖視圖，圖29C是不意仰視圖。如圖29A 圖29C所示那樣，樹脂圖樣58不是形成于構成腔部46底面461的底座4的一主面42，而是形成于構成殼體背面的底座4的另一主面43上。具體而言，如圖29A 圖29C所示那樣，樹脂圖樣58被形成于，位于構成殼體背面的底座4的另一主面43上的通孔49的開口面493及該開口面493的附近，及除形成了另一主面43的外部電極56 (外部端電極53、54)的區域以外的整個區域上。換言之，在本實施方式六中，通孔49的開口面493被樹脂圖樣58密封，并且另一主面43的整體被樹脂圖樣58或外部電極56覆蓋。另外，與上述實施方式一的底座4上形成的兩個通孔49 (參照圖2A 圖2C)相比，在本實施方式六中，底座4上形成的兩個通孔49被設置得較近接。另外，在本實施方式六中，通孔49的內部填充有用于形成樹脂圖樣58的樹脂材料59。另外，外部電極56被構成為，在與第I接合層45的濺射薄膜451及鍍膜452相同 的材料所構成的濺射薄膜561及鍍膜562上，進一步疊層了第二鍍膜563的構造。換言之，外部電極56的濺射薄膜561是通過在用濺射法濺射形成的由Mo構成的Mo膜上，用濺射法濺射形成由Au構成的Au膜而得到的。另外，鍍膜562是通過在濺射薄膜561上施鍍形成由Au構成的Au膜而得到的。另外，第二鍍膜563是通過在鍍膜562上進一步施鍍形成金屬膜而得到的。作為構成該第二鍍膜563的金屬膜的具體例子，比如有在鍍膜562上施鍍形成的Au膜；在鍍膜562上施鍍形成的AuCu合金所構成的AuCu合金膜；或在鍍膜562上施鍍形成的Ni膜上施鍍形成Au膜而得到的Ni/Au膜等。除了在圖22A及圖22B所示的制造工序中，在晶片8的兩個主面81、82及通孔49的開口面492、493上用浸潰涂布法涂布含有光增敏劑的樹脂以形成樹脂層95，并對通孔49進行樹脂材料59的填充；在圖23A及圖23B所示的制造工序中，在位于晶片8的另一主面82上的通孔49的開口面493及該開口面493的附近、及除形成了另一主面43的外部電極56(外部端電極53、54)的區域以外的整個區域上形成樹脂圖樣58;進一步在構成外部電極56的鍍膜562的金屬層93 (參照圖23B)上，施鍍形成構成上述外部電極56的第二鍍膜563的、第2金屬層之外，上述實施方式六所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法相同。在本實施方式六所涉及的晶體諧振器I中，由于通孔49的整個內側面491形成了貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內部電極55與在底座4的另一主面43上形成的外部電極56之間實現了電連接，通孔49的內部的導通狀態穩定。另外，由于通孔49的一側的開口面493被樹脂圖樣58(樹脂材料)密封，且通孔49的內部填充了樹脂材料59，所以外氣不會通過通孔49而進入晶體諧振器I的封裝體內部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內部的氣密性。另外，在本實施方式六所涉及的底座4中，從位于構成殼體背面的底座4的另一主面43上的通孔49的開口面493及該開口面493的附近起，直到除形成有另一主面43的外部電極56(外部端電極53、54)的區域之外的整個區域都形成了樹脂圖樣58，所以充分確保了樹脂圖樣58與構成底座4的基材(玻璃材料)直接接觸的接觸面積。因此，能夠充分確保樹脂圖樣58與構成底座4的基材之間的接合強度，從而能充分確保晶體諧振器I的封裝體的氣密穩定性。
另外，在本實施方式六所涉及的底座4中，沿另一主面43的外周緣的整個端部被樹脂圖樣58覆蓋。即，在用與實施方式一中相同的方法來制造本實施方式六所涉及的底座4的情況下，將晶片8分割以使底座4成為單片時，在晶片8的切斷部形成樹脂圖樣58，用樹脂材料覆蓋晶片8的切斷部。因此，在本實施方式六所涉及的底座4的制造中，通過覆蓋晶片8的切斷部的樹脂材料，可以抑制因切割而造成的晶片(玻璃材料)破片的產生。另外，在實施方式六中，使用了與構成樹脂圖樣58的樹脂材料相同的、不含導電性物質的材料作為填充到通孔49內部的樹脂材料59，但不局限于此，例如，也可以使用與構成樹脂圖樣58的樹脂材料不同的、含導電性物質的材料來作為填充到通孔49內部的樹脂材料59。若通孔49內部填充有含導電性物質的樹脂材料，則通孔49中的導通狀態更加穩定。在本實施方式六所涉及的晶體諧振器I的構成中，除了上述構成以外的構成與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的構成相同，因此，本實施方式六所涉及的晶體諧振器I能產生與實施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的効果。 另外，在上述實施方式一 六所涉及的底座4中，樹脂圖樣58是通過使用具有感光性的樹脂材料的光刻法來形成的，但這只是優選的例子，并不局限于此。例如，樹脂圖樣58也可以是通過在形成樹脂圖樣58的位置上涂布樹脂材料而形成的。換言之，在上述的實施方式一 六所涉及的底座4的制造中，作為樹脂圖樣58的形成方法，采用了在晶片8的兩個主面81、82上用浸潰涂布法或噴涂法涂布具有感光性的樹脂材料以形成樹脂層95之后(參照圖22A及圖22B)，對樹脂層95進行曝光及顯影來形成樹脂圖樣58 (參照圖23A及圖23B)的方法，但也可以采用其它的方法。例如，作為樹脂圖樣58的形成方法，也可以采用在晶片8的兩個主面81、82上的樹脂圖樣58的形成位置上用噴墨打印法、絲網印刷法或滴涂(dispenser)法來排出樹脂以形成樹脂圖樣58的方法。這樣的不依靠光刻法而形成的樹脂圖樣58也可以利用不具備感光性的樹脂材料來構成。另外，通過噴墨打印法、絲網印刷法或滴涂法，能夠向通孔49填充含有導電性物質的樹脂。另外，在上述實施方式一 六所涉及的底座4中，內部電極55、外部電極56、及貫通電極57中的每一個與底座4的基材(兩主面42、43及通孔49的內側面491)之間，也可以配置樹脂材料。即，也可以在圖14A及圖14B所示的制造工序中，在形成金屬層92之前，在形成晶片8的兩個主面81、82及通孔49的內側面491上的電極墊51、52、外部端電極53、54、及布線圖樣(S卩，內部電極55、外部電極56、及貫通電極57)的部分涂布樹脂材料，然后在所涂布的樹脂材料上形成金屬層92。由此，內部電極55、外部電極56、及貫通電極57中的每一個與底座4的基材之間隔著樹脂材料，所以不會出現因底座4的基材(例如，玻璃材料構成的基材)與構成各電極55、56、57的金屬發生反應而使底座4的基材劣化的情況。另外，有關上述實施方式一 五所涉及的底座4的制造，在形成樹脂圖樣58的工序(參照圖23A及圖23B)中，也可以在將底座4單個分割時切斷的部分的晶片8表面上形成樹脂圖樣58。這樣，在晶片8的切斷部分形成樹脂圖樣58，能夠防止因切斷晶片8時所施加的外力而使底座4的側面或外部端電極53、54破損的情況。另外，也可以如同在實施方式五所涉及的底座4中，在構成一部分第二布線圖樣502的內部電極55上隔著樹脂圖樣58形成構成一部分第一布線圖樣501的電極那樣,在上述實施方式一 四及六所涉及的底座4的內部電極55及外部電極56中的至少一方上，隔著樹脂圖樣(樹脂材料)來形成其它的電極。由此，能夠在底座4的厚度方向上具備多個布線圖樣。另外，在實施方式一 六中，米用玻璃作為底座4及蓋6的材料,但是不限于用玻璃來構成底座4，也不限于用玻璃來構成蓋6，例如，也可以采用水晶來構成。另外,在實施方式一 六中，主要用AuSn來作為接合材料71,但對接合材料71無限制，只要能使底座4與蓋6相接合即可,例如，也可以采用CuSn等Sn釬料合金(Sn alloybrazing filler metal)構成的材料。另外，在上述實施方式一 四及六所涉及的晶體諧振器I、以及實施方式五所涉及的晶體振蕩器10中，使用AT截面晶體振動片2作為水晶振動片，但也可以使用音叉型的水晶振動片。
以上，示出了將本發明所涉及的電子器件封裝體應用于晶體諧振器(crystalresonator)或晶體振蕩器(crystal oscillator)的情況下的實施方式,但這只是優選的實施方式，本發明所涉及的電子器件封裝體可以是任何能用面對面配置的密封部件密封電子器件元件的電極的封裝體。因而，本發明所涉及的電子器件封裝體也可以是用面對面配置的密封部件對水晶以外的壓電材料，例如，對由鉭酸鋰或鈮酸鋰等構成的壓電振動片的激發電極進行氣密密封的壓電振動裝置的封裝體。本發明可以在不超越其構思或主要特征的范圍內用其它各種各樣的形式來實施。因此，上述實施方式只不過是各方面的示例而已，不能將其作為限定來解釋。本發明的范圍是權利要求書所表達的范圍，說明書中不存在任何限定。而且，屬于權利要求書的同等范圍內的變形或變更，均在本發明的范圍內。另外，本申請要求基于2010年3月4日向日本提出了申請的特愿2010-48099的優先權。因而，其所有內容被導入本申請。工業實用性本發明能夠應用于對壓電振動片等的電子器件元件的電極進行氣密密封的電子器件的封裝體。
權利要求
1.一種電子器件封裝體用密封部件，被用作為用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進行氣密密封的電子器件封裝體的所述第一密封部件，其特征在干， 該電子器件封裝體用密封部件包括 貫穿該電子器件封裝體用密封部件的基材的通孔； 在所述基材的、與所述第二密封部件相向的相向面上形成的內部電極； 在所述基材的、與所述相向面相反的面上形成的外部電極；以及 在所述通孔的內側面上形成的、使所述內部電極與所述外部電極電連接的貫通電扱， 所述通孔的至少ー側的開ロ面被樹脂材料密封。
2.如權利要求I所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述樹脂材料具有感光性， 所述通孔的至少ー側的開ロ面被配置于該開ロ面的所述樹脂材料構成的樹脂圖樣密封。
3.如權利要求I或2所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述通孔的內部填充有樹脂材料。
4.如權利要求I至3中任一項所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述內部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋。
5.如權利要求I至4中任一項所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述外部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋。
6.如權利要求I至5中任一項所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述基材與所述內部電極之間、所述基材與所述外部電極之間、所述基材與所述貫通電極之間，分別設置有樹脂材料。
7.如權利要求I至6中任一項所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 在所述內部電極和所述外部電極的至少一方之上，隔著樹脂材料形成有其它的電扱。
8.一種電子器件封裝體，是用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進行氣密密封的電子器件封裝體，其特征在干， 所述第一密封部件是權利要求I至7中任一項所述的電子器件封裝體用密封部件。
9.一種電子器件封裝體用密封部件的制造方法，用于制造作為用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進行氣密密封的電子器件封裝體的所述第一密封部件的所述電子器件封裝體用密封部件，其特征在于，該制造方法包括 通孔形成エ序，形成貫穿該電子器件封裝體用密封部件的基材的通孔； 電極形成エ序，形成內部電極、外部電極以及貫通電極，其中，所述內部電極位于所述基材的、與所述第二密封部件相向的相向面上，所述外部電極位干與所述相向面相反的面上，所述貫通電極沿所述通孔的內側面配置；以及 封孔エ序，用樹脂材料密封所述通孔的至少ー側的開ロ面。
10.如權利要求9所述的電子器件封裝體用密封部件的制造方法，其特征在干， 所述封孔エ序包括圖樣形成エ序，用于利用使用具有感光性的所述樹脂材料的光刻法，來進行用于密封所述通孔的至少ー側的開ロ面的樹脂圖樣的圖樣形成。
全文摘要
本發明提供一種電子器件封裝體用密封部件、電子器件封裝體、以及電子器件封裝體用密封部件的制造方法。該電子器件封裝體能確保設在密封部件上的通孔中的導通狀態穩定，并能充分確保封裝體內部的氣密性。電子器件封裝體包括對電子器件元件(2)的電極(31、32)進行氣密密封的、面對面配置的第一密封部件(電子器件封裝體用密封部件)(4)及第二密封部件(6)；在第一密封部件(4)的基材的、與第二密封部件(6)相向的相向面(42)上形成的內部電極(55)；在第一密封部件(4)的基材的、與相向面(42)相反的面(43)上形成的外部電極(56)；貫穿第一密封部件(4)的基材的通孔(49)；以及使內部電極(55)與外部電極(56)之間電連接的、在通孔(49)的內側面上形成的貫通電極(57)。并且，通孔(49)的至少一側的開口面被樹脂材料(58)密封。
文檔編號H03H3/02GK102714489SQ20118000598
公開日2012年10月3日 申請日期2011年3月4日 優先權日2010年3月4日
發明者幸田直樹 申請人:株式會社大真空