壓電裝置的制作方法

專(zhuān)利名稱(chēng)：壓電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由蓋部和基部夾持壓電振動(dòng)片的壓電裝置。
背景技術(shù)：
為了減少制造成本，提案了在基部和蓋部之間夾持帶框的壓電振動(dòng)片的表面實(shí)裝型的壓電裝置。專(zhuān)利文獻(xiàn)1(日本特開(kāi)2004-222053號(hào)公報(bào))所公開(kāi)的壓電裝置在壓電振動(dòng)片的周?chē)纬捎锌蝮w。然后，在基部和框體之間較厚地形成低熔點(diǎn)玻璃或膠態(tài)硅石等的封裝材料，另外在蓋部和框體之間也較厚地形成低熔點(diǎn)玻璃等的封裝材料。但是，隨著壓電裝置的小型化，框體的寬度也隨之變窄。框體的寬度變窄則封裝材料的寬度的也變窄，使得從壓電裝置的外側(cè)向空腔內(nèi)的氣體或水蒸氣、或者從空腔內(nèi)向壓電裝置外的氣體容易滲漏，框體的強(qiáng)度變?nèi)?。若想以壓電振?dòng)片本身大小的變小來(lái)代替框體寬度的變窄，則會(huì)有壓電振動(dòng)片的CI值(晶體阻抗值)變高的傾向。因此，最好不要以壓電振動(dòng)片本身大小的變小來(lái)代替框體寬度的變窄。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供即使框體的寬度窄也可以使從壓電裝置的外側(cè)向空腔內(nèi)或其反方向的氣體等的滲漏少且對(duì)外部的耐沖擊性等也強(qiáng)大的壓電裝置。第1觀(guān)點(diǎn)的一種壓電裝置，具有形成有壓電振動(dòng)片、從壓電振動(dòng)片隔著貫通開(kāi)口而進(jìn)行配置并包圍壓電振動(dòng)片的框體、將壓電振動(dòng)片支撐在框體上的支撐部，并且分別具有第1面和第2面的壓電框架；形成有至少一部分與框體的第1面對(duì)置的第1接合面的蓋部；具有形成一對(duì)外部電極的實(shí)裝面和位于該實(shí)裝面的相反側(cè)且形成有至少一部分與框體的第2面對(duì)置的第2接合面的底面的基部；以環(huán)狀形成在第1接合面和框體的第1面之間的第1封裝材料；以及以環(huán)狀形成在第2接合面和框體的第2面之間的第2封裝材料。另外，第1封裝材料及第2封裝材料的至少一方形成在框體的貫通開(kāi)口側(cè)的側(cè)面。在第2觀(guān)點(diǎn)的壓電裝置中，第1封裝材料和第2封裝材料在側(cè)面相互接合。在第3觀(guān)點(diǎn)的壓電裝置中，蓋部、壓電框架及基部從實(shí)裝面觀(guān)察為具有4個(gè)邊的矩形形狀，當(dāng)1個(gè)邊的長(zhǎng)度為A，將框體的寬度為B時(shí)，具有B < ΑΧΟ. 1的關(guān)系。在第4觀(guān)點(diǎn)的壓電裝置中，第1封裝材料以在框體的寬度B上加上5 μ m以上的寬度形成在第1接合面上，第2封裝材料以在框體的寬度B上加上5 μ m以上的寬度形成在第 2接合面上，貫通開(kāi)口的寬度為ΙΟμπι以上。在第5觀(guān)點(diǎn)的壓電裝置中，框體的貫通開(kāi)口側(cè)的側(cè)面從第1面或第2面以厚度變薄的方式形成有段差部。在第6觀(guān)點(diǎn)的壓電裝置中，從實(shí)裝面觀(guān)察，框體的貫通開(kāi)口側(cè)形成有連續(xù)的洼部。第7觀(guān)點(diǎn)的壓電裝置，具有因施加電壓而振動(dòng)的壓電振動(dòng)片；具有放置壓電振動(dòng)片的基部凹部的基部；與基部接合而密封封裝壓電振動(dòng)片的蓋部；以及封裝基部和蓋部的、以環(huán)狀形成的封裝材料。另外，封裝材料形成在基部凹部的側(cè)面。
在第8觀(guān)點(diǎn)的壓電裝置中，蓋部在蓋部凹部的周?chē)哂械?接合面，基部在基部凹部的周?chē)哂信c第1接合面接合的第2接合面，蓋部及基部為具有4個(gè)邊的矩形形狀，當(dāng)1 個(gè)邊的長(zhǎng)度為A，將第1接合面及第2接合面的寬度為B時(shí)，具有B < ΑΧΟ. 1的關(guān)系。在第10觀(guān)點(diǎn)的壓電裝置中，封裝材料以在第1接合面及第2接合面的寬度B上加上5 μ m以上的寬度形成，基部及蓋部的側(cè)面至壓電振動(dòng)片的距離為10 μ m以上。本發(fā)明的壓電裝置使從壓電裝置的外側(cè)向空腔內(nèi)或其反方向的氣體等的滲漏少且對(duì)外部的耐沖擊性等也強(qiáng)大。


圖1是第1實(shí)施方式的第1水晶振子100的分解立體圖。圖2是圖1的S-S剖視圖。圖3是表示制造第1實(shí)施方式的第1水晶振子100的流程圖。圖4是蓋部晶片IlW的俯視圖。圖5是水晶晶片IOW的俯視圖。圖6是基部晶片12W的俯視圖。圖7是表示接合蓋部晶片11W、水晶晶片IOW和基部晶片12W的步驟S 14的說(shuō)明圖。圖8是第1實(shí)施方式的變形例的第1水晶振子100’的剖視圖，對(duì)應(yīng)于圖1的S-S 剖面。圖9是第2實(shí)施方式的第2水晶振子200的剖視圖，對(duì)應(yīng)于圖1的S-S剖面。圖10是第3實(shí)施方式的第3水晶振子300的剖視圖，對(duì)應(yīng)于圖1的S-S剖面。圖11是第4實(shí)施方式的水晶框架40的俯視圖。圖12是第5實(shí)施方式的第5水晶振子500的分解立體圖。圖13是圖12的T-T剖視圖。圖14是表示制造第5實(shí)施方式的第5水晶振子500的流程圖。圖15是水晶晶片50W的俯視圖。圖16是基部晶片52W的俯視圖。圖中10,30,40-水晶框架，IOff-水晶晶片，11、21、51_蓋部，IlW-蓋部晶片，12、22、 52-基部，12W-基部晶片，14a、14b-連接電極，50-水晶振動(dòng)片，501-水晶片，53-導(dǎo)電性粘接劑，100、200、300、500-水晶振子，101-水晶振動(dòng)部，102a、10 、502a、50 -勵(lì)振電極，103a、103b、303a、303b、503a、503b-引出電極，104a、104b-支撐部，105,305,405-框體，106a、106b、122a、122b-側(cè)槽，107a、107b、123a、123b-側(cè)面電極，107M、123M-連接墊片，108a、108b、308a、308b、408a、408b-貫通開(kāi)口 部，111,121,511,521-凹部，116a、116b、 126a、126b、206a、206b、406a、406b-隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域，125a、125b、525a、525b_ 外部電極，309-段差部，409-洼部，522a,522b-通孔，523a,523b-通孔電極，524-填充材料， A-水晶振子的長(zhǎng)度，B-框體的寬度，C-低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域的寬度，D-貫通開(kāi)口部的寬度，E-低熔點(diǎn)玻璃和連接墊片之間的距離，F(xiàn)-低熔點(diǎn)玻璃的初始寬度，G-低熔點(diǎn)玻璃的初始厚度， CT-空腔，LG1、LG2、LG-低熔點(diǎn)玻璃。
具體實(shí)施例方式在本實(shí)施方式中，作為壓電振動(dòng)片而使用AT切割的水晶振動(dòng)片。AT切割的水晶振動(dòng)片是主面αζ面)相對(duì)于晶軸(XYZ)的Y軸，以X軸為中心從Z軸方向朝向Y軸方向傾斜了 35度15分。因此，將AT切割的水晶振動(dòng)片的軸方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，將傾斜的新的軸作為Y’ 軸及Ζ’軸而使用。S卩，在第1實(shí)施方式及第2實(shí)施方式中將水晶振子的長(zhǎng)度方向作為X軸方向，將水晶振子的高度方向作為Y’軸方向，將與X及Y’軸垂直的方向作為Ζ’方向進(jìn)行說(shuō)明。(第1實(shí)施方式)<第1水晶振子100的整體構(gòu)成>參照?qǐng)D1及圖2，對(duì)第1水晶振子100的整體構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖1是第1水晶振子 100的分解立體圖，圖2是圖1的S-S剖視圖。如圖1及圖2所示，第1水晶振子100包含具有蓋部凹部111的蓋部11 ；具有基部凹部121的基部12 ；以及夾持在蓋部11及基部12之間的矩形的水晶框架10。水晶框架10由在兩面形成勵(lì)振電極10h、102b的水晶振動(dòng)部101和包圍水晶振動(dòng)部101的框體105構(gòu)成。另外，在水晶振動(dòng)部101和框體105之間具有從水晶振動(dòng)部101 向X軸方向的兩側(cè)分別延伸與框體105連結(jié)的一對(duì)支撐部l(Ma、104b。因此，在水晶振動(dòng)部 101和框體105之間形成一對(duì)“L”字型的貫通開(kāi)口部108a、108b。在配置于水晶框架10的X 軸方向的兩側(cè)并沿Z’軸方向延伸的兩邊上，形成有形成圓角長(zhǎng)方形的水晶貫通孔CH(參照?qǐng)D5)時(shí)的水晶側(cè)槽106a、106b。在水晶側(cè)槽106a、106b上分別形成有水晶側(cè)面電極107a、 107b。在此，水晶側(cè)面電極107a最好延伸至水晶框架10的里面Mi而形成連接墊片107M。 連接墊片107M可靠地與后述的基部側(cè)面電極123a的連接墊片123M電連接。在支撐部10 及框體105的表面Me上形成有從勵(lì)振電極10 引出的引出電極 103a。引出電極103a連接在水晶側(cè)槽106a的水晶側(cè)面電極107a上。另外，支撐部104b 及框體105的里面Mi形成有從勵(lì)振電極102b引出的引出電極10 。引出電極10 與后述的基部側(cè)面電極12 的連接墊片123M連接。如圖2所示，水晶框架10的X軸方向的長(zhǎng)度A為2000 μ m左右，Z’軸方向的長(zhǎng)度 (未圖示)為1600 μ m左右。在本說(shuō)明書(shū)中，雖然使用了外形尺寸為2000 ymX 1600 μ m的水晶框架10，但是例如也可以使用較小的1600μπιΧ1200μπι或1200μπιΧ1000μπι的水晶框架10。另外，隨著壓電振子的小型化，框體105的寬度B變窄，成為0. IXA以下、即200 μ m 以下。再有，“L”字型的貫通開(kāi)口部108a、108b的寬度D最好為10 μ m以上?；?2由玻璃或壓電材料形成，在其表面(+Y’側(cè)的面)具有形成在基部凹部121 的周?chē)牡?接合面M2。在此，第2接合面M2以其寬度比水晶框架10的框體105的寬度 B更寬寬度C的方式形成。S卩，基部12的第2接合面M2的寬度為(B+C)，寬度C為5 μ m以上。另外，在基部12的X軸方向的兩側(cè)形成有形成基部貫通孔BH(參照?qǐng)D6)時(shí)的在)(Z’ 平面洼進(jìn)的圓角長(zhǎng)方形的基部側(cè)槽12h、122b。在基部12中，在實(shí)裝面(水晶振子的實(shí)裝面)M4的X軸方向的兩側(cè)分別形成一對(duì)外部電極12^1、125b。另外，在基部側(cè)槽122a、122b 上分別形成有基部側(cè)面電極123a、123b?；總?cè)面電極123a、123b的一端與外部電極125a、 125b連接。在此，基部側(cè)面電極123a、123b的另外一端延伸至基部12的第2接合面M2而形成連接墊片123M。連接墊片123M可靠地與水晶側(cè)面電極107a及引出電極10 分別電連接。設(shè)置在基部12的外部電極125a、12 通過(guò)基部側(cè)面電極123a、123b、水晶側(cè)面電極107a及引出電極10 分別與水晶框架10的勵(lì)振電極10h、102b電連接。S卩，當(dāng)在外部電極12如、12恥上施加交替電壓(正負(fù)交替的電位)時(shí)，水晶振動(dòng)片10進(jìn)行厚度滑動(dòng)振動(dòng)。在此，水晶框架10和基部12例如由作為封裝材料的低熔點(diǎn)玻璃LG2進(jìn)行接合。低熔點(diǎn)玻璃包含熔點(diǎn)為350°C 410°C的包含游離鉛的釩系玻璃。釩系玻璃為加入了粘合劑及熔劑的膠狀玻璃，通過(guò)熔融后進(jìn)行固化可以與其他部件進(jìn)行粘接。另外，該釩系玻璃進(jìn)行粘接時(shí)氣密性、耐水性及耐濕性等信賴(lài)性高。再有，釩系玻璃通過(guò)控制玻璃構(gòu)造可以對(duì)熱膨脹系數(shù)也柔然地進(jìn)行控制。在第1實(shí)施方式中，水晶框架10的框體105的寬度B比基部12的第2接合面M2 的寬度(B+C)更窄地形成。因此，通過(guò)按壓水晶框架10，使得形成在基部12的第2接合面 M2的低熔點(diǎn)玻璃LG2中的對(duì)應(yīng)于水晶框架10的框體105的部分和對(duì)應(yīng)于支撐部10 及支撐部104b的部分變薄。另一方面，沒(méi)有被水晶框架10的框體105按壓的、對(duì)應(yīng)于寬度C的低熔點(diǎn)玻璃LG2不會(huì)變薄而隆起至貫通開(kāi)口部108a、108b的側(cè)面M3進(jìn)行粘接。由此，形成低熔點(diǎn)玻璃LG2對(duì)應(yīng)于圖1所示的貫通開(kāi)口部108a、108b的形狀而隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域 126aU26b0第1水晶振子100還具有由接合在水晶框架10的表面Me的玻璃或作為壓電材料的水晶構(gòu)成的蓋部11。蓋部11具有形成在蓋部凹部111的周?chē)牡?接合面Ml。在此， 第1接合面Ml其寬度比水晶框架10的框體105的寬度B更寬寬度C左右地形成。S卩，基部12的第2接合面M2的寬度為(B+C)，寬度C為5 μ m以上。另外，如圖2所示，由蓋部11、水晶框架10的框體105及基部12形成收放水晶框架10的水晶振動(dòng)部101的空腔CT。空腔CT以填滿(mǎn)氮?dú)饣蛘婵諣顟B(tài)形成。在此，蓋部11和水晶框架10例如由作為封裝材料的低熔點(diǎn)玻璃LGl進(jìn)行接合。水晶框架10的框體105的寬度B比蓋部11的第1接合面Ml的寬度(B+C)更窄地形成。因此，通過(guò)按壓蓋部11使得形成在蓋部11的第1接合面Ml的低熔點(diǎn)玻璃LGl中的對(duì)應(yīng)于水晶框架10的框體105的部分和對(duì)應(yīng)于支撐部10 及支撐部104b的部分變薄。另一方面， 沒(méi)有被水晶框架10的框體105按壓的、對(duì)應(yīng)于寬度C的低熔點(diǎn)玻璃LGl不會(huì)變薄而隆起至貫通開(kāi)口部108a、108b的側(cè)面M3進(jìn)行粘接。由此，形成低熔點(diǎn)玻璃LGl對(duì)應(yīng)于圖1所示的貫通開(kāi)口部108a、108b的形狀而隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域116a、116b。在此，在第1實(shí)施方式中沒(méi)有必要必須連接形成在蓋部11側(cè)的隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域116a、116b和形成在基部12側(cè)的隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域126a、U6b。根據(jù)這種構(gòu)成，即使使水晶框架10的框體105以較窄的寬度形成也可以通過(guò)隆起的低熔點(diǎn)區(qū)域116a、116b及隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域U6a、126b來(lái)使水晶框架10可以在更寬的接合面積更可靠地與蓋部11和基部12進(jìn)行接合。從而，使接合面積增加了相當(dāng)于隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域的大小，不容易產(chǎn)生從第1水晶振子100的外側(cè)向空腔CT內(nèi)的水蒸氣或氣體等的外氣等的滲漏、或者從空腔CT向第1水晶振子100的外側(cè)的氣體滲漏。再有， 第1水晶振子100對(duì)來(lái)自外部的耐沖擊性等也變強(qiáng)。<第1水晶振子100的制造方法>
圖3是表示制造第1水晶振子100的流程圖。在圖3中，蓋部11的制造步驟Sll 和水晶框架10的制造步驟S12和基部12的制造步驟S13可以分別并行。另外，圖4是第 1實(shí)施方式的蓋部晶片IlW的俯視圖，圖5是第1實(shí)施方式的水晶晶片IOW的俯視圖，圖6 是第1實(shí)施方式的基部晶片12W的俯視圖。在步驟Sll中制造蓋部11。步驟Sll包含步驟Slll及步驟S112。在步驟Slll中，如圖4所示，在均勻厚度的水晶平板的蓋部晶片IlW上形成數(shù)百至數(shù)千各蓋部凹部111。在蓋部晶片Iiw上通過(guò)蝕刻或機(jī)械加工而形成蓋部凹部111，在蓋部凹部111的周?chē)纬傻?接合面Ml。在步驟S112中，如圖4所示，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在蓋部晶片IlW的第1接合面Ml上形成作為封裝材料的低熔點(diǎn)玻璃LG1。之后，通過(guò)臨時(shí)固化低熔點(diǎn)玻璃LGl而在蓋部晶片 IlW的第1接合面Ml上形成低熔點(diǎn)玻璃LGl膜。低熔點(diǎn)玻璃膜不形成在對(duì)應(yīng)于水晶貫通孔 CH(水晶側(cè)槽106a、106b)的部位113上。在此，低熔點(diǎn)玻璃LGl的厚度G (參照?qǐng)D7 (a))形成得比連接墊片107M的厚度更厚。在步驟S12中，制造水晶框架10。步驟S12包含步驟S121及步驟S122。在步驟S121中，如圖5所示，在均勻的水晶晶片IOW上通過(guò)蝕刻形成多個(gè)水晶框架10的外形。即，形成水晶振動(dòng)片101、外框105及一對(duì)貫通開(kāi)口部108a、108b。同時(shí)，在各水晶框架10的X軸方向的兩側(cè)上形成貫通水晶晶片IOW的圓角長(zhǎng)方形的水晶貫通孔CH。 水晶貫通孔CH被分割一半而成為一個(gè)水晶側(cè)槽106a、106b(參照?qǐng)D1)。在步驟S122中，首先通過(guò)濺射或真空蒸鍍?cè)谒Ь琁OW的兩面及水晶貫通孔CH 上形成金屬層。然后，在金屬層的全面均勻地涂布光致抗蝕劑。之后，使用曝光裝置(未圖示)將繪制有光掩膜的勵(lì)振電極10h、102b、引出電極103a、10 及水晶側(cè)面電極107a、 107b的圖案曝光在水晶晶片IOW上。其次，對(duì)從光致抗蝕劑露出的金屬層進(jìn)行蝕刻。由此， 在水晶晶片IOW的兩面形成勵(lì)振電極l(^a、102b及引出電極103a、103b，在水晶貫通孔CH 上形成水晶側(cè)面電極107a、107b (參照?qǐng)D1及圖2)。在步驟S13中，制造基部12。步驟S13包含步驟S131 S133。在步驟S131中，如圖6所示，在均勻厚度的水晶平板的基部晶片12W上形成數(shù)百至數(shù)千個(gè)基部凹部121。在基部晶片12W上通過(guò)蝕刻或機(jī)械加工形成基部凹部121，在基部凹部121的周?chē)纬傻?接合面M2。同時(shí)，在各基板12的四角上形成貫通基部晶片12W的圓形的基部貫通孔BH?；控炌譈H被分割一半成為一個(gè)基部側(cè)槽12h、122b(參照?qǐng)D 1)。在步驟S132中，通過(guò)在步驟S122中說(shuō)明的濺射及蝕刻方法如圖6所示地在基部 12的實(shí)裝面上形成一對(duì)外部電極12fe、125b。同時(shí)，在基部貫通孔BH上形成基部側(cè)面電極 123a、123b (參照?qǐng)D1及圖2)。在步驟S133中，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在基部晶片12W的第2接合面M2上形成作為封裝材料的低熔點(diǎn)玻璃LG2。之后，通過(guò)臨時(shí)固化低熔點(diǎn)玻璃LG2，在基部晶片12W的第2接合面M2上形成低熔點(diǎn)玻璃LG2。在此，低熔點(diǎn)玻璃LG2的厚度G(參照?qǐng)D7 (a))形成得比連接墊片107M及123M的合計(jì)厚度厚。另外，低熔點(diǎn)玻璃LG2與連接墊片123M相距距離F(參照?qǐng)D7(a))而形成。在步驟S14中，加熱低熔點(diǎn)玻璃LGl、LG2，通過(guò)加壓蓋部晶片11W、水晶晶片IOW及基部晶片12W而進(jìn)行接合。具體地講，參照?qǐng)D7進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示接合蓋部晶片11W、 水晶晶片IOW和基部晶片12W的步驟S14的說(shuō)明圖。在圖7中，左側(cè)表示步驟S14的詳細(xì)內(nèi)容，右側(cè)為對(duì)應(yīng)于左側(cè)流程圖的各步驟的圖1的A-A剖面的基部晶片12W的局部剖視圖。在步驟S141中，對(duì)水晶晶片IOW和基部晶片12W進(jìn)行定位。具體地講，如圖5所示的水晶晶片low及如圖6所示的基部晶片12W在其周緣部的一部分上分別形成特定水晶的結(jié)晶方向的定向面OF。從而，以定向面OF為基準(zhǔn)精密地重合在步驟S12中制造的水晶晶片IOW和在步驟S13中制造的基部晶片12W。在步驟S142中，將低熔點(diǎn)玻璃LG2加熱至例如350°C 410°C左右，朝向基部晶片 12W按壓水晶晶片10W。由此接合水晶晶片IOW和基部晶片12W。此時(shí)，按壓水晶晶片IOW 以至水晶晶片IOW的連接墊片107M和基部晶片12W的連接墊片123M相互抵接。由于低熔點(diǎn)玻璃LG2的厚度G比連接墊片107M及123M的合計(jì)厚度更厚，因此低熔點(diǎn)玻璃LG2被水晶晶片IOW的框體105按壓而局部變薄。由于低熔點(diǎn)玻璃具有一定的粘度，因此在水晶晶片 IOff的通孔開(kāi)口部108a、108b的側(cè)面上隆起低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域126a, 126b (參照?qǐng)D2)。另外， 若低熔點(diǎn)玻璃LG2被按壓，則在)(Z’平面上延伸。由于低熔點(diǎn)玻璃LG2與連接墊片123M相距距離F而形成，因此即使低熔點(diǎn)玻璃LG2在)(Z’平面內(nèi)延伸，也可以保持與連接墊片107M 及123M的規(guī)定距離E。在步驟S143中，對(duì)蓋部晶片IlW和水晶晶片IOW進(jìn)行定位。具體地講，如圖4所示的蓋部晶片IlW和如圖5所示的水晶晶片IOW在其周緣部的一部分上分別形成有特定水晶的結(jié)晶方向的定向面OF。從而，將定向面OF作為基準(zhǔn)而重合在步驟Sll中制造的蓋部晶片IlW和在步驟S142中接合的水晶晶片IOW及基部晶片12W。在步驟S144中，將低熔點(diǎn)玻璃LGl加熱至350°C 410°C左右，并朝向水晶晶片 IOW按壓蓋部晶片11W。由此接合蓋部晶片IlW和水晶晶片10W。此時(shí)，由于低熔點(diǎn)玻璃LGl 的厚度G比連接電極107M的厚度厚，因此低熔點(diǎn)玻璃LGl被水晶晶片IOW的框體105按壓而局部變薄。由此，在水晶晶片IOW的貫通開(kāi)口部108a、108b的側(cè)面M3隆起低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域 116a、116b (參照?qǐng)D 2)。再次回到圖3，在步驟S15中，已接合的蓋部晶片11W、水晶晶片IOW及基部晶片 12W被切割成第1水晶振子100大小的單體。在切割工序中，利用使用激光的切割鋸裝置或使用切割用刀片的切割裝置等沿圖4 圖6所示的點(diǎn)劃線(xiàn)的切割線(xiàn)SL進(jìn)行切割。由此，制造數(shù)百至數(shù)千個(gè)第1水晶振子100。(第1實(shí)施方式的變形例)參照?qǐng)D8，對(duì)于第1實(shí)施方式的變形例的第1水晶振子100’的整體構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。 圖8是第1實(shí)施方式的變形例的第1水晶振子100’的剖視圖，對(duì)應(yīng)于圖1的S-S剖面。如圖8所示，第1水晶振子100’包含具有蓋部凹部111’的蓋部11’、具有基部凹部121，的基部12，、被蓋部11，和基部12，夾持的水晶框架10。在第1實(shí)施方式的變形例中，形成在蓋部11’的蓋部凹部111’周?chē)牡?接合面 Ml，、水晶框架10的框體105、形成在基部12’的基部凹部121，周?chē)牡?接合面M2，為相同的寬度。從而，蓋部凹部111，的側(cè)面M5、貫通開(kāi)口部108a、108b的側(cè)面M3、基部凹部 121’的側(cè)面M6在Y’軸方向上一致。但是，由于圖8是通過(guò)側(cè)槽的剖視圖，因此在側(cè)槽以外以虛線(xiàn)表示第1接合面Ml’、框體105、第2接合面M2’的寬度。
由此，若例如水晶框架10和基部12’被按壓，則具有一定粘度的低熔點(diǎn)玻璃LG2’ 隆起至貫通開(kāi)口部108a、108b的側(cè)面M3及基部凹部121，的側(cè)面M6，從而形成側(cè)面的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域126a’、126b’。同樣，若蓋部11’和水晶框架10被按壓，則具有一定粘度的低熔點(diǎn)玻璃LGl隆起至蓋部凹部111，的側(cè)面M5及貫通開(kāi)口部108a、108b的側(cè)面M3，從而形成低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域116a，、116b，。在此，低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域116a，、116b，及U6a，、U6b，的厚度 C，為5μπι以上。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使水晶框架10的框體105以較窄的寬度形成，也可以通過(guò)隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域116a、116b及126a、U6b，使水晶框架10在更加寬接合面積上更加可靠地與蓋部11’及基部12’進(jìn)行接合。從而，不容易產(chǎn)生從第1水晶振子100’的外側(cè)向空腔 CT內(nèi)或相反方向的滲漏，并且第1水晶振子100’對(duì)外部的耐沖擊性增強(qiáng)。第1水晶振子 100’的制造方法如圖3所示的流程圖相同。(第2實(shí)施方式)<第2水晶振子200的整體構(gòu)成>參照?qǐng)D9對(duì)第2水晶振子200的整體構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖9是第2水晶振子200的剖視圖，對(duì)應(yīng)于第1實(shí)施方式的圖1的S-S剖面。另外，對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)成要素附上相同的符號(hào)進(jìn)行說(shuō)明。如圖9所示，第2水晶振子200具有被蓋部21和基部22夾持的水晶框架10。在此，蓋部21及基部22是沒(méi)有形成第1實(shí)施方式中說(shuō)明的凹部的平板狀。另外，在第2實(shí)施方式中形成有在第1實(shí)施方式中說(shuō)明的隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域 116a和隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域參照?qǐng)D2、形成一體而上下相連的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域 206a。同樣，形成隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域116b和隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域U6b(參照?qǐng)D2) 形成一體而上下相連的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域206b。根據(jù)這種構(gòu)成，即使使水晶框架10的框體105以較窄的寬度形成也可以通過(guò)隆起的低熔點(diǎn)區(qū)域206a、206b來(lái)使水晶框架10可以在更寬的接合面積更可靠地與蓋部21和基部22進(jìn)行接合。從而，不容易產(chǎn)生從第2水晶振子200的外側(cè)向空腔CT內(nèi)的外氣的滲漏、 或者其反方向的滲漏，并且第1水晶振子100對(duì)來(lái)自外部的耐沖擊性等也變強(qiáng)。在第2實(shí)施方式中，由于在蓋部21及基部22上沒(méi)有形成凹部，因此可以將水晶振動(dòng)部做成逆臺(tái)面型，以便不對(duì)水晶振動(dòng)部的振動(dòng)產(chǎn)生影響?！吹?水晶振子200的制造方法>參照第1實(shí)施方式的圖3對(duì)第2水晶振子200的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在蓋部21的制造步驟Sll中，不需要形成凹部的步驟S111，在步驟S112中在蓋部晶片上以對(duì)應(yīng)于后述的水晶框架10的框體105的形狀形成低熔點(diǎn)玻璃LG1。水晶框架10的制造步驟S12與第1實(shí)施方式相同。在基部22的制造步驟S13中，雖然在步驟S131中形成基部貫通孔BH但不形成基部凹部121。之后，通過(guò)步驟S132形成各電極，通過(guò)步驟S133在基部晶片上形成對(duì)應(yīng)于水晶框架10的框體105的形狀的低熔點(diǎn)玻璃LG2。在步驟S14中，接合蓋部晶片、水晶晶片及基部晶片。此時(shí)，形成在蓋部晶片上的低熔點(diǎn)區(qū)域116a、116b(參照?qǐng)D2)和形成在基部晶片上的低熔點(diǎn)玻璃126a、U6b(參照?qǐng)D 2)互相隆起而連接成一體。由此，在貫通開(kāi)口部108a、108b的側(cè)面M3上形成低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域 206a、206b(參照?qǐng)D 9)。步驟S15與第1實(shí)施方式相同。(第3實(shí)施方式)<第3水晶振子300的整體構(gòu)成>參照?qǐng)D10對(duì)第3水晶振子300的整體構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖10是第3水晶振子300 的剖視圖，對(duì)應(yīng)于第1實(shí)施方式的圖1的S-S剖面。另外，對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)成要素附上相同的符號(hào)進(jìn)行說(shuō)明。如圖10所示，第3水晶振子300具有被蓋部11和基部12夾持的水晶框架30。在第3實(shí)施方式中，水晶框架30的框體305在其內(nèi)側(cè)(水晶振動(dòng)部側(cè))及外側(cè)(側(cè)槽側(cè))的側(cè)面具有從表面Me及里面Mi凹進(jìn)的段差部309。因此，可以使一對(duì)貫通開(kāi)口部308a、308b 以較大的面積形成。由此，可以使形成在貫通開(kāi)口部308a、308b上的低熔點(diǎn)玻璃LG1、LG2 在較寬的面積上可靠地接合蓋部11、水晶框架30及基部12。根據(jù)這種構(gòu)成，即使水晶框架30的框體305以較窄的寬度形成也可以使水晶框架 30在較寬的面積更加可靠地接合在蓋部11及基部12上。從而，不容易產(chǎn)生從第3水晶振子300的外側(cè)向空腔CT內(nèi)的外氣的滲漏、或者相反方向的滲漏，并且第3水晶振子300對(duì)來(lái)自外部的耐沖擊性等也變強(qiáng)。另外，在水晶框架30的框體305中，其中央部形成得比兩側(cè)厚。即，由于水晶側(cè)槽側(cè)比中央部更薄，因此存在水晶側(cè)面電極307a和基部側(cè)面電極123a不能可靠地電連接的情況。因此，第3實(shí)施方式的水晶框架30在外側(cè)形成覆蓋外部電極12fe、125b的全部或一部分、基部側(cè)面電極123a、123b、水晶側(cè)面電極107a、107b的連接電極14a、14b。由此，外部電極125a、125b通過(guò)基部側(cè)面電極123a、12北、連接電極14a、14b、水晶側(cè)面電極107a、107b 及引出電極303a、303b可靠地電連接在勵(lì)振電極102a、102b上。在第3實(shí)施方式中，雖然在外部電極12^1、125b上也形成連接電極14a、14b，但是也可以?xún)H形成基部側(cè)面電極123a、12 及水晶側(cè)面電極107a、107b?！吹?水晶振子300的制造方法〉參照第1實(shí)施方式的圖3及圖7，對(duì)第3水晶振子300的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。蓋部11的制造步驟Sll及基部12的制造步驟S13與第1實(shí)施方式相同。在水晶框架30的制造步驟S12中，在步驟S121中通過(guò)蝕刻形成貫通開(kāi)口部308a、 308b、水晶側(cè)槽306a、306b及段差部309。之后，在步驟S122中形成勵(lì)振電極10加、102b及引出電極103a、103b。在步驟S14中，接合蓋部晶片、水晶晶片及基部晶片。在此，接合了水晶晶片和基部晶片后形成連接電極14a、14b。連接電極14a、14b以覆蓋外部電極125a、12 的全部或一部分、基部側(cè)面電極123a、123b、水晶側(cè)面電極107a、107b的方式形成。具體地講，接合的水晶晶片和基部晶片以水晶晶片朝下的方式放置。之后，將在對(duì)應(yīng)于外部電極125a、12^ 的區(qū)域及對(duì)應(yīng)于基部通孔BH的區(qū)域上形成有開(kāi)口的掩膜(未圖示)配置在基部晶片的實(shí)裝面M4上。然后，通過(guò)濺射或真空蒸鍍，形成連接電極14a、14b。由此，能夠可靠地電連接基部側(cè)面電極123a、12 及水晶側(cè)面電極107a、107b。在步驟S15中，將接合的蓋部晶片、水晶晶片及基部晶片切割成單體。由此，制造數(shù)百至數(shù)千個(gè)第3水晶振子300。
(第4實(shí)施方式)<水晶振子的整體構(gòu)成>第4實(shí)施方式的水晶振子(未圖示)具有蓋部11、基部12、被蓋部11及基部12 夾持的水晶框架40。參照?qǐng)D11，對(duì)水晶框架40進(jìn)行說(shuō)明。圖11是水晶框架40的俯視圖。 在此，為了有助于理解，雖然不隸屬于水晶框架40，但是在圖11中用虛線(xiàn)繪制形成在基部 11和水晶框架40之間的低熔點(diǎn)玻璃LGl及形成在水晶框架40和基部12之間的低熔點(diǎn)玻璃LG2而進(jìn)行說(shuō)明。如圖11所示，水晶框架40具有大致為“L”字型的一對(duì)貫通開(kāi)口部408a、408b。一對(duì)貫通開(kāi)口部408a、408b在其框體405側(cè)的側(cè)面M3上形成多個(gè)連續(xù)的洼部409。另外，當(dāng)通過(guò)低熔點(diǎn)玻璃LGl及LG2而接合蓋部11、水晶框架40及基部12時(shí)，低熔點(diǎn)玻璃LGl及LG2在)(Z，平面上形成隆起至貫通開(kāi)口部408a、408b的洼部409內(nèi)的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域406。在此，隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域406可以如第1實(shí)施方式的說(shuō)明在Z軸方向上分離，也可以如第2及第3實(shí)施方式的說(shuō)明在Z軸方向上形成一體。根據(jù)這種構(gòu)成，即使水晶框架40的框體405以較窄的寬度形成也可以使水晶框架 40在較寬的面積更加可靠地接合在蓋部及基部上。從而，不容易產(chǎn)生從第4水晶振子400 的外側(cè)向空腔CT內(nèi)的外氣的滲漏、或者相反方向的滲漏，并且第4水晶振子400對(duì)來(lái)自外部的耐沖擊性等也變強(qiáng)。<第4實(shí)施方式的水晶振子的制造方法>就第4實(shí)施方式的水晶振子的制造方法而言，由于與圖3中所說(shuō)明的流程圖大致相同，因此省略其說(shuō)明。(第5實(shí)施方式)〈第5水晶振子500的整體構(gòu)成>參照?qǐng)D12及圖13對(duì)第5水晶振子500的整體構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖12是第5水晶振子500的分解立體圖，圖13是圖12的T-T剖視圖。如圖12及圖13所示，第5水晶振子500包含具有蓋部凹部511的蓋部51、具有基部凹部521的基部52以及放置在基部52內(nèi)的矩形的水晶振動(dòng)片50。水晶振動(dòng)片50由水晶片501構(gòu)成，在其水晶片501的中央附近的兩個(gè)主面上相對(duì)向地配置有一對(duì)勵(lì)振電極50h、502b。另外，在勵(lì)振電極50 上連接有延伸至水晶片501 的底面的-X側(cè)的+Z’軸方向的一角上的引出電極503a，在勵(lì)振電極502b上連接有延伸至水晶片501的底面的+X側(cè)的-Z’軸方向的另外一角上的引出電極50北。水晶振動(dòng)片50由導(dǎo)電性粘接劑53粘接在后述的基部52的基部凹部521內(nèi)。第5水晶振子500具有包含蓋部凹部511和形成在蓋部凹部511的周?chē)牡?接合面Ml并且由玻璃或壓電材料而成的蓋部51。另外，具有包含基部凹部521和形成在基部凹部521的周?chē)牡?接合面M2并且由玻璃或壓電材料而成的蓋部52。另外，由基部52 的基部凹部521和蓋部51的蓋部凹部511形成收放水晶振動(dòng)片50的空腔CT。空腔CT由惰性氣體填滿(mǎn)或成為真空狀態(tài)而進(jìn)行氣密封閉。在此，蓋部51及基部52的X軸方向的長(zhǎng)度A為2000 μ m左右，V軸方向的長(zhǎng)度 (未圖示)為1600 μ m左右左右。在本說(shuō)明書(shū)中，雖然使用了外形尺寸為2000 μ mX 1600 μ m 的蓋部51及基部52，但是也可以使用進(jìn)一步小型化的例如1600 ymX 1200 μ m或1200 μ mX 1000 μ m的蓋部51及基部52。另外，隨著壓電振子的小型化，蓋部51的第1接合面Ml及基部52的第2接合面M2的寬度B成為0. IXA以下、即200 μ m以下。另外，在基部凹部521中，在其底面M9的-X側(cè)的+Z’軸方向的一角上形成有貫通了基部52的通孔52加。同樣，在基部凹部521中，在其底面M9的+X側(cè)的-Z，軸方向的另外一角上形成有貫通了基部52的通孔522b。在此，如圖13所示，通孔52h、522b成為-Y， 側(cè)寬的圓錐臺(tái)形狀。這是因?yàn)?，接合了蓋部51和基部52之后，為了使流體的填充材料5M 更加容易填充通孔52h、522b。在此，填充材料5 使用金錫(Au-Sn)合金、金鍺(Au-Ge) 合金、金硅(Au-Si)合金或由膠狀的金及膠狀的銀而燒成的材料。再有，雖然在第5水晶振子500中通孔52h、522b為圓形，但是也可以是其他的矩形等的多邊形。在通孔52h、522b上分別形成有具有延伸至基部凹部521的底面M9的連接墊片 523M的通孔電極523a、523b。再有，在基部52的實(shí)裝面(水晶振子的實(shí)裝面)的X軸方向的兩側(cè)形成有分別與通孔電極523a、523b電連接的一對(duì)外部電極52fe、525b。另一方面，圖13所示的水晶振動(dòng)片50，以引出電極503a電連接在通孔電極523a 上，引出電極50 電連接在通孔電極52 上(通過(guò)連接墊片523M)的方式，由導(dǎo)電性粘接劑53固定在基部52的底面M9上。由此，水晶振動(dòng)片50的勵(lì)振電極5(^a、502b通過(guò)弓丨出電極503a、503b、導(dǎo)電性粘結(jié)劑53及通孔電極523a、523b電連接在外部電極52如、52恥上。S卩，當(dāng)在第5水晶振子500 的一對(duì)外部電極52^1、52恥上施加交替電壓(正負(fù)交替的電位)時(shí)，外部電極52 、通孔 523a、引出電極503a及勵(lì)振電極50 成為同極。同樣，外部電極52 、通孔52北、引出電極50 及勵(lì)振電極502b成為同極。另外，蓋部51和基部52由作為封裝材料的低熔點(diǎn)玻璃LG接合。低熔點(diǎn)玻璃LG 包含熔點(diǎn)為350°C 410°C的包含游離鉛的釩系玻璃。在此，當(dāng)例如對(duì)向按壓蓋部51和基部52時(shí)，具有一定粘度的低熔點(diǎn)玻璃LG隆起至蓋部凹部511的側(cè)面M7及基部凹部521的側(cè)面M8而形成側(cè)面的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域506。 在此，低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域506的厚度C為5 μ m以上。從而，為了低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域506不接觸水晶振動(dòng)片50，最好使從蓋部凹部511的側(cè)面M7或基部凹部521的側(cè)面M8至水晶振動(dòng)片 50的距離D為10 μ m以上。根據(jù)這種構(gòu)成，即使蓋部51的第1接合面Ml及基部52的第2接合面M2以較窄的寬度形成也可以通過(guò)隆起的低熔點(diǎn)區(qū)域506來(lái)使蓋部51和基部52在較寬的接合面積上進(jìn)行接合。從而，使接合面積增加了相當(dāng)于隆起的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域的大小，通過(guò)蓋部51和基部52的接合區(qū)域，不容易產(chǎn)生從第5水晶振子500的外側(cè)向空腔CT內(nèi)的氣體的滲漏、或者相反方向的氣體滲漏，并且第5水晶振子500對(duì)來(lái)自外部的耐沖擊性等也變強(qiáng)。在此，在第5實(shí)施方式中，雖然在蓋部51和基部52上形成有凹部，但是蓋部可以是沒(méi)有形成凹部的平板狀?！吹?水晶振子500的制造方法>圖14是表示制造第5水晶振子500的流程圖。在圖14中，水晶振動(dòng)片50的制造步驟T50、蓋部51的制造步驟T51及基部52的制造步驟T52可以并行。另外，圖15是第5 實(shí)施方式的水晶晶片50W的俯視圖，圖16是第5實(shí)施方式的基部晶片52W的俯視圖。在步驟T50中制造水晶振動(dòng)片50。步驟T50包含步驟T501 T503。
在步驟T501中，如圖15所示，通過(guò)蝕刻在均勻的水晶晶片50W上形成多個(gè)水晶振動(dòng)片50的外形。在此，各水晶振動(dòng)片50通過(guò)連結(jié)部504而連結(jié)在水晶晶片50W上。在步驟T502中，首先通過(guò)濺射或真空蒸鍍?cè)谒Ь?0W的兩面及側(cè)面形成鉻層及金層。在此，作為質(zhì)地的鉻層的厚度例如為500A左右，金層的厚度例如為2500A左右。 然后，在金屬層的全面均勻地涂布光致抗蝕劑。之后，使用曝光裝置(未圖示)將繪制有勵(lì)振電極5(^a、502b及引出電極503a、503b的圖案曝光在水晶晶片50W上。其次，對(duì)從光致抗蝕劑露出的金屬層進(jìn)行蝕刻。由此，如圖15所示，在水晶晶片50W的兩面及側(cè)面形成勵(lì)振電極502a,502b及引出電極503a、503b (參照?qǐng)D12)。在步驟T503中，將水晶振動(dòng)片503切割成單體。在切割工序中，利用使用激光的切割鋸裝置或使用切割用刀片的切割裝置等沿圖15所示的點(diǎn)劃線(xiàn)的切線(xiàn)CL進(jìn)行切割。在步驟T51中制造蓋部51。步驟T51包含步驟T511及T512。在步驟T511中，在均勻厚度的水晶平板的蓋部晶片(參照?qǐng)D4)上形成數(shù)百至數(shù)千個(gè)蓋部凹部511。通過(guò)蝕刻或機(jī)械加工在蓋部晶片上形成蓋部凹部511，在蓋部凹部511 的周?chē)纬傻?接合面Ml。在步驟T512中，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在蓋部晶片的第1接合面Ml上印刷低熔點(diǎn)玻璃LG。 在此，作為絲網(wǎng)可以使用尼龍、的確良、不銹鋼等的織物。之后，通過(guò)臨時(shí)固化低熔點(diǎn)玻璃LG 而在蓋部晶片的第1接合面Ml上形成低熔點(diǎn)玻璃LG。在步驟T52中制造基部52。步驟T52包含步驟T521及T522。在步驟T521中，如圖16所示，在均勻厚度的水晶平板的基部晶片52W上形成數(shù)百至數(shù)千個(gè)基部凹部521。通過(guò)蝕刻或機(jī)械加工在基部晶片52W上形成基部凹部521，在基部凹部521的周?chē)纬傻?接合面M2。同時(shí)，在各基部52的X軸方向的兩側(cè)形成貫通基部晶片 52W 的通孔 522a、522b。在步驟T522中，通過(guò)濺射及蝕刻方法在基部52的實(shí)裝面(水晶振子的實(shí)裝面) 上形成外部電極52^1、525b。同時(shí)，在通孔52^1、525b上形成通孔電極523a、523b (參照?qǐng)D 13)。在步驟T53中，通過(guò)導(dǎo)電性粘接劑53將在步驟T50中制造的水晶振動(dòng)片50放置在基部凹部521的底面M9上。此時(shí)，使水晶振動(dòng)片50以水晶振動(dòng)片50的引出電極503a、 503b和形成在基部52的底面M9的連接墊片523的位置對(duì)齊的方式，放置在基部52的底面 M9上(參照?qǐng)D13)。在步驟TM中，通過(guò)加熱低熔點(diǎn)玻璃LG并加壓蓋部晶片和基部晶片52W，使蓋部晶片和基部晶片52W通過(guò)低熔點(diǎn)玻璃LG進(jìn)行接合。此時(shí)，當(dāng)按壓蓋部51和基部52時(shí)，具有一定的粘度的低熔點(diǎn)玻璃LG隆起至蓋部凹部511的側(cè)面M7及基部凹部521的側(cè)面M8而形成側(cè)面的低熔點(diǎn)玻璃區(qū)域506(參照?qǐng)D13)。在步驟T55中，由金錫(Au-Sn)合金、金鍺(Au-Ge)合金、金硅(Au-Si)合金或由膠狀的金及膠狀的銀而燒成的填充材料524(參照?qǐng)D1 填充在通孔52h、522b內(nèi)。然后， 保持封裝在真空中或惰性氣體中的反射爐內(nèi)。由此，得到空腔CT內(nèi)為真空或填滿(mǎn)了惰性氣體的多個(gè)第5水晶振子500。在步驟T56中，將已接合的蓋部晶片和基部晶片52W切割成單體。在切割工序中， 利用使用激光的切割鋸裝置或使用切割用刀片的切割裝置等沿圖16所示的點(diǎn)劃線(xiàn)的切割線(xiàn)SL將第5水晶振子500切割成單體。由此，制造數(shù)百至數(shù)千個(gè)第5水晶振子500。以上，雖然對(duì)本發(fā)明的最優(yōu)的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的技術(shù)范圍內(nèi)，本發(fā)明可以在其技術(shù)范圍內(nèi)對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行各種變更、變形而實(shí)施。例如，本說(shuō)明書(shū)中側(cè)槽形成在X軸方向的兩側(cè)上，但是也可以在水晶框架及基部的四角上形成側(cè)槽。另外，本說(shuō)明書(shū)中由低熔點(diǎn)玻璃接合了基部晶片、水晶晶片及蓋部晶片，但是可以以聚亞胺樹(shù)脂來(lái)代替低熔點(diǎn)玻璃。當(dāng)使用聚亞胺樹(shù)脂的情況，可以進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，也可以將感光性的聚亞胺樹(shù)脂涂布在整面上后進(jìn)行曝光。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，外部電極形成在基部的底面的X軸方向的兩側(cè)上，但也可以在四角上形成外部電極。此時(shí)，多余的外部電極為接地用。再有，在本說(shuō)明書(shū)中以AT切割型的壓電振動(dòng)片為一個(gè)例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以適用具有從基礎(chǔ)部的一端延伸的一對(duì)振動(dòng)臂的音叉型水晶振動(dòng)片。另外，在本說(shuō)明書(shū)中使用了水晶振動(dòng)片，但也可以適用除了水晶之外的鉭酸鋰、鈮酸鋰等的壓電材料。再有作為壓電裝置本發(fā)明還適用于將裝入了振蕩電路的IC等收放在空腔內(nèi)的水晶振蕩器。
權(quán)利要求
1. 一種壓電裝置，其特征在于，具有形成有壓電振動(dòng)片、從所述壓電振動(dòng)片隔著貫通開(kāi)口而進(jìn)行配置并包圍所述壓電振動(dòng)片的框體、將所述壓電振動(dòng)片支撐在所述框體上的支撐部，并且分別具有第1面和第2面的壓電框架；形成有至少一部分與所述框體的所述第1面對(duì)置的第1接合面的蓋部； 具有形成一對(duì)外部電極的實(shí)裝面和位于該實(shí)裝面的相反側(cè)且形成有至少一部分與所述框體的所述第2面對(duì)置的第2接合面的底面的基部；以環(huán)狀形成在所述第1接合面和所述框體的所述第1面之間的第1封裝材料；以及以環(huán)狀形成在所述第2接合面和所述框體的所述第2面之間的第2封裝材料， 所述第1封裝材料及所述第2封裝材料的至少一方形成在所述框體的貫通開(kāi)口側(cè)的側(cè)
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電裝置，其特征在于，所述第1封裝材料和所述第2封裝材料在所述側(cè)面相互接合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓電裝置，其特征在于，所述蓋部、所述壓電框架及所述基部從所述實(shí)裝面觀(guān)察為具有4個(gè)邊的矩形形狀， 當(dāng)所述1個(gè)邊的長(zhǎng)度為A，將所述框體的寬度為B時(shí)， 具有B彡ΑΧΟ. 1的關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓電裝置，其特征在于，所述第1封裝材料以在所述框體的寬度B上加上5 μ m以上的寬度形成在第1接合面上，所述第2封裝材料以在所述框體的寬度B上加上5 μ m以上的寬度形成在第2接合面上，所述貫通開(kāi)口的寬度為10 μ m以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的壓電裝置，其特征在于，所述框體的所述貫通開(kāi)口側(cè)的側(cè)面從所述第1面或所述第2面以厚度變薄的方式形成有段差部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5的任意一項(xiàng)所述的要點(diǎn)裝置，其特征在于， 從所述實(shí)裝面觀(guān)察，所述框體的所述貫通開(kāi)口側(cè)形成有連續(xù)的洼部。
7.一種壓電裝置，其特征在于，具有 因施加電壓而振動(dòng)的壓電振動(dòng)片；具有放置所述壓電振動(dòng)片的基部凹部的基部； 與所述基部接合而密封封裝所述壓電振動(dòng)片的蓋部；以及封裝所述基部和所述蓋部的、以環(huán)狀形成的封裝材料， 所述封裝材料形成在所述基部凹部的側(cè)面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓電裝置，其特征在于， 所述蓋部具有對(duì)應(yīng)于所述基部凹部的蓋部凹部， 所述封裝材料形成在所述蓋部凹部上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的壓電裝置，其特征在于， 所述蓋部在所述蓋部凹部的周?chē)哂械?接合面，所述基部在所述基部凹部的周?chē)哂信c所述第1接合面接合的第2接合面， 所述蓋部及所述基部為具有4個(gè)邊的矩形形狀，當(dāng)所述1個(gè)邊的長(zhǎng)度為A，將所述第1 接合面及所述第2接合面的寬度為B時(shí)， 具有B彡ΑΧΟ. 1的關(guān)系。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所示的壓電裝置，其特征在于，所述封裝材料以在所述第1接合面及第2接合面的寬度B上加上5 μ m以上的寬度形成，所述基部及所述蓋部的側(cè)面至所述壓電振動(dòng)片的距離為10 μ m以上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓電裝置。壓電裝置(100)具有形成有壓電振動(dòng)片(101)、從壓電振動(dòng)片隔著貫通開(kāi)口(108)而進(jìn)行配置的框體(105)、支撐部(104)，并且具有第1面(Me)和第2面(Mi)的壓電框架(10)；形成有第1接合面(M1)的蓋部(11)；具有形成外部電極(125)的實(shí)裝面(M4)和形成有第2接合面(M2)的底面的基部(12)；以環(huán)狀形成在第1接合面和框體的第1面之間的第1封裝材料(LG1)；以及以環(huán)狀形成在第2接合面和框體的第2面之間的第2封裝材料(LG2)。另外，第1封裝材料及第2封裝材料的至少一方形成在框體的貫通開(kāi)口側(cè)的側(cè)面(M3)。
文檔編號(hào)H03H9/10GK102403982SQ201110245399
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月16日
發(fā)明者高橋岳寬 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社