專利名稱：調速開關的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及到一種調速開關。
背景技術：
如圖1所示，調速開關結構通常包括變速觸點開關K1、全速觸點開關K2和MOS管 (金屬一氧化物一半導體場效應晶體管)。全速觸點開關K2和MOS管并聯后整體與變速觸點開關Kl串聯。上述結構的調速開關的缺點是當需要調速開關控制為全速時，需要合上全速觸點開關K2，而全速觸點開關K2通斷時，開關電流比較大，容易產生電弧而損傷全速觸點開關K2的觸點，導致即使合上全速觸點開關K2時也無法實現全速。
實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種不會產生電弧的調速開關。為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案為一種調速開關，包括觸點開關和MOS管及連接觸點開關和MOS管的單片機。所述單片機設置在調速控制板上。本實用新型的有益效果是利用單片機控制電子元件MOS管，從而實現調速開關的變速和通斷，在開關變速和通斷過程中不會產生電弧，避免調速開關受到損壞。
圖1是背景技術中調速開關的電路框圖；圖2是本實用新型調速開關的電路圖。
具體實施方式
以下結合附圖，詳細描述本實用新型的具體實施方案。如圖2所示，本實用新型所述的調速開關，包括觸點開關Kl和MOS管及連接觸點開關Kl和MOS管的單片機1。單片機1設置在調速控制板2上，且單片機內設定好程序，可實現調速開關的變速和通斷。本實用新型的優點是利用單片機1控制電子元件MOS管，從而實現調速開關的變速和通斷，在開關變速和通斷過程中不會產生電弧，避免調速開關受到損壞。
權利要求1.調速開關，包括觸點開關和MOS管，其特征在于還包括連接觸點開關和MOS管的單片機。
2.根據權利要求1所述的調速開關，其特征在于所述單片機設置在調速控制板上。
專利摘要本實用新型公開了一種不會產生電弧的調速開關，包括觸點開關和MOS管及連接觸點開關和MOS管的單片機。本實用新型的優點是利用單片機控制電子元件MOS管，從而實現調速開關的變速和通斷，在開關變速和通斷過程中不會產生電弧，避免調速開關受到損壞。
文檔編號H03K17/04GK202127387SQ201120178800
公開日2012年1月25日 申請日期2011年5月31日 優先權日2011年5月31日
發明者王金峰, 陸亞洲 申請人:張家港華捷電子有限公司