專利名稱：具有高精度的微機補償表貼溫補晶振的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種主要用于全球定位系統(GPS)定位、電臺、雷達等通訊設備中，具 有高精度的微機補償表貼溫補晶振，更具體地說，本發明涉及高穩時基的具有高精度的微 機補償表貼溫補晶振。
背景技術：
現有技術中，溫補晶體振蕩器可分為模擬溫補晶振和數字溫補品振。溫補晶振電 路主要由振蕩電路和補償電路組成。前者與晶體諧振器共同組成一個壓控晶體振蕩器，后 者則提供準確的補償電壓值，補償電壓改變壓控振蕩器當前的輸出頻率，把輸出頻率隨溫 度變化控制在一個很小的誤差內。由于AT切型品體諧振器的振蕩頻率在整個寬溫范圍內(_55°C +85°C )頻率偏 移較少(頻率偏移在士20ppm以內)，并且頻率與溫度的關系呈近似的三次函數關系，所以 溫補晶體振蕩器(TCXO) —般均采用對AT切晶體的頻率-溫度特性曲線進行補償。該補 償是用一個與晶體諧振器串聯的變容二極管作調頻電容，其兩端受補償電路產生的電壓控 制，使變容二極管電容變化，改變晶體諧振器負載電容，從而使晶體諧振器的振蕩頻率發生 改變。由于補償電壓帶來的頻率偏移恰好可以抵消由溫度變化所引起的頻率漂移，使得振 蕩器頻率在寬溫度范圍內相對穩定，達到溫度補償的目的。現有技術溫補晶振補償通常有三種方法。一是使用熱敏電阻網絡產生補償電壓對晶振頻率進行補償。選用負溫度系數的熱 敏電阻與固定電阻一起構成電阻補償網絡(主要有Γ型、橋式網絡等)，產生一個隨溫度變 化的二次或三次曲線電壓信號，實現對晶振頻率-溫度特性曲線的補償。該方法的不足之 處是只能實現二次或三次頻率-溫度特性曲線的補償，且補償電壓曲線受補償電路形式的 限制，不能實現高精度的補償。同時，晶振電路無法小型化、集成化，并且調試較困難，不易 于批量化生產。二是使用數字電路進行晶振頻率的補償。數字溫度補償晶體振蕩器(DTCXO)，一直 以來由于體積大、功耗大、成本高而使其應用范圍受到了很大的限制。數字溫補晶振的“頻 率一溫度穩定度” 一般在10_7量級(_40°C 70°C )。數字溫補晶振通常選用EEPROM存儲 器，將補償電壓值通過查表的方式，發送給數模轉換器(DAC)，從而壓控晶振頻率，對晶振頻 率進行補償。該方法雖然可以實現多次頻率溫度曲線的補償，但由于受數字電路精度影響， 補償電壓不連續且有抖動，對晶振的相位噪聲指標惡化嚴重。對于傳統的微機補償晶體振 蕩器(MCXO)同樣也存在體積大，精度不夠，相位噪聲指標不高等不足之處，且性能的穩定、 可靠性和成品率都不高。三是使用國外進口集成溫度晶振專用芯片。目前，為適應晶體振蕩器小型化、數 字化、集成化的發展趨勢，國外已實現由傳統的裸金屬外殼向覆塑料金屬和陶瓷封裝轉變， 采用SMD封裝形式的溫補品振，其外形尺寸大大地縮小。這種集成芯片采用了數模混合電 路的溫度補償技術。該補償技術雖然可以實現晶振小型化設計，降低了產品功耗，但由于其補償電壓仍然由模擬電路產生，補償電壓曲線受模擬電路形式和工藝的限制，一般只能 產生3次方的補償電壓曲線，晶振的頻率-溫度穩定度指標不高(一般在士0. 5 X ΙΟ"6 士 1 X IO"6)，溫度范圍最寬在-30°C 85°C。
發明內容
本發明的任務是提出一種小型化，功耗低，基于集成化微機補償電路可以產生多 次方補償電壓曲線，在寬溫范圍內有很高頻率-溫度穩定度的微機補償表貼溫補晶振。本發明的上述目的可以通過以下措施來達到，本發明提供的一種具有高精度的微 機補償表貼溫補晶振，至少包括，被集成在一個芯片內的微機補償電路、壓控晶體振蕩電路 和微機補償程序部件，其特征在于在所述微機補償電路中集成有一個用于與調試系統進 行數據傳輸的串口通訊電路、數據及程序存儲電路、溫度測試電路和補償電壓產生電路，該 微機補償電路連接在壓控晶體振蕩器(VCXO)的壓控調諧端，溫度傳感器通過數模轉換器 (ADC)相連于微處理器(MCU)，溫度傳感器測試出VCXO的溫度信號，ADC將產生的模擬溫度 電壓信號轉換成數字信號反饋給MCU，MCU將該數據帶入MCU內的多次曲線方程式中，計算 出與當前溫度值對應的補償電壓的數據，DAC再將計算出的電壓值轉換為模擬電壓信號， MCU再把轉換成的補償電壓發送至模數轉換器(DAC)，經濾波器(LPF)濾去低頻干擾信號后 送入VCXO的壓控調諧端，實現對VCXO輸出頻率的高低溫補償。本發明相比于現有技術具有如下有益效果本發明在壓控晶體振蕩器(VCXO)的壓控調諧端接入高精度的微機補償電路，在 晶振補償電路中使用微處理器MCU對晶振補償參數進行處理，通過MCU控制高精度的ADC 采集當前溫度值，并通過MCU計算出當前的補償電壓值，MCU將補償電壓至發送至高精度的 DAC以控制壓控晶體振蕩器的輸出頻率，實現對晶振頻率在高低溫下精確補償，實現的溫補 晶振補償精度高、線性度高、一致性及穩定性好。本發明通過MCU可以對晶振的高低數據進行精確擬合，擬合次數不僅限于3次曲 線，也可以實現4次、5次、6次、7次曲線的擬合，調試系統通過對調試數據進行分析找出最 佳的曲線次數，并將最佳的溫度特性參數發送至晶振的微機補償電路并存儲在EEPROM中， 解決了傳統補償電路補償曲線次數不易更改的問題，使得曲線擬合靈活多變。實驗證明，精 確的曲線擬合可以大大提高晶振在高低溫下的補償精度。本發明通過整個微機補償電路和晶體振蕩電路的集成化設計和軟件與簡單硬件 電路的配合，將微機補償電路和壓控晶體振蕩電路集成在一個專用芯片內，節約了系統所 需的大量硬件電路。集成后的專用高精度微機補償晶振芯片的面積約為2. OmmX2. Omm0因 此能夠在7. OmmX 5. OmmX 2. Omm的小體積內，實現高精度微機補償晶振的小型化和表貼化 設計，解決了傳統的微機補償晶振體積大的問題。在不影響晶體振蕩器相位噪聲的基礎上， 可將晶振的頻率-溫度穩定度控制在士0. ^X10_6(-40°C +85°C )的范圍內，部分產品補 償后的頻率-溫度穩定度可優于士0. 1X10_7。同時，集成化設計也極大地降低了晶振的功 耗。與傳統微機補償晶體振蕩器(MCXO)相比，本發明具有集成化程度高，體積小，功耗低， 造價低，開機預熱時間短等優點。通過微機補償電路中的串口通訊電路實現了對晶振的在線自動化調試，調試系統 對晶振頻率的調試精度可以達到10_9 10_1(1量級，同時采用多路晶振信號切換技術可以同時完成500只左右的高精度微機補償晶振的高低溫在線調試。本發明不僅解決了溫補晶振在高低溫條件下的精確補償問題，也解決了高精度 微機補償晶振電路的集成化設計問題。集成芯片采用了 0. 25um工藝，內部集成了 MCU、 EEPR0M、R0M、RAM、ADC、DAC、溫度傳感器、VQCO振蕩電路、時鐘電路、線性穩壓電路。由于芯 片內部集成了性能優良的線性穩壓電路，晶振的可以在DC+2. 8V DC+5. 5V的電壓范圍內 正常工作。芯片內部微機補償電路和VCXO電路的“電源”和“地”在設計工藝上進行了隔離 設計，極大地降低了數字和模擬系統相互之間的干擾，同時芯片對DAC輸出的補償電壓也 做了濾波處理，使得晶振的相位噪聲指標可以達到-135dBc/HZ@lkHZ (以IOMHz晶振為例)。
圖1是本發明具有高精度的微機補償表貼溫補晶振的電路原理框圖。圖2是本發明的微機補償程序流程圖。圖3是本發明的高精度微機補償表貼溫補晶體振蕩器自動調試系統框圖。圖4是本發明精度微機補償表貼溫補晶體振蕩器的外形示意圖。圖5是圖4的仰視圖。
具體實施例方式
本發明的實施方式可用圖1、圖2進一步說明。在圖1中，一種具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，包括，被集成在一個芯片內 的微機補償電路、壓控晶體振蕩電路和微機補償程序部件。晶振內部電路由壓控晶體振蕩 電路(VCXO)和微機補償電路組成。在所述微機補償電路中集成有用于與調試系統進行數 據傳輸的串口通訊電路、數據及程序存儲電路、溫度測試電路和補償電壓產生電路。集成 在微機補償電路中的補償電壓產生電路，包括，MCU輸出端通過模數轉換器(DAC)連接的 低通濾波器(LPF)和壓控晶體振蕩器(VCXO)，模數轉換器將模擬溫度信號轉換成數字信 號并發送至MCU，模數轉換器將數字補償電壓信號轉換成模擬電壓信號，模擬信號經濾波 器(LPF)濾去低頻干擾信號后送入VQCO的壓控調諧端。整個晶振電路集成在一個面積為 2. OmmX2. Omm的芯片內，高精度微機補償溫補晶振的體積為7. OmmX5. OmmX2. Omm,晶振 為表面貼裝元件，上述的微機補償電路，包括，微處理器(MCU)、溫度測試電路以及補償電壓產生電 路。其中，溫度測試電路通過熱偶合感應晶體諧振器的溫度，產生反應溫度變化的數字信 號；補償電壓產生電路，包括，與MCU相連的數模轉換器(DAC)，與DAC和VQCO連接的低通 濾波器(LPF)，數模轉換器(DAC)將數字補償電壓信號轉換成模擬電壓信號，低通濾波器將 DAC發送過來的電壓信號濾去低頻干擾信號后送入VCXO的壓控調諧端，實現對VQCO輸出頻 率的高低溫補償。上述的微機補償電路連接在壓控晶體振蕩器(VCXO)的壓控調諧端，溫度傳感器 通過A/D轉換器相連于微處理器(MCU)。在MCU的控制下，模擬溫度傳感器測試出晶體諧振 器的溫度VT，然后將溫度信號通過A/D轉換器轉換成數字信號Dt反饋給MCU。MCU將該數 據帶入MCU內的多次曲線方程式，方程的系數預先存放在EEPROM中，計算出補償電壓的數 據。補償電壓的數字信號D。由MCU根據當前溫度經過計算得出，并通過D/A轉換器轉換成
6模擬電壓信號V。，經過LPF濾波后接入VCXO的壓控調諧端。通過控制壓控振蕩器的頻率， 使其在溫度范圍內按約定誤差趨近于標稱頻率，實現對VCXO輸出頻率f。ut在高低溫下的精 確補償。上述的數據及程序存儲電路，包括，一個可擦除的64字節程序存儲器(EEPROM)、 一個4k字節程序存儲器(ROM)和一個256字節的數據存儲器(RAM)。EEPROM存儲器用于 存儲VCXO的頻率溫度特性參數，ROM存儲器用于存儲MCU運行的程序，RAM存儲器用于存儲 MCU運行程序時處理的臨時數據。上述的補償電壓成生電路，包括，一個與MCU連接的精度為13bit的數模轉換器 (DAC)，一個與DAC和VCXO壓控調諧端相連的時間常數約為0. 4s的低通濾波。該補償電壓 產生電路產生的補償電壓精度約為0. 2mV。上述的溫度測試電路由一個精度為13bit的ADC和一個模擬溫度傳感器組成。 該電路的溫度測試精度約為0.05 °C，溫度測試準確度為士 2.0°C (_25°C +85°C )和 士3.0°C (_55°C +100°C )。模擬溫度傳感器隨著環境溫度的變化產生一個近似線性的連 續電壓信號(溫度越高時電壓越高，溫度越低時電壓越低)，不同的電壓值表示不同的環境 溫度。模擬溫度傳感器的電壓輸出端與ADC的輸入端相連，ADC將反映溫度變化的電壓值 轉換為數字信號，ADC再通過并口與MCU相連，并根據需要實時地發送當前溫度值信號。本發明所述的微機補償程序部件包括調試部分和工作部分，兩個程序部分通過一 個標志位進行切換。調試部分的程序為一個串口通訊代碼識別程序，通過接受到的調試指 令代碼實現發送當前溫度、發送當前補償電壓值、接收并改變補償電壓值、接收溫度特性參 數、接收內部開關狀態參數。工作部分的程序為補償電壓產生程序，實現當前溫度值讀取， 通過溫度特性參數計算當前溫度下的補償電壓值，發送電壓值至DAC轉換器。高精度的微機補償表貼溫補晶振電路包括壓控晶體振蕩電路和微機補償電路。在 壓控晶體振蕩器(VCXO)的壓控調諧端接入高精度的微機補償電路。微機補償集成電路中， 微處理器為16bit的基于51核的微處理器；集成電路中內置時鐘和線性穩壓電路，內部工 作電壓為DC+2. 8V。壓控晶體振蕩集成電路中，采用門振蕩電路形式，壓控晶體振蕩器的振蕩頻率 范圍為IOMHz 38MHz，壓控調諧范圍為士20ppm，調諧靈敏度為20ppm/V，工作溫度范圍 為-55 °C +85 °C，相位噪聲指標優于-135dBc/Hz@lkHz(以IOMHz晶振為列)。電路匹 配的晶體主要參數為AT切晶體；負載電容為7.8pF;溫度頻差彡士 15ppm;工作溫度范 圍-55°C +90°C ；牽引靈敏度15 25ppm/pF ；高溫拐點60V 70°C。微機補償集成電路可以實現1次 7次曲線的溫度特性補償，晶振的頻率溫度特 性參數(Q、C1^C2, C3> C4, C5, C6, C7)存儲在EEPROM中，MCU獲得當前晶振溫度⑴后通過計 算得到當前的補償電壓值。曲線特性參數以浮點數方式存放在EEPROM中(對應7次曲線 系數)，最多存放8個浮點數。以7次方曲線為例，7次溫度特性參數(CpCpCyCyC^Q、 C6, C7)對應的補償電壓值的函數關系式是Vc = ^+C1 · T+C2 · T2+C3 · T3+C4 · T4+C5 · T5+C6 · T6+C7 · T7高精度的微機補償溫補晶振程序在集成芯片制作時一次性燒錄在內部的ROM中， 晶振調試系統通過晶振內部的串口通訊電路對晶振進行在線調試，調試內容包括讀取溫 度值；讀取補償電壓值；設置補償電壓值；設置補償電壓曲線特性參數；設置工作狀態；其它輔助功能設置。在圖2中，微機補償程序分為兩個部分調試部分和工作部分，兩部分程序通過 一個狀態碼來識別。調試部分的程序為一個串口通訊代碼識別程序，通過接受到的調試指 令代碼實現發送當前溫度、發送當前補償電壓值、接收并改變補償電壓值、接收溫度特性參 數、接收內部開關狀態參數；工作部分的程序為補償電壓產生程序，實現當前溫度值讀取， 通過溫度特性參數計算當前溫度下的補償電壓值，發送電壓值至D/A轉換器。調試部分程序用于配合調試系統對晶振的高低溫補償數據進行采集，同時對晶振 內部進行設置。通過串口通訊電路使得晶振與調試系統相連，調試系統通過發送指令代碼 控制晶振發送或接受所需要的數據。調試部分程序的具體內容包括發送當前晶振的內部 溫度值至調試系統；發送當前晶振的補償電壓值至調試系統；接收調試系統發出的補償電 壓值并對當前補償電壓值進行重置(用于晶振頻率校準)；接受調試系統發出的曲線特性 參數(補償電壓-溫度特性曲線參數)并保存至EEPROM ；接受調試系統發出的對晶振內部 狀態的設置，工作狀態設置、內部狀態設置包括振蕩電路激勵設置、補償靈敏度設置、壓控 功能設置等。工作程序是晶振通過測得的溫度，適時地計算出當前所需要的補償電壓值，并 將電壓信號通過DAC控制到壓控晶振的壓控調諧端，從而實現晶振的高低溫補償。在圖3中，在所述微機補償電路中集成有一個串口通訊電路用于與調試系統進行 數據傳輸；MCU通過一個串口與自動調試系統連接，用于晶振的在高低溫下的在線調試。微 機補償表貼溫補晶振的自動調試系統，是由多路晶振信號自動切換設備、頻率計數器、程控 電源、計算機、高低溫箱及相關的程序部件組成的，通過晶振內部集成的串口通訊電路，調 試系統可以實現10_9 10,量級精度的頻率自動校準，并同時完成對500只晶振的在線高 低溫調試。微機補償溫補晶振調試系統用于溫補晶振在高低溫下的自動調試。自動調試系統 為一個計算機、頻率計、晶振組成的閉環回路，環路中晶振與計算機以及頻率計與計算機之 間采用串口連接控制。通過自動調試系統，系統對每路晶振在檢測溫度點下逐一進行調試， 校準晶振頻率獲取當前的補償電壓值，并記錄每路晶振當前溫度。計算機通過對每路晶振 在高低溫下的不同采樣點的數據采集信息進行分析，計算出每路晶振的補償電壓-溫度特 性參數并將每路晶振的補償電壓曲線特性參數發送并存儲到其內部EEPROM中。自動調試系統自動地調諧晶振的頻率輸出，同時校準頻率，記錄校準后的補償電 壓值。晶振將輸出頻率信號傳給頻率計；頻率計通過串口將實時采集的頻率信號傳給計算 機；計算機對頻率計傳輸過來的頻率信號進行分析；如果測得輸出與標稱頻率誤差沒有達 到士 0. Olppm以內的要求，則通過串口調整晶振的補償電壓從而改變晶振的輸出頻率，如 果頻率滿足要求，計算機就記錄下當前補償電壓值。對于-40°C 85°C的溫度范圍，可以 取-40°C、-30°C、-20°C、-10°C、0°C、10°C、20°C、30°C、40°C、50°C、60°C、70°C、80°C、9(rCS 采樣溫度點，每個溫度點的保溫時間為15min 20min，整個調試過程總共可以有14個采樣 點。調試系統軟件利用最小二乘法對14個離散信號進行曲線擬合，得到的曲線參數最后發 送給每個晶振電路并存儲在EEPROM中。在圖4中，具有高精度的微機補償表貼溫補晶振由集成微機補償晶振芯片、陶瓷 基座、晶體諧振器、2個濾波電容、1個耦合電容組成。專用微機補償晶振芯片內集成了微機 補償電路與壓控晶振電路，芯片的面積為2. OmmX 2. 0mm。高精度的微機補償溫補晶振的體積為7. OmmX 5. OmmX 2. 0mm,晶振為表面貼裝元件。晶振共有10個引腳，其中4個為晶振的 功能腳，分別為電源、地、壓控、輸出，其余6個引腳為調試用引腳，用于晶振在線調試時使用。
權利要求
1.一種具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，至少包括，被集成在一個芯片內的微機 補償電路、壓控晶體振蕩電路和微機補償程序部件，其特征在于在所述微機補償電路中集 成有一個用于與調試系統進行數據傳輸的串口通訊電路、數據及程序存儲電路、溫度測試 電路和補償電壓產生電路，該微機補償電路連接在壓控晶體振蕩器(VCXO)的壓控調諧端， 溫度傳感器通過數模轉換器(ADC)相連于微處理器(MCU)，溫度傳感器測試出VCXO的溫度 信號，ADC將產生的模擬溫度電壓信號轉換成數字信號反饋給MCU，MCU將該數據帶入MCU 內的多次曲線方程式中，計算出與當前溫度值對應的補償電壓的數據，MCU再把轉換成的補 償電壓發送至模數轉換器(DAC)，DAC再將計算出的電壓值轉換為模擬電壓信號，經濾波器 (LPF)濾去低頻干擾信號后送入VCXO的壓控調諧端，實現對VCXO輸出頻率的高低溫補償。
2.根據權利要求1所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其特征在于，所述數 據及程序存儲電路，包括，一個可擦除的程序存儲器(EEPROM)、一個程序存儲器(ROM)和一 個數據存儲器(RAM)，其中，EEPROM存儲器，用于存儲VQCO的頻率溫度特性參數，ROM存儲 器用于存儲MCU運行的程序，RAM存儲器，用于MCU運行程序時處理的臨時數據。
3.根據權利要求1所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其特征在于，所述微 機補償電路，包括，微處理器(MCU)和通過數模轉換器(ADC)連接MCU的模擬溫度傳感器， 以及集成在微機補償電路中的補償電壓產生電路，其中，模擬溫度傳感器通過熱偶合感應 晶體諧振器的溫度，產生反應溫度變化的模擬電壓信號。
4.根據權利要求3所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其特征在于，集成在 微機補償電路中的補償電壓產生電路，包括，MCU輸出端通過模數轉換器(DAC)連接的低通 濾波器(LPF)和壓控晶體振蕩器(VCXO)，模數轉換器將模擬溫度信號轉換成數字信號并發 送至MCU，模數轉換器將數字補償電壓信號轉換成模擬電壓信號，模擬信號經濾波器(LPF) 濾去低頻干擾信號后送入VCXO的壓控調諧端。
5.根據權利要求1所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其特征在于，所述的 微機補償程序部件，包括調試部分和工作部分，兩個程序部分通過一個標志位進行切換。
6.根據權利要求5所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其特征在于，調試部 分的程序為一個串口通訊代碼識別程序，通過接受到的調試指令代碼實現發送當前溫度、 發送當前補償電壓值、接收并改變補償電壓值、接收溫度特性參數、接收內部開關狀態參 數；工作部分的程序為補償電壓產生程序，實現當前溫度值讀取，通過溫度特性參數計算當 前溫度下的補償電壓值，發送電壓值至DAC轉換器。
7.根據權利要求1所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其特征在于，所述的 補償電壓值與測得的溫度值有如下函數關系Vc = Co+Ci · T+C2 · T2+C3 · T3+C4 · T4+C5 · T5+C6 · T6+C7 · T7。
8.根據權利要求1所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其特征在于，整個 晶振電路集成在一個面積為2. OmmX2. Omm的芯片內，高精度微機補償溫補晶振的體積為 7. OmmX 5. OmmX 2. Omm,晶振為表面貼裝元件。
9.一種使用權利要求1 8任意一項所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其 特征在于，微機補償表貼溫補晶振的自動調試系統，是由多路晶振信號自動切換設備、頻率 計數器、程控電源、計算機、高低溫箱及相關的程序部件組成的。
10.根據權利要求8所述的具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，其特征在于，通過自動調試系統，系統對每路晶振在檢測溫度點下逐一進行調試，校準晶振頻率獲取當前的補 償電壓值，并記錄每路晶振當前溫度。計算機通過對每路晶振在高低溫下的不同采樣點的 數據采集信息進行分析，計算出每路晶振的頻率溫度特性參數并通過串口通訊電路將每路 晶振的頻率溫度特性參數發送并存儲到晶振內部的EEPROM中。
全文摘要
本發明提出的一種具有高精度的微機補償表貼溫補晶振，微機補償電路中集成有數據及程序存儲電路、溫度測試電路和補償電壓產生電路，微機補償電路中溫度傳感器通過數模轉換器相連于微處理器(MCU)，溫度傳感器測試出VCXO的溫度信號，ADC將產生的模擬溫度電壓信號轉換成數字信號反饋給MCU，MCU將該數據與帶入MCU內的多次曲線方程式中，計算出與當前溫度值對應的補償電壓的數據，DAC再將計算出的電壓值轉換為模擬電壓信號，經濾波器(LPF)濾去低頻干擾信號后送入VCXO的壓控調諧端，實現對VCXO輸出頻率的高低溫補償。本發明將整個電路集成在一個專用芯片內不僅解決了溫補晶振在高低溫條件下的精確補償問題，也解決了溫補晶振電路的集成化設計問題。
文檔編號H03B5/04GK102082548SQ20101054081
公開日2011年6月1日 申請日期2010年11月12日 優先權日2010年11月12日
發明者汪靖濤 申請人:成都天奧電子股份有限公司