專利名稱：放大器、提高其共模反饋環路相位裕度方法、射頻接收芯片的制作方法
技術領域：
本發明屬于電子技術領域，涉及一種放大器，尤其涉及一種提高放大器共模反饋 環路相位裕度方法；本發明還涉及一種利用了上述提高放大器共模反饋環路相位裕度方法 的放大器；同時，本發明進一步涉及包含該放大器的射頻接收芯片。
背景技術：
將
圖1共模反饋電路中晶體管M19、M20的柵極與漏極直接相連，即為傳統共模反 饋電路，傳統共模反饋電路在節點A處產生的寄生極點為
權利要求
一種提高放大器共模反饋環路相位裕度的方法，其特征在于所述放大器包括輸入級電路、輸出級電路、共模反饋電路；所述輸入級電路、輸出級電路分別包括若干晶體管；所述共模反饋電路包括兩個晶體管M19、M20，晶體管M19、M20的源極接地，在晶體管M19或/和晶體管M20的柵極與漏極之間接入電阻。
2.根據權利要求1所述的提高放大器共模反饋環路相位裕度的方法，其特征在于 所述晶體管M19連接的電阻的阻值大于等于l/gml9 ；所述晶體管M20連接的電阻的阻值與M19連接的電阻的阻值相等；其中，gffll9為晶體管M19的跨導。
3.根據權利要求1所述的提高放大器共模反饋環路相位裕度的方法，其特征在于 所述輸入級電路包括晶體管M1、M2、M3 ；晶體管Ml源極接電源電壓VDD，晶體管M2、M3分別連接放大器的輸入信號；晶體管M2、 M3分別與晶體管Ml連接。
4.根據權利要求3所述的提高放大器共模反饋環路相位裕度的方法，其特征在于 所述輸入級電路進一步包括至少三組晶體管M4、M5、M8、M9、M10、Mil ；所述晶體管M4、M5的源極連接電源電壓VDD，晶體管M10、M11的源極接地； 所述晶體管M4、晶體管M8、晶體管M10依次連接，晶體管M5、晶體管M9、晶體管Mil依 次連接。
5.根據權利要求4所述的提高放大器共模反饋環路相位裕度的方法，其特征在于 所述晶體管M4、晶體管M8之間還連接有晶體管M6，晶體管M5、晶體管M9之間還連接有晶體管M7。
6.根據權利要求1所述的提高放大器共模反饋環路相位裕度的方法，其特征在于 所述輸出級電路包括晶體管M12、M13，晶體管M12、M13的源極連接電源電壓VDD ； 所述輸出級電路進一步包括晶體管M14、M15，晶體管M14、M15的源極接地。
7.根據權利要求1所述的提高放大器共模反饋環路相位裕度的方法，其特征在于所述共模反饋電路進一步包括晶體管M16、M17、M18，晶體管M17、M18分別與晶體管M16 連接；所述晶體管M17連接晶體管M19，晶體管M18連接晶體管M20 ；所述晶體管M16的源極連接電源電壓VDD，晶體管M17的柵極電壓為放大器輸出級的共 模電壓。
8.—種放大器，其特征在于所述放大器包括輸入級電路、輸出級電路、共模反饋電路；所述輸入級電路、輸出級電路分別包括若干晶體管；所述共模反饋電路包括兩個晶體管M19、M20，晶體管M19、M20的源極接地，晶體管M19 或/和晶體管M20的柵極與漏極之間接入電阻。
9.根據權利要求8所述的放大器，其特征在于所述晶體管M19連接的電阻的阻值大于等于l/gml9 ；所述晶體管M20連接的電阻的阻值 與M19連接的電阻的阻值相等；其中，gffll9為晶體管M19的跨導。
10.根據權利要求8所述的放大器，其特征在于 所述輸入級電路包括晶體管M1、M2、M3 ；晶體管Ml源極接電源電壓VDD，晶體管M2、M3分別連接放大器的輸入信號；晶體管M2、M3分別與晶體管Ml連接。
11.根據權利要求8所述的放大器，其特征在于所述輸入級電路進一步包括至少三組晶體管M4、M5、M8、M9、M10、Mil ； 所述晶體管M4、M5的源極連接電源電壓VDD，晶體管M10、M11的源極接地； 所述晶體管M4、晶體管M8、晶體管M10依次連接，晶體管M5、晶體管M9、晶體管Mil依 次連接。
12.根據權利要求11所述的放大器，其特征在于所述晶體管M4、晶體管M8之間還連接有晶體管M6，晶體管M5、晶體管M9之間還連接有 晶體管M7。
13.根據權利要求8所述的放大器，其特征在于所述輸出級電路包括晶體管M12、M13，晶體管M12、M13的源極連接電源電壓VDD ； 所述輸出級電路進一步包括晶體管M14、M15，晶體管M14、M15的源極接地。
14.根據權利要求8所述的放大器，其特征在于所述共模反饋電路進一步包括晶體管M16、M17、M18，晶體管M17、M18分別與晶體管M16 連接；所述晶體管M17連接晶體管M19，晶體管M18連接晶體管M20 ；所述晶體管M16的源極連接電源電壓VDD，晶體管M17的柵極電壓為放大器輸出級的共 模電壓。
15.一種射頻接收芯片，包括依次連接的低噪聲放大器、混頻器、可變放大器、信道選擇 濾波器、可變放大器，其特征在于所述可變放大器采用的放大器包括輸入級電路、輸出級 電路、共模反饋電路；所述輸入級電路、輸出級電路分別包括若干晶體管；所述共模反饋電路包括兩個晶體管M19、M20，晶體管M19、M20的源極接地，晶體管M19 或/和晶體管M20的柵極與漏極之間接入電阻。
16.根據權利要求15所述的射頻接收芯片，其特征在于所述晶體管M19連接的電阻的阻值大于等于l/gml9 ；所述晶體管M20連接的電阻的阻值 與M19連接的電阻的阻值相等；其中，gffll9為晶體管M19的跨導。
17.根據權利要求15所述的射頻接收芯片，其特征在于 所述輸入級電路包括晶體管M1、M2、M3 ；晶體管Ml源極接電源電壓VDD，晶體管M2、M3分別連接放大器的輸入信號；晶體管M2、 M3分別與晶體管Ml連接。
18.根據權利要求17所述的射頻接收芯片，其特征在于所述輸入級電路進一步包括至少三組晶體管M4、M5、M8、M9、M10、Mil ； 所述晶體管M4、M5的源極連接電源電壓VDD，晶體管M10、M11的源極接地； 所述晶體管M4、晶體管M8、晶體管M10依次連接，晶體管M5、晶體管M9、晶體管Mil依 次連接。
19.根據權利要求18所述的射頻接收芯片，其特征在于所述晶體管M4、晶體管M8之間還連接有晶體管M6，晶體管M5、晶體管M9之間還連接有 晶體管M7。
20.根據權利要求15所述的射頻接收芯片，其特征在于所述輸出級電路包括晶體管M12、M13，晶體管M12、M13的源極連接電源電壓VDD ； 所述輸出級電路進一步包括晶體管M14、M15，晶體管M14、M15的源極接地。
21.根據權利要求15所述的射頻接收芯片，其特征在于所述共模反饋電路進一步包括晶體管M16、M17、M18，晶體管M17、M18分別與晶體管M16 連接；所述晶體管M17連接晶體管M19，晶體管M18連接晶體管M20 ；所述晶體管M16的源極連接電源電壓VDD，晶體管M17的柵極電壓為放大器輸出級的共 模電壓。
全文摘要
本發明揭示了一種放大器、提高其共模反饋環路相位裕度方法，所述放大器包括輸入級電路、輸出級電路、共模反饋電路；所述輸入級電路、輸出級電路分別包括若干晶體管；所述共模反饋電路包括兩個晶體管M19、M20，晶體管M19、M20的源極接地，在晶體管M19或/和晶體管M20的柵極與漏極之間接入電阻。本發明提出的提高其共模反饋環路相位裕度方法，在共模反饋電路中引入的電阻R提高了共模反饋回路的相位裕度，提高了共模反饋回路的穩定性。從另一個角度來說，采用本方法實現的運算放大器可以在穩定的條件下獲得更好的噪聲性能。
文檔編號H03F3/45GK101951234SQ20101026573
公開日2011年1月19日 申請日期2010年8月26日 優先權日2010年8月26日
發明者劉桂芝, 吳國平, 姜亞偉, 孫晶, 繆衛明, 蔣小強, 裘旭亞, 黃年亞 申請人:上海南麟電子有限公司